JPS61250003A - ポリスチレンのスルホン化方法 - Google Patents
ポリスチレンのスルホン化方法Info
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- JPS61250003A JPS61250003A JP9103885A JP9103885A JPS61250003A JP S61250003 A JPS61250003 A JP S61250003A JP 9103885 A JP9103885 A JP 9103885A JP 9103885 A JP9103885 A JP 9103885A JP S61250003 A JPS61250003 A JP S61250003A
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- solvent
- acid
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/34—Introducing sulfur atoms or sulfur-containing groups
- C08F8/36—Sulfonation; Sulfation
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- Organic Chemistry (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■亙分互
本発明は、水溶性のポリスチレンスルホン化物を高収率
で製造する方法に関する。
で製造する方法に関する。
丈米立挟権
ポリスチレンをスルホン化して水溶性のスルホン化物を
得る方法としては、クロルスルホン酸をスルホン化剤と
して用い、架橋防止剤として水を添加し架橋による生成
物の不溶化を防止してスルホン化することが知られてい
る。さらに、ハロゲン炭化水素が溶媒として用いられる
時は、ハロゲン化炭化水素は水とは溶は合すないために
、陰イオン系または非イオン系界面活性剤、ポリビニル
アルコールなどの分散剤として働く陰イオン系または非
イオン系化合物の水溶液を用い、効率的に反応系中に水
を分散せしめることが知られている(特公昭51−37
226号公報)。しかしながら1本質的に水は溶媒に溶
けず、不均一系となるため、添加量が多く必要となり、
収率も低下する。また、水がスルホン化剤と反応するた
めにスルホン化剤を多く必要とし、Na、、So、やN
aC1などの無機塩の発生が避けられない、さらに、均
一分散系を作るのに強力な攪拌が必要となり、工業上不
利であるという問題もあった。
得る方法としては、クロルスルホン酸をスルホン化剤と
して用い、架橋防止剤として水を添加し架橋による生成
物の不溶化を防止してスルホン化することが知られてい
る。さらに、ハロゲン炭化水素が溶媒として用いられる
時は、ハロゲン化炭化水素は水とは溶は合すないために
、陰イオン系または非イオン系界面活性剤、ポリビニル
アルコールなどの分散剤として働く陰イオン系または非
イオン系化合物の水溶液を用い、効率的に反応系中に水
を分散せしめることが知られている(特公昭51−37
226号公報)。しかしながら1本質的に水は溶媒に溶
けず、不均一系となるため、添加量が多く必要となり、
収率も低下する。また、水がスルホン化剤と反応するた
めにスルホン化剤を多く必要とし、Na、、So、やN
aC1などの無機塩の発生が避けられない、さらに、均
一分散系を作るのに強力な攪拌が必要となり、工業上不
利であるという問題もあった。
一方、ポリスチレンのスルホン化に際して、スルホン化
剤としてSO3錯体を用いることが知られており、たと
えば、米国特許第2.533210号明細書、同2,6
04,456号明細書、同2,725,368号明細書
、同2,764,576号明細書、同2,945,84
2号明細書あるいは雑誌「石油と石油化学JIO(5)
。
剤としてSO3錯体を用いることが知られており、たと
えば、米国特許第2.533210号明細書、同2,6
04,456号明細書、同2,725,368号明細書
、同2,764,576号明細書、同2,945,84
2号明細書あるいは雑誌「石油と石油化学JIO(5)
。
26 (1960)などに記載されている。しかし、こ
のようなスルホン化剤は、ポリスチレンへの選択的反応
性のコントロールが十分にできず、また、溶媒および添
加剤との相溶性が十分でないため、低モル量のスルホン
化剤で高いスルホン化収率を実現して、効率的に水溶性
のスルホン化物を得ることができなかった。
のようなスルホン化剤は、ポリスチレンへの選択的反応
性のコントロールが十分にできず、また、溶媒および添
加剤との相溶性が十分でないため、低モル量のスルホン
化剤で高いスルホン化収率を実現して、効率的に水溶性
のスルホン化物を得ることができなかった。
見豊!1敗
本発明は、高純度な水溶性ポリスチレンスルホン化物を
、高収率で製造することを目的とする。
、高収率で製造することを目的とする。
m腹
本発明のポリスチレンスルホン化物の1造方法は、平均
分子量200〜50,000のポリスチレンをスルホン
化するに際し% C1−2脂肪族ハロゲン化炭化水素を
溶媒として用い、ポリスチレン100重量部当たり0.
