JPS61261808A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61261808A JPS61261808A JP10302785A JP10302785A JPS61261808A JP S61261808 A JPS61261808 A JP S61261808A JP 10302785 A JP10302785 A JP 10302785A JP 10302785 A JP10302785 A JP 10302785A JP S61261808 A JPS61261808 A JP S61261808A
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- JP
- Japan
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- plane
- film
- substrate
- axis
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/52—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with simultaneous movement of head and record carrier, e.g. rotation of head
- G11B5/53—Disposition or mounting of heads on rotating support
- G11B5/531—Disposition of more than one recording or reproducing head on support rotating cyclically around an axis
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁性薄膜を磁極とする磁気ヘッドに関するもの
である。
である。
従来の技術
従来、垂直磁気配録方式の磁気ヘッドの主磁極膜の支持
基板としては、ガラス、ネオセラム、アルミナ、チタン
カーバイト焼結体等のセラミック２べ−７ 基板が使用されてきた。この理由として、基板表面を滑
らかに鋳面仕上用きること、コバルトクロム等の垂直記
録媒体に対１〜で、耐摩耗性が高く基板加工時にクラッ
クや、歪、チッピング等が入りにくいということで用い
られてきた。垂直ヘッドの製作工程としては、鏡面研摩
仕上げした前記支持基板上に、パーマロイやコバルト、
ジルコン系のアモルファスの高透磁率磁性薄膜をスパッ
タ。
基板としては、ガラス、ネオセラム、アルミナ、チタン
カーバイト焼結体等のセラミック２べ−７ 基板が使用されてきた。この理由として、基板表面を滑
らかに鋳面仕上用きること、コバルトクロム等の垂直記
録媒体に対１〜で、耐摩耗性が高く基板加工時にクラッ
クや、歪、チッピング等が入りにくいということで用い
られてきた。垂直ヘッドの製作工程としては、鏡面研摩
仕上げした前記支持基板上に、パーマロイやコバルト、
ジルコン系のアモルファスの高透磁率磁性薄膜をスパッ
タ。
蒸着、電着等により形成し、この高透磁率磁性膜を所望
のトラック巾にエツチングして、その後磁場中アニール
により歪を除去し、抵抗磁力、高透磁率の磁気特性を示
す主磁極膜を得ている。
のトラック巾にエツチングして、その後磁場中アニール
により歪を除去し、抵抗磁力、高透磁率の磁気特性を示
す主磁極膜を得ている。
発明が解決しようとする問題点
今後、更に、記録密度の向上を図るためにはヘッド特性
の改善が必要である。そのためには主磁極膜の磁気特性
の向上が望捷れる。すなわち、高飽和磁束密度（Ｂ８）
を持ち、抵抗磁力で透磁率が高く、高周波まで透磁率が
下がらない主磁極膜である。しかも、これらの磁気特性
は主磁極膜の膜厚か十分薄い場合において実親しなけれ
ばならな３ペーノ い。従来では、これらを満足するために、たとえはパー
マロイから飽和磁束密度の高いコバルト系のアモルファ
ス膜が開発されてきた。又、透磁率の周波数特性を改良
するために、主磁極膜を磁場中アニール処理により適当
な一軸磁気異方性を持たせ、ヘッドの記録や再生の磁束
