JPH06212416A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH06212416A JPH06212416A JP1968093A JP1968093A JPH06212416A JP H06212416 A JPH06212416 A JP H06212416A JP 1968093 A JP1968093 A JP 1968093A JP 1968093 A JP1968093 A JP 1968093A JP H06212416 A JPH06212416 A JP H06212416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- depth
- end point
- sputtering
- piping part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲット材の消耗度を的確に把握して、そ
の交換頻度を低下させ、ターゲット材の有効利用及び歩
留り向上等を有効に図る。 【構成】 真空チャンバ１内の所定位置にターゲット材
６を設置し、ターゲット材６に対して高電圧を印加する
ことにより、スパッタリングを行うようになっている。
ターゲット材６の裏面側でその表面からの終点深さ位置
付近に、所定パターンの配管部７を形成すると共に、こ
の配管部７を圧力スイッチ１２と接続し、ウェハ処理中
にターゲット材６の終点深さを検出し得るようにしたも
のである。配管部７は特に、円弧状もしくは格子状に形
成される。スパッタリング処理反応の進行と伴に、ター
ゲット材６の深さは次第に増大するが、この深さがウェ
ハ処理によって深まって、配管部７に達することによ
り、圧力スイッチ１２が作動する。これにより、ウェハ
処理中にターゲット材６の終点深さを確実に検出するこ
とができる。
の交換頻度を低下させ、ターゲット材の有効利用及び歩
留り向上等を有効に図る。 【構成】 真空チャンバ１内の所定位置にターゲット材
６を設置し、ターゲット材６に対して高電圧を印加する
ことにより、スパッタリングを行うようになっている。
ターゲット材６の裏面側でその表面からの終点深さ位置
付近に、所定パターンの配管部７を形成すると共に、こ
の配管部７を圧力スイッチ１２と接続し、ウェハ処理中
にターゲット材６の終点深さを検出し得るようにしたも
のである。配管部７は特に、円弧状もしくは格子状に形
成される。スパッタリング処理反応の進行と伴に、ター
ゲット材６の深さは次第に増大するが、この深さがウェ
ハ処理によって深まって、配管部７に達することによ
り、圧力スイッチ１２が作動する。これにより、ウェハ
処理中にターゲット材６の終点深さを確実に検出するこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造時
に、ウェハに金属膜を形成するスパッタリング装置、特
にウェハ処理中に金属ターゲットの終点深さを検出可能
なスパッタリング装置に関する。
に、ウェハに金属膜を形成するスパッタリング装置、特
にウェハ処理中に金属ターゲットの終点深さを検出可能
なスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、ウェハ
成膜用のスパッタリング装置が使用されている。一般に
スパッタリング装置は、ウェハ処理中のウェハ温度が上
がらないこと、又、ターゲット材の組成通りの金属膜を
成膜することができる等の特徴を有しており、この種の
装置として主流を占めつつある。
成膜用のスパッタリング装置が使用されている。一般に
スパッタリング装置は、ウェハ処理中のウェハ温度が上
がらないこと、又、ターゲット材の組成通りの金属膜を
成膜することができる等の特徴を有しており、この種の
装置として主流を占めつつある。
【０００３】例えば、マグネトロン・スパッタリング装
置において、板状のターゲット材の裏面側の至近位置に
マグネットが設置されており、ターゲット材表面から出
て該ターゲット材に入る磁力線が、ターゲット材表面を
取り囲むようになっている。そしてターゲット材と陽極
との間に数百Ｖの高電圧を印加して放電を生じさせ、こ
れにより電離電子がマグネトロン運動を行い、高密度プ
ラズマを発生させるようになっている。
置において、板状のターゲット材の裏面側の至近位置に
マグネットが設置されており、ターゲット材表面から出
て該ターゲット材に入る磁力線が、ターゲット材表面を
取り囲むようになっている。そしてターゲット材と陽極
との間に数百Ｖの高電圧を印加して放電を生じさせ、こ
れにより電離電子がマグネトロン運動を行い、高密度プ
ラズマを発生させるようになっている。
【０００４】スパッタリング処理反応の進行と伴に、タ
ーゲット材の深さは次第に増大するが、従来ではウェハ
処理中にターゲット材の寿命を直接にモニタリングする
ことができなかった。このため経験上のウェハ処理時
間，ウェハ処理枚数等を管理することにより、定期的に
ターゲット材を交換するようにしていた。
ーゲット材の深さは次第に増大するが、従来ではウェハ
処理中にターゲット材の寿命を直接にモニタリングする
ことができなかった。このため経験上のウェハ処理時
間，ウェハ処理枚数等を管理することにより、定期的に
ターゲット材を交換するようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
