JPS61260696A - 分布反射型半導体レ−ザ - Google Patents
分布反射型半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61260696A JPS61260696A JP10236685A JP10236685A JPS61260696A JP S61260696 A JPS61260696 A JP S61260696A JP 10236685 A JP10236685 A JP 10236685A JP 10236685 A JP10236685 A JP 10236685A JP S61260696 A JPS61260696 A JP S61260696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- shaped
- inp
- semiconductor laser
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、主として光通信等の光源に用いられる分布
反射型半導体レーザに関する。
反射型半導体レーザに関する。
（従来技術）
分布反射型半導体レーザ（ＤＢＲレーず）は、利得媒質
を有する活性導波路と、特定の波長のみを選択的に反射
する回折格子を有する外部導波路とを結合して構成しＩ
こもので、高速直接変調時においても甲−縦モードで発
振する利点がある。第４図は、従来の分布反射型半導体
レーデの構成を示す断面図であり、この図において１は
ｎ−１ｎＰ基板、２はＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ活性導波路
層、３はｎ−ＩｎＰクラッド層、４はｐ−Ｉｎ Ｇａ
Ａｓ Ｐキャラプ層、５は（ｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ外部導
波路層、６はｎ−ＩｎＰクラッド層、７はクラッド層６
の上面に形成された回折格子、８はＳｉＯ２保護膜、９
゜１０は各々Ａｕ／Ｓｎｆ［極である。また、矢印Ｙは
光射出方向を示す。
を有する活性導波路と、特定の波長のみを選択的に反射
する回折格子を有する外部導波路とを結合して構成しＩ
こもので、高速直接変調時においても甲−縦モードで発
振する利点がある。第４図は、従来の分布反射型半導体
レーデの構成を示す断面図であり、この図において１は
ｎ−１ｎＰ基板、２はＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ活性導波路
層、３はｎ−ＩｎＰクラッド層、４はｐ−Ｉｎ Ｇａ
Ａｓ Ｐキャラプ層、５は（ｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ外部導
波路層、６はｎ−ＩｎＰクラッド層、７はクラッド層６
の上面に形成された回折格子、８はＳｉＯ２保護膜、９
゜１０は各々Ａｕ／Ｓｎｆ［極である。また、矢印Ｙは
光射出方向を示す。
ところで、レーザ素子を半導体つ１ハから小ざく切り出
すチッピングは、作業性の点でへき開が優れており、し
たがって、へさ間によりチッピングが行われる場合が多
い。しかしながら、へき間によりチッピングを行った場
合、切り出された素子がファブリペロモードによる発振
を起こしやすい欠点があった。
すチッピングは、作業性の点でへき開が優れており、し
たがって、へさ間によりチッピングが行われる場合が多
い。しかしながら、へき間によりチッピングを行った場
合、切り出された素子がファブリペロモードによる発振
を起こしやすい欠点があった。
そこでこの発明は、ファブリペロモードによる発振も略
完全に抑制することができる分布反射型半導体レーザを
提供することを目的どしている。
完全に抑制することができる分布反射型半導体レーザを
提供することを目的どしている。
（問題点を解決するための手段〕
この発明は、外部導波路の、活性導波路と反対側の端部
を傾斜面に形成したことを特徴としてる。
を傾斜面に形成したことを特徴としてる。
〔作 用）
外部導波路の端部を傾斜面に形成したことにより、導波
路の両端部が相対向することがなく、この結果、両端面
による置割光が帰還増幅されず、ファブリペロモードに
よる発振を防止することができる。
路の両端部が相対向することがなく、この結果、両端面
による置割光が帰還増幅されず、ファブリペロモードに
よる発振を防止することができる。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例による分布反射型半導体レ
ーザの断面図である。なお、第１図に示す半導体レーザ
の長手方向が結晶軸＜０１１＞の方向である。この実施
例によるこの半導体Ｌフープが第４図に示す従来のもの
と異なる点は、外部導波路層５の、活性導波路層２０反
対側の端部に、傾斜面Ａ（第１図参照）が形成されてい
る点である。
ーザの断面図である。なお、第１図に示す半導体レーザ
の長手方向が結晶軸＜０１１＞の方向である。この実施
例によるこの半導体Ｌフープが第４図に示す従来のもの
と異なる点は、外部導波路層５の、活性導波路層２０反
対側の端部に、傾斜面Ａ（第１図参照）が形成されてい
る点である。
次に、この半導体レーザの製造過程を第２図を参照して
説明する。まず、第２図（イ）に示すようにｎ−１ｎＰ
基板１上にｌｎ Ｇａ ＡＳ Ｐ活性導波路層２、ｎ−
１ｎｐクラッド層３、ｐ−７ｎＧａ△ｓＰキャップ層４
を順次エピタキシャル成長によって形成する。次に上述
したキャップ層４の上面の、第１図に示す活性導波路層
２に対応する部分に耐エツチング保護膜を形成し、他の
部分を０仮１に至るまでエツチングする（第２図（ロ）
）。
説明する。まず、第２図（イ）に示すようにｎ−１ｎＰ
基板１上にｌｎ Ｇａ ＡＳ Ｐ活性導波路層２、ｎ−
１ｎｐクラッド層３、ｐ−７ｎＧａ△ｓＰキャップ層４
を順次エピタキシャル成長によって形成する。次に上述
したキャップ層４の上面の、第１図に示す活性導波路層
