JPS61263176A - 積層熱電素子の製造方法 - Google Patents
積層熱電素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS61263176A JPS61263176A JP60103431A JP10343185A JPS61263176A JP S61263176 A JPS61263176 A JP S61263176A JP 60103431 A JP60103431 A JP 60103431A JP 10343185 A JP10343185 A JP 10343185A JP S61263176 A JPS61263176 A JP S61263176A
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- Japan
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- hyaline
- thermoelectric element
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、複数のＰ型半導体層とＮ型半導体層とを交
互に積層してなる熱電素子およびその製造方法に関する
ものである。
互に積層してなる熱電素子およびその製造方法に関する
ものである。
〈従来の技術〉
熱電素子の熱起電力を高めるために、複数のＰ型半導体
層とＮ型半導体層とを積層させて多層化することが行な
われており、従来から種々の多層構造やその製造方法が
提案されている。
層とＮ型半導体層とを積層させて多層化することが行な
われており、従来から種々の多層構造やその製造方法が
提案されている。
それらの１つとして例えば特開昭５６−１５２２８２号
に記載の方法がある。この方法は、先ずＰ型およびＮ型
の電導型を有する鉄珪化物を主成分とする化合物粉末に
少なくとも溶剤を混入した混練物を作り、この混練物を
一定厚さに延展してＰ型シートとＮ型シートを夫々作成
する。次いでこれらのＰ型シー１〜とＮ型シートの間に
ＰＮ接合部を残して他の部分を絶縁隔離するための隔離
シートを挟み込んでこれらを貼り合せ、積層シート体を
形成する。多層構造とするには、上記のＰ型シート、Ｎ
型シートおよび隔離シートを夫々複数層積層すればよい
。かような積層シー１〜体を加熱して溶剤を除去俊、焼
結することによって積層熱電素子が１ｑられる。
に記載の方法がある。この方法は、先ずＰ型およびＮ型
の電導型を有する鉄珪化物を主成分とする化合物粉末に
少なくとも溶剤を混入した混練物を作り、この混練物を
一定厚さに延展してＰ型シートとＮ型シートを夫々作成
する。次いでこれらのＰ型シー１〜とＮ型シートの間に
ＰＮ接合部を残して他の部分を絶縁隔離するための隔離
シートを挟み込んでこれらを貼り合せ、積層シート体を
形成する。多層構造とするには、上記のＰ型シート、Ｎ
型シートおよび隔離シートを夫々複数層積層すればよい
。かような積層シー１〜体を加熱して溶剤を除去俊、焼
結することによって積層熱電素子が１ｑられる。
上記の隔離シー１〜としては、ホルステライト等の絶縁
物のシート、あるいは焼成時に昇華。
物のシート、あるいは焼成時に昇華。
蒸発してしまう樟脳紙、不織布、有機物等のシートが用
いられている。従って、絶縁物の隔離シートを用いた場
合には最終製品のＰ型シートとＮ型シートとの間に絶縁
物層がそのまま残留する構造となり、一方焼成時に昇華
、蒸発する隔離シートを用いた場合のＲ綿製品はＰ型シ
ートとＮ型シートとの間にＰＮ接合部を残して空隙が形
成されている構造となる。
いられている。従って、絶縁物の隔離シートを用いた場
合には最終製品のＰ型シートとＮ型シートとの間に絶縁
物層がそのまま残留する構造となり、一方焼成時に昇華
、蒸発する隔離シートを用いた場合のＲ綿製品はＰ型シ
ートとＮ型シートとの間にＰＮ接合部を残して空隙が形
成されている構造となる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら上述した従来の方法においては、予め隔離
