JPS61269336A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、セラミックパッケージからなる半導体装置に
適用して有効な技術に関する。

〔背景技術〕

半導体装置の一つにそのパッケージがセラミックで形成
された、いわゆるセラミックパッケージ型半導体装置が
ある。

上記パフケージは、その材料が非常に気密性に冨む、そ
のため、そのパフケージを備えた半導体装置は、極めて
耐湿性に優れた特長を有している一方において、非常に
もろい性質があるため欠は易いという欠点がある。そし
て、この欠点が最も現れ易いのが、いわゆるチップキャ
リア型パフケージの半導体装置であり、それもパフケー
ジのコーナー部が特に欠は易いことが本発明者により見
い出された。すなわち、チップキャリア型パッケージは
、それが比較的小型であるとともに、それに比較的大き
いサイズの半導体ペレットが搭載される。これに応じて
、半導体装置製造時において、チップキャリア型パッケ
ージは高い位置合わせ精度をもって製造装置のワークス
テーションに位置決めされることが必要とされる。高い
位置合わせ精度を確保するために、たとえば、チップキ
ャリア型パッケージのコーナー部を、製造装置における
位置合わせ機構に接触させることが必要とされる。その
結果として、チップキャリア型パッケージのコーナー部
には、半導体装置が完成された段階のみでなく、半導体
装置の製造途中においても不所望な外力が加えられてし
まう機会が多くなる。

なお、チップキャリア型半導体装置については、昭和５
８年１１月２８日、サイエンスフォーラム社発行「超Ｌ
ＳＩデバイスハンドブックＪＰ２２６〜Ｐ２２８に説明
されている。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、セラミックパッケージ型半導体装置の
パッケージ強度を向上できる技術を提供することにある
。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、セラミックパッケージのコーナー部にメタラ
イズ層を被着形成することにより、最も欠は易いパッケ
ージ部を補強することができ、その結果前記目的が達成
されるものである。

〔実施例〕

第１図は本発明による一実施例である半導体装置を示す
斜視図である。

本実施例の半導体装置は、いわゆるリードレスチップキ
ャリア（以下、Ｌ、Ｃ，Ｃ，ともいう）型半導体装置で
あり、パッケージ基板１がセラミックで形成され、その
内部に半導体ベレット（図示せず）が搭載されており、
該ベレット等がたとえばセラミックからなるキャンプ２
で封止されているものである。

また、上記パッケージ基板１の側面に形成されている凹
部には、パンケージ内部の半導体ベレットと電気的に接
続されているメタライズ配線層３が被着形成されている
。

そして、上記パッケージ基板のコーナー部の側面には、
タングステン（Ｗ）から成るメタライズ層４が被着形成
されている。

このように、パッケージ基板１のコーナー部の側面にメ
タライズ層４を形成することにより、本来もろい性質の
セラミックから成るパフケージ基板において、最も欠は
易い箇所を補強することができ、パッケージの強度を向
上させることができるものである。

本実施例の半導体装置の製造方法の一例を第２図を利用
して説明する。

第２図は、本実施例の半導体装置に適用されるパッケー
ジ基板１の製造工程である切断工程前の状態の積層基板
５を示す概略部分平面図である。

この切断工程の後、めっき等の後処理を行い、ベレット
取付等が行われるものである。

上記パッケージ基板１は、特に制限されないが、予めメ
タライズペーストが印刷された複数個のパッケージを得
るようにした所定形状の３枚のセラミックグリーンシー
トを用意し、それを積層し焼結し、切断することによっ
て形成される。第１層目のグリーンシートには、タング
ステンペーストが格子状に一定の間隔を置いて印刷され
、ペレット取付部が仮設されている。この仮設のベレッ
ト取付部にほぼ対応する形状のキャビティ用スルーホー
ル６が形成され、かつそのキャビティ用スルーホールの
周囲上面に内部配線用のタングステンペーストが印刷さ
れた第２層目のグリーンシートを積層する。次いで、印
刷されたタングステンペースト層を切る位置に、第１層
および第２層を貫通するスルーホール７を形成し、該ス
ルーホール７の内壁面にタングステンペーストを被着し
、仮設のメタライズ配線層３を形成する。

第２層目のグリーンシート上に、該第２層目のキャビテ
ィ用スルーホール６より一回り大きなキャビティ用スル
ーホール６ａが同間隔で形成された第３層目のグリーン
シートを積層する。そして、第１層〜第３層を貫通する
正方形のスルーホール８を形成し、該スルーホール８の
内壁面にタングステンペーストを被着し、仮設の補強用
メタライズ層４を形成する。

ついで、第２図に示すＡ　＋　、　Ａ　！およびＢ　Ｉ
、　Ｂ　ｚの線に沿ってスナップラインを入れ、所定温
度で焼結し、金等のめっきを行うことにより、同図に示
す切断工程前の積層基板５が形成される。

その後、上記スナップラインに沿って切断することによ
り、一単位のパッケージ基板１が形成される。

上記の如く形成されたパッケージ基板ｌに、常法に基づ
き半導体ペレットの取り付け、該ペレットと外部端子と
の電気的接続、キャップ２の取り付けを行うことにより
、本実施例の半導体装置が完成される。

〔効果〕

（１）、セラミックパッケージのコーナー部のパンケー
ジ側面にメタライズ層を被着形成することにより、最も
欠は易いパッケージ部を補強できるので、パフケージ強
度の向上が達成できる。

（２）、前記（１）により、半導体装置の信鯨性向上が
達成される。

（３）、メタライズ層を硬度の高い金属であるタングス
テンで形成することにより、有効な補強が達成できる。

（４）、半導体装置がリードレスチップキャリア型パフ
ケージを備えたものである場合、外部端子がパッケージ
周囲に延長されていないため、パフケージどうし等の直
接の接触が起こり易いので特に有効である。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、メタライズ層の形成材料はタングステンに限
らず、モリブデン等の如く、同様の目的に利用できる金
属であれば如何なるものであってもよい。

また、パッケージコーナー部の形状も実施例に示すもの
に限るものでない、メタライズ層の被着形成方法も同様
である。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である、いわゆるリードレ
スチップキャリア型半導体装置に適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、たとえば
、フラットパッケージ型等の種のセラミックでパッケー
ジが形成されている半導体装置に適用できる技術である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による一実施例である半導体装置を示
す斜視図、 第２図は、本実施例の半導体装置に適用されるパッケー
ジ基板の製造工程である切断工程前の状態の積層基板を
示す概略部分平面図である。 １・・・パンケージ基板、２・・・キャップ、３・・・
メタライズ配線層、４・・・メタライズ層、５・・・積
層基板、６．６ａ・・・キャビティ用スルーホール、７
・・・第１層および第２層を貫通するスルーホール、８
・・・第１層〜第３層を貫通する正方形のスルーホール
。 第　　１　　図 第　　２　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、セラミックパッケージ型半導体装置であって、パッ
   ケージのコーナー部にメタライズ層が被着形成されてな
   る半導体装置。 ２、メタライズ層がタングステンからなることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、パッケージがチップキャリア型であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。