JPS61242347A

JPS61242347A - 光学式デイスク再生装置

Info

Publication number: JPS61242347A
Application number: JP8396685A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Ito; 武伊藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1985-04-19
Filing date: 1985-04-19
Publication date: 1986-10-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の技術分野］この発明は例えばＣＤ（コンパクトディスク）、ＶＤ（
ビデオディスク）等の光学式ディスクを再生する光学式
ディスク再生装置に係り、特にディスク再生時に結露が
生じていたり、レンズの汚れ等によって再生不可能にな
った場合にその行表示し、さらに通常再生状態でディス
クの傷や汚れ状態を表示するように改良したものに関す
る。

［発明の技術的背景とその問題点］従来より、光学式ディスク再生装置にあっては、ＣＤ方
式のもの（ＣＤ再生装置と称する）に例にとってみると
、ディスクに記録された情報信号を明確に読み出すため
に、光学式ピックアップから照射される光ビームがディ
スクのピット列からずれることなく、つまりトラッキン
グエラーを生じることなく正確にピット列上をトレース
するように、トラッキングエラー制御（トラッキングサ
ーボ）が施されている。ところが、このトラッキングサ
ーボゲインを通常再生状態にしたままでディスクの傷部
分を再生した場合には、上記光ビームのトラックジャン
プが起る恐れがある。このため、ＣＤ再生装置では傷対
策回路を設け、ディスクの傷部分再生時のトラッキング
サーボゲインを制御してトラックジャンプを起し雌＜シ
ている。

例えば３ビ一ム方式の光学式ピックアップを用いたＣＤ
再生装置では、第４図に示すような傷対策回路を構成し
ている。すなわち、図中１１は前記ピット列の中央に照
射するメインビームのディスク反射光を受光して光電変
換する４分割ディテクタ、１２．１３はそれぞれ前記ピ
ット列の両側に位置するように照射する２つのサブビー
ムの反射光を受光して光電変換するサブディテクタであ
る。上記４分割ディテクタ１１の各受光領１ｉ！１Ａ−
Ｄの出力のうちＡとＣ，ＢとＤの出力はそれぞれ電流加
算された後、第１及び第２の電流電圧変換回路１４１゜
１４２によって電圧信号Ｖｌ　、Ｖ２に変換される。

この２つの電圧信号Ｖｌ　、Ｖ２は第１の減算回路１５
１によって減算され、周知のフォーカスエラー信号ＦＥ
として取出される。ざらに、上記電圧信号Ｖｌ　、Ｖ２
は抵抗Ｒ１〜Ｒ３及びオペアンプＡ１よりなる加算回路
１６によって電圧加算され、ＲＦ倍信号して図示しない
データスライス回路（ＥＦＭ変調回路）に供給される。

一方、上記２つのサブディテクタ１２．１３の各受光領
ＭＥ、Ｆの出力はそれぞれ第３及び第４の電流電圧変換
回路１２３　、１２４によって電圧信号Ｖ３．Ｖ４に変
換された債、第２の減算回路１５２によって減算され、
周知のトラッキングエラー信号ＴＥとして取出される。

このトラッキングエラー信号ＴＥは後述するゲイン制御
回路１７、バッファ回路１８及び図示しない位相補償回
路を介して図示しないトラッキングアクチュエータコイ
ルに供給されるようになされており、これによって対物
レンズの移動制御が施され、ここにトラッキングサーボ
の閉ループが構成されている。

このようなＣＤ再生装置に対し、傷対策回路は、例えば
第５図（ａ＞に示すようなＲＦ倍信号入力すると、ピー
ク検波回路１９で同図（ｂ）に示すようにＲＦ倍信号ピ
ークレベルを検波し、このピークレベル電圧信号を抵抗
Ｒ４，Ｒ５及びオペアンプＡ２よりなる反転増幅回路２
０によって同図（Ｃ）に示すように反転増幅し、この増
幅電圧を制御電圧ＶＣとして上記ゲイン制御回路１７に
供給するようになされている。ここで、ゲイン制御回路
１７はトラッキングエラー信号ＴＥの伝送路に抵抗Ｒ６
を直列に介在させ、その出力端を抵抗Ｒ７〜Ｒ９及びス
イッチ８１〜Ｓ３よりなる複数の直列回路を介して接地
し、上記制御電圧ＶＣをそれぞれダイオードＤＩ　、Ｄ
２を介して上記スイッチ８１〜Ｓ３の制御入力端に供給
するようにして、梯子段のアッテネータ回路構成とした
ものである。尚、上記スイッチ８１〜Ｓ３にはスイッチ
ングトランジスタが用いられる。

