JPS61252653A - リ−ドフレ−ムの検査方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの検査方法Info
- Publication number
- JPS61252653A JPS61252653A JP60092229A JP9222985A JPS61252653A JP S61252653 A JPS61252653 A JP S61252653A JP 60092229 A JP60092229 A JP 60092229A JP 9222985 A JP9222985 A JP 9222985A JP S61252653 A JPS61252653 A JP S61252653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- light
- light spot
- psd
- deformation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の構成部品であ
るリードフレームの検査方法に関するものであり、さら
に詳しく言えば、リードフレーム各部の面内での変形（
以下横変形）と面と垂直な方向での変形（以下上下変形
）と、部分メッキ部の位置不良を検査する方法に関する
ものである。
るリードフレームの検査方法に関するものであり、さら
に詳しく言えば、リードフレーム各部の面内での変形（
以下横変形）と面と垂直な方向での変形（以下上下変形
）と、部分メッキ部の位置不良を検査する方法に関する
ものである。
リードフレームとは、エツチング法又はプレス法で厚さ
１００〜３００μｍの金属板を第２図示の様な形状に加
工し、アイランド１及びインナ−リード２先端部に金、
銀等の金属を部分的にメッキしたもので、このリードフ
レームのアイランド１に半導体チップを装着（ダイボン
ディング）シ、さらにインナーリード先端部と半導体チ
ップの電極を金、アルミなどの細い金属線で接続（ワイ
ヤーボンディング）して半導体装置を製造するものであ
る。なお、第２図で、３はダム、４はアクタ−リード、
５は外枠、６は部分メッキ領域をそれぞれ表わす。
１００〜３００μｍの金属板を第２図示の様な形状に加
工し、アイランド１及びインナ−リード２先端部に金、
銀等の金属を部分的にメッキしたもので、このリードフ
レームのアイランド１に半導体チップを装着（ダイボン
ディング）シ、さらにインナーリード先端部と半導体チ
ップの電極を金、アルミなどの細い金属線で接続（ワイ
ヤーボンディング）して半導体装置を製造するものであ
る。なお、第２図で、３はダム、４はアクタ−リード、
５は外枠、６は部分メッキ領域をそれぞれ表わす。
以上はリードフレームの説明であるが、リードフレーム
自体は前述の様に板厚が小さく、かつインナーリード２
など各部の巾は１００〜数１００μｍと細いため、製造
途中で変形を起こす場合があり。
自体は前述の様に板厚が小さく、かつインナーリード２
など各部の巾は１００〜数１００μｍと細いため、製造
途中で変形を起こす場合があり。
また製造装置の誤動作等により部分メッキ領域６の位置
精度不良が生ずる場合もあり、製品の中にこの様な不良
品が混入する事がある。この様な不良品を使用するとグ
イボンディングあるいはワイヤーボンディング工程での
不良品の発生及び完成した半導体装置の信頼性の低下な
どの原因となる為、リードフレーム製造後検査を行い不
良品を排除する事が不可欠となっている。
精度不良が生ずる場合もあり、製品の中にこの様な不良
品が混入する事がある。この様な不良品を使用するとグ
イボンディングあるいはワイヤーボンディング工程での
不良品の発生及び完成した半導体装置の信頼性の低下な
どの原因となる為、リードフレーム製造後検査を行い不
良品を排除する事が不可欠となっている。
従来、この様なリードフレームの検査には、裸眼又は顕
微鏡を用いての目視により行なわれているのが通例であ
るが、多数の製品を検査するためＫは多大な人手を要し
、また、官能検査であるため、検査精度及び信頼性に問
題があった。
微鏡を用いての目視により行なわれているのが通例であ
るが、多数の製品を検査するためＫは多大な人手を要し
、また、官能検査であるため、検査精度及び信頼性に問
題があった。
この様な問題を解決するために、例えばリードフレーム