の流れの方向を、磁化困難軸方向にする方法も開発され
ている。主磁極膜の磁気特性を向上させるには第一に磁
性薄膜の磁歪を小さくし抗磁力を下げることが必要であ
り、磁歪は磁性薄膜の膜組成に依存する量であるので膜
の組成を十分コントロールしなければなら々い。
の改善が必要である。そのためには主磁極膜の磁気特性
の向上が望捷れる。すなわち、高飽和磁束密度（Ｂ８）
を持ち、抵抗磁力で透磁率が高く、高周波まで透磁率が
下がらない主磁極膜である。しかも、これらの磁気特性
は主磁極膜の膜厚か十分薄い場合において実親しなけれ
ばならな３ペーノ い。従来では、これらを満足するために、たとえはパー
マロイから飽和磁束密度の高いコバルト系のアモルファ
ス膜が開発されてきた。又、透磁率の周波数特性を改良
するために、主磁極膜を磁場中アニール処理により適当
な一軸磁気異方性を持たせ、ヘッドの記録や再生の磁束
の流れの方向を、磁化困難軸方向にする方法も開発され
ている。主磁極膜の磁気特性を向上させるには第一に磁
性薄膜の磁歪を小さくし抗磁力を下げることが必要であ
り、磁歪は磁性薄膜の膜組成に依存する量であるので膜
の組成を十分コントロールしなければなら々い。
第二番目に高透磁率磁性薄膜の磁気異方性のコントロー
ルがある。前述したように磁場中アニールにより基板内
で望みの方向に磁気異方性を付加させているが、この時
、基板内で表面性のムラやあるいは基板に対する印加磁
界方向にバラツキが存在すると付加される磁気異方性の
太きさや方向にムラが生じヘッド特性を悪化させてし甘
う。
ルがある。前述したように磁場中アニールにより基板内
で望みの方向に磁気異方性を付加させているが、この時
、基板内で表面性のムラやあるいは基板に対する印加磁
界方向にバラツキが存在すると付加される磁気異方性の
太きさや方向にムラが生じヘッド特性を悪化させてし甘
う。
第三に磁性薄膜の支持基板の影響がある。磁性薄膜の磁
気特性の向上は、以上述べたことで実現されるが、実際
には磁性薄膜を形成するための支持基板が必要で特に支
持基板の表面性を良くする必要がある。支持基板は、一
般に大きな母材から適当なサイズに切断され、磁性薄膜
の付着する面を鏡面に研摩仕上げされるが、この時、表
面にわずかな凹凸があると、これが磁性薄膜に転写され
磁気的な不均一性を生じ、抗磁力の増加につながる。又
、一定方向に凹凸が連続的に存在すると、この方向に依
存した磁気異方性が生じてし捷う。
気特性の向上は、以上述べたことで実現されるが、実際
には磁性薄膜を形成するための支持基板が必要で特に支
持基板の表面性を良くする必要がある。支持基板は、一
般に大きな母材から適当なサイズに切断され、磁性薄膜
の付着する面を鏡面に研摩仕上げされるが、この時、表
面にわずかな凹凸があると、これが磁性薄膜に転写され
磁気的な不均一性を生じ、抗磁力の増加につながる。又
、一定方向に凹凸が連続的に存在すると、この方向に依
存した磁気異方性が生じてし捷う。
特に、磁性薄膜が薄いとき、顕著にあられれる。
このため支持基板は、きわめて表面性良く仕上げる必要
がある。しかしながら従来から使用さねているアルミナ
、チタンカーバイト焼結体等ではある一定値以」−の良
い表面性は得られない。この原因は焼結体であるために
結晶粒界が存在しこの粒界で凹凸が生じるど思われる。
がある。しかしながら従来から使用さねているアルミナ
、チタンカーバイト焼結体等ではある一定値以」−の良
い表面性は得られない。この原因は焼結体であるために
結晶粒界が存在しこの粒界で凹凸が生じるど思われる。
本発明は上記従来の問題点を解決し、抵抗磁力、高透磁
率で高密度記録に適する磁気ヘッドを得ることを目的と
するものである。
率で高密度記録に適する磁気ヘッドを得ることを目的と
するものである。
５ベーン
問題点を解決するための手段
本発明は」−２目的を達成するものでその技術的手段は
８面｛１０１２｝を含み、〔１０〒０〕軸を回転軸とし
て８面と０面（０００１）との間に存在する結晶面を有
するサファイア単結晶を支持基板とし、前記結晶面内で
存在し〔１０〒０〕軸に垂直な方向を磁化困難軸とし、
前記磁化困難軸の方向が磁気記録媒体と垂直となるよう
に支持基板上に高透磁率磁性薄膜を形成したことを特徴
とする礎久ヘッドを提供するものである。
