JPS61269033A - ダイヤフラム - Google Patents

ダイヤフラム

Info

Publication number
JPS61269033A
JPS61269033A JP11173385A JP11173385A JPS61269033A JP S61269033 A JPS61269033 A JP S61269033A JP 11173385 A JP11173385 A JP 11173385A JP 11173385 A JP11173385 A JP 11173385A JP S61269033 A JPS61269033 A JP S61269033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal substrate
diaphragm
plating layer
receiving plate
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11173385A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0570773B2 (ja
Inventor
Kenichi Sugimoto
杉本 建一
Tamotsu Baba
保 馬場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokai Rika Co Ltd filed Critical Tokai Rika Co Ltd
Priority to JP11173385A priority Critical patent/JPS61269033A/ja
Publication of JPS61269033A publication Critical patent/JPS61269033A/ja
Publication of JPH0570773B2 publication Critical patent/JPH0570773B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0627Protection against aggressive medium in general
    • G01L19/0645Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ダイヤフラム、特に周辺固定部とこれに支持
された受圧板とからなり、圧力センサ等に用いられる小
形なダイヤフラムに関する。
〈従来の技術と問題点〉 従来、この種の小形ダイヤフラムとしては、第3図の(
a)に示すような、シリコンウェハーをエツチングして
受圧板Iと周辺固定部2とを一体に形成したシリコンチ
ップ製のダイヤフラムや、第3図の(b)に示すような
、受圧板1に1′i クラツド材を用いるとともに、周
辺固定部2にFe−Ni合金を用いてエツチングにより
これを形成した金属製のダイヤフラムが知られている。
しかしながら、上記のシリコンチップ製のものはシリコ
ンウェハーのらのが高価であり、金属に比べて強度が低
く破損しやすいという問題がある。また金属製のものは
破損はしにくいがクラツド材が高価であり、周辺固定部
2となるFe−Ni合金の耐食性が低く、用途が限定さ
れるという問題がある。
これらの問題点に鑑み、本出願人は先にダイヤフラムの
受圧板及び周辺固定部をすべて耐食性合金のめっきによ
って形成することを提案した(昭和60年5月9日提出
の特許願(2))。しかし、この提案の場合、受圧板と
なるめっき層の上に更に部分的に周辺固定部となる厚い
めっきを施すもの         、1゜であり、め
っき層から基板を分離する時にめっき層が変形して受圧
板に凹凸が生じたり、めっきの         ・:
不均一性のために厚いめっき層の部分に凹凸が生   
      j・; じたりすることがあるため、精度のよいダイヤフ   
       ′1・ラムを得ることが困難であって改
良の余地があった。
本発明はこのような点に着目し、耐食性や強度が大きく
安価であり、しかも小形でも精度よく製造することの可
能なダイヤフラムを得ることを課題としてなされたらの
である。
〈問題点を解決するための手段〉 上記課題を達成するため、本発明のダイヤフラムは、平
滑な表面を有する金属基板上にめっき層を形成し、金属
基板の不要部分をエツチングにより溶解除去することに
より、残された金属基板の部分からなる周辺固定部と、
この周辺固定部に支持されためっき層からなる受圧板と
を形成している。
〈作用〉 本発明によれば、受圧板のみがめつきで形成されて周辺
固定部は金属基板のエツチングによって形成されるため
、受圧板となるめっき層に凹凸が生じたり周辺固定部の
厚みが不均一になったりすることがなく、まためっき層
と金属基板の材質を適切に選定ずろことで所望の耐食性
と強度を得ることが可能となる。
〈実施例〉 以下、図示の実施例について説明する。
第1図は本発明によるダイヤフラムを示す乙ので、ダイ
ヤフラムIOは平板状の受圧板11と周辺固定部12と
で構成される。受圧板11はめっき層からなる厚さ20
〜50μm程度、直径は3〜1OIIII11程度の微
小なものであり、周辺固定部12は厚さ0.2〜0.5
mm程度の金属基板からなるもので外形は四角形、内面
は円形の枠状となっている。
上述のようなダイヤフラムlOは例えば第2図に示す方
法で製作される。
まず、第2図の(a)に示すように、ステンレスやFe
−Ni合金やNiなどの平滑な表面を有する金属基板I
6に十分な表面処理を行ない、一方の面をマスキングテ
ープなどで被覆した後、他方の面に例えば40μmの厚
さのめっき層15を形成する。このめっき層I5は、例
えば無電解めっき処理により形成されたN1−P めっ
き層あるいは電気めっき処理により形成されたN1−P
 めっき層やNi−9nめっき層であり、いずれの場合
も耐薬品性を有し、後述のエツチング液に不溶あるいは
難溶のめっき層である。
次に、(b)に示すように、めっき層」5とは反対の面
にフォトレジスト17を塗布してパターン化した後、エ
ツチング液、例えば塩化第二鉄溶液でエツチング処理を
行なう。この処理によって、フォトレジスト17の塗布
されていない部分の金属基板16は溶解して除去され、
(c)に示すようにめっき層15とフォトレジスト17
が塗布された部分の金属基板16aとが残る。そこでフ
ォトレジスト17を溶解除去することにより、(d)に
示すように金属基板16aにめっき層15が支持された
状態のものが得られ、このめっき層!5が受圧板11と
なり、金属基板16aが周辺固定部12となって第1図
のダイヤフラムlOが形成される。
こうして製作されたダイヤフラム10は、受圧板11が
金属基板16の平滑な表面上に形成されためっき層15
からなる乙のであるため均一な厚さになるとともに、金
属基板16の不要部分の除去がエツチングによって行な
われるため、受圧板f1に無理な力が加わってふくれや
へこみなどの凹凸が生ずるようなことはなく、また周辺
固定部I2は金属基板16の一部がそのまま残ったしの
であるため、周辺固定部12の厚さは均一で凹凸を生ず
るようなこともなく、寸法精度のよい微小なダイヤフラ
ム10が容易に得られるのである。
こうして得られたダイヤフラムIOは、厚肉の周辺固定
部12と薄肉の受圧板11とを有する構造であって、圧
力センサのほか流量センサなどにも利用でき、従来のシ
リコンチップ製や金属製のダイヤフラムよりも感度が高
く、抵抗温度係数や感度温度係数の低い良好な性能を示
した。
〈発明の効果〉 以上の実施例の説明から明らかなように、本発明はダイ
ヤフラムの受圧板をめっきで形成し、周辺固定部を金属
基板のエツチングで形成したものであって、強度が高く
精度のよいダイヤフラムを低コストで製作でき、また受
圧板となるめっき層に凹凸が生じたり、周辺固定部の厚
さが不均一となることもなく、めっき層と金属基板に耐
食性の高い材質を用いることにより耐食性の高いダイヤ
フラムが得られる等の利点がある。
又、金属基板としてめっき層と熱膨張係数の等しいNi
板などを用いれば熱歪の少ないダイヤフラムが得られる
という利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は同実施例
の製造手順を示す図、第3図は従来例の断面図である。 IO・・・ダイヤフラム、11・・・受圧板、12・・
・周辺固定部、15・・・めっき層、16.16a ・
・金属ML17−・・フォトレジスト。 1            特許出願人 株式会社東海
理化電機製作所代 理 人 弁理士 前出 葆 ほか2
名第1図       第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)平滑な表面を有する金属基板上にめっき層を形成
    し、金属基板の不要部分をエッチングにより溶解除去す
    ることにより、残された金属基板の部分からなる周辺固
    定部と、この周辺固定部に支持されためっき層からなる
    受圧板とを形成したことを特徴とするダイヤフラム。
JP11173385A 1985-05-23 1985-05-23 ダイヤフラム Granted JPS61269033A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11173385A JPS61269033A (ja) 1985-05-23 1985-05-23 ダイヤフラム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11173385A JPS61269033A (ja) 1985-05-23 1985-05-23 ダイヤフラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61269033A true JPS61269033A (ja) 1986-11-28
JPH0570773B2 JPH0570773B2 (ja) 1993-10-05