の横変形を検査する方法に関しては、■ＴＶを用いてリ
ードフレームを透過照明で撮影して得たビデオ信号を、
基導パターン又は隣接するパターンを同様に撮影して得
た信号と比較して変形を検出する方法が、また、部分メ
ッキ部の検査に関しては、反射照明を用いて同様の処理
を行っ。
の横変形を検査する方法に関しては、■ＴＶを用いてリ
ードフレームを透過照明で撮影して得たビデオ信号を、
基導パターン又は隣接するパターンを同様に撮影して得
た信号と比較して変形を検出する方法が、また、部分メ
ッキ部の検査に関しては、反射照明を用いて同様の処理
を行っ。
てメッキ部の位置不良を検出する方法が、そして上下変
形の検査に関し【は、光学式非接触高さ測定器を用いた
方法、などがそれぞれ提案されている。
形の検査に関し【は、光学式非接触高さ測定器を用いた
方法、などがそれぞれ提案されている。
しかして、これらの方法によれば、各々個別には目的を
達せられるものの検査項目毎に異なる方法を用いなけれ
ばならないから、検査工程が複雑になり、また、Ｉ ’
ｒ Ｖを用いた方法では、リードフレームに付着したゴ
ミやキズ等不良原因とならないものを検出して不良判定
する場合があり、さらに、非接触高さ測定器を用いた方
法では、測定点がバター／のエツジ上にあるときに測定
値が不安定となるなど信頼性の面で問題が多く、実用化
が困難であった。
達せられるものの検査項目毎に異なる方法を用いなけれ
ばならないから、検査工程が複雑になり、また、Ｉ ’
ｒ Ｖを用いた方法では、リードフレームに付着したゴ
ミやキズ等不良原因とならないものを検出して不良判定
する場合があり、さらに、非接触高さ測定器を用いた方
法では、測定点がバター／のエツジ上にあるときに測定
値が不安定となるなど信頼性の面で問題が多く、実用化
が困難であった。
本発明の目的は、上記した従゛来技術の欠点を除き・、
一工程でリードフレームの横変形、縦変形。
一工程でリードフレームの横変形、縦変形。
それにメッキの有無などの表面状態の全ての検査を高い
信頼性のもとで行なうことができるリードフレームの検
査方法を提供するにある。
信頼性のもとで行なうことができるリードフレームの検
査方法を提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は、検査すべきリード
フレームの面を光スポットで走査し、このときの透過光
と走査位置によりリードフレームの横変形を検出し、こ
のときのリードフレームによる反射光の量によりリード
フレームの表面状態を検出し、さらに、このときのリー
ドフレーム上での光スポットの像を、この光スポットの
照射光軸に対して斜めの方向に投射結像したときの結像
位置の変位による光学的三角測量方式にもとすく計測に
よりリードフレームの上下変形を検出するようにした点
を特徴とする。
フレームの面を光スポットで走査し、このときの透過光
と走査位置によりリードフレームの横変形を検出し、こ
のときのリードフレームによる反射光の量によりリード
フレームの表面状態を検出し、さらに、このときのリー
ドフレーム上での光スポットの像を、この光スポットの
照射光軸に対して斜めの方向に投射結像したときの結像
位置の変位による光学的三角測量方式にもとすく計測に
よりリードフレームの上下変形を検出するようにした点
を特徴とする。
以下、本発明によるリードフレームの検査方法について
、図示の実施例により詳細に説明する。
、図示の実施例により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例で、図において、７は光源側
検出部、８は点光源として働（半導体レーザ、９は光ス
ポツト照射用のレンズ、１０は光スポットの儂を結像す
るレンズ、１１は一次元光入射位置検出素子として働（
ＰＳＤ（半導体装置検出素子）、１２はＰ Ｓ Ｄｌｌ
からの信号Ｓｌ、Ｓ、を処理する信号処理部、１３は透
過検出部、１４は集光用のレンズ、１５はフォトダイオ
ード、光導電素子などからなる受光素子、１６は受光素
子１５の信号Ｔ１７）信号処理部、１７はデジタルメモ
リからなる波形記憶装置、１８はコンピュータなどから
なる制御判定部、１９は走査用のＸＹステージ、２０は
ＸＹステージ１９を駆動するモータ％２１はＸＹステー
ジの位置を検出するリニアエンコーダ、２２は検査すべ