5〜100重量部のベンゼンスルホン酸および/または
C1−2゜のアルキル基を有するアルキルベンゼンスル
ホン酸を添加し。
分子量200〜50,000のポリスチレンをスルホン
化するに際し% C1−2脂肪族ハロゲン化炭化水素を
溶媒として用い、ポリスチレン100重量部当たり0.
5〜100重量部のベンゼンスルホン酸および/または
C1−2゜のアルキル基を有するアルキルベンゼンスル
ホン酸を添加し。
SO3または25℃における誘電率が11.5以下の物
質とSO1との錯体をスルホン化剤として使用してスル
ホン化することを特徴とする。
質とSO1との錯体をスルホン化剤として使用してスル
ホン化することを特徴とする。
以下1本発明についてさらに詳細に説明する。
本発明で原料として用いられるポリスチレンは200〜
50,000の平均分子量を有する。平均分子量が50
,000を越えると反応系の粘度が高くなり、スルホン
化反応速度が低下するばかりでなく、ハンドリングが困
難となる。一方、200未満であると、スチレン単量体
が含まれてくるため重合反応が並行して起こり、水溶性
スルホン化物の収率が低下する。
50,000の平均分子量を有する。平均分子量が50
,000を越えると反応系の粘度が高くなり、スルホン
化反応速度が低下するばかりでなく、ハンドリングが困
難となる。一方、200未満であると、スチレン単量体
が含まれてくるため重合反応が並行して起こり、水溶性
スルホン化物の収率が低下する。
溶媒としては、炭素数1〜2の脂肪族ハロゲン化炭化水
素が用いられる。このようなハロゲン化炭化水素の、具
体例としては、メチレンジクロリド、1,2−ジクロル
エタン、塩化エチル。
素が用いられる。このようなハロゲン化炭化水素の、具
体例としては、メチレンジクロリド、1,2−ジクロル
エタン、塩化エチル。
四塩化炭素、1,1−ジクロルエタン、1,1゜2.2
−テトラクロルエタン、クロロホルム、エチレンジプロ
ミドなどのスルホン化剤に不活性なものが挙げられる。
−テトラクロルエタン、クロロホルム、エチレンジプロ
ミドなどのスルホン化剤に不活性なものが挙げられる。
ハロゲン化炭化水素の炭素数が3以上になると、スルホ
ン化剤と反応して副生物が生成され、しかも、スルホン
化剤およびアルキルベンゼンスルホン酸等の添加剤の溶
解性が悪くなり好ましくない、溶媒の使用量は原料ポリ
スチレンに対して1〜30重量部程度が適当である。
ン化剤と反応して副生物が生成され、しかも、スルホン
化剤およびアルキルベンゼンスルホン酸等の添加剤の溶
解性が悪くなり好ましくない、溶媒の使用量は原料ポリ
スチレンに対して1〜30重量部程度が適当である。
本発明では、まず、ハロゲン化炭化水素溶媒中に原料ポ
リスチレンが溶解するとともに、添加剤としてベンゼン
スルホン酸および/またはアルキル基の炭素数が1〜2
0のアルキルベンゼンスルホン酸がポリステ12100
重量部巖たり0.5〜100重量部、好ましくは5〜5
0重量部添加される。この添加剤は、スルホン化剤およ
び溶媒と完全に混り合い均一系となるため、少量の添加
量でも十分に効果を発揮することができる。
リスチレンが溶解するとともに、添加剤としてベンゼン
スルホン酸および/またはアルキル基の炭素数が1〜2
0のアルキルベンゼンスルホン酸がポリステ12100
重量部巖たり0.5〜100重量部、好ましくは5〜5
0重量部添加される。この添加剤は、スルホン化剤およ
び溶媒と完全に混り合い均一系となるため、少量の添加
量でも十分に効果を発揮することができる。
添加量が0.5重量部未満では分子内または分子間架橋
が起こりやすく、水不溶性成分が多く生成し好ましくな
い、一方、100重量部を越えると、スルホン化剤およ
び反応生成物との相溶性が悪く不均一となり好ましくな
い、また、アルキルベンゼンのアルキル基の炭素数が2
0を越えると、溶媒およびスルホン化剤との相溶性が低
下してしまうので好ましくない。アルキルベンゼンスル
ホン酸としては、直鎖型、分岐型のいずれもが使用でき
る。