シーｊ−を製造しておき、これをＰ型シートとＮ型シー
トの間に挟み込む必要があるため工程が煩雑になる。ま
た、絶縁物のシー１〜を挟み込む場合には、絶縁物の種
類や厚さにょっでは、Ｐ型シー１〜およびＮ型シートと
絶縁物層との界面ヤＰＮ接合部に亀裂が生じて破壊する
危険もある。ざらには、焼成時に昇華、蒸発する隔離シ
ー１〜を用いた場合に形成される空隙を備えた構造では
、機械的強度が十分でなく製品が破損しゃすくなるとい
う欠点がある。
シーｊ−を製造しておき、これをＰ型シートとＮ型シー
トの間に挟み込む必要があるため工程が煩雑になる。ま
た、絶縁物のシー１〜を挟み込む場合には、絶縁物の種
類や厚さにょっでは、Ｐ型シー１〜およびＮ型シートと
絶縁物層との界面ヤＰＮ接合部に亀裂が生じて破壊する
危険もある。ざらには、焼成時に昇華、蒸発する隔離シ
ー１〜を用いた場合に形成される空隙を備えた構造では
、機械的強度が十分でなく製品が破損しゃすくなるとい
う欠点がある。
そこでこの発明は、隔離シー１〜の製造工程やＰ型半導
体層とＮ型半導体層の間に隔離シートを挟み込む工程を
なくして簡単に製造でき、しかも機械的強度の大きい積
層熱電素子とその製造方法を提供することを目的として
なされたものである。
体層とＮ型半導体層の間に隔離シートを挟み込む工程を
なくして簡単に製造でき、しかも機械的強度の大きい積
層熱電素子とその製造方法を提供することを目的として
なされたものである。
〈問題点を解決するだめの手段〉
すなわちこの発明の積層熱電素子は、複数のＰ型半導体
層とＮ型半導体層とを交互に積み重ねた積層構造体の前
記両層の界面にＰＮ接合部を残して空隙を形成してなる
熱電素子の電極取出部を除く表面がガラス質で被覆され
かつ前記空隙の少なくとも一部がガラス質で満たされて
いることを特徴とするものである。
層とＮ型半導体層とを交互に積み重ねた積層構造体の前
記両層の界面にＰＮ接合部を残して空隙を形成してなる
熱電素子の電極取出部を除く表面がガラス質で被覆され
かつ前記空隙の少なくとも一部がガラス質で満たされて
いることを特徴とするものである。
上記の積層熱電素子は、次のような方法により製造する
ことができる。すなわち、Ｐ型の電導型を有する鉄砂化
物材料の複数層とＮ型の電導型を有する鉄砂化物材料の
複数層とを交互に積み重ねて加圧成形し、１ｑられた成
形体を非酸化雰囲気中で焼結して焼結体とし、この焼結
体のＰ型層とＮ型層との界面にＰＮ接合部を残して切込
みを入れて空隙を形成したのちガラス質形成液体中に浸
漬し、乾燥後酸化雰囲気中で焼成する。この焼成によっ
て、積層熱電素子の表面にガラス質の層が形成されかつ
空隙の少なくとも一部がガラス質で満たされるようにな
るとともに、Ｐ型層とＮ型層を半導体化することができ
る。
ことができる。すなわち、Ｐ型の電導型を有する鉄砂化
物材料の複数層とＮ型の電導型を有する鉄砂化物材料の
複数層とを交互に積み重ねて加圧成形し、１ｑられた成
形体を非酸化雰囲気中で焼結して焼結体とし、この焼結
体のＰ型層とＮ型層との界面にＰＮ接合部を残して切込
みを入れて空隙を形成したのちガラス質形成液体中に浸
漬し、乾燥後酸化雰囲気中で焼成する。この焼成によっ
て、積層熱電素子の表面にガラス質の層が形成されかつ
空隙の少なくとも一部がガラス質で満たされるようにな
るとともに、Ｐ型層とＮ型層を半導体化することができ
る。
なお、最終的には積層熱電素子表面の電極取出部はガラ
ス質で被覆されずに露出させておく必要がある。そのた
め、上記の方法においては、電極取出部表面に形成され
たガラス質層を研磨して取除くか、あるいは焼結体の段
階で電極取出部を予めマスキングしてからガラス質形成
液体に浸漬することによって、電極取出部がガラス質層
で覆われないようにすることができる。
ス質で被覆されずに露出させておく必要がある。そのた
め、上記の方法においては、電極取出部表面に形成され
たガラス質層を研磨して取除くか、あるいは焼結体の段
階で電極取出部を予めマスキングしてからガラス質形成
液体に浸漬することによって、電極取出部がガラス質層
で覆われないようにすることができる。
以下、図面を参照しこの発明を更に説明する。
