JPS61257472A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS61257472A JPS61257472A JP9850585A JP9850585A JPS61257472A JP S61257472 A JPS61257472 A JP S61257472A JP 9850585 A JP9850585 A JP 9850585A JP 9850585 A JP9850585 A JP 9850585A JP S61257472 A JPS61257472 A JP S61257472A
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- JP
- Japan
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- target
- electrode
- sputtering
- targets
- substrate
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スパッタリング装置に関するもので、特に
ターゲット電極へのスパッタリングターゲットの装着構
造に係るものである。
ターゲット電極へのスパッタリングターゲットの装着構
造に係るものである。
スパッタリング装置のターゲット電極ハ、金属製の電極
板にターゲット材料をインジウム系の半田合金を介して
固着しており、このターゲット電極は工業用として５×
１５インチの寸法のものが多く用いられている。
板にターゲット材料をインジウム系の半田合金を介して
固着しており、このターゲット電極は工業用として５×
１５インチの寸法のものが多く用いられている。
しかしながら、上記のようなターゲット電極は使用量や
使用頻度が非常に少ないターゲット材料をスパッタリン
グによって基板に付着させる場合にも高価なターゲット
電極を用意することが必要であるので不経済である。ま
た、ターゲット材料を変更する場合には、スパッタリン
グ装置に取付はられたターゲットおよびターゲット電極
を取外して他のターゲット電極に固着されたターゲット
と交換しなければならない。このためターゲット電極の
取り換えはターゲット電極水冷部との真空シール部の清
掃や、漏れ点検等に時間を要する問題点があった。
使用頻度が非常に少ないターゲット材料をスパッタリン
グによって基板に付着させる場合にも高価なターゲット
電極を用意することが必要であるので不経済である。ま
た、ターゲット材料を変更する場合には、スパッタリン
グ装置に取付はられたターゲットおよびターゲット電極
を取外して他のターゲット電極に固着されたターゲット
と交換しなければならない。このためターゲット電極の
取り換えはターゲット電極水冷部との真空シール部の清
掃や、漏れ点検等に時間を要する問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ターゲット電極を交換するイ９ ことなくターゲットを取纏けおよび取外すことのできる
スパッタリング装置を得ることを目的とする。
れたもので、ターゲット電極を交換するイ９ ことなくターゲットを取纏けおよび取外すことのできる
スパッタリング装置を得ることを目的とする。
この発明に係るスパッタリング装置は、ターゲット電極
に設けたターゲット取付台に１つあるいは複数の凹状の
ターゲット装着部および装着部内のターゲットを保持す
るターゲット押えを設けたものである。
に設けたターゲット取付台に１つあるいは複数の凹状の
ターゲット装着部および装着部内のターゲットを保持す
るターゲット押えを設けたものである。
この発明におけるスパッタリング装置は、ターゲット電
極に取付けられたターゲット取付台にターゲット装着部
を設けたので、ターゲットの交換や変更に際してターゲ
ット電極の取外しが不要となる。
極に取付けられたターゲット取付台にターゲット装着部
を設けたので、ターゲットの交換や変更に際してターゲ
ット電極の取外しが不要となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。図面
はこの発明のスパッタリング装置の断面図であり、図に
おいて、（１）は真空槽、（２１） ｉｄこの真空槽（
１）の土壁に備えたメインパルプで、真空槽（１）内を
所定の圧力に真空引きする真空ポンプ（図示せず）に接
続されている。（８）は真空槽（１）の土壁に備えらね
たガス供給パルプで、図示しない流量制御装置によって
コントロールされたアルゴン等のスパッタリング雰囲気
ガスを供給する。（４）はターゲット電極で、真空槽（
１）の底部に絶縁板（５）および電極取付板（６）を介
して電気的に絶縁されて取付けられている。なお、真空
槽（１）と絶縁板（５）および電極取付板（６）間には
耐真空シールのためのリングバッキング（ア）、（８）
、（９）が設けられている。また、ターゲット電極（４
）と電極取付板（６）間にはプレーナマグネトロンスパ
ッタリングとして動作させるための環状磁石（１０ａ）
とその中心に棒状磁石（ｉｏｂ）が配設されている。０
１）は上記ターゲット電極（４）を水冷却するための冷
却水経路、（（２）はターゲット電極（４）上に固着さ