すなわち、この傷対策回路は、ＲＦ倍信号ピークレベル
変化、つまりドロップアウト量に応じてトラッキングサ
ーボ系の閉ループ利得を下げることにより、ディスクの
傷によるトラックジャンプを防止するようにしたもので
ある。

ところが、上記のような傷対策回路では、ディスクの多
少の傷や汚れでは正常に動作するが、汚れがひどくなる
とトラッキングサーボがはずれ、光ビームが正しくピッ
ト列上をトレースすることができなくなり、音切れヤ音
飛びが生じてしまう。

また、ＲＦ倍信号ピークレベル変化によってドロップア
ウトを検出しているので、例えばディスクの信号記録面
に無記録部分があるような場合、ここを通過するときの
ピークレベルは全反射レベルとなるため、ＲＦ倍信号ド
ロップアウトを検出することはできない。

一方、ＣＤ再生装置は従来より据置型が主流であり、屋
外へ持出すということはなかったが、近年ＩＣ化、小形
化が進み、ポータプルタイプのものが出現している。と
ころが、このＣＤ再生装置は光学式ピックアップを用い
ているため、この装置を冬期に屋外で使用した後に暖房
のきいた室内に持込むと、対物レンズやプリズム等の光
学系に結露が付着してしまう。この場合、光ビームが乱
反射されるため、光学式ピックアップから取出されるＲ
Ｆ倍信号ＤＣレベルが下がり、アイパターンが非常に汚
くなり、データスライスが不可能になってしまう。また
、対物レンズがほこり等で汚れた場合にも同様な現象が
起る。このとき、全く音がでなくなる場合もある。

以上のような理由によって音が出なくなったとき、使用
者にはその原因がわからず、また故障したと判断される
恐れもある。

〔発明の目的コこの発明は上記のような問題を改善するためになされた
もので、傷対策回路をあらゆる傷の状態を検出してこれ
に対処できるようにすると共に、光学系に生じる結露や
汚れによって再生不可能になった場合にもこれを検出し
、それぞれの検出状態を区別して表示することのできる
光学式ディスク再生装置を提供することを目的とする。

［発明の概要］すなわら、この発明に係る光学式ディスク再生装置は、
光学式ピックアップの出力信号からピークレベル及びボ
トムレベルを検波し、各検波信号を加算してピックアッ
プ出力エンベロープ信号を生成し、このエンベロープ信
号が基準電圧より所定時間以上低下したことを検出して
表示素子を瞬時点灯し、またエンベロープ信号が基準電
圧より低下して復帰しないことを検出して上記表示素子
を点灯し続けるようにしたことを特徴とするものである
。

［発明の実施例コ以下、第１図及び第２図を参照してこの発明の一実施例
を詳細に説明する。但し、Ｎ１図において、第４図と同
一部分には同一符号を付して示し、ここでは異なる部分
について述べる。

第１図はその構成を示すもので、図中２０はＲＦエンベ
ロープ信号生成回路でおる。このＲＦエンベロープ生成
回路２０は前記加算回路１６で取出されたＲＦ倍信号ピ
ーク検波回路２１及びボトム検波回路２２に導出する。

上記ピーク検波回路２１はダイオードＤ１、コンデンサ
Ｃ１、放電用定電流源１１及びバッフ１回路Ｂ１で構成
され、上記ＲＦ倍信号ピークレベルＶＰ　　（上側波形
）を検波するものである。また、ボトム検出回路２２は
ダイオードＤ２、コンデンサＣ２、充電用定電流源Ｉ２
及びバッファ回路Ｂ２で構成され、上記ＲＦ倍信号ボト
ムレベルＶＢ　　（下側波形）を検波するものである。