が起こりやすく、水不溶性成分が多く生成し好ましくな
い、一方、100重量部を越えると、スルホン化剤およ
び反応生成物との相溶性が悪く不均一となり好ましくな
い、また、アルキルベンゼンのアルキル基の炭素数が2
0を越えると、溶媒およびスルホン化剤との相溶性が低
下してしまうので好ましくない。アルキルベンゼンスル
ホン酸としては、直鎖型、分岐型のいずれもが使用でき
る。
スルホン化剤としては、SO3または25℃における誘
電率が11.5以下の物質とSOおとの錯体が用いられ
る。So□としては液体SO3、気体So2、オレウム
、窒素、乾燥空気、アルゴンなどの不活性ガスで希釈し
たSO3などが例示される。不活性ガスによる希釈は、
SO3濃度が1〜12vo1%、好ましくは3〜4 v
o1%となるように行うのが適当である。SO,と錯体
を形成する物質としては、誘電率(25℃)が11.5
以下、好ましくは9以下の気体または液体の無機あるい
は有機化合物が用いられる。誘電率(ε)が11.5を
越えると、添加剤としてのベンゼンスルホン酸および/
またはアルキルベンゼンスルホン酸と併用する関係上、
スルホン化剤の溶解性が不良となり、反応が均一に進行
しなくなるとともに、スルホン化剤の反応性自体も低下
してしまう、ε=11.5以下のルイス塩基としては。
電率が11.5以下の物質とSOおとの錯体が用いられ
る。So□としては液体SO3、気体So2、オレウム
、窒素、乾燥空気、アルゴンなどの不活性ガスで希釈し
たSO3などが例示される。不活性ガスによる希釈は、
SO3濃度が1〜12vo1%、好ましくは3〜4 v
o1%となるように行うのが適当である。SO,と錯体
を形成する物質としては、誘電率(25℃)が11.5
以下、好ましくは9以下の気体または液体の無機あるい
は有機化合物が用いられる。誘電率(ε)が11.5を
越えると、添加剤としてのベンゼンスルホン酸および/
またはアルキルベンゼンスルホン酸と併用する関係上、
スルホン化剤の溶解性が不良となり、反応が均一に進行
しなくなるとともに、スルホン化剤の反応性自体も低下
してしまう、ε=11.5以下のルイス塩基としては。
ジオキサン(ε=2.2) 、チオキサン(ε=3.7
)、ジメチルアニリン(ε=4.8)、トリエチルアミ
ン(t=2.4)、塩化水素(ε=4.6) (クロル
スルホン酸に相当)、安息香酸(i =5.8)、 ト
リエチルフォスフェート(ξ=6.0)、酢酸エチル(
ε=6.0) 、パルミチン酸エチル(g=2.3)。
)、ジメチルアニリン(ε=4.8)、トリエチルアミ
ン(t=2.4)、塩化水素(ε=4.6) (クロル
スルホン酸に相当)、安息香酸(i =5.8)、 ト
リエチルフォスフェート(ξ=6.0)、酢酸エチル(
ε=6.0) 、パルミチン酸エチル(g=2.3)。
ジエチルエーテル(ε=4.2)、クロルベンゼン(ε
=5.6)、モルホリン(ε= 7.4) 、イソキノ
リン(ε= 10.7)などが例示される。
=5.6)、モルホリン(ε= 7.4) 、イソキノ
リン(ε= 10.7)などが例示される。
スルホン化は、原料ポリスチレン、中のスチレンモノマ
ー当たりのモル比で0.5〜2.0モル量のスルホン化
剤を使用して行うのが好適であり。
ー当たりのモル比で0.5〜2.0モル量のスルホン化
剤を使用して行うのが好適であり。
好ましくは、0.7〜1.5の範囲である。モル比が小
さすぎると、スルホン化度が不十分で水溶分が増加し、
一方、モル比が大きすぎると1分子内または分子間架橋
が起こりやすくなり、副生物および水不溶分が増加する
。
さすぎると、スルホン化度が不十分で水溶分が増加し、
一方、モル比が大きすぎると1分子内または分子間架橋
が起こりやすくなり、副生物および水不溶分が増加する
。
スルホン化反応温度は10〜80℃が適当であり。
好ましくは30〜40℃である。温度が低すぎると反応
が進みづらくなり、また、高すぎると、溶媒の飛散が問
題となるばかりか、ポリスチレンの分子内または分子間
架橋が起きやすくなり好ましくない。