８面｛１０１２｝を含み、〔１０〒０〕軸を回転軸とし
て８面と０面（０００１）との間に存在する結晶面を有
するサファイア単結晶を支持基板とし、前記結晶面内で
存在し〔１０〒０〕軸に垂直な方向を磁化困難軸とし、
前記磁化困難軸の方向が磁気記録媒体と垂直となるよう
に支持基板上に高透磁率磁性薄膜を形成したことを特徴
とする礎久ヘッドを提供するものである。
作用
本発明は支持基板であるサファイア単結晶の結晶面を適
宜選ぶことにより、基板上に形成される高透磁率磁性薄
膜の磁化困難軸方向の設定を制御することができ、磁気
記録媒体に対して正確Ｋｍ化困難軸方向の位置決めがで
きるため、抵抗磁力。
宜選ぶことにより、基板上に形成される高透磁率磁性薄
膜の磁化困難軸方向の設定を制御することができ、磁気
記録媒体に対して正確Ｋｍ化困難軸方向の位置決めがで
きるため、抵抗磁力。
高透磁率で高密度記録に適した磁気ヘッドを得ることが
できる。
できる。
実施例
以下に本発明の実施例について図面を参照しな６ ヘ−
７ から説明する。
７ から説明する。
第１図は支持基板１に主磁極膜２を適当な形状にパター
ンニングした主磁極基板で、図示していないもう１枚の
基板で主磁極膜２を挾持した稜分割することにより磁気
ヘッドが形成される。
ンニングした主磁極基板で、図示していないもう１枚の
基板で主磁極膜２を挾持した稜分割することにより磁気
ヘッドが形成される。
本実施例は主磁極膜２を形成する支持基板１としてサフ
ァイア単結晶の｛１０１２｝面（通称８面と呼ばれる）
を用いた場合である。この基板の片面を鏡面研摩し、こ
の表面にコバルト、ジルコン系のアモルファス膜を高周
波スパッタ法により、アルゴン雰囲気中で０．１〜０．
３μｍ積層して主磁極膜２とする。次にこれを水素１０
チ含有する窒素雰囲気中で、温度２７０℃、磁場強度１
０００ガウス中の回転出湯中で３０分間、アニールする
。
ァイア単結晶の｛１０１２｝面（通称８面と呼ばれる）
を用いた場合である。この基板の片面を鏡面研摩し、こ
の表面にコバルト、ジルコン系のアモルファス膜を高周
波スパッタ法により、アルゴン雰囲気中で０．１〜０．
３μｍ積層して主磁極膜２とする。次にこれを水素１０
チ含有する窒素雰囲気中で、温度２７０℃、磁場強度１
０００ガウス中の回転出湯中で３０分間、アニールする
。
第２図にこの膜のヌバソタ膜積層直後３とアニール処理
後４の異方性磁界の大きさと基板の面内での方向を極座
標表示した結果を示めす。この結果によると明確にく２
〒〒１〉方向に、磁化困難軸を示めしていることがわか
る。磁場中アニール処理により異方性磁界の大きさは減
少しているかそ７ベーン の方向は変化していない。第３図には、磁化容易軸方向
の出化曲ｉＡと磁化困難軸方向の磁化曲線Ｂを示めすが
、回転磁場中アニールにより抗磁力Ｈａ 、及び異方性
磁界Ｈｋは減少するが特に注目すべきことは、困難軸方
向では、磁化曲線が直線的な変化を示めすことである。
後４の異方性磁界の大きさと基板の面内での方向を極座
標表示した結果を示めす。この結果によると明確にく２
〒〒１〉方向に、磁化困難軸を示めしていることがわか
る。磁場中アニール処理により異方性磁界の大きさは減
少しているかそ７ベーン の方向は変化していない。第３図には、磁化容易軸方向
の出化曲ｉＡと磁化困難軸方向の磁化曲線Ｂを示めすが
、回転磁場中アニールにより抗磁力Ｈａ 、及び異方性
磁界Ｈｋは減少するが特に注目すべきことは、困難軸方
向では、磁化曲線が直線的な変化を示めすことである。
このことは、磁化の変化が磁壁移動でなく磁化回転モー
ドで動作していることを表わし、透磁率が増加しても、
高周波で劣下しないことを意味している。本実施例では
第１図に示すように磁化困難軸のく２１７１〉方向が、
磁気記録媒体（図示せず）に垂直になるように高透磁率
磁性膜よりなる主磁極膜２を支持基板１上に形成してい
る。
ドで動作していることを表わし、透磁率が増加しても、
高周波で劣下しないことを意味している。本実施例では
第１図に示すように磁化困難軸のく２１７１〉方向が、
磁気記録媒体（図示せず）に垂直になるように高透磁率
磁性膜よりなる主磁極膜２を支持基板１上に形成してい
る。
第４図に等方向なガラスを基板としその上にＣｏＺｒＮ