スパッタリング装置では、上記のようにターゲット材の
寿命を間接的にモニタリングするのに留まり、該ターゲ
ット材を定期的に交換するので、その交換時期が早まら
ざるを得ず、このためターゲット材を多量に無駄にする
場合があった。そしてこのように交換頻度が高くなる
と、製造される半導体装置のコストに著しく影響する
上、ウェハ処理効率を低下させる等の問題があった。
スパッタリング装置では、上記のようにターゲット材の
寿命を間接的にモニタリングするのに留まり、該ターゲ
ット材を定期的に交換するので、その交換時期が早まら
ざるを得ず、このためターゲット材を多量に無駄にする
場合があった。そしてこのように交換頻度が高くなる
と、製造される半導体装置のコストに著しく影響する
上、ウェハ処理効率を低下させる等の問題があった。
【０００６】本発明はかかる実情に鑑み、ターゲット材
の消耗度を的確に把握して、その交換頻度を低下させ、
ターゲット材の有効利用及び歩留り向上等を有効に図り
得るスパッタリング装置を提供することを目的とする。
の消耗度を的確に把握して、その交換頻度を低下させ、
ターゲット材の有効利用及び歩留り向上等を有効に図り
得るスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、真空チャンバ内の所定位置にターゲット材を設
置し、このターゲット材に対して高電圧を印加すること
により、スパッタリングを行うようになっているが、上
記ターゲット材の裏面側に、配管部を形成し、この配管
部に接続して上記ターゲット材の終点深さを検出する検
出手段を備えたものである。
装置は、真空チャンバ内の所定位置にターゲット材を設
置し、このターゲット材に対して高電圧を印加すること
により、スパッタリングを行うようになっているが、上
記ターゲット材の裏面側に、配管部を形成し、この配管
部に接続して上記ターゲット材の終点深さを検出する検
出手段を備えたものである。
【０００８】上記配管部は特に、円弧状もしくは格子状
に形成される。
に形成される。
【０００９】
【作用】本発明のスパッタリング装置において、スパッ
タリング処理反応の進行と伴に、ターゲット材の深さは
次第に増大するが、本発明によれば上記ターゲット材の
深さがウェハ処理によって深まり、配管部に達すること
により、ターゲット材の終点深さを検出する検出手段が
作動し、これによりウェハ処理中に上記ターゲット材の
終点深さを確実に検出することができる。
タリング処理反応の進行と伴に、ターゲット材の深さは
次第に増大するが、本発明によれば上記ターゲット材の
深さがウェハ処理によって深まり、配管部に達すること
により、ターゲット材の終点深さを検出する検出手段が
作動し、これによりウェハ処理中に上記ターゲット材の
終点深さを確実に検出することができる。
【００１０】上記の場合、配管部を円弧状又は格子状に
形成することにより、ターゲット材の終点深さを的確に
検出するようにすることができる。
形成することにより、ターゲット材の終点深さを的確に
検出するようにすることができる。
【００１１】
【実施例】以下、図１及び図２に基づき、本発明による
スパッタリング装置の一実施例を説明する。図におい
て、１はスパッタリングチャンバ（真空チャンバ）、２
はスパッタリングチャンバ１内に設置された据付台、
３，４はこの据付台２の下側に設置されたそれぞれＮ極
とＳ極であり、これらの磁極３，４によって図示したよ
うな磁界５が形成される。
スパッタリング装置の一実施例を説明する。図におい
て、１はスパッタリングチャンバ（真空チャンバ）、２
はスパッタリングチャンバ１内に設置された据付台、
３，４はこの据付台２の下側に設置されたそれぞれＮ極
とＳ極であり、これらの磁極３，４によって図示したよ
うな磁界５が形成される。
【００１２】また、６は上記据付台２上の所定位置に固
定された金属ターゲットであり、所望のターゲット材に
より構成されるが、その据付台２側の面に配管部７が形
成されている。この配管部７は、金属ターゲット６の表
面からの終点深さ位置、即ち使用限界深さ付近に設定さ
れている。
定された金属ターゲットであり、所望のターゲット材に
より構成されるが、その据付台２側の面に配管部７が形
成されている。この配管部７は、金属ターゲット６の表
面からの終点深さ位置、即ち使用限界深さ付近に設定さ
れている。
【００１３】上記配管部７は、本実施例では例えば円弧
状に形成される。金属ターゲット６を据付台２上に固定
する場合、図２において二点鎖線により示したように、
配管部７の外側にＯリング等のシール材８を装着し、該
配管部７及び後述する真空検知用配管が大気圧で密閉さ
れるようになっている。なお配管部７は、円弧状の場合
に限らず、例えば格子状に形成してもよく、必要に応じ
てその他のパターンで形成することができる。
状に形成される。金属ターゲット６を据付台２上に固定
する場合、図２において二点鎖線により示したように、
配管部７の外側にＯリング等のシール材８を装着し、該
配管部７及び後述する真空検知用配管が大気圧で密閉さ
れるようになっている。なお配管部７は、円弧状の場合
に限らず、例えば格子状に形成してもよく、必要に応じ
てその他のパターンで形成することができる。
【００１４】さらに、９は上記据付台２等の構成部材を
支持するための支柱部、１０は該支柱部９内を挿通して
おり、その一端１０ａが上記配管部７側に、また他端１
０ｂが装置外部１１にそれぞれ配置されるようにした真