が進みづらくなり、また、高すぎると、溶媒の飛散が問
題となるばかりか、ポリスチレンの分子内または分子間
架橋が起きやすくなり好ましくない。
スルホン化反応により、ポリスチレンスルホン酸がハロ
ゲン化炭化水素溶媒中に分散した状態で得られる。これ
を中和、溶媒分離することにより、高純度の水溶性ポリ
スチレンスルホン酸塩が得られる。添加剤として用いら
れたベンゼンスルホン酸またはアルキルベンゼンスルホ
ン酸も同時に中和されて塩となる。これらは。
ゲン化炭化水素溶媒中に分散した状態で得られる。これ
を中和、溶媒分離することにより、高純度の水溶性ポリ
スチレンスルホン酸塩が得られる。添加剤として用いら
れたベンゼンスルホン酸またはアルキルベンゼンスルホ
ン酸も同時に中和されて塩となる。これらは。
ポリスチレンスルホン酸塩と同一の電荷を有するため、
解離作用に及ぼす影響はない、ベンゼンスルホン酸塩お
よび低級アルキルベンゼンスルホン酸塩はへイドロトロ
ープ剤として、また、高級アルキルベンゼンスルホン酸
はアニオン界面活性剤として働くのでこれを有効に利用
することもでき、たとえば、分離除去しないままで。
解離作用に及ぼす影響はない、ベンゼンスルホン酸塩お
よび低級アルキルベンゼンスルホン酸塩はへイドロトロ
ープ剤として、また、高級アルキルベンゼンスルホン酸
はアニオン界面活性剤として働くのでこれを有効に利用
することもでき、たとえば、分離除去しないままで。
高濃度−水スラリー用のスラリー化剤などの広範な用途
に使用することも可能である。
に使用することも可能である。
1里立腹来
本発明によれば、特定の原料ポリスチレン。
溶媒、添加剤およびスルホン化剤を組合せることにより
、水不溶分が少なく高純度のポリスチレンスルホン酸塩
を高収率で得ることができる。
、水不溶分が少なく高純度のポリスチレンスルホン酸塩
を高収率で得ることができる。
これは、上記特定の組合せを採用することにより、スル
ホン化剤の均一溶解性と反応性がコントロールできるた
め、スルホン化剤のポリスチレンの芳香核への選択反応
性が向上し、その結果、架橋構癒の少ない水溶性ポリス
チレンスルホン酸塩の収率が向上するためと考えられる
。
ホン化剤の均一溶解性と反応性がコントロールできるた
め、スルホン化剤のポリスチレンの芳香核への選択反応
性が向上し、その結果、架橋構癒の少ない水溶性ポリス
チレンスルホン酸塩の収率が向上するためと考えられる
。
また、添加剤は少量で効果的に働きイスルホン化剤も低
モル量でよい、さらに、無機塩などの副生物の生成が少
なく、副生物の分離、精製操作が除かれるので、工程が
簡略化され工業的に有利である。
モル量でよい、さらに、無機塩などの副生物の生成が少
なく、副生物の分離、精製操作が除かれるので、工程が
簡略化され工業的に有利である。
実施例
第1表に示したように、ポリスチレン50gを所定量の
溶媒に溶解し、ついで添加剤を溶解したのち、反応温度
を30℃に保ちながらスルホン化剤にてスルホン化を行
った。
溶媒に溶解し、ついで添加剤を溶解したのち、反応温度
を30℃に保ちながらスルホン化剤にてスルホン化を行
った。
スルホン化終了後、水酸化ナトリウムを加え。
生成したポリスチレンスルホン酸と中和して、ポリスチ
レンスルホン酸ナトリウムを得た。スルホン基の導入率
を硫黄分析によって求め、その結果を第1表に示した。
レンスルホン酸ナトリウムを得た。スルホン基の導入率
を硫黄分析によって求め、その結果を第1表に示した。
第1表中略号は次のものを示す。
直鎖アルキルベンゼンスルホン酸■:
分岐アルキルベンゼンスルホン酸■:
DMF:ジメチルホルムアミド
手続補正書
昭和60年5月31日
特許庁長官 志 賀 学 殿
1、事件の表示
昭和60年特許願第91038号
2、発明の名称
ポリスチレンのスルホン化方法
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
東京都墨田区本所1丁目3番7号
(676)ライオン株式会社
代表者 小 林 敦
4、代理人
東京都千代田区一番町15番1号