きリードフレームである。
検出部、８は点光源として働（半導体レーザ、９は光ス
ポツト照射用のレンズ、１０は光スポットの儂を結像す
るレンズ、１１は一次元光入射位置検出素子として働（
ＰＳＤ（半導体装置検出素子）、１２はＰ Ｓ Ｄｌｌ
からの信号Ｓｌ、Ｓ、を処理する信号処理部、１３は透
過検出部、１４は集光用のレンズ、１５はフォトダイオ
ード、光導電素子などからなる受光素子、１６は受光素
子１５の信号Ｔ１７）信号処理部、１７はデジタルメモ
リからなる波形記憶装置、１８はコンピュータなどから
なる制御判定部、１９は走査用のＸＹステージ、２０は
ＸＹステージ１９を駆動するモータ％２１はＸＹステー
ジの位置を検出するリニアエンコーダ、２２は検査すべ
きリードフレームである。
次に、この実施例の動作について説明する。
まず、検出部７内の半導体レーザ８より射出された光は
レンズ９でリードフレーム２２上に直径約１００μ属の
光スポットを形成する。この光スポットの反射散乱光を
照射光軸に対し光軸な４０句角度を持たせた受光レンズ
１０で一次元位置検出用ＰＳＤ１１上に光スポットの儂
を形成する。ＰＳＤＩＩは２個の出力端子をもち、それ
らから得られる信号Ｓ１゜Ｓ２はＰＳＤ上に結像した光
スポットの光強度情報とＰＳＤ上での結像位置情報を持
ち、（Ｓｓ＋Ｓｘ ）が光強度、（Ｓｓ Ｓｔ ）／
（Ｓｔ＋Ｓｔ ）が位置の信号となる。
レンズ９でリードフレーム２２上に直径約１００μ属の
光スポットを形成する。この光スポットの反射散乱光を
照射光軸に対し光軸な４０句角度を持たせた受光レンズ
１０で一次元位置検出用ＰＳＤ１１上に光スポットの儂
を形成する。ＰＳＤＩＩは２個の出力端子をもち、それ
らから得られる信号Ｓ１゜Ｓ２はＰＳＤ上に結像した光
スポットの光強度情報とＰＳＤ上での結像位置情報を持
ち、（Ｓｓ＋Ｓｘ ）が光強度、（Ｓｓ Ｓｔ ）／
（Ｓｔ＋Ｓｔ ）が位置の信号となる。
そこで、このＰＳＤＩＩに接続されている信号処理部１
２は、ＰＳＤの信号Ｓ１．Ｓ２に基づいて上記の演算を
行った後、光学系及びＰＳＤＩＩ自体の受光特性の補正
を行い、リードフレーム２２上の光スポットの高さ及び
散乱光強度に比例した信号を出力する。
２は、ＰＳＤの信号Ｓ１．Ｓ２に基づいて上記の演算を
行った後、光学系及びＰＳＤＩＩ自体の受光特性の補正
を行い、リードフレーム２２上の光スポットの高さ及び
散乱光強度に比例した信号を出力する。
一方、透過光検出器１３は前記照射光がリードフレーム
パターンの間を通過した光をレンズ１４により受光素子
１５上に入射させ信号処理部１６で透過光量に比例した
信号Ｓ、を１７及び１８へ出力する。
パターンの間を通過した光をレンズ１４により受光素子
１５上に入射させ信号処理部１６で透過光量に比例した
信号Ｓ、を１７及び１８へ出力する。
第３図はインナーリード２の先端部２αを光スポットＳ
が走査したときの各検出器１２ 、１６の信号の変化と
リード先端部２αとの位置関係を示す図で、図中でリー
ド先端部２ｔＬに施こしである斜線部はメッキされてい
る事を示す。また、この図で、Ｔは透過光量の変化を示
し実線はリードの横変形がある部分を走査したときの信
号、破線は変形のない対応する部分を走査したときの信
号を、ＴＩは両者の差を示し、Ｒは反射光量信号を、Ｈ
は高さ信号を示す。
が走査したときの各検出器１２ 、１６の信号の変化と
リード先端部２αとの位置関係を示す図で、図中でリー
ド先端部２ｔＬに施こしである斜線部はメッキされてい
る事を示す。また、この図で、Ｔは透過光量の変化を示
し実線はリードの横変形がある部分を走査したときの信
号、破線は変形のない対応する部分を走査したときの信
号を、ＴＩは両者の差を示し、Ｒは反射光量信号を、Ｈ
は高さ信号を示す。
透過光量信号Ｔは、パターンの水平位置情報と、光スポ
ットとパターンエツジとの位置関係情報の双方を持ち、
水平変形のある部分Ａを走査したときの信号（実線）と
、あらかじめ変形のないＩＪ−ドフレームの対応する部
分Ｂを走査して記憶しであるデータ（破線）とを減算す
るとＴＩで示す様に変形の発生している部分のみ値が大
きくなっている信号が得られ、これを所定のスライスレ
ベルと比較すれば水平変形があるか否かを検出する事が
できる。
ットとパターンエツジとの位置関係情報の双方を持ち、
水平変形のある部分Ａを走査したときの信号（実線）と