各レベル信号ＶＰ　、ＶＢは抵抗ＲＩＯ−Ｒ１３及びオ
ペアンプＡ３よりなる加算回路２３でレベル加算され、
ＲＦエンベロープ信号Ｒ１”ｅｎｖとなる。

このＲＦエンベロープ信号ＲＦｅｎｖは前記制御信号Ｖ
Ｃとして前記トラッキングサーボのゲイン制御回路１７
に供給される。

また、上記ＲＦエンベロープ信号ｙ　ｅｎｖは比較回路
２４にも供給される。この比較回路２４はコンパレータ
ＣＭＰ及び基準電圧源ＥＯよりなるもので、上記ＲＦエ
ンベロープ信号Ｖ　ｅｎｖと基準電圧ＶＯとをレベル比
較し、ｖｅｎｖ＞ｖＯのときＬ（ロー）レベル、Ｖｅｎ
Ｖ≦ＶＯのときＨ（ハイ）レベルとなる２値信号Ｖ２４
を発生するものである。この２値信号Ｖ２４は抵抗Ｒ１
４、コンデンサＣ３よりなる時定数回路（ここでは数１
００μｓｅｃ　）及びインバータゲートＧ１で構成され
る積分回路２５を介してモノマルチバイブレータ２６に
供給される。このモノマルチバイブレータ２６はナント
ゲートＧ２Ｇ３及びコンデンサＣ４、抵抗Ｒ１５，Ｒｌ
Ｂよりなる時定数回路（ここでは数１Ｑｍｓｅｃ　）で
構成され、入力信号のパルス幅を時定数回路で設定され
る時間に調整するものでめる。このモノマルチバイブレ
ータ２６の出力Ｖ２６は上記積分回路２５の出力Ｖ２５
と共にナントゲートＧ４の各入力端に供給される。この
ナントゲートＧ４は抵抗Ｒ１７，ＲｌＢ、スイッチング
トランジスタＱ１及び発光ダイオードＬＥＤＩと共に表
示回路２７を構成するもので、上記入力信号Ｖ２５．　
Ｖ２Ｂに応じて発光ダイオードＬＥＤＩを点灯制御する
ものである。

上記のような構成において、以下第２図を参照してその
動作について説明する。

すなわち、上記加算回路１６から第２図（ａ）に示すよ
うなＲＦ倍信号得られたとする。ここで、図中Ａはアド
レスサーチ期間、Ｂはブラックスポットによるドロップ
アウト期間、Ｃはディスク表面に付けられた傷によるド
ロップアウト発生期間、Ｄは信号無記録部分再生による
ドロップアウト発生期間、Ｅはフィンガープリント（指
紋等）によるドロップアウト発生期間、Ｆは光学系の結
露または汚れによるドロップアウト発生状態を示しでい
る。

まず、アドレスサーチ期間Ａについて説明する。

ＲＦ倍信号１周期約１００μｓｅｃでピークレベルが変
化している。このため、ＲＦ倍信号ピークレベル■Ｐを
検波すると同図（ｂ）に示すようにＲＦ倍信号レベル変
化がそのまま現われ、またボトムレベルＶＢを検波する
と同図（Ｃ）に示すように何も出力されない。これらの
レベル信号ＶＰ。

Ｖ８をレベル加算すると同図（ｄ）に示すようなＲＦエ
ンベロープ信号ｙ　ｅｎｖとなる。このとき、この信号
Ｖ　ｅｎｖを基準電圧ｖＯとレベル比較すると、図から
れかるようにエンベロープ信号Ｖ　ｅｎｖが１周期毎に
基準電圧ＶＯ以下となるため、比較回路２４の出力Ｖ２
４は同図（ｅ）に示すようなパルス波形となる。そのパ
ルス幅は約５０μｓｅｃである。

このパルス信号Ｖ２４は積分回路２５で積分されて同図
（ｆ）に示すようになるが、その時定数が数１００μｓ
ｅｃに設定されているため、インバータゲートＧ１のス
レッショールドレベルまでには至らない。したがって、
積分回路２５の出力Ｖ２５は同図（Ｃｌ）に示すように
Ｈレベルのままになっている。このとき、モノマルチバ
イブレータ２６の出力Ｖ２Ｂも同図（ｈ）に示すように
Ｈレベルのままであり、表示回路２７のナントゲートＧ
４出力は同図（ｉ）に示すようにＬレベルである。つま
り、アドレスサーチ時のＲＦ倍信号ドロップアウトは発
生期間が短いため検出されず、発光ダイオードＬＥＤＩ
は点灯しない。