一番町フェニックスビル
明細書の「発明の詳細な説明」の欄
6、補正の内容
(1)明細書第2頁5行に「ハロゲン炭化水素」とある
のを「ハロゲン化炭化水素」に補正する。
のを「ハロゲン化炭化水素」に補正する。
(2)第6頁下から8行に「・・・オレウム、窒素、・
・・」とあるのを、「・・・オレウム、並びに窒素。
・・」とあるのを、「・・・オレウム、並びに窒素。
・・・」に補正する。
(3)第7頁最終行に「水溶分」とあるのを、「水不溶
分」に補正する。
分」に補正する。
以上
Claims (1)
- 1、平均分子量200〜50,000のポリスチレンを
スルホン化するに際し、C_1_〜_2脂肪族ハロゲン
化炭化水素を溶媒として用い、ポリスチレン100重量
部当たり0.5〜100重量部のベンゼンスルホン酸お
よび/またはC_1_〜_2_0のアルキル基を有する
アルキルベンゼンスルホン酸を添加し、SO_3または
25℃における誘電率が11.5以下の物質とSO_3
との錯体をスルホン化剤として使用してスルホン化する
ことを特徴とするポリスチレンのスルホン化方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9103885A JPS61250003A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | ポリスチレンのスルホン化方法 |
DE19863613588 DE3613588A1 (de) | 1985-04-30 | 1986-04-22 | Verfahren zur sulfonierung von polystyrol |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9103885A JPS61250003A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | ポリスチレンのスルホン化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61250003A true JPS61250003A (ja) | 1986-11-07 |
JPH0582401B2 JPH0582401B2 (ja) | 1993-11-18 |
Family
ID=14015331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9103885A Granted JPS61250003A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | ポリスチレンのスルホン化方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61250003A (ja) |
DE (1) | DE3613588A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100354320C (zh) * | 2005-10-10 | 2007-12-12 | 南阳师范学院 | 利用废旧聚苯乙烯泡沫制备聚苯乙烯磺化物 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP9103885A patent/JPS61250003A/ja active Granted
-
1986
- 1986-04-22 DE DE19863613588 patent/DE3613588A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3613588A1 (de) | 1986-10-30 |
JPH0582401B2 (ja) | 1993-11-18 |
DE3613588C2 (ja) | 1989-12-28 |
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