２に対応する部分に耐エツチング保護膜を形成し、他の
部分を０仮１に至るまでエツチングする（第２図（ロ）
）。
この場合、エラチャンｊ・の選択により端部が傾斜面と
なる。次に、第２図（ハ）に示すように、（ロ）の基板
１の上面に、１ｎＧａＡｓＰ外部導波路庖５をエピタキ
シャル成長にＪ−って形成する。
なる。次に、第２図（ハ）に示すように、（ロ）の基板
１の上面に、１ｎＧａＡｓＰ外部導波路庖５をエピタキ
シャル成長にＪ−って形成する。
次に、外部導波路層５の上面にｎ−１ｎｐクラッド層６
をエピタキシャル成長によって形成し、次いでクラッド
層６の上面にエツチングによって回折格子７を形成する
（第２図（ハ））。次に第２図（ハ）のものの上面の左
端から右端にわたってストライプ状の耐エツチング保護
膜を形成してエツチングを行い、第２図（ホ）（光射出
方向から見た図）に示す断面逆メサ状のストライプ構造
を形成する。次に、第２図（ホ）に示すように、ストラ
イプ構造の両脇にｐ−Ｉｎｐ第１埋込層１２゜ｎ−１ｎ
Ｐ第２埋込層１３を順次エピタキシャル成長させる。こ
れにより、活性導波路層２および外部導波路層５が埋込
まれる。次に第１図に示すＳ！ Ｏ，？ （また１、
ｔｓｉ ３ Ｎ４）保１ｖ８ を形成ｉ１ｉル。
をエピタキシャル成長によって形成し、次いでクラッド
層６の上面にエツチングによって回折格子７を形成する
（第２図（ハ））。次に第２図（ハ）のものの上面の左
端から右端にわたってストライプ状の耐エツチング保護
膜を形成してエツチングを行い、第２図（ホ）（光射出
方向から見た図）に示す断面逆メサ状のストライプ構造
を形成する。次に、第２図（ホ）に示すように、ストラ
イプ構造の両脇にｐ−Ｉｎｐ第１埋込層１２゜ｎ−１ｎ
Ｐ第２埋込層１３を順次エピタキシャル成長させる。こ
れにより、活性導波路層２および外部導波路層５が埋込
まれる。次に第１図に示すＳ！ Ｏ，？ （また１、
ｔｓｉ ３ Ｎ４）保１ｖ８ を形成ｉ１ｉル。
次に、外部導波路層５の端部をエツチングまたはワイヤ
ーソーによる切削によって斜めに切り取ることにより、
傾斜面△を形成する。次いでＡＵ／Ｚｎ電極９．Ａｕ／
３ｎ電極１０を形成する。
ーソーによる切削によって斜めに切り取ることにより、
傾斜面△を形成する。次いでＡＵ／Ｚｎ電極９．Ａｕ／
３ｎ電極１０を形成する。
以上がこの発明の実施例による半導体レーザの製造工程
である。上）ホしたように、この実施例による半導体レ
ーザは外部導波路層５の端部に傾斜面Ａが形成されてい
るので、導波路の両端面が相対向することがなく、この
結果、いわゆるファブリペロ共振器が形成されず、ファ
ブリペロモードによる発振を起こり゛ことがない。
である。上）ホしたように、この実施例による半導体レ
ーザは外部導波路層５の端部に傾斜面Ａが形成されてい
るので、導波路の両端面が相対向することがなく、この
結果、いわゆるファブリペロ共振器が形成されず、ファ
ブリペロモードによる発振を起こり゛ことがない。
なお、導波路層２．５の組成と発振波長との関係は次の
通りである。
通りである。
また、この発明はこの他にｐｌｎＰＭ板を用い、前記の
構造のｐとｎを全て逆にした構造、およびＩｎＰ系の結
晶組成のみならず、ＧａＡＳ基板を用いた短波長側のＧ
ａＡＳ／ＧａＡ ｌＡＳ系の結晶組成に対しても勿論適
用可能である。
構造のｐとｎを全て逆にした構造、およびＩｎＰ系の結
晶組成のみならず、ＧａＡＳ基板を用いた短波長側のＧ
ａＡＳ／ＧａＡ ｌＡＳ系の結晶組成に対しても勿論適
用可能である。
なお、本発明を、半導体基板上に複数の光素子が形成さ
れた光集積回路に適用する場合には、第３図に示すよう
に、両側に回折格子面を右する構造となる。この場合、
光取出し面は、図のように傾斜面Ａと反対側である。
れた光集積回路に適用する場合には、第３図に示すよう
に、両側に回折格子面を右する構造となる。この場合、
光取出し面は、図のように傾斜面Ａと反対側である。
以上述べたように、この発明による半導体しｍザはファ
ブリペロモードによる発振を防止することが出来る効果
が得られる。
ブリペロモードによる発振を防止することが出来る効果
が得られる。
第１図はこの発明の一実施の構成を示す断面図、第２図
は同実施例の製造工程を示す図、第３図はこの発明の他
の実施例の構成を示す断面図、第４図は従来の分布反ｒ
Ａ型十体レーザの構成を示す断面図である。 ２・・・・・・活性導波路層、５・・・・・・外部導波
路層、Ａ・・・・・・傾斜面。
は同実施例の製造工程を示す図、第３図はこの発明の他
の実施例の構成を示す断面図、第４図は従来の分布反ｒ
Ａ型十体レーザの構成を示す断面図である。 ２・・・・・・活性導波路層、５・・・・・・外部導波
路層、Ａ・・・・・・傾斜面。
Claims (1)
- 利得媒質を有する活性導波路と、回折格子を有する外部
導波路とが結合されてなる分布反射型半導体レーザにお
いて、前記外部導波路の、前記活性導波路と反対側の端
部を傾斜面に形成してなる分布反射型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10236685A JPS61260696A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 分布反射型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10236685A JPS61260696A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 分布反射型半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260696A true JPS61260696A (ja) | 1986-11-18 |
Family