ドロップアウト発生期間Ｂについて説明する。

ＲＦ倍信号ブラックスポットによりピークレベル側が変
化する。通常、このブラックスポットによるドロップア
ウト発生期間は約１ｍ５ｅＣ程度である。このため、ピ
ークレベル信号ＶＰは同図（ｂ）に示すようにドロップ
アウト看に応じて変化し、ボトムレベル信号ＶＢは同図
（Ｃ）に示すように変化しない。このため、両信号ＶＰ
、ＶＢをレベル加算すると同図（ｄ＞に示すようなＲＦ
エンベロープ信号ｖ　ｅｎｖとなる。このとき、この信
号Ｖ　ｅｎｖを基準電圧ｖＯとレベル比較すると、図か
られかるようにエンベロープ信号ｖ　ｅｎｖが基準電圧
ｖＯ以下となるため、比較回路２４の出力Ｖ２４は同図
（ｅ）に示すようなパルス波形となる。そのパルス幅は
約１ｍ５ｅｃに近い。

このパルス信号Ｖ２４は積分回路２５で積分されて同図
（ｆ＞に示すようになる。この場合、上記パルス信号Ｖ
２４のパルス幅が積分回路２５の時定数より長いため、
インバータゲートＧ１の出力がＬレベルに反転する。し
たがって、積分回路２５の出力Ｖ２５は同図（ｇ）に示
すようにＲＦ倍信号ドロップアウト発生に応じてＬレベ
ルとなる。このとき、モノマルチバイブレータ２６の出
力Ｖ２６はＬレベルに反転し、時定数回路で設定した数
１０ｍ５ｅｃ後にＨレベルとなる。このため、ナントゲ
ートＧ４出力は同図（＋＞に示すようにドロップアウト
が生じてから数１０ｍ５ｅｃｌ−ルベルとなる。つまり
、ブラックスポットによるのＲＦ倍信号ドロップアウト
が生じると、発光ダイオードＩＥＤ１は同図（ｊ＞に示
すように目視可能な数１０ｍ５ｅｃだけ瞬時点灯するよ
うになる。

ドロップアウト発生期間Ｃについて説明する。

ＲＦ倍信号ディスク信号記録面上の傷によりピークレベ
ル側もボトムレベル側も変化する。通常この傷によるド
ロップアウト発生期間は約１ｍ５ｅｃ以上である。この
ため、ピークレベル信号ＶＰは同図（ｂ）に示すように
ドロップアウト量に応じて変化し、ボトムレベル信号Ｖ
Ｂも同図（Ｃ）に示すようにドロップアウト量に応じて
変化する。

このため、両信号ＶＰ、ＶＢをレベル加算すると同図（
ｄ＞に示すようにドロップアウト発生期間Ｂと同等のＲ
Ｆエンベロープ信号Ｖ　ｅｎｖとなる。

したがって、以下Ｂ期間と同様に積分回路２５の出力Ｖ
２５は同図（Ｃ１）に示すようにＲＦ倍信号ドロップア
ウト発生に応じてＬレベルとなり、モノマルチバイブレ
ータ２６の出力２６はＬレベルに反転し、時定数回路で
設定した数１０ｍ５ｅｃ後にＨレベルとなるので、ナン
トゲートＧ４出力は同図（１）に示すようにドロップア
ウトが生じてから数１０ｍ５ｅＣ１−４レベルとなる。

つまり、傷によるＲＦ倍信号ドロップアウトが生じると
、発光ダイオードＬＥＤＩは同図（ｊ）に示すように目
視可能な数１０ｍ５ｅｃだけ瞬時点灯するようになる。

ドロップアウト発生期間りについて説明する。

ＲＦ倍信号無信号記録部分の再生によりボトムレベル側
のみが変化する。通常、この傷によるドロップアウト発
生期間は約１ｍ５ｅｃ以上である。このため、ピークレ
ベル信号ＶＰは同図（ｂ）に示すように変化しないが、
ボトムレベル信号ＶＢは同図（Ｃ）に示すようにドロッ
プアウト量に応じて変化する。このため、両信号ＶＰ　
、ＶＢをレベル加算すると同図（ｄ）に示すようにドロ
ップアウト発生期間Ｂと同等のＲＦエンベロープ信号Ｖ
　ｅｎｖとなる。したがって、以下Ｂ期間と同様に積分
回路２５の出力Ｖ２５は同図（ｑ）に示すようにＲＦ倍
信号ドロップアウト発生に応じてしレベルとなり、モノ
マルチバイブレーク２６の出力Ｖ２ＢはＬレベルに反転
し、時定数回路で設定した数１０ｍ　ｓｅｃ後にＨレベ
ルとなるので、ナントゲートＧ４出力は同図Ｕ＞に示す
ようにドロップアウトが生じてから数１０ｍ５ｅｃ＋レ
ベルとなる。つまり、無信号記録部分再生によるＲＦ倍
信号ドロップアウトが生じると、発光ダイオードＬＥＤ
Ｉは同図（ｊ＞に示すように目視可能な数１０ｍ　ｓｅ
ｃだけ瞬時点灯するようになる。