れたターゲット取付台で、ｔ［相］導尋始噸ミ この取
付台（１２）にターゲット（１３ａ）、 （１３ｂ）を
それぞれ装着するための凹状のターゲット装着部（１４
ａ）、 （１４ｂ）が形成しであるｏ （１５ａ）、（
１５ｂ）はターゲット装着部（１４ａ）、 （１４ｂ）
内のターゲット（１３ａ）。
はこの発明のスパッタリング装置の断面図であり、図に
おいて、（１）は真空槽、（２１） ｉｄこの真空槽（
１）の土壁に備えたメインパルプで、真空槽（１）内を
所定の圧力に真空引きする真空ポンプ（図示せず）に接
続されている。（８）は真空槽（１）の土壁に備えらね
たガス供給パルプで、図示しない流量制御装置によって
コントロールされたアルゴン等のスパッタリング雰囲気
ガスを供給する。（４）はターゲット電極で、真空槽（
１）の底部に絶縁板（５）および電極取付板（６）を介
して電気的に絶縁されて取付けられている。なお、真空
槽（１）と絶縁板（５）および電極取付板（６）間には
耐真空シールのためのリングバッキング（ア）、（８）
、（９）が設けられている。また、ターゲット電極（４
）と電極取付板（６）間にはプレーナマグネトロンスパ
ッタリングとして動作させるための環状磁石（１０ａ）
とその中心に棒状磁石（ｉｏｂ）が配設されている。０
１）は上記ターゲット電極（４）を水冷却するための冷
却水経路、（（２）はターゲット電極（４）上に固着さ
れたターゲット取付台で、ｔ［相］導尋始噸ミ この取
付台（１２）にターゲット（１３ａ）、 （１３ｂ）を
それぞれ装着するための凹状のターゲット装着部（１４
ａ）、 （１４ｂ）が形成しであるｏ （１５ａ）、（
１５ｂ）はターゲット装着部（１４ａ）、 （１４ｂ）
内のターゲット（１３ａ）。
（１３ｂ）を保持するためのリング状のターゲット押え
で、ねじ（図示せず）によってターゲット取付台（１匂
に固定される。α６）はターゲットシールドで、大地電
位にあり、このシールド０６）のターゲット 、（１３
ａ）、 （１３ｂ）に対向する位置にターゲット押え（
１５ａ）、 （１５ｂ）の開口部寸法より小径のスパッ
タリング窓（１７ａ）、 （１７ｂ）がおいている。（
１８）はスパッタリング電源、０９）バターゲットシー
ルドα６）上方に配設した基板で、基板電極（財）に装
着してあり、基板電極は駆動装置あるいは搬送装置（い
ずれも図示せず）によって移動する。
で、ねじ（図示せず）によってターゲット取付台（１匂
に固定される。α６）はターゲットシールドで、大地電
位にあり、このシールド０６）のターゲット 、（１３
ａ）、 （１３ｂ）に対向する位置にターゲット押え（
１５ａ）、 （１５ｂ）の開口部寸法より小径のスパッ
タリング窓（１７ａ）、 （１７ｂ）がおいている。（
１８）はスパッタリング電源、０９）バターゲットシー
ルドα６）上方に配設した基板で、基板電極（財）に装
着してあり、基板電極は駆動装置あるいは搬送装置（い
ずれも図示せず）によって移動する。
次に動作について説明する。電源（追）からの出力はタ
ーゲット電極（４）およびターゲット取付台（１２）を
介してターゲット（１３ａ）、 （１３ｂ）に印加され
、基板電極（２０）に装着された基板（１０）との間で
スパッタリングが行なえる。ターゲット（１３ａ）、
（１３ｂ）はターゲット取付台（１２）との接触面およ
びターゲット押え（’１５ａ）、 （１５ｂ）の押圧に
より冷却され、スパツタリングによる温度上昇が抑制さ
れる。またターゲラ） （１３ａ）、 （１３ｂ）は環
状磁石（１０ａ）に対応する位置に配設されてプレーナ
マグネトロンスパッタリングが効率よく行なえる。ター
ゲットシールドＱａ） ｌｄメタ−ット以外のターゲッ
ト電極電位部が不要なスパッタリングを発生しないよう
に遮蔽し、スパッタリング窓（１７ａ ）＋ （１７ｂ
）からのみスパッタリングが行なわれる。さらにター
ゲット押え（１５ａ）。
ーゲット電極（４）およびターゲット取付台（１２）を
介してターゲット（１３ａ）、 （１３ｂ）に印加され
、基板電極（２０）に装着された基板（１０）との間で
スパッタリングが行なえる。ターゲット（１３ａ）、
（１３ｂ）はターゲット取付台（１２）との接触面およ
びターゲット押え（’１５ａ）、 （１５ｂ）の押圧に
より冷却され、スパツタリングによる温度上昇が抑制さ
れる。またターゲラ） （１３ａ）、 （１３ｂ）は環
状磁石（１０ａ）に対応する位置に配設されてプレーナ
マグネトロンスパッタリングが効率よく行なえる。ター
ゲットシールドＱａ） ｌｄメタ−ット以外のターゲッ
ト電極電位部が不要なスパッタリングを発生しないよう
に遮蔽し、スパッタリング窓（１７ａ ）＋ （１７ｂ
）からのみスパッタリングが行なわれる。さらにター
ゲット押え（１５ａ）。
（１５ｂ ）は”’２０３等のスパッタリングレートの
低い材料から構成されているが、ターゲット押え（１５
ａ）。
低い材料から構成されているが、ターゲット押え（１５
ａ）。
（１５ｂ）がスパッタリングしないようにスパッタリン
グ窓（１７ａ）、 （１７ｂ’）の大きさが決めである
。
グ窓（１７ａ）、 （１７ｂ’）の大きさが決めである
。
一方、ターゲット（１３ａ）、 （１３ｂ）が同一のタ
ーゲット材料の場合は単一のスパッタ膜が生成され、タ
ーゲット材料が異なる場合は多層のスパッタ膜が生成さ
