JPS61241957A - リードフレームの製造方法およびリードフレームを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、電子部品の製造技術に関し、特にエツチング
により形成されたリードフレームを用いた電子部品の製
造に利用して有効な技術に関する。

〔背景技術〕

従来、半導体パッケージの組立に供される半導体用リー
ドフレームは、一般に銅、ニッケル、クロム、コバルト
、鉄の単体またはこれらの数種からの合金などの半導体
リード用金属板を食刻するか又は打抜いてＩＣチップを
取付けるマウンテング部とパッケージの外部リード線の
部分とを有するリードフレーム素体を形成したのち・・
・（特開昭５５−１３３５６１号公報）。

本発明者は、上述されたような、食刻（以下エンチング
とする）したリードフレーム素体（以下リードフレーム
とする）を用いて、半導体装置の製造を行なったところ
、以下に示されるような問題があることを明らかにした
。

すなわち、半導体装置のパッケージを、樹脂材料によっ
て形成（以下モールドとする）した後、樹脂の流れ止め
としてリードフレームに形成されたタイバーと、前記パ
ッケージの間に形成された、ばつを取り除く作業を行な
った際、前記ばりが取れにくいという問題があることを
明らかにした。

本発明者は、前記ばりを取り除（作業を、ばつへの水流
の吹き付けにより行なりており、水流の圧力を上げてや
ることにより、ばりを効率よ（取り除くことを考えたが
、水流が半導体装置のリードにも吹き付けられるため、
リードに力が加わり半導体装置のパッケージとリードの
界面にすき間が発生し、半導体装置の耐湿性に影響を及
ぼすことを明らか処した。

そこで本発明者は、エツチングによって形成されたリー
ドフレームについて解析し、エツチングされた部分の断
面形状（以下エツチング面形状）に何らの原因があるこ
とをつきとめ、鋭意検討を重ねた結果本発明にいたった
。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、モールド後のぼり取りが容易なリード
フレームを提供すること忙ある。

本発明の他の目的は、耐湿性の良好な半導体装置を提供
することにある。

本発明の前記ならびＫそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかＫなるであ
ろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、リードフレーム材を、所足のマスクを用いて
エツチングした後、前記マスクのパターンよりも着干小
さいパターンを形成されたマスクを用い、リードフレー
ム材の主面、あるいは主面に対向する裏面をエツチング
して、リードフレームのエツチング面形状を整えること
Ｋより、モールド後のばつ取りが容易になるものである
。

また、モールド後のはり取りが容易であるため、ばつ取
りの際、半導体装置のリードに加わる力を低減すること
ができ、半導体装置のパッケージとリードの界面にすき
間が発生することが低減され、耐湿性が良好な半導体装
置が得られるものである。

〔実施例〕

第１図は、本発明の一実施例の特徴であるリードフレー
ム製造技術を説明するための図で、リードフレームのリ
ードと、第２のエツチングマスク（以下第２のマスクと
する）のマスクパターンを示す縦断面図である。第２図
は、第１のエツチングマスク（以下第１のマスクとする
）と、被処理体としてのリードフレーム材を示す斜視図
である。

第３図は、エツチング技術を説明するための図である。

第４図は、第１のマスクを用いてエツチングした後のリ
ードの縦断面図である。第５図は、第２のマスクを用い
てエツチングした後のリードを示す縦断面図である。第
６図は、本発明の一実施例によって得られたリードフレ
ームを用いて組立てられた、モールド後のパッケージと
、リードフレームのタイバー間を切断したリードの縦断
面図である。第７図は、はり取り後の半導体装置の一部
を示す斜視図である。

第１図において、ｌはリードであり複連する第１のマス
クを用いてエツチングされたものである。

２は、リード１のエツチング面を示す。本実施例では、
リードフレーム材を、その主表面と裏面の両側からエツ
チングするが、サイドエッチの作用によりリードのエツ
チング面２は、リードの厚さ方向中心付近に若干の凸部
を有する湾曲形状になる。３は、第２のマスクのパター
ンであり、リード１に対応してパターンを形成されてい
る。第２のマスクのパターン３は、後述する第１のマス
クのパターンよりも、前記サイドエッチの巾（リード２
の巾方向に対する）程度小さくなっている。