先ず、Ｐ型およびＮ型の電導型を有する鉄砂化物材料と
しては、それぞれＦｅ−３ｉ −Ｍｎを主成分とする化
合物粉末およびＦｅ−５ｉ−ＣＯを主成分とする化合物
粉末が一般に使用できる。これらの粉末材料は、結合剤
のポリビニルアルコール３〜４％（重量％、以下同じ）
含有する水溶液を用いて水分量として５〜８％加えて顆
粒化する。顆粒化は、スプレー噴霧等の周知の技術を用
いて行なうことができ、好ましくは３２〜１５０メツシ
ユの粒径に分級しておく。
しては、それぞれＦｅ−３ｉ −Ｍｎを主成分とする化
合物粉末およびＦｅ−５ｉ−ＣＯを主成分とする化合物
粉末が一般に使用できる。これらの粉末材料は、結合剤
のポリビニルアルコール３〜４％（重量％、以下同じ）
含有する水溶液を用いて水分量として５〜８％加えて顆
粒化する。顆粒化は、スプレー噴霧等の周知の技術を用
いて行なうことができ、好ましくは３２〜１５０メツシ
ユの粒径に分級しておく。
かような分級は、得られたＰ型半導体とＮ型半導体の電
気特性に合せた焼結体の寸法をコン１〜ロールするため
に望ましい。
気特性に合せた焼結体の寸法をコン１〜ロールするため
に望ましい。
この２種類の顆粒を、所望の用途に合せた形状２寸法の
加圧成形用ダイス内に、均一厚さの層状にして交互に複
数層積み重ねて、約２トン／ｃｆ程度の圧力を加えて加
圧成形することによつて、第１図のようなＰ型層１およ
びＮ型層２が交互に積層された加圧成形体１０が得られ
る。
加圧成形用ダイス内に、均一厚さの層状にして交互に複
数層積み重ねて、約２トン／ｃｆ程度の圧力を加えて加
圧成形することによつて、第１図のようなＰ型層１およ
びＮ型層２が交互に積層された加圧成形体１０が得られ
る。
このようにして得られた加圧成形体は、耐機械加工性が
悪く切削加工ができないため、非酸化雰囲気中で焼結さ
せる。焼結に際しては、加圧成形体を先ず酸化雰囲気中
で約４００℃まで加熱して結合剤のポリビニルアルコー
ルや水を酸化あるいは蒸発させて系外に飛散させたのち
、ロータリーポンプで真空とするかアルゴン等の不活性
ガスを送入して非酸化雰囲気として昇温し、最高１１５
０〜１１６０℃の温度で約３時間焼結させる。
悪く切削加工ができないため、非酸化雰囲気中で焼結さ
せる。焼結に際しては、加圧成形体を先ず酸化雰囲気中
で約４００℃まで加熱して結合剤のポリビニルアルコー
ルや水を酸化あるいは蒸発させて系外に飛散させたのち
、ロータリーポンプで真空とするかアルゴン等の不活性
ガスを送入して非酸化雰囲気として昇温し、最高１１５
０〜１１６０℃の温度で約３時間焼結させる。
１ｑられた焼結体ｉｏａ （第２図）は機械加工に充
分耐える強度を有しているため、焼結体のＰ型層１ａと
Ｎ型層２ａとの界面に第２図に示したようにＰＮ接合部
３を残して切込みを入れて空隙４を形成する。切込みは
、通常のダイヤモンドカッター等を用いて行なうことが
できる。
分耐える強度を有しているため、焼結体のＰ型層１ａと
Ｎ型層２ａとの界面に第２図に示したようにＰＮ接合部
３を残して切込みを入れて空隙４を形成する。切込みは
、通常のダイヤモンドカッター等を用いて行なうことが
できる。
次にこの焼結体１０ａに耐炎性、耐酸化性、絶縁性ざら
には耐熱衝撃性を付与するために、第３図に示したよう
にガラス質形成液体５中に焼結体１０ａを浸漬する。浸
漬処理は通常のホウロウ掛は操作の方法が採用でき、使
用するガラス質形成液体は、焼結体１０ａの熱膨張率（
約１２Ｘ１０’）に近いものを選択する。ガラス質形成
液体５から引上げられた焼結体１０ａは、その表面の全
面がガラス質形成液体で覆われ、さらには空隙４にもガ
ラス質形成液体５が充填されていることが望ましいが、
空隙部への充填は必ずしも完全になされていなくてもよ
く、空隙部の一部にガラス質形成液体５が満たされてい
るだけでも、製品の積層熱電素子の機械的強度はかなり
向上する。なお、製品の積層熱電素子には最終的に電極
取出部が必要であり、この電極取出部はガラス質で覆わ
れずに露出している必要があるが、電極取出部の露出方
法については後述する。
には耐熱衝撃性を付与するために、第３図に示したよう
にガラス質形成液体５中に焼結体１０ａを浸漬する。浸