Family

ID=14568797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11173385A Granted JPS61269033A (ja) 1985-05-23 1985-05-23 ダイヤフラム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61269033A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998009145A1 (de) * 1996-08-27 1998-03-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur herstellung von drucksensoren

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5758367A (en) * 1980-09-24 1982-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of pressure sensor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5758367A (en) * 1980-09-24 1982-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of pressure sensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998009145A1 (de) * 1996-08-27 1998-03-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur herstellung von drucksensoren
US6189205B1 (en) 1996-08-27 2001-02-20 Robert Bosch Gmbh Process for producing pressure sensors

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0570773B2 (ja) 1993-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02257643A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2004039319A (ja) メタルマスク
CA2027067A1 (en) Method for forming a continuous oxide superconductor layer having different thickness portions for superconductor device
JPS61269033A (ja) ダイヤフラム
JPH09279366A (ja) 微細構造部品の製造方法
KR20010051524A (ko) Koh 엣칭제에 의한 기질 엣칭동안 반도체 기질상에형성된 구조물 표면보호를 위한 금속필름
JPH09279365A (ja) 微細構造部品を製造する方法
JP2576257B2 (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JP4333107B2 (ja) 転写マスク及び露光方法
JP3077918B2 (ja) エッチング方法
JP2007071594A (ja) 力学量センサの製造方法
US3708863A (en) Method of making a temperature sensing element
JPS5879106A (ja) 薄膜の膜厚測定方法
JPS5819470A (ja) マスク蒸着方法
JPH0823059A (ja) リードフレームの製造方法及びその方法に適した異種金属積層材料のエッチング方法
JPH0233974A (ja) 圧力変換素子の製造方法
JPS61127874A (ja) 微細金形状形成方法
JPH04196550A (ja) 半導体装置
JPH04131109A (ja) 2層構造SiCセラミックスフィルタおよびその製造方法
JPS603092B2 (ja) 樹脂フイルムのエツチング方法
JPS612156A (ja) フオトフアブリケーシヨン用マスクの製作方法
JPS6020514A (ja) X線露光用マスク
JPH01147848A (ja) Ic用リードフレームの製造方法
JP2858830B2 (ja) 電子銃用電極およびその製造方法
JPH03253038A (ja) 半導体装置の製造方法