ドロップアウト発生期間Ｅについて説明する。

ＲＦ倍信号フィンガープリントによってピークレベル側
が低下する。通常、このフィンガープリントによるドロ
ップアウト発生期間は数ｍ　ｓｅｃ〜数１０ｍ５ｅｃで
ある。このため、ピークレベル信号ｖＰは同図（ｂ）に
示すようにドロップアウト量に応じて変化するが、ボト
ムレベル信号ＶＢは同図（Ｃ）に示すように変化しない
。このため、両信号ＶＰ　、ＶＢをレベル加算すると同
図（ｄ＞に示すようにＲＦエンベロープ信号ｖ　ｅｎｖ
となる。

したがって、以下Ｂ期間と同様に積分回路２５の出力Ｖ
２５は同図１＞に示すようにＲＦ倍信号ドロップアウト
発生に応じてＬレベルとなり、モノマルチバイブレータ
２６の出力Ｖ２ＢはＬレベルに反転し、時定数回路で設
定した数１０ｍ５ｅｃ後にＨレベルとなるので、ナント
ゲートＧ４出力は同図（ｉ）に示すようにドロップアウ
トが生じてから数１０ｍ５ｅｃＨレベルとなる。つまり
、無信号記録部分再生によるＲＦ倍信号ドロップアウト
が生じると、発光ダイオードＬＥＤＩは同図（ｊ＞に示
すように目視可能な数１０ｍ５ｅｃだけ瞬時点灯するよ
うになる。

光学系の結露または汚れによるドロップアウト発生状態
Ｆについて説明する。ＲＦ倍信号光学系の結露または汚
れによってピークレベルが低下する。このため、ピーク
レベル信号Ｐは同図（ｂ）に示すように低下するが、ボ
トムレベル信号ＶＢは同図（Ｃ）に示すように変化しな
い。このため、両信号ＶＰ、ＶＢをレベル加算すると同
図（ｄ）に示すようなＲＦエンベロープ信号ｙ　ｅｎｖ
となり、基準レベル■Ｏより低下する。したがって、比
較回路２４の出力は同図（ｅ）に示すようにＨレベルに
反転したままとなり、これによって積分回路２５の出力
Ｖ２５は同図（Ｑ）に示すようにＬレベルに維持される
。このとき、モノマルチバイブレータ２６の出力Ｖ２Ｂ
はＬレベルに反転し、時定数回路で設定した数１Ｑｍｓ
ｅｃ後にＨレベルとなるが、ナントゲートＧ４出力は同
図（ｉ）に示すようにＨレベルに維持される。つまり、
光学系の結露または汚れによるドロップアウトが生じる
と、発光ダイオードＬＥＤ１は同図（ｊ）に示すように
点灯し続けるようになる。

したがって、上記のように構成した光学式ディスク再生
装置は、種々の傷の形態によらず、全てのドロップアウ
トを検出することができ、ざらにこれを表示すると共に
、光学系の結露や汚れによるＲＦ倍信号レベル低下を検
出し、これを上記傷によるドロップアウトと区別して表
示することができるので、使用者に装置の状態を知らせ
ることができ、間違って故障と判断される恐れはない。

第３図にこの発明に係る他の実施例を示す。但し、第３
図において第１図と同一部分には同一符号を付して示し
、その詳細を省略する。

ここで示す回路は同一パッケージのＬＥＤを用いて、Ｒ
Ｆ傷信号ドロップアウトが傷によるものなのか、光学系
の結露や汚れによるものなのかをＬＥＤの色を変えて表
示することにより、使用者にわかりやすくしたものであ
る。