なお、第２のマスクのパターンは、写真処理等によって
形成される。

第２図において、４はリードフレーム材であり、例えば
銅系（Ｃｕ系）の材質のものである。５は、第１のマス
クであり、写真処理等の技術を用いて形成されたもので
ある。第１のマスク５は、リードフレーム材４の主表面
と裏面に形成（裏面側は図示せず）されている。

第３図において、６は搬送ベルトでア’）、第１のマス
ク５をその主表面と裏面に形成されたリードフレーム材
４を載置し搬送する機能を有する。

７は、エツチング液噴出管であり、前記搬送ベルト６を
はさんで上下ＫｔＪ１．ｆｌされている。８はノズルで
あり、前記エツチング液噴出管７に複数設けられている
。つまり、リードフレーム材４は搬送ベル）６によって
搬送されながら、ノズル８からのエツチング液噴出によ
りエツチングされる。

第４図において、９は第１のマスク５のパターンを示す
。

第５図において、１０は第２のマスクを用いてエツチン
グされた部分（以下くちばし部１０とする）である。

第６図において、１１はばりである、 第７図において、１２はリードフレームでアリ、本発明
の一実施例によって得られたものである。

１３は、タイバーでありモールド時に樹脂の流れ止めの
役目をするものである。１４は、半導体装置のメツ。ケ
ージである。

なお、前記はりは、パッケージ１４とタイバー１３の間
に形成されるものである。

以下、上述した構成の本発明の一実施例について、その
作用を説明する。

第２図に示されるように、先ずリードフレーム材４の主
表面と裏面に、写真処理によって第１のマスク５が形成
される。次いで第３図に示すようにリードフレーム材４
の、主表面側と裏面側から、例えばエツチング液として
塩化第二鉄（ＦｅＣ１１）溶液が噴出（図示せず）され
、リードフレーム材がエツチングされる。

第１のマスクを用いてエツチングされたリードは、サイ
ドエッチの作用により第４図に示されるようＫ、リード
のエツチング面２が、リードの厚さ方向中心付近に若干
の凸部を有する湾曲形状になる。

次いで、第１図に示されるように、第１のマスクパター
ンよりも、サイドエッチの巾程度小さいパターンを有す
る第２のマスク３が写真処理等によって形成される。こ
の際、リードのぼりが形成される部分と、タイバーの内
側のみをエツチングするように、第２のマスクを形成【
、てもよい。

本実施例では、第２のマスク３は、リードｌの裏面にの
み形成され、リード１の裏面側が、両びエツチングされ
る。すると、第５図に示されるようにリードｌのくちば
し部１０がなくなる。

このようにして得られたリードフレームを用いて、その
半導体素子を載せるべき部分に半導体素子を載せ、半導
体素子とリードとの電気的導通なとり、半導体装置の組
立を行なうと、モールド後第６図に示されるような、ば
り１１がリードフレームのタイバー内側に形成されるが
、リードの主表面側（図中矢印方向〕から、水流の吹き
付けを行なえば、リードの裏面側にくちばし部がないの
で、ばり１１を容易に取り除（ことができる。

（くちばし部があると、ばりが引っ掛かり取れＫくい） すると、第７図に示されるように、きれいにばつを取り
除くことができる。

上述したように、本発明の一実施例によれば、リードフ
レームのタイバー内側、つまり、ばダが形成される部分
にあるリードとタイバーのエツチング面形状を、ばつが
引っ掛からない（くちばし部がない）ようにしてやるこ
とができるため、モールド後のばり取りを容易に行なう
ことができる。