ｂ膜を形成し回転磁場中でアニール処理したもの５と、
本実施例のザファイア単結晶の（１０１２）面を基板と
しその上に同様に積層し処理したＣｏＺｒＮｂ膜を用い
たもの６との透磁率の周波数特性を示す。この結果から
も明らかなように本実施例は高周波特性が優れているこ
とがわかるＯ 本発明に好適なザファイア単結面の面方位に、｛１０１
２｝面を含み、〔１ｏ〒○〕軸を回転軸とし［１０１２
１面と（ｏｏ○１）面（０面）との間に存在する結晶面
である。
ｂ膜を形成し回転磁場中でアニール処理したもの５と、
本実施例のザファイア単結晶の（１０１２）面を基板と
しその上に同様に積層し処理したＣｏＺｒＮｂ膜を用い
たもの６との透磁率の周波数特性を示す。この結果から
も明らかなように本実施例は高周波特性が優れているこ
とがわかるＯ 本発明に好適なザファイア単結面の面方位に、｛１０１
２｝面を含み、〔１ｏ〒○〕軸を回転軸とし［１０１２
１面と（ｏｏ○１）面（０面）との間に存在する結晶面
である。
比較例としてザファイア単結晶の０面（０００１）を用
いた場合について、基板面内での異方性磁界の大きさと
方向を極座標で示したものが第６図である。７はスパッ
タ膜積層直後、８は回転磁場中アニール処理後の結果で
ある。これによると０面では異方性磁界の大きさは減少
しているが明確な異方性は見られず、はぼ等方向な結果
を示す。これら一連の結果からＲ面内で発生していた異
方性磁界がＣ面方向に傾くに従い連続的に減少し、０面
ではほぼ零になり、０面は本発明には適さないことがわ
かる。本実施例はＲ面と０面との間の適当な面を選択す
ることにより異方性磁界の大きさをコントロールするこ
とが出きる。透磁率の大きな磁性膜を得ようとすれは、
磁気異方性磁界の小さい方が望せしいが、余シ小さすぎ
ると、今度は９ベ−ノ 磁化過程が磁壁移動モードになり高周波特性が悪化して
しまう。したがって使用する周波数帯によって適当な大
きさの異方性磁界を選ぶ際に、基板の面方位の選択で異
方性磁界の大きさを容易に制御することができる本実施
例は大変都合が良い。
いた場合について、基板面内での異方性磁界の大きさと
方向を極座標で示したものが第６図である。７はスパッ
タ膜積層直後、８は回転磁場中アニール処理後の結果で
ある。これによると０面では異方性磁界の大きさは減少
しているが明確な異方性は見られず、はぼ等方向な結果
を示す。これら一連の結果からＲ面内で発生していた異
方性磁界がＣ面方向に傾くに従い連続的に減少し、０面
ではほぼ零になり、０面は本発明には適さないことがわ
かる。本実施例はＲ面と０面との間の適当な面を選択す
ることにより異方性磁界の大きさをコントロールするこ
とが出きる。透磁率の大きな磁性膜を得ようとすれは、
磁気異方性磁界の小さい方が望せしいが、余シ小さすぎ
ると、今度は９ベ−ノ 磁化過程が磁壁移動モードになり高周波特性が悪化して
しまう。したがって使用する周波数帯によって適当な大
きさの異方性磁界を選ぶ際に、基板の面方位の選択で異
方性磁界の大きさを容易に制御することができる本実施
例は大変都合が良い。
捷だ本実施例はザファイア基板の本来もっている結晶の
方向性を利用するので、異方性磁界の方向は常に特定の
方向に制御できることになり、透出率が太きく、周波数
特性の良い、主磁極膜を得ることができる。
方向性を利用するので、異方性磁界の方向は常に特定の
方向に制御できることになり、透出率が太きく、周波数
特性の良い、主磁極膜を得ることができる。
更に、単結晶であることから、結晶粒界が存在しないの
で、滑らかな表面性の良い基板が得られるので、抗磁力
の小さい軟磁性膜が得られる。
で、滑らかな表面性の良い基板が得られるので、抗磁力
の小さい軟磁性膜が得られる。
す々わち、垂直ヘッドの主磁極膜として、望ましい磁気
特性を有する高透磁率磁性膜が得られる。
特性を有する高透磁率磁性膜が得られる。
発明の効果
以上要するに本発明はＲ面を含み、［１０１０１方向を
回転軸としてＲ面と０面との間に存在する結晶面を有す
るザファイア単結晶を支持基板とし、前記結晶面内に〔
１０〒０〕軸に垂直な方向を磁１０ベー。
回転軸としてＲ面と０面との間に存在する結晶面を有す
るザファイア単結晶を支持基板とし、前記結晶面内に〔
１０〒０〕軸に垂直な方向を磁１０ベー。