すなわち、前記モノマルチバイブレータ２６の出力Ｖ２
６はインバータゲートＧ５を介して第１及び第２の表示
回路２７．２８に供給される。第１の表示回路２７は抵
抗Ｒ１９，Ｒ２１、スイッチングトランジスタＱ２及び
発光ダイオードＬＥＤ２で構成されており、上記インバ
ータゲートＧ５の出力に応じてＬＥＤ２が点灯表示され
る。第２の表示回路２８はオアゲートＧ６、抵抗Ｒ２０
、スイッチングトランジスタＱ３及び発光ダイオードＬ
ＥＤ３で構成されており、オアゲートＧ５により上記イ
ンバータゲートＧ５の出力と前記積分回路２５の時定数
回路出力との論理和をとり、その結果に応じてＬＥＤ３
を点灯表示するものである。

尚、ＬＥＤ２　、ＬＥＤ３は同一パッケージに格納され
ており、同時に点灯すると緑色、ＬＥＤ３のみ点灯する
と赤色になるものである。

すなわち、再生中のディスクの傷によりＲＦ傷信号ドロ
ップアウトした場合（第２図中Ｂ−Ｅの期間）は、前述
のようにモノマルチバイブレータ２６が動作し、インバ
ータゲートＧ５の出力は第２図（ｋ）に示すように、オ
アゲートＧ６の出力は同図（２）に示すように、それぞ
れ同時にドロップアウト発生から数１　Ｑｍｓｅｃ　Ｈ
レベルとなる。

このため、ＬＥＤは同図（ｍ）、（ｎ＞に示すように同
時に点灯表示されて緑色になる。

一方、結露や汚れによりＲＦ傷信号ドロップアウトした
場合は、モノマルチバイブレータ２６は動作しない（電
源入力時のみ動作する）ため、上記インバータゲートＧ
５は同図（ｋ＞に示すように一端Ｈレベルとなって、数
１０ｍ５ｅｃ後に再びＬレベルとなる。ところが、オ゛
アゲートＧ６の各出力は同図（２）に示すようにＨレベ
ルのままとなる。このため、ドロップアウトを検出して
から数１０ｍ５ｅｃまで緑色表示されるが、それ以降は
ＬＥＤ３のみが点灯されるため、赤色に変化するように
なる。したがって、使用者は確実にドロップアウトの原
因を識別することができるようになる。

［発明の効果］以上詳述したようにこの発明によれば、傷対策回路をあ
らゆる傷の状態を検出してこれに対処できるようにする
と共に、光学系に生じる結露や汚れによって再生不可能
になった場合にもこれを検出し、それぞれの検出状態を
区別して表示することのできる光学式ディスク再生装置
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る光学式ディスク再生装置の一実
施例を示す回路構成図、第２図は同実施例の主要部出力
波形を示す波形図、第３図はこの発明に係る他の実施例
を示す回路構成図、第４図は従来のＣＤ再生装置の傷対
策回路の構成を示す回路構成図、第５図は上記傷対策回
路の制御手段を説明するための波形図である。１１〜１３・・・多分割ディテクタ、１４１　、１４２
・・・電流電圧変換回路、１６・・・加算回路、２１・
・・ピーク検波回路、２２・・・ボトム倹波回路、２３
・・・加算回路、２４・・・レベル比較回路、２５・・
・積分回路、２６・・・マルチバイブレータ、２７〜２
９・・・表示回路、ｖＰ・・・ピークレベル信号、ｖ８
・・・ボトムレベル信号、ＲＦｅｎｖ・・・ＲＦエンベ
ロープ信号、ＶＯ・・・基準電圧、ＬＥＤＩ〜ＬＥＤ３
・・・発光ダイオード。

Claims

【特許請求の範囲】

　情報信号が記録された光ディスクから光学式ピックア
ップを用いて前記情報信号を再生する光学式ディスク再
生装置において、前記光学式ピックアップの出力信号か
らピークレベル及びボトムレベルを検波し各検波信号を
加算してピックアップ出力エンベロープ信号を生成する
エンベロープ生成回路と、このエンベロープ生成回路の
出力が基準電圧より所定時間以上低下したことを検出す
る第１の検出手段と、前記エンベロープ生成回路の出力
が基準電圧より低下して復帰しないことを検出する第２
の検出手段と、前記第１の検出手段の検出状態で表示素
子を瞬時点灯し前記第２の検出手段の検出状態で前記表
示素子を点灯し続ける表示回路とを具備したことを特徴
とする光学式ディスク再生装置。