、あらかじめ変形のないＩＪ−ドフレームの対応する部
分Ｂを走査して記憶しであるデータ（破線）とを減算す
るとＴＩで示す様に変形の発生している部分のみ値が大
きくなっている信号が得られ、これを所定のスライスレ
ベルと比較すれば水平変形があるか否かを検出する事が
できる。
一方、アイランド１など、その変位量が問題になる部分
では、透過光量が５０％となる点でのステージ座標信号
によりパターンのエツジ座標を検出し、設計値等の基準
値と比較して変形量を検出する事ができる。また、透過
光量が０又は所定のスライスレベル以下となる位置で、
光スポットの全て又は大部分がパターン上にある事を認
識できるから、これによりＰＳＤＩＩによる検査を正し
く行なうタイミングを知ることができる。すなわち、反
射光量信号Ｒはメッキ面と非メッキ面の表面粗度の相異
によりメッキ面上で大きく非メツキ面上で小さくなり、
メッキの有無に関する情報をもつ。
では、透過光量が５０％となる点でのステージ座標信号
によりパターンのエツジ座標を検出し、設計値等の基準
値と比較して変形量を検出する事ができる。また、透過
光量が０又は所定のスライスレベル以下となる位置で、
光スポットの全て又は大部分がパターン上にある事を認
識できるから、これによりＰＳＤＩＩによる検査を正し
く行なうタイミングを知ることができる。すなわち、反
射光量信号Ｒはメッキ面と非メッキ面の表面粗度の相異
によりメッキ面上で大きく非メツキ面上で小さくなり、
メッキの有無に関する情報をもつ。
しかし、反射光量信号を一定のレベルと比較するだけで
は、光スポットがリードの中間にある場合にはメッキ無
しの信号となり、ノ（ターンエツジ上にある場合には、
非メツキ部であっても端面での光散乱によりメッキ有り
の信号となるため、前記の様に透過光量信号Ｔにより光
スポットの全て又は大部分がパターン上にある事を条件
としてメッキ部非メッキ部の反射光量レベルの中間値を
スライスレベルとして比較すれば、メッキの有無を確実
に検出でき、例えば部分メッキ指定領域境界線の内側を
走査しているときにメッキ無しの信号が検出されればメ
ッキ位置不良を検出した事になる。
は、光スポットがリードの中間にある場合にはメッキ無
しの信号となり、ノ（ターンエツジ上にある場合には、
非メツキ部であっても端面での光散乱によりメッキ有り
の信号となるため、前記の様に透過光量信号Ｔにより光
スポットの全て又は大部分がパターン上にある事を条件
としてメッキ部非メッキ部の反射光量レベルの中間値を
スライスレベルとして比較すれば、メッキの有無を確実
に検出でき、例えば部分メッキ指定領域境界線の内側を
走査しているときにメッキ無しの信号が検出されればメ
ッキ位置不良を検出した事になる。
同様に高さ信号Ｈも図示の様に光スポットがパターンの
間にある場合は値が不定となり、また、エツジ上では端
面の反射光の影響及びＰＳＤ上に結像した光スポットの
輝度分布が変化するために測定誤差を生ずるが、前記の
メッキの有無の検出の場合と同様に、光スポットの全て
又は大部分がパターン上にある事を条件として高さ検出
を行えば常に正確な値が得られ、基準値、例えばダム中
央部の高さ等と比較することにより上下変形が検出でき
る。
間にある場合は値が不定となり、また、エツジ上では端
面の反射光の影響及びＰＳＤ上に結像した光スポットの
輝度分布が変化するために測定誤差を生ずるが、前記の
メッキの有無の検出の場合と同様に、光スポットの全て
又は大部分がパターン上にある事を条件として高さ検出
を行えば常に正確な値が得られ、基準値、例えばダム中
央部の高さ等と比較することにより上下変形が検出でき
る。
ここで、ＰＳＤＩＩによる上下変形検出の原理について
、さらに詳しく説明する。
、さらに詳しく説明する。
第４図に示すように、半導体レーザ８からレンズ９を介
してビーム先端部２ａに照射された光スポットの像はレ
ンズ１０によってＰ Ｓ Ｄｌｌの検出面上の位Ｉｔヒ
）に結像されている。
してビーム先端部２ａに照射された光スポットの像はレ
ンズ１０によってＰ Ｓ Ｄｌｌの検出面上の位Ｉｔヒ
）に結像されている。
この状態でリード先端部２ａが実線の位置から破線の位
置に移ったとすれば、このときにはＰＳＤ１１上の光ス
ポツト像の位置は（ロ）に変位する。
置に移ったとすれば、このときにはＰＳＤ１１上の光ス
ポツト像の位置は（ロ）に変位する。