ID=14325458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10236685A Pending JPS61260696A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 分布反射型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61260696A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5147825A (en) * | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Photonic-integrated-circuit fabrication process |
| KR100601968B1 (ko) | 2004-10-27 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | 굴절율이 조절된 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152685A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS59152682A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布反射形半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-05-14 JP JP10236685A patent/JPS61260696A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152685A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS59152682A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布反射形半導体レ−ザ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5147825A (en) * | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Photonic-integrated-circuit fabrication process |
| US5288659A (en) * | 1988-08-26 | 1994-02-22 | At&T Bell Laboratories | Photonic-integrated-circuit fabrication process |
| KR100601968B1 (ko) | 2004-10-27 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | 굴절율이 조절된 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5814532A (en) | Method of manufacturing semiconductor laser | |
| EP0064339B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| EP0663710B1 (en) | Optical semiconductor device and method for producing the same | |
| KR100582114B1 (ko) | 반도체 디바이스 제작 방법 및 반도체 광 디바이스 | |
| JP7134350B2 (ja) | 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 | |
| JPS621296A (ja) | 多端子型半導体レ−ザ素子 | |
| JPH0461514B2 (ja) | ||
| JPS6328520B2 (ja) | ||
| JPS61260696A (ja) | 分布反射型半導体レ−ザ | |
| US5289483A (en) | Semiconductor device having a mesa and method of manufacturing same | |
| JPS6250074B2 (ja) | ||
| JPS61260697A (ja) | 分布反射型半導体レ−ザ | |
| JPH0710015B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその作製方法 | |
| JPS60158688A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2847770B2 (ja) | 半導体レーザ共振器端面の保護層の形成方法 | |
| JP3057188B2 (ja) | 独立駆動型マルチビームレーザとその製造方法 | |
| JP2708796B2 (ja) | 多機能マルチビーム半導体レーザの製造方法 | |
| JPS63255987A (ja) | 埋込み型ｄｂｒ半導体レ−ザ | |
| JPH03139888A (ja) | 端面発光ダイオード | |
| JP2002252406A (ja) | 埋め込みリボン半導体レーザと製造方法 | |
| JP3190665B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS61279192A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH04329678A (ja) | 端面発光ダイオード | |
| JPS58105586A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH04133381A (ja) | 半導体レーザ装置 |