漬処理は通常のホウロウ掛は操作の方法が採用でき、使
用するガラス質形成液体は、焼結体１０ａの熱膨張率（
約１２Ｘ１０’）に近いものを選択する。ガラス質形成
液体５から引上げられた焼結体１０ａは、その表面の全
面がガラス質形成液体で覆われ、さらには空隙４にもガ
ラス質形成液体５が充填されていることが望ましいが、
空隙部への充填は必ずしも完全になされていなくてもよ
く、空隙部の一部にガラス質形成液体５が満たされてい
るだけでも、製品の積層熱電素子の機械的強度はかなり
向上する。なお、製品の積層熱電素子には最終的に電極
取出部が必要であり、この電極取出部はガラス質で覆わ
れずに露出している必要があるが、電極取出部の露出方
法については後述する。
ガラス質形成液体５から引上げられた焼結体は乾燥した
のち、酸化雰囲気中で約８００℃で１００時間程度焼成
する。この焼成により焼結体表面および空隙にガラス質
が形成されるとともにＰ型層およびＮ型層の半導体化が
なされ、第４図に示したようなこの発明の積層熱電素子
２０が１ｑられる。
のち、酸化雰囲気中で約８００℃で１００時間程度焼成
する。この焼成により焼結体表面および空隙にガラス質
が形成されるとともにＰ型層およびＮ型層の半導体化が
なされ、第４図に示したようなこの発明の積層熱電素子
２０が１ｑられる。
この積層熱電素子２０は、Ｐ型半導体層１１とＮ型半導
体層１２とが交互に積み重ねられた積層構造を有し、両
層の界面にＰＮ接合部１３を残して空隙１４が形成され
ており、この素子の電極取出部１６を除く表面がガラス
質１５で被覆されるいるとともに空隙１４にもガラス質
１５が満たされている。
体層１２とが交互に積み重ねられた積層構造を有し、両
層の界面にＰＮ接合部１３を残して空隙１４が形成され
ており、この素子の電極取出部１６を除く表面がガラス
質１５で被覆されるいるとともに空隙１４にもガラス質
１５が満たされている。
電極取出部１６は、前述したようにガラス質１５で覆わ
れずに露出している必要が必る。電極取出部１６の露出
方法としては、ｉ）電極取出部に形成されたガラス質を
研磨加工により除去する方法、ｉｔ）ガラス質形成液体
に浸漬する前に電極取出部に有機物質からなるマスキン
グ剤を塗布しておき、焼成時にマスキング剤の焼失とと
もにガラス質も消失させる方法、１ｉｉ）ガラス質形成
液体への浸漬時に電極取出部のみ浸漬しないようにする
方法、等が採用できる。
れずに露出している必要が必る。電極取出部１６の露出
方法としては、ｉ）電極取出部に形成されたガラス質を
研磨加工により除去する方法、ｉｔ）ガラス質形成液体
に浸漬する前に電極取出部に有機物質からなるマスキン
グ剤を塗布しておき、焼成時にマスキング剤の焼失とと
もにガラス質も消失させる方法、１ｉｉ）ガラス質形成
液体への浸漬時に電極取出部のみ浸漬しないようにする
方法、等が採用できる。
〈実施例〉
Ｆ ｅＯ，９１５Ｓ ’ ２．１３Ｍ ｎＯ，０８５な
る成分をもつＰ型化合物４にｑを振動ボールミル中に入
れ、分散剤としてエチルアルコール１０１００Ｏ！を加
えて４０時間粉砕し、平均１．５μｍの粉末を作った。
る成分をもつＰ型化合物４にｑを振動ボールミル中に入
れ、分散剤としてエチルアルコール１０１００Ｏ！を加
えて４０時間粉砕し、平均１．５μｍの粉末を作った。
次に、エチルアルコールを揮発させ、重合度約１５００
のポリビニルアルコール４％を含む水溶液２８０ｍｇを
、スプレーで噴霧しながらボールミル中で顆粒化させた
。得られた顆粒を３２〜１５０メツシユの篩で篩別し、
約３２００ｇ の顆粒を得た。
のポリビニルアルコール４％を含む水溶液２８０ｍｇを
、スプレーで噴霧しながらボールミル中で顆粒化させた
。得られた顆粒を３２〜１５０メツシユの篩で篩別し、
約３２００ｇ の顆粒を得た。
同様１・Ｆ ０ｏ、９１５Ｓ ’ ２．１３Ｃ００，０
２５なる成分をもつＮ型化合物４Ｋｇを粉砕し、顆粒化
し、篩別１麦、約３３００（ｌ の３２〜１５０メツシ
ユの顆粒を得た。このようにして得られた顆粒はそれぞ
れプラスチック密閉容器に入れて素子成形用原利として
保存した。
２５なる成分をもつＮ型化合物４Ｋｇを粉砕し、顆粒化