、従って、Ｐ Ｓ ＤＩＩＫより光スポツト像の移動距
離ｌを検出してやれば、リードフレームの上下変形りを
測定することができるのである。
離ｌを検出してやれば、リードフレームの上下変形りを
測定することができるのである。
ところで、このときの光軸ＬｌとＬ２のなす角度θは、
９０度未満に保つ必要があり、実用上は上記実施例のよ
うに４０度付近にするのが望ましい。
９０度未満に保つ必要があり、実用上は上記実施例のよ
うに４０度付近にするのが望ましい。
なお、このような一次元光入射位置検出手段としてのＰ
ＳＤについては、例えば、「電子材料」１９８０年２月
号などにより公知である。
ＳＤについては、例えば、「電子材料」１９８０年２月
号などにより公知である。
以上が本発明の実施例による上下変形、横変形及びメッ
キ位置不良を検出する方法の説明である。
キ位置不良を検出する方法の説明である。
次に、本発明の実施例によりリードフレームを検査する
場合のさらに具体的な動作について説明する。第５図は
リードフレーム２２のパターン上を走査して変形及びメ
ッキ位置不良の検査を行う例を示したもので１図中斜線
部はメッキされている領域を示す。
場合のさらに具体的な動作について説明する。第５図は
リードフレーム２２のパターン上を走査して変形及びメ
ッキ位置不良の検査を行う例を示したもので１図中斜線
部はメッキされている領域を示す。
この図において、３０〜４６は走査径路を示す点で、ま
ず、３０は走査開始点で、点３０−３１でダム部両端の
Ｘ座標を、点３１−３２でインナーリード２の両端のＹ
座標を検出し、各々の中点を求めてリードフレームの原
点座標とし、以後の走査経路がリードフレームの座標系
で定められた経路となる様に補正を行う。また、点３０
−３１の走査でダム部の高さを測定し、高さの基準値と
する。点３３−３４−３５−３６−３３の経路はインナ
ーリード先端部の水平及び上下方向の変形を検出する部
分で、水平変形に関しては点３３の座標からリニアエン
コーダ２１の信号により移動距離１０μ等毎の透過光量
信号をあらかじめ変形のないリードフレームの同一の経
路を走査して得た同一の場所の透過光蓋データと比較し
、その差が所定のレベル以上の部分を変形不良と判定す
る。
ず、３０は走査開始点で、点３０−３１でダム部両端の
Ｘ座標を、点３１−３２でインナーリード２の両端のＹ
座標を検出し、各々の中点を求めてリードフレームの原
点座標とし、以後の走査経路がリードフレームの座標系
で定められた経路となる様に補正を行う。また、点３０
−３１の走査でダム部の高さを測定し、高さの基準値と
する。点３３−３４−３５−３６−３３の経路はインナ
ーリード先端部の水平及び上下方向の変形を検出する部
分で、水平変形に関しては点３３の座標からリニアエン
コーダ２１の信号により移動距離１０μ等毎の透過光量
信号をあらかじめ変形のないリードフレームの同一の経
路を走査して得た同一の場所の透過光蓋データと比較し
、その差が所定のレベル以上の部分を変形不良と判定す
る。
また、上下変形に関しては透過光量レベルが所定のレベ
ル以下のときの高さ信号と基準値との差が所定のレベル
以上の部分を上下変形不良と判定する。
ル以下のときの高さ信号と基準値との差が所定のレベル
以上の部分を上下変形不良と判定する。
次に、点３７−３８−３９−４０−４１の経路はメッキ
部の検査を行う経路で、指定されているメッキ領域境界
線の１００μｍ程度内側を走査する。この経路で透過光
量が所定レベル以下のときに反射光量がメッキ有無判定
レベル以下の所が検出されたときにメッキ位置不良と判
定する。
部の検査を行う経路で、指定されているメッキ領域境界
線の１００μｍ程度内側を走査する。この経路で透過光
量が所定レベル以下のときに反射光量がメッキ有無判定
レベル以下の所が検出されたときにメッキ位置不良と判
定する。
・また、点４１−４２−４３−４４−’４５−４６はア
イランド部の検査経路で、点４１−４２及び点４５−４
６で検出される二つのＸ座標の平均値と基準値の差がア
イランドのＸ方向の変形量となり、２つのＸ座標の差が
アイランドの回転量となる。
イランド部の検査経路で、点４１−４２及び点４５−４
６で検出される二つのＸ座標の平均値と基準値の差がア
イランドのＸ方向の変形量となり、２つのＸ座標の差が
アイランドの回転量となる。
一方、点４２−４３及び点４４−４５で検出される２つ