れる。また、ターゲットの交換は、ターゲットシールド
０６）およびターゲット押えを取外してターゲット取付
台（１２１の装着部（１４ａ）、 （１４ｂ）にターゲ
ット（１３ａ ）＋ （１３ｂ ）を入れ換え、その後
、ターゲット押えおよびシールドを取付ければよく、こ
れによりターゲット電極（４）の着脱が不要になる。
ーゲット材料の場合は単一のスパッタ膜が生成され、タ
ーゲット材料が異なる場合は多層のスパッタ膜が生成さ
れる。また、ターゲットの交換は、ターゲットシールド
０６）およびターゲット押えを取外してターゲット取付
台（１２１の装着部（１４ａ）、 （１４ｂ）にターゲ
ット（１３ａ ）＋ （１３ｂ ）を入れ換え、その後
、ターゲット押えおよびシールドを取付ければよく、こ
れによりターゲット電極（４）の着脱が不要になる。
なお、基板電極（財））は移動する場合以外、移動しな
い場合はターゲラ） （ｉ３ａ）、 （１３ｂ）の材料
を異なるものにし、これにより同一の基板０９）上に複
数の各々異なった材質のスパッタ膜を生成することがで
きる。また、ターゲット取付台（増はターゲット電極（
４）に固着されたものを示したが、ターゲット電極（４
）がターゲット取付台（］２．ｌを含んだ形状であっで
もよい。
い場合はターゲラ） （ｉ３ａ）、 （１３ｂ）の材料
を異なるものにし、これにより同一の基板０９）上に複
数の各々異なった材質のスパッタ膜を生成することがで
きる。また、ターゲット取付台（増はターゲット電極（
４）に固着されたものを示したが、ターゲット電極（４
）がターゲット取付台（］２．ｌを含んだ形状であっで
もよい。
以上説明したようにこの発明によハば、ターゲット電極
に設けられたターゲット取付台に１つあるいは複数の凹
状のターゲット装着部を備えたことにより、ターゲット
電極を取外すことなくターゲットの交換が作秦性よく容
易に行なえ、また単一の夕〜ゲットｔｔｉｈに異なった
複数のターゲット材料を装着することができる等の効果
がある。
に設けられたターゲット取付台に１つあるいは複数の凹
状のターゲット装着部を備えたことにより、ターゲット
電極を取外すことなくターゲットの交換が作秦性よく容
易に行なえ、また単一の夕〜ゲットｔｔｉｈに異なった
複数のターゲット材料を装着することができる等の効果
がある。
図面はこの発明の一実施例を示すスパッタリン置
グ装弁の断面図である○
＜１）−−真空槽 （４）・・ターゲット電極（
１０ａ）、（１０ｂ）・・磁石 ０２）・・ターゲット取付台 （１３ａ）、 （１３ｂ） −−ターゲット（１４ａ）
、 （１４ｂ） ・・ターゲット装着部（１５ａ）、
（１５ｂ）・・ターゲット押えα６）Φｅメタ−ットシ
ールド
１０ａ）、（１０ｂ）・・磁石 ０２）・・ターゲット取付台 （１３ａ）、 （１３ｂ） −−ターゲット（１４ａ）
、 （１４ｂ） ・・ターゲット装着部（１５ａ）、
（１５ｂ）・・ターゲット押えα６）Φｅメタ−ットシ
ールド
Claims (1)
- 真空槽と、真空槽内に雰囲気ガスを導入する手段と、上
記真空槽内に配置され基板に付着させるべき材料のター
ゲットを装着するターゲット電極と、上記基板を装着す
る基板電極と、雰囲気ガスをイオン化するための電源と
を有するスパッタリング装置において、上記ターゲット
電極に設けたターゲット取付台に１つあるいは複数の凹
状のターゲット装着部および装着部内のターゲットを保
持するリング状のターゲット押えを備え、上記ターゲッ
ト上方に対向して設けられたスパッタリング窓を有する
ターゲットシールドを設けたことを特徴とするスパッタ
リング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9850585A JPS61257472A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9850585A JPS61257472A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61257472A true JPS61257472A (ja) | 1986-11-14 |
Family
ID=14221500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9850585A Pending JPS61257472A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61257472A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164757U (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-17 |
-
1985
- 1985-05-07 JP JP9850585A patent/JPS61257472A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164757U (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-17 |
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