化困難軸とし、前記磁化困難軸の方向か磁気記録媒体と
垂直になるように高透磁率磁性薄膜を形成した磁気ヘッ
ドを提供するもので抵抗磁力、高透磁率で高密度記録に
適する利点を有する。
垂直になるように高透磁率磁性薄膜を形成した磁気ヘッ
ドを提供するもので抵抗磁力、高透磁率で高密度記録に
適する利点を有する。
第１図は、本発明の一実施例である磁気ヘッドの主磁極
基板とその結晶方位を示す斜視図、第２図は、サファイ
アの８面上にｆｆｉ層されたコバルト、波数特性の比較
図、第６図は、サファイアのＣ面上に積層されたコバル
ト、ジルコン、ニオブ膜の異方性磁界の極座標図である
。 １・・・・・支持基板、２・・・・主磁極膜、３，７・
・・・・・スパッタ直後の異方性磁界、４．８・・・・
・・回転磁界中アニール処理後の異方性磁界、６・・・
・・ガラス基板上の磁性膜の透磁率、６・・・・・・ザ
ファイア単結晶Ｒ面基板上の透磁率。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−ヅ 第３図 第 ４ 判 第５図 （ｊｌｌ）（Ｑ）
基板とその結晶方位を示す斜視図、第２図は、サファイ
アの８面上にｆｆｉ層されたコバルト、波数特性の比較
図、第６図は、サファイアのＣ面上に積層されたコバル
ト、ジルコン、ニオブ膜の異方性磁界の極座標図である
。 １・・・・・支持基板、２・・・・主磁極膜、３，７・
・・・・・スパッタ直後の異方性磁界、４．８・・・・
・・回転磁界中アニール処理後の異方性磁界、６・・・
・・ガラス基板上の磁性膜の透磁率、６・・・・・・ザ
ファイア単結晶Ｒ面基板上の透磁率。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−ヅ 第３図 第 ４ 判 第５図 （ｊｌｌ）（Ｑ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｛１０＠１＠２｝面を含み、〔１０＠１＠０〕方向を回
転軸として｛１０＠１＠２｝面と｛０００１｝面との間
に存在する結晶面を有するサファイア単結晶からなる支
持基板と、前記結晶面内に存在し〔１０＠１＠０〕方向
に垂直な方向を磁化困難軸とし、前記磁化困難軸の方向
が磁気記録媒体面と垂直となるように支持基板上に形成
された高透磁率磁性膜とを少なくとも有することを特徴
とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302785A JPS61261808A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302785A JPS61261808A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61261808A true JPS61261808A (ja) | 1986-11-19 |
Family
ID=14343161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10302785A Pending JPS61261808A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61261808A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724017A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-08 | Sony Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP10302785A patent/JPS61261808A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724017A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-08 | Sony Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
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