のＹ座標の平均値と基準値との差がＹ方向の変形量とな
る。
のＹ座標の平均値と基準値との差がＹ方向の変形量とな
る。
さらに、点４１−４５の走査中に測定するアイランド４
隅の高さの平均値と基準値の差がアイランドの上下変形
量、４隅の高さの最大値と最小値の差がアイランドの傾
き量となり、各々の変形量を公差と比較して良、不良の
判定を行う。
隅の高さの平均値と基準値の差がアイランドの上下変形
量、４隅の高さの最大値と最小値の差がアイランドの傾
き量となり、各々の変形量を公差と比較して良、不良の
判定を行う。
ところで、以上の例は、インナーリード及びアイランド
部の変形と、メッキ位置不良を検査する場合を示したも
のであるが、これ以外にアウターリード、外枠部などを
走査経路中に設定すればリードフレームの全体的なソリ
、ネジレなとも検出可能であり、また、検査不要な部分
を省略すれば検査時間を短縮する事もできる。
部の変形と、メッキ位置不良を検査する場合を示したも
のであるが、これ以外にアウターリード、外枠部などを
走査経路中に設定すればリードフレームの全体的なソリ
、ネジレなとも検出可能であり、また、検査不要な部分
を省略すれば検査時間を短縮する事もできる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に１本発明によれば、リードフレームの
変形不良及びメッキ位置不良が一組の検出系で自動的に
、かつ、一工程で検査でき、かつ、線走査であるために
ゴミ、キズによる誤検出の確率も非常に小さく、検量精
度と信頼性の向上が容易に得られる。
変形不良及びメッキ位置不良が一組の検出系で自動的に
、かつ、一工程で検査でき、かつ、線走査であるために
ゴミ、キズによる誤検出の確率も非常に小さく、検量精
度と信頼性の向上が容易に得られる。
第１図は本発明にかかるリードフレームの検査方法の一
実施例を示すブロック図、第２図はリードフレームの一
例を示す平面図、第３図は本発明の一実施例の動作を示
す波形図、第４図は本発明の一実施例における上下変形
の検出原理を示す説明図、第５図は本発明の一実施例に
おける動作をさらに具体的に示した説明図である。 １・・・・・・アイランド、２・・・・・・インナーリ
ード、３・・・・・・ダム、４・・・・・・アクタ−リ
ード、５・・・・・・外枠、６・・・・・・部分メッキ
領域、７・・・・・・光源側検出部、８・・・・・・半
導体レーザ、９，１０，１４・・・・・・レンズ、１１
・・・・・・ＰＳＤ、１２・・・・・・信号処理部、１
３・・・・・・透過光量検出器、１５・・・・・・受光
素子、１６・・・・・・信号処理部、１７・・・・・・
波形記憶装置、１８・・・・・・制御判定部、１９・・
・・・・ＸＹステージ、２０・・・・・・モータ、２１
・・・・・・リニアエンコーダ、２２・・・・・・リー
ドフレーム、Ｌ・・・・・・光スポット、Ａ・・・・・
・変形したインナーリード、Ｂ・・・・・・変形してい
ないインナーリード、］゛・・・・・・透過光量信号、
Ｒ・・・・・・反射光量信号、Ｈ・・・・・・高さ信号
、Ｔ、・・・・・・横変形信号、３０〜４６・・・・・
・リードフレーム上の走査点。 第１図 第３因 手続補正書（自発） 昭和６０年６月２４日
実施例を示すブロック図、第２図はリードフレームの一
例を示す平面図、第３図は本発明の一実施例の動作を示
す波形図、第４図は本発明の一実施例における上下変形
の検出原理を示す説明図、第５図は本発明の一実施例に
おける動作をさらに具体的に示した説明図である。 １・・・・・・アイランド、２・・・・・・インナーリ
ード、３・・・・・・ダム、４・・・・・・アクタ−リ
ード、５・・・・・・外枠、６・・・・・・部分メッキ
領域、７・・・・・・光源側検出部、８・・・・・・半
導体レーザ、９，１０，１４・・・・・・レンズ、１１
・・・・・・ＰＳＤ、１２・・・・・・信号処理部、１
３・・・・・・透過光量検出器、１５・・・・・・受光
素子、１６・・・・・・信号処理部、１７・・・・・・
波形記憶装置、１８・・・・・・制御判定部、１９・・
・・・・ＸＹステージ、２０・・・・・・モータ、２１
・・・・・・リニアエンコーダ、２２・・・・・・リー
ドフレーム、Ｌ・・・・・・光スポット、Ａ・・・・・
・変形したインナーリード、Ｂ・・・・・・変形してい
ないインナーリード、］゛・・・・・・透過光量信号、
Ｒ・・・・・・反射光量信号、Ｈ・・・・・・高さ信号
、Ｔ、・・・・・・横変形信号、３０〜４６・・・・・
・リードフレーム上の走査点。 第１図 第３因 手続補正書（自発） 昭和６０年６月２４日
Claims (2)
- （１）リードフレームの形状と表面状態を光学的に検出
する方式のリードフレームの検査方法において、リード
フレームの表面状態を検査すべき方の面に垂直に光スポ
ットを照射する光源手段と、このリードフレームをはさ
んで上記光源手段と反対側に延びる光スポットの光軸上
に位置する受光手段と、上記リードフレーム上に照射さ
れた光スポットの像をこの光スポットの照射光軸に対し
て９０度未満の所定の角度方向の所定の位置に結像させ
る結像光学手段と、この結像光学手段による上記光スポ
ットの像の結像位置近傍に位置する一次元光入射位置検
出手段と、上記光スポットの光軸を上記リードフレーム
の面に沿つて相対的に移動させる走査手段と、この走査
手段による相対的な移動量を検出する計測手段とを設け
、上記受光手段の出力信号と上記計測手段の出力信号に
よりリードフレームの面方向内での変形を検出し、上記
一次元光入射位置検出手段の出力信号によりリードフレ
ームの面方向に対して垂直な方向での変形と表面状態と
を検出するように構成したことを特徴とするリードフレ
ームの検査方法。 - （２）特許請求の範囲第１項において、上記光源手段が
半導体レーザで、上記一次元光入射位置検出手段が半導
体装置検出素子でそれぞれ構成されていることを特徴と
するリードフレームの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092229A JPH0666401B2 (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | リ−ドフレ−ムの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092229A JPH0666401B2 (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | リ−ドフレ−ムの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61252653A true JPS61252653A (ja) | 1986-11-10 |
| JPH0666401B2 JPH0666401B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14048605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60092229A Expired - Lifetime JPH0666401B2 (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | リ−ドフレ−ムの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666401B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01311256A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 形状検査装置 |
| JPH02199900A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 電子部品実装装置 |
| EP0578235A2 (en) * | 1992-07-10 | 1994-01-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Document-size detection system for use in a document reader |
-
1985
- 1985-05-01 JP JP60092229A patent/JPH0666401B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01311256A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 形状検査装置 |
| JPH02199900A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 電子部品実装装置 |
| EP0578235A2 (en) * | 1992-07-10 | 1994-01-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Document-size detection system for use in a document reader |
| EP0578235A3 (en) * | 1992-07-10 | 1995-10-25 | Sharp Kk | Document-size detection system for use in a document reader |
| US5519483A (en) * | 1992-07-10 | 1996-05-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Detection system and detection method of document size for use in a document reader |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666401B2 (ja) | 1994-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5812268A (en) | Grid array inspection system and method | |
| KR100334862B1 (ko) | 3각측량법에기초한3차원화상화를위한방법및시스템 | |
| JP3051279B2 (ja) | バンプ外観検査方法およびバンプ外観検査装置 | |
| KR100283834B1 (ko) | 반도체칩의 본딩방법 및 그 장치 | |
| US5212390A (en) | Lead inspection method using a plane of light for producing reflected lead images | |
| US5162866A (en) | Apparatus and method for inspecting IC leads | |
| JP4631460B2 (ja) | Ｘ線検査方法 | |
| US6525331B1 (en) | Ball grid array (BGA) package on-line non-contact inspection method and system | |
| JPH0575062B2 (ja) | ||
| US20020018591A1 (en) | Bump inspection apparatus and method | |
| JP3978507B2 (ja) | バンプ検査方法及び装置 | |
| JPS61252653A (ja) | リ−ドフレ−ムの検査方法 | |
| JP3272998B2 (ja) | バンプ高さ良否判定装置 | |
| WO2021079541A1 (ja) | 外観検査装置及び、不良検査方法 | |
| JP2000121333A (ja) | 外観検査装置及び外観検査方法 | |
| JP3107070B2 (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
| JPH023447B2 (ja) | ||
| JP2525261B2 (ja) | 実装基板外観検査装置 | |
| JPH07104136B2 (ja) | 端子の傾き検出方法 | |
| JP3189604B2 (ja) | 検査方法および装置 | |
| JPH05288687A (ja) | リード検査装置 | |
| JPH01311256A (ja) | 形状検査装置 | |
| JPH02140606A (ja) | 物体形状検査装置 | |
| JP2008216105A (ja) | 表面検査方法及び装置 | |
| JPH09166424A (ja) | フラットパッケージのピン曲がりの検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |