JPS61251887A

JPS61251887A - 残留電荷除去装置

Info

Publication number: JPS61251887A
Application number: JP9234985A
Authority: JP
Inventors: Hideki Anayama; 秀樹穴山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-05-01
Filing date: 1985-05-01
Publication date: 1986-11-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（１１発明の目的（産業上の利用分野）この発明は、静電転写プロセスを利用する画像形成装置
に用いるに適した残留電荷の除電装置に関するものであ
る。

（従来技術と解決すべき課題）たとえば回転円筒状など、無端状に走行する像担持体表
面の光導電層に可転写のトナー像を形成し、該トナー像
にシート状の転写材を接触ないし近接させて、トナー像
を転写材に転写させた後、転写材を分離してこれを定着
部位に送給し、転写に寄与しなかった残留トナー、光導
電層の残留電荷を除去する工程をくりかえすような画像
形成装置は従来から周知である。

−この種の画像形成装置においては、残留電荷の除去の
ために、ひとつの画像形成工程の最初の段階において、
光導電層を一次帯電器で可及的に一様に帯電させるため
に、直前の画像形成工程の最終段階位置、即ち像担持体
の走行方行にみて、−成帯電器の上流側に除電用のラン
プなどをもうけて残留電荷を除去することが必要である
。

ところが、このように除電ランプなどの前露光手段を用
いる場合、残留電荷には不整なバラツキがあるので、−
次帯電以前に電位をよシ均一にかり低い値にもってゆく
ためには、必然的に前露光光量を大きくする必要がある
。しかるに、光導電層には、とくに有機半導体を用いた
それには光による劣化があるために光量を大きくすると
光劣化が大きくなシ、また光疲労のために、連続して画
像形成作業を行なうと、開始当初と最後では、光導電層
の電位低下のために画質の劣化が生ずるおそれをまぬか
れない。

なお、−吹寄電と転写帯電に逆極性の印加電圧を用いる
反転現像の場合には、前露光前の表面電位が正負両極性
を呈する場合が多く、有機半導体を用いた多くの積層型
光導電層のように正負いづれかにしか感度を有しないも
のでは、前露光を強　　　　　　　３くしても電位を均
一にすることは不可能である。

さらに、光導電層の暗電位を６００　Ｖ以上にして使用
する場合には、前述の現象が顕著になる。

本発明はこのような事態に対処すべくなされたものであ
って、画像形成工程終了後、像担持体表面の残留電荷を
充分に除去して良質の画像を得られるような、残留電荷
の除去装置を提供することを目的とするものである。

（２）発明の構成（課題を解決する技術手段、その作用）上記の目的を達
成するために、本発明においては、前述のような静電転
写プロセスを利用する画像形成装置において、残留トナ
ーを除去するための、クリーニング装置に配されたクリ
ーニングブレードを導電性材料をもって製するとともに
、これをアースし、さらに交流バイアスをかける構成と
しである。

さらに必要に応じて、同じく導電性補助ブレードを像担
持体に当接構成する。

このように構成することによって像担持体表面の残留電
荷は充分に除去され、−次帯電以前の部位において均一
な電位を保持し、次工程時に良質の潜像形成が可能とな
る。

（実施例の説明）第１図は本発明を適用する、回転円筒状の像担持体をそ
なえた画像形成装置の概略側面図であって、矢印Ａ方向
に回転する像担持体１の周辺には、よく知られているよ
うに、表面光導電層を一様に帯電させる一次帯電器、帯
電面に画像光を投射して静電潜像を形成するだめのレン
ズアレイ３、潜像を顕像化すべくトナーを供給する現像
器、このトナー顕像に接触してこれを転移させる転写材
を送給する搬送路５、転写を遂行させるための転写帯電
器６、転写材全像坦持体から分離させるための分離帯電
器７、分離した転写材を不図示の定着部位に送給するた
めの搬送路８、転写に寄与せず像担持体表面にのこる残
留トナーを除去するための、ゴムなどの弾性材料からな
るクリーニングブレード１０をそなえたクリーニング装
置９などが配設しである。

このような画像形成装置において、本発明においては、
前記クリーニングブレードを導電性材料で製し、あるい
は少なくともその一面に導電性材料からなる層を形成す
るとともに、該導電性部分をアースして構成しである。

クリーニングブレード材としては、ポリカチオン重合体
のＴＣＮＱ錯体、スルホニウムニトロフェルレート錯体
、ポリチアシールなど、それ自体が導電性であるものを
用いるのが好ましいが、これらは加工性にとぼしいので
、適宜の合成ゴムにカーボンブラック、銀など導電物質
の粒子を混在させたものを用いてもよい。

ゴムとしてハ、アクリルゴム、ウレタンゴム。

ポリインブチレンゴム、クロルスルフォン化ポリエチレ
ンゴム、フッ素ゴム、シリコンゴム、アクリルニトリル
ゴム、ブタジェン系コム、スチレン系ゴムやこれらの複
合材を用いることができる。

または、ポリビニールクロライド、ポリスチレン。

フェノールレジンなどの樹脂に可塑剤、硬化剤。

安定剤などを加えたものに導電性粒子を混入したものを
用いることができる。

また、クリーニングブレードは全体を上述のような導電
性を有する材料としてもよく、その−面に導電性材料を
添着したものでもよい。

またクリー二ン夛ブレードが圧接する光導電層材料とし
ては、セレン、酸化亜鉛、硫化カドミウム、アモルファ
スシリコン、セレン−テルル、セレンーヒ素、などの無
機半導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニー
ルアントラセンなどの有機光導電性ポリマ、カルバゾー
ル、アントラセン、ピラゾリン類、オキサジアゾール類
、ヒドラゾン類、ポリアリルアルカン類などの低分子有
機半導体、フタロシアニン顔料、アゾ顔料、シアニン染
料、多環キノン類、ペリレン系顔料、インジゴ染料、チ
オイシジゴ染料、スクエアリンク酸メチル染料などの有
機顔料、染料を用いた単層あるいは積層タイプのものを
利用できる。

前述のような導電性クリーニングブレードをアースして
用いることによって、たとえば、　−５ＫＶのコロナ放
電で一定電圧を印加したのち、１秒後の暗減衰が数百ボ
ルトになるような酸化亜鉛単層の光導電層を、暗電位−
６００Ｖ未満で使用するような場合には、除電後の表面
電位ｔ−３０ｖ以下におさえることができた。

つぎに、キャノン（株）製ＰＣＩＯ／２０複写機に使用
されているＯＰＣ光導電層のように暗減衰のほとんどな
いものについて実験したところ、これを暗電位−６００
Ｖ　、プロセススピード６８Ｉｌ／３ｅｏでブレードク
リーニングを行なった場合には、クリーニング後の電位
は一７０Ｖないし一３０Ｖとばらつきを生じた。さらに
暗電位−８００ｖとしたところクリーニング後の電位は
−２００Ｖに達し除電不充分の状態であった。

暗電位−６００Ｖの場合には、プロセススピード＠　４
０　ｔｍ／３ｅ０　におとしたところ全面３０Ｖ以下の
電位におとすことができた。しかしプロセススピードを
落すことは高速化の要求に違背するので好ましいとはい
えない。

第２図は本発明の他の実施態を示すものであって、基本
的な画像形成機構は第１図のものと変シけないので、対
応する部分には同一の符号を付して示し、それらについ
ての説明は省略する。

このものにおいては、アースした導電性ブレード１０に
はさらに交流バイアス（１００Ｖ、　５０Ｈｚ　）１１
をかけてあり、さらにブレード１０の下流側には、導電
性の補助ブレード１２ｔ−アースして配設した。また該
補助ブレードは光導電層との接触面積を大きくするため
に像担持体１の走行方向に順方向に配しである。

このもの金、前述のキャノン（株）製ＰＣＩＯ／２０複
写機の像担持体を用い、暗電位−６００Ｖ、プロセスス
ピード１００ＩｌＩＩ／ｓｅ。で実験したところクリー
ニング後の表面電位を±３０Ｖ以内におさめることがで
きた。！た暗電位−９００Ｖにしたときも同様に表面電
位を±３０Ｖにおさめることができた。