ばつ取りを容易に行な５ことができるため、ばり取り作
業の能率が向上する。

また、ばつ取りが容易だできるため、水流の吹き付は圧
力を弱めることができ、半導体装置のリードに水流が作
用する力が低減されるので、半導体装置のパッケージと
リードの界面にすき間が発生することが低減される。

さらに、半導体装置のパッケージとリードの界面にすき
間が発生することが低減できるため、耐湿性が向上し、
半導体装置の信頼性が高まる。

なお、第１図、第４図ないし第６図は、第７図のＡ−Ａ
線矢視断面に対応する。

なお本実施例では、リードの裏面のみを２回エツチング
しているが、リードの主表面のみ、あるいは両面を２回
エツチングしてもよい。

また、リードのエツチング面のくちばし部の取り除きを
、エツチングで行なうものに限らず、微細砥粒の吹き付
け（マスク使用）によって行なうなど、糧々考えられる
。

つマリ、リードフレームのエツチング面形状を整える（
くちばし部を小さくする）ようＫすれば、モー・ルビ後
のばり取りを容易に行な５ことができるものである、 また、プレスによって形成されたリードフレームの、か
えりの部分を本実施例のようなマスク（第２のマスク）
を用いてエツチングすれば、プレスによって形成された
リードフレームであっても、かえりの部分を取り除くこ
とができ、モールド後のばり取り作業を容易にできるも
のである。

〔効果〕 １、　リードフレームのエツチング面形状を整えること
により、モールド後のぼり取りを容易に行なうことがで
きるという効果が得られる。

２、ばり取りを容易に行なうことができるので、ばり取
り作業の能率を高めることができるという効果が得られ
る。

３、ばり取りが容易にできるので、水流の吹き付は圧力
を弱めることができ、半導体装置のリードに水流が作用
する力が低減されるので、耐湿性が向上し、半導体装置
の信頼性が高まるという効果が得られる。

４、半導体装置のパッケージとリードの界面にすき間が
発生することが低減できるため、耐湿性が向上し、半導
体装置の信頼性が高まるという効果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、リードフレームのリードと、第２のマスクの
マスクパターンを示す縦断面図、第２図は、第１のマス
クと被処理体としてのリードフレーム材を示す斜視図、 第３図は、エツチング技術を説明するための図、第４図
は、第１のマスクを用いてエツチングした後のリードの
縦断面図、 第５図は、第２のマスクを用いてエツチングした後のリ
ードを示す縦断面図、 第６図は、本発明の一実施・例によって得られたリード
フレームを用いて組立てられた、モールド後のパッケー
ジとリードフレームのタイバー間ヲ切断したリードの縦
断面図、 第７図は、ばり取り後の半導体装置の一部を示す斜視図
である。 １・・・リード、２・・・エツチング面、３・・・パタ
ーン、４・・・リードフレーム材、５・・・第１のマス
ク、６・・・搬送ベルト、７・・・エツチング液噴出管
、８・・・ノズル、９・・・パターン、１ｏ・・・くち
ばし部、１１・・・ば’）、１２・・・リードフレーム
、１３・・・タイバー、１４・・・パッケージ。 Ｙ−′ 第１１図 第　　２　　図 第　　６　　図 第　　７　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、エッチングによって製造するリードフレームの製造
   方法であって、リードフレーム材を第１のマスクを用い
   てエッチングしたのち、第１のマスクよりもパターン寸
   法の小さい第２のマスクを用いてエッチングすることを
   特徴とするリードフレームの製造方法。 ２、第１のマスクは、リードフレーム材の主表面と裏面
   に形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載のリードフレームの製造方法。 ３、第２のマスクは、リードフレーム材の裏面に形成さ
   れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のリー
   ドフレームの製造方法。 ４、第１のマスクを用いてエッチングしたのち、第１の
   マスクよりもパターン寸法の小さい第２のマスクを用い
   てエッチングされたリードフレームを用い、その半導体
   素子を載せるべき部分に半導体素子を載せ、半導体素子
   とリードとの電気的導通をとって組立てられてなること
   を特徴とする半導体装置。