し、篩別１麦、約３３００（ｌ の３２〜１５０メツシ
ユの顆粒を得た。このようにして得られた顆粒はそれぞ
れプラスチック密閉容器に入れて素子成形用原利として
保存した。
次に、巾５ｍｍ、艮ざ３２ｍｍ、深さ５５ｍｍの切込み
を入れた加圧成形用ダイスに、上記２種類の顆粒のそれ
ぞれ４，５ｇを表面が平坦になるように層状として交互
に６段注入し、２トン／ｃｆの圧力を加えて成形した。
を入れた加圧成形用ダイスに、上記２種類の顆粒のそれ
ぞれ４，５ｇを表面が平坦になるように層状として交互
に６段注入し、２トン／ｃｆの圧力を加えて成形した。
１ｑられた加圧成形物を、エア・フロー下で２００℃／
ｈｒの昇温速度で４００℃まで加熱した後、ざらにロー
タリーポンプを用いて１０−２〜１０−３Ｔｏｒｒの真
空下ｒ ２００”Ｃ／ｈｒの昇温速度で１１５０℃まで
昇温した。１１５０℃に達したならば１１６０℃以上に
上昇しないように３時間保持して焼結せしめた後、自然
冷却して巾５ｍｍ、長さ３２ｍｍ、高さ３６ｍｍの焼結
体（ビツカーズ硬度１８００以下）を得た。この焼結体
のＰ型層とＮ型層との界面を、端部に４ｍｍのＰＮ接合
部を残して、内周式ダイヤモンドカッターで切込みを入
れた。カッターの刃の厚みを含めた切込みの厚さは約２
ｍｍとなった。
ｈｒの昇温速度で４００℃まで加熱した後、ざらにロー
タリーポンプを用いて１０−２〜１０−３Ｔｏｒｒの真
空下ｒ ２００”Ｃ／ｈｒの昇温速度で１１５０℃まで
昇温した。１１５０℃に達したならば１１６０℃以上に
上昇しないように３時間保持して焼結せしめた後、自然
冷却して巾５ｍｍ、長さ３２ｍｍ、高さ３６ｍｍの焼結
体（ビツカーズ硬度１８００以下）を得た。この焼結体
のＰ型層とＮ型層との界面を、端部に４ｍｍのＰＮ接合
部を残して、内周式ダイヤモンドカッターで切込みを入
れた。カッターの刃の厚みを含めた切込みの厚さは約２
ｍｍとなった。
次に、この焼結体の両端電極取出部に、１００％有機物
からなるエポキシ樹脂液を滴下してマスキングを施した
のち、コーティング用ホウロウ液ＦＸＡ−１０ｊ （
ＮＧＫフリッ１〜社製商品名、熱膨張率２０．５Ｘ ’
Ｉ Ｏ’）に浸漬し引上げて空気中で乾燥し、この浸潤
と乾燥を３回繰返した。
からなるエポキシ樹脂液を滴下してマスキングを施した
のち、コーティング用ホウロウ液ＦＸＡ−１０ｊ （
ＮＧＫフリッ１〜社製商品名、熱膨張率２０．５Ｘ ’
Ｉ Ｏ’）に浸漬し引上げて空気中で乾燥し、この浸潤
と乾燥を３回繰返した。
このようにして得られた焼結体をホウロウ液がガラス質
になる温度８００℃で大気中にて１００時間焼成してＰ
型とＮ型層を半導体化し、積層６段の熱電索子を得た。
になる温度８００℃で大気中にて１００時間焼成してＰ
型とＮ型層を半導体化し、積層６段の熱電索子を得た。
〈発明の効果〉
以上説明したように、この発明の方法によれば、特殊な
製造工程を必要とせず、積層構造体の作成に際しても、
Ｐ型およびＮ型材料を層状にして交互に積み重ねて加圧
成形することによって極めて作業性よく行なうことがで
きる。
製造工程を必要とせず、積層構造体の作成に際しても、
Ｐ型およびＮ型材料を層状にして交互に積み重ねて加圧
成形することによって極めて作業性よく行なうことがで
きる。
また、得られた積層熱電素子はその表面がガラス質で覆
われ、またＰ型半導体とＮ型半導体との界面の空隙にガ
ラス質が満たされているため、機械的強度が高く、ざら
には耐炎性、耐酸化性、絶縁性、耐熱衝撃性等にも優れ
ているものである。
われ、またＰ型半導体とＮ型半導体との界面の空隙にガ
ラス質が満たされているため、機械的強度が高く、ざら
には耐炎性、耐酸化性、絶縁性、耐熱衝撃性等にも優れ
ているものである。
第１図、第２図、第３図および第４図は、それぞれ加圧
成形体の形状、切込みを加工した焼結体の形状、ガラス
質形成液体への浸漬処理、およびこの発明の積層熱電素
子の実施例を説明するものである。 １・・・Ｐ型層、２・・・Ｎ型層、３，１３・・・ＰＮ
接合部、４，１４・・・空隙、５・・・ガラス質形成液
体、１０・・・加圧成形体、ＩＧａ・・・焼結体、１１
・・・Ｐ型半導体層、１２・・・Ｎ型半導体層、１５・
・・ガラス質、１６・・・電極取出部。
成形体の形状、切込みを加工した焼結体の形状、ガラス
質形成液体への浸漬処理、およびこの発明の積層熱電素
子の実施例を説明するものである。 １・・・Ｐ型層、２・・・Ｎ型層、３，１３・・・ＰＮ
接合部、４，１４・・・空隙、５・・・ガラス質形成液
体、１０・・・加圧成形体、ＩＧａ・・・焼結体、１１
・・・Ｐ型半導体層、１２・・・Ｎ型半導体層、１５・
・・ガラス質、１６・・・電極取出部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数のＰ型半導体層とＮ型半導体層とを交互に積み
重ねた積層構造体の前記両層の界面にＰＮ接合部を残し
て空隙を形成してなる熱電素子の電極取出部を除く表面
がガラス質で被覆されかつ前記空隙の少なくとも一部が
ガラス質で満たされていることを特徴とする積層熱電素
子。 ２、Ｐ型の電導型を有する鉄硅化物材料の複数層とＮ型
の電導型を有する鉄硅化物材料の複数層とを交互に積み
重ねて加圧成形し、得られた成形体を非酸化雰囲気中で
焼結して焼結体とし、この焼結体のＰ型層とＮ型層との
界面にＰＮ接合部を残して切込みを入れて空隙を形成し
たのちガラス質形成液体中に浸漬し、乾燥後酸化雰囲気
中で焼成することを特徴とする積層熱電素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60103431A JPS61263176A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 積層熱電素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60103431A JPS61263176A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 積層熱電素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263176A true JPS61263176A (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=14353848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60103431A Pending JPS61263176A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 積層熱電素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263176A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0685893A1 (en) * | 1993-12-16 | 1995-12-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Thermoelectric conversion element, thermoelectric conversion element array, and thermal displacement converter |
| US5705434A (en) * | 1995-11-13 | 1998-01-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing thermoelectric conversion module |
| US5952728A (en) * | 1995-11-13 | 1999-09-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Thermoelectric conversion module having channels filled with semiconducting material and insulating fillers |
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