なお交流バイアスは、ピンホール、帯電メモリへの悪影
響がない限り、電圧、周波数は高い方が好結果が得られ
、ブレードの体積抵抗率は１０１２Ω・α以下、このま
しくは１０？Ω・（７）のものが除電効果がある。

また補助ブレードは１枚に限定されるものでないことは
もちろんであシ、さらに暗減衰の小さい光導電層の場合
には、補助的に前露光ランプを使用することももちろん
差支えない。

前述のキャノン（株）製ＰＣＩＯ／２０複写機の像坦特
休の場合、暗電位−５ｏｏｖ、プロセススピード６８−
へｅ。で作動させる場合、除電クリーニング後の電位ｆ
：０〜−１０Ｖにおとすには前露光として２゜ｌｕｘ　
／　ｓｅｅを要するが、導電性クリーニングブレードを
用いると同じ電位レベルに達せしめるのに６１ｕｘ　／
　ｓｅｅで充分であった。

また、光導電層としてセレンを用いた像担持体を第１図
々示の装置で実験したところ、暗電位＋６００　Ｖプロ
セススピード１００−／ｓｅａ除電クリーニングを行な
ったところ、クリーニング後の電位は＋１００ｖ程度と
なり、第２図々示の装置においては、最終表面電位を＋
２０Ｖまで落すことができた。セレンのような機械的強
度の小さい光導電層の場合には、第１図々示の仕方で除
電するとともに、数Ｌｕｘ　／　ｓｅｃの前露光を行な
った方が光導電層の寿命の観点からはこのましい。

またトナーその他の異物が像担持体に付着して融着し々
いよう、クリーニングブレードをイコライズさせたり、
揺動させたりあるいは使用時のみブレードを像担持体に
当接させるような手段が従来からひろく実用されている
が、このようなものにおいて前述のセレン光導電層使用
の場合、暗電位＋６ＱＯＶｔ−＋７０ないし９ＱＶまで
おとせることが判った。なおこの場合には補助前露光を
併用することがのぞましい。

（３）　　発明の詳細な説明したように、本発明によるときは、無端状に走行
する像担持体表面の光導電層の、ひとつの画像形成工程
の最終段階で該光導電層の残留電荷を除去するにあたっ
て、導電性ブレードをこれに当接して除電を行ない、必
要に応じて除電用露光を行なう場合にも所要光量がきわ
めて少なくてすむので、電位クリーニングが容易で光導
電層の光劣化を防止し、長期に亘って良質の画像を得る
に資するところが大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す画像形成装置の要部の概
略側面図、第２図は、他の実施例を示す概略側面図である。１・・・像担持体、９・・・クリーニング装置、１０・
・・クリーニングブレード、１２・・・補助ブレード。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）無端状に走行する像坦持体表面光導電層に導電性
ブレードを当接させかつこれをアースしてなる残留電荷
除去装置。
（２）導電性ブレードが、クリーニングブレードである
特許請求の範囲第１項記載の残留電荷除去装置。
（３）無端状に走行する像坦持体表面光導電層に導電性
ブレードを当接させかつこれをアースするとともに、前
記ブレードに交流バイアスを印加する残留電荷除去装置
。
（４）導電性ブレードがクリーニングブレードである特
許請求の範囲第３項記載の残留電荷除去装置。
（５）無端状に走行する像坦持体表面光導電層に導電性
ブレードを当接させかつ該ブレードをアースさせるとと
もに、導電性補助ブレードをもうけてなる残留電荷除去
装置。
（６）導電性ブレードがクリーニングブレードである特
許請求の範囲第５項記載の残留電荷除去装置。
（７）無端状に走行する像坦持体表面光導電層に導電性
ブレードを当接させかつこれをアースするとともに、前
記ブレードに交流バイアスを印加し、さらに導電性補助
ブレードをもうけてなる残留電荷除去装置。
（８）導電性ブレードがクリーニングブレードである特
許請求の範囲第７項記載の残留電荷除去装置。
（９）導電性ブレードをイコライズする特許請求の範囲
第１項ないし第８項のいづれか記載の残留電荷除去装置
。
（１０）導電性ブレードを揺動させる特許請求の範囲第
１項ないし第９項記載の残留電荷除去装置。