空検知用配管である。この真空検知用配管１０の他端１
０ｂには、隔膜式の真空検知センサ１２が接続されてい
る。そして真空検知センサ１２の出力端子１３を介し
て、検知した真空を表示又はインターロックをとるよう
になっている。
支持するための支柱部、１０は該支柱部９内を挿通して
おり、その一端１０ａが上記配管部７側に、また他端１
０ｂが装置外部１１にそれぞれ配置されるようにした真
空検知用配管である。この真空検知用配管１０の他端１
０ｂには、隔膜式の真空検知センサ１２が接続されてい
る。そして真空検知センサ１２の出力端子１３を介し
て、検知した真空を表示又はインターロックをとるよう
になっている。
【００１５】本発明のスパッタリング装置では、スパッ
タリング処理反応の進行と伴に、金属ターゲット６が消
費されて、その深さは次第に増大する。即ち、図１に示
した薄肉部６ａは、該金属ターゲット６の裏側に設けら
れている配管部７に向かって大きくなる。なお、磁極
３，４によって形成される磁界５のために、本実施例で
は薄肉部６ａは円形状になる。
タリング処理反応の進行と伴に、金属ターゲット６が消
費されて、その深さは次第に増大する。即ち、図１に示
した薄肉部６ａは、該金属ターゲット６の裏側に設けら
れている配管部７に向かって大きくなる。なお、磁極
３，４によって形成される磁界５のために、本実施例で
は薄肉部６ａは円形状になる。
【００１６】そして、本発明によれば金属ターゲット６
の終点深さ付近に、配管部７が設置されているため、ウ
ェハ処理により、金属ターゲット６の深さが深まり、つ
まり薄肉部６ａが次第に大きくなる。かかる薄肉部６ａ
が上記配管部７のいずれかの部分に達すると、スパッタ
リングチャンバ１内の真空度が、真空検知用配管１０を
介して、即座に真空検知センサ１２に伝達される。これ
により真空検知センサ１２が作動し、ウェハ処理中に金
属ターゲット６の終点深さを検出することができる。こ
の場合、真空検知センサ１２の検知信号に基づき、出力
端子１３を介して適宜の表示手段により、終点深さの検
出表示が行われるようになっている。
の終点深さ付近に、配管部７が設置されているため、ウ
ェハ処理により、金属ターゲット６の深さが深まり、つ
まり薄肉部６ａが次第に大きくなる。かかる薄肉部６ａ
が上記配管部７のいずれかの部分に達すると、スパッタ
リングチャンバ１内の真空度が、真空検知用配管１０を
介して、即座に真空検知センサ１２に伝達される。これ
により真空検知センサ１２が作動し、ウェハ処理中に金
属ターゲット６の終点深さを検出することができる。こ
の場合、真空検知センサ１２の検知信号に基づき、出力
端子１３を介して適宜の表示手段により、終点深さの検
出表示が行われるようになっている。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば金
属ターゲットの消耗量を的確に把握することにより、タ
ーゲット材としての有効部分を完全に使い切るまで使用
することができる。従って、ターゲット材の無駄をなく
し、この結果半導体装置のコストを低減すると共に、交
換頻度を少なくすることによってウェハ処理効率を格段
に向上することができる等の利点を有している。
属ターゲットの消耗量を的確に把握することにより、タ
ーゲット材としての有効部分を完全に使い切るまで使用
することができる。従って、ターゲット材の無駄をなく
し、この結果半導体装置のコストを低減すると共に、交
換頻度を少なくすることによってウェハ処理効率を格段
に向上することができる等の利点を有している。
【図１】本発明のスパッタリング装置の一実施例による
要部縦断面図である。
要部縦断面図である。
【図２】本発明の上記スパッタリング装置に係る金属タ
ーゲットの底面図である。
ーゲットの底面図である。
１ スパッタリングチャンバ ２ 据付台 ３ Ｎ極 ４ Ｓ極 ５ 磁界 ６ 金属ターゲット ７ 配管部 ８ シール材 ９ 支柱部 １０ 真空検知用配管 １１ 装置外部 １２ 真空検知センサ １３ 出力端子
Claims (3)
- 【請求項１】 真空チャンバ内の所定位置にターゲット
材を設置し、このターゲット材に対して高電圧を印加す
ることにより、スパッタリングを行うようにしたスパッ
タリング装置において、上記ターゲット材の裏面側に、
配管部を形成し、この配管部に接続して上記ターゲット
材の終点深さを検出する検出手段を備えたことを特徴と
するスパッタリング装置。 - 【請求項２】 上記配管部は、円弧状に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装
置。 - 【請求項３】 上記配管部は、格子状に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1968093A JPH06212416A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1968093A JPH06212416A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06212416A true JPH06212416A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=12005955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1968093A Withdrawn JPH06212416A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06212416A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007092174A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 検出器の形成方法 |
| US8795486B2 (en) | 2005-09-26 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP1968093A patent/JPH06212416A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007092174A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 検出器の形成方法 |
| US7891536B2 (en) | 2005-09-26 | 2011-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
| JP4646883B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-03-09 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | Ｐｖｄターゲット構造体を製造する方法 |
| US8276648B2 (en) | 2005-09-26 | 2012-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
| US8795486B2 (en) | 2005-09-26 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4527431B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5556521A (en) | Sputter etching apparatus with plasma source having a dielectric pocket and contoured plasma source | |
| TW200403786A (en) | Method for performing real time arcing detection | |
| US8342121B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP5065725B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06212416A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2006032759A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR101827472B1 (ko) | 절연물 타겟 | |
| CN207852632U (zh) | 晶圆夹具及电感耦合等离子刻蚀系统 | |
| JP5174848B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP2004039900A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| CN210349767U (zh) | 一种电浆蚀刻反应室 | |
| KR20010023762A (ko) | 에칭 균일성 향상 장치 및 방법 | |
| JP2002261084A (ja) | ドライエッチング方法及び装置 | |
| EP0546052A1 (en) | Method of enhancing the performance of a magnetron sputtering target | |
| JPH0992642A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20010053749A (ko) | 이온 금속 플라즈마 장치 | |
| JPH01175738A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| KR0174988B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
| KR20000021300A (ko) | 반도체 제조공정에 사용되는 플라즈마 장비의 상부전극부 | |
| JPH08176854A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| KR950009251Y1 (ko) | 스퍼터 장비의 웨이퍼 척 | |
| JPH04151826A (ja) | 酸化膜ドライエッチング装置 | |
| JPS61257472A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH0379026A (ja) | ドライエッチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |