JPS61237425A - 位置合せ装置 - Google Patents

位置合せ装置

Info

Publication number
JPS61237425A
JPS61237425A JP60078568A JP7856885A JPS61237425A JP S61237425 A JPS61237425 A JP S61237425A JP 60078568 A JP60078568 A JP 60078568A JP 7856885 A JP7856885 A JP 7856885A JP S61237425 A JPS61237425 A JP S61237425A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
alignment
mark
wafer
signals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60078568A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Kuroki
黒木 洋一
Ruri Onoda
小野田 るり
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60078568A priority Critical patent/JPS61237425A/ja
Priority to US06/850,710 priority patent/US4830500A/en
Publication of JPS61237425A publication Critical patent/JPS61237425A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の分野] 本発明は、2物体間の相対位置を合往る装置、特に半導
体装置におけるマスク(またはレチクル)とウェハの位
置合せ用として好適な位置合せ装置に関する。
〔従来技術の説明〕
半導体焼付装置等において、マスク(またはレチクル)
とウェハとの位置合せは、例えばマスクおよびウェハの
それぞれに予め描かれた自動位置合せ用のアライメント
マーク上をレーザビームで走査し、マークエツジの散乱
回折光を位置合せ情報に使用している。この場合、受光
部で光学的に直接反射光を除去した後に、それぞれのア
ライメントマークのエツジからの散乱回折光の強度を光
電変換して電気的パルスに変え、このパルス位置をクロ
ック計数器等で測定してアライメントマーク同志の間隔
すなわち偏位を求めることが一般に行なわれている。
具体的には、第7図(a>に示す様なアライメントマー
クMをマスクに、(b)に示す様なマークWをウェハに
描いて、第8図に示す様な構成の装置により、第7図(
d)に示す様に、マスク1とウェハ2のアライメントマ
ークM、W上をレーザビームしで走査して各マーク同士
の偏位を求め、この偏位に応じてマスク1またはウェハ
2のいずれかを動かして、第7図(C)に示す状態にマ
スク1とウェハ2の相対的な位置合せを行なっている。
第8図は、半導体焼付装置における位置合せシステムの
1例を示す。同図において、1はマスク、2はウェハ、
3は移動ステージ、4はマスク1のパターンをウェハ2
上に転写するための投影レンズである。また、7はモー
タ6によって回転するポリゴンミラーで、レーザ光源例
えばレーザチューブ5から出射されたレーザ光は、ポリ
ゴンミラー7、ミラー8、ビームスプリッタ11a 、
 11b 。
対物レンズ10、ミラー9を経てマスク1およびウェハ
2上のアライメントマークM、W上をスキャンする。こ
れらのアライメントマークM、Wからの散乱光はミラー
9、対物レンズ10を通り、ビームスプリッタ11bに
よって光電検出器12bに向う光とビームスプリッタl
laを経て光電検出器12aに向う光とに分れる。ここ
で光電検出器12aにはマスク1上のマークからの散乱
光とウェハ2上の散乱光がそのまま入り、光電検出器1
2aの出力は第7図(f)に示す様な信号になるが、光
電検出器12bは偏光板(不図示)が付いており、マス
ク1上のマークからの散乱光のみを検出する様になって
いる。従って光電検出器12bの出力は、第7図(e)
に示す様にマスク1上のマークからの信号のみが現われ
る。
光電検出器12aおよび12bの出力信号は第7図(f
)および(e)の様なアナログ信号であり、この信号中
、mはマスク1上のマークMからの散乱光による信号、
Wはウェハ2にのマークWからの散乱光による信号であ
る。これらの信号は、制御回路13中のコンパレータ1
4aおよび14bによって2値化された債、加算器28
によって合成され、第7図(g)の様なパルス列となる
。これらのパルス間隔を計測クロック発振器15および
パルス間隔測定回路16で計測する。17はCPUで、
該測定回路16の値を読み出し、この計数値よりマスク
1とウェハ2との相対的なずれ量を求める。そして、そ
のずれ量が予めトレランスとして設定された値以下とな
る様にマスク1またはウェハ2を移動することによって
マスクとウェハの相対的な位置合せを行なう。
しかし、この時、光電検出器12aの出力信号の中には
アライメントマーク以外(例えば実素子用パターン等)
からの散乱光による信号も含まれている。例えば第9図
(1)の様にウェハ2上のアライメントマークが形成さ
れているエリアa以外をレーザビームがスキャンする時
、例えばaに隣接してウェハ2上に焼付けられた回路パ
ターンまたは次の工程用のアライメントマーク等が形成
されたエリアbがあったとすると、光電検出器12aか
らの信号は第9図(2)の様になる。従って、この信号
をこのまま取り込んだのではどれがアライメントマーク
からの信号か区別がつかなくなり、位置合せは困難とな
る。従って、一般には、他の充電検出器(図示せず)に
よりレーザビームのウェハ面上のスキャン開始に同期し
た第9図(3)の様な信号(以下、同期信号と称する)
SVnOを得て、この同期信号3 yncよりある一定
時間Tow遅延させた第9図(4)の様な信号(以下、
ウインド信号と称する)を作成し、このウィンド信号に
よって前記光電検出器12aの出力する電気信号の中か
ら位置合せに必要なアライメントマークが存在するエリ
アaからの信号のみをゲートして取り出す様にしている
第10図は、アライメントマークからの信号を検出する
ための第8図の信号測定回路部分をより詳細に示したも
のである。同図において、カウンタ20は、前記第9図
(3)の同期信号3 yncの到来によって第9図(4
)の時間Tpwをカウントする。
このカウント終了によって次にカウンタ21がウィンド
信号の時間TWをカウントし、この時間TWの間Hレベ
ルとなるウィンド信号を発生する。
光電検出器12aおよび12bの出力信号3iga。
Sigbは、コンパレータ14a 、 14bによって
2値化された後、オアゲート28によって加算され、ア
ンドゲート22によってウィンド信号がHレベルである
期間Twのみパルス位置計測カウンタ25およびパルス
本数カウンタ23に供給される。
カウンタ23は、オアゲート28からマーク検出信号が
出力される度に1ずつインクリメントしてメモリ24の
アドレスを更新する。そして、上記ウィンド信号がHレ
ベルである間、アンドゲート22で上記マーク検出信号
が選択される都度、位置計測カウンタ25の値がメモリ
24の更新されたアドレスへ書き込まれる。CP U 
17はレーザビームによるスキャン終了後、該メモリ2
4を読み出すことによりアライメントマークの位置を知
ることができる。
26はコンパレータ14aおよび14bのスレッシュホ
ールド電圧vthを決定する閾値(スライスレベル)設
定回路であり、カウンタ23の出力によってアドレスが
更新するRAMとD/Aコンバータ等より構成されてい
る。該RAMの内容は計測前にc p U 17によっ
てセットされる。
ピーク値検出回路27は、ピークホールド回路、A/D
コンバータおよびRAM等により構成されており、光電
検出器12a 、 12bからのパルス信号の到来毎に
そのピークを検出し、その値をA/D変換してRAMへ
格納する。
次に、第8および10図を参照して従来の位置合せシス
テムにおけるパルス間隔測定動作を説明する。
計測に先だってCP U 17は、先ず、適当なスレッ
シュホールド電圧の値を閾値設定回路26のRAMへ書
き込む。しかる後にレーザビームがマスク1およびウェ
ハ2上をスキャンすると、コンパレータ14aおよび1
4bは光電検出器12aからの信号3igaおよび光電
検出器12bからの信号3 igbを閾値設定回路26
から出力されるスレッシ1ホールド電圧vthと比較し
てこれらの信号3iga。
3 igbがスレッシュボールド電圧vthを超えた部
分でHレベルのマーク検出信号を発生する。カウンタ2
3はこのマーク検出信号の到来毎に立ち下がりエツジで
ピーク値検出回路21のRAMのアドレスを更新し、R
AMの各アドレスには光電検出器12a (+5よび1
2bからの信号レベル(ピーク値)がデジタル閤として
記憶される(この第1四目の計測を以下「予備計測」と
称する)。次にCP U 17は、このRAMの内容を
読み出して各信号毎に適切なスレッシュホールド電圧の
値を閾値設定回路26のRAMヘセットし直す。閾値設
定回路26は、次の計測時(以下、主計測と称する)、
光電検出器12aおよび12bからの信号が通過する度
にピーク値検出回路27の出力によりRAMのアドレス
がインクリメントされ、次の信号を2値化(検出)する
ためのスレッシホールド電圧を出力する。この様子を第
11図に示す。
第11図(1)は、ピーク検出および2値化のためのス
レッシホールド電圧を出力するタイミングを示したもの
である。ここで、T+は区間■のピーク値を測定する(
予備計測時)とともに、主計測の時は区間工に対して前
記ピーク計測によって得た値をもとに所定のスレッシュ
ホールド電圧を出力する。
第11図において、光電検出器12bに現れるマスクの
マークからの信号mのレベルは、一般に、光電検出器1
2aに現れるマスクのマークからの信号m′のレベルよ
りも大きくなる様に設定されているため、実際には第1
1図の3igaのパルス列を計測することになる。
しかし、ウェハ2からの信号は、一般に、マークの信号
のない部分(ベースライン)すなわち第9図(2)のG
のラインが常に一様になっているとは限らず、例えばア
ルミを蒸着した工程などのウェハは、第12図(1)の
様に本来アライメントマークの無い部分にも信号SAが
発生したり、あるいはスレッシホールド電圧を低く設定
して第12図(2)に示すノイズ3nを検出したりする
と、どれがウェハのマークからの信号か分らなくなり、
位置合せができなくなるというといった問題があった。
また、一度位置合せに用いたウェハのマーク部分には露
光によってマスクのパターンが転写される。このため、
このマークを再び他の工程で使用すると、マスクとウェ
ハの位置合せが行なわれる前の信号は、第13図に示す
様に、転写されたマスクのマークの信号m“が現れてマ
スクとウェハの信号の区別がつかなくなるという問題が
あった。
このため、一度ある工程で使用されたマークは次の工程
では使えず、アライメントマークは位置合せ工程の数だ
け、あるいは各工程ごとに次の工程のための新しいマー
クを用意しなければならないという問題点があった。
[発明の目的] 本発明の目的は、位置合せ装置において、上述の様な問
題点を解決し、位置合せマークからの信号以外のノイズ
またはウェハ上の前工程で転写されたマスクのマークか
らの信号等が混入してもこれを識別除去し、正確な位置
合せを行なうことを可能とすることにある。
[実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
なお、従来例と共通または対応する部分については同一
の符号で表わす。
第1図は本発明の一実施例に係る信号測定回路のブロッ
ク構成を示す。同図の装置は、本発明を実施するために
改良したもので、第10図の装置に対し、パルス間隔計
測カウンタ25、同メモリ24およびパルス本数カウン
タ23を各々ウェハからの信号系(Siaa)用とマス
クから信号系(Sigb)用と独立に2系統分(24a
 、 24b 、 25a 、 25b 。
23a 、 23b )設け、また、スレッシュホール
ド設定回路26およびピーク値検出回路21も各々ウェ
ハからの信号用の26a 、 27aとマスクからの信
号用の26b 、 27bを独立に設け、更に、タイミ
ング発生回路29およびアンドゲート30を追加したも
のである。
タイミング発生回路29は、第2図の同期信号3 yn
cの到来とともに期間T pwlおよびT DW2をカ
ウントするカウンタ20がカウントアツプすると同時に
カウントを開始し、CP U 17によって予め設定さ
れた時間Toだけカウントした後、CPU17によって
やはり予め設定された時間TaだけLレベルとなる第2
図(4)に示す様な信号を発生する。アンドゲート22
aおよび30は、この信号とカウンタ21の発生するウ
ィンド信号により、ウェハからの信号5iaa(第2図
(2))を、第2図(5)の様なタイミングでゲートす
る。
スレッシ1ホールド設定回路26aおよびピーク値検出
回路27aは、上記信号によって第2図(7)のS+=
S*の期間、各々独立にスレッシュホールド電圧を設定
し、あるいはその期間の信号のピークの最大値を検出す
る。一方、回路26bおよび27bは、マスクの信号S
igbについて第2図(8)の85およびS6の期間、
スレッシュホールド電圧を設定し、あるいは該期間の信
号の最大ピーク値を検出する。
CP u 17は次の様に動作する。
CP U 17は、まず、移動ステージ3の送り精度に
応じてウェハの信号を充分に補足出来る期間To (S
+〜84 )をタイミング発生回路29およびカウンタ
20.21にセットする。次に、レーザビームによるス
キャンが行なわれると、期間81〜S4の各々に対する
ウェハからの信号5iaaのピーク値を計測する。また
、この時同時にマスクからの信号S iabのピーク値
を区間S5およびS6について計測する。
次にCP LJ 17は、期間81〜S6の各々につい
ての計測値をもとに、所定の率のスレッシュホールド電
圧を設定すべく、スレッシュホールド電圧設定回路26
aおよび26bに設定すべき値を計算する。そしてこの
求めた値を回路26a 、 26bに設定し、次のスキ
ャンの入力信号S :aa 、 S iabにより主計
測を行なう。
ここで2値化回路14a 、 14bおよびパルス間隔
の計測について更に詳しく説明を行なう。第3図は、そ
の説明のための図であり、スレッシュホールド電圧vt
hに対して信号がWnの様に到来すると、2値化回路1
4a(または14b)はWnがスレッシュホールド電圧
vthを越えた時とスレッシ1ホールド電圧以下となっ
た時に各々パルスを1つずつ発生する(PRn 、PF
n )。このパルスは、例えば計測カウンタ25a(ま
たは25b)の計測クロックと同じ幅のものであり、該
パルスP Rn、 。
PFn(7)発生時間tRn、tpnより信号Wnのピ
ーク位@ t n  (= (j、 Rn + t r
−n ) / 2 )を求めている。
本実施例においてCP U 17は、第2図(6)のパ
ルス位@tnを求める前に、tFn−tRn(=twn
)を計算する。ここで、twnは信号Wnを2値化した
時の信号幅を現わしており、これをレーザビーム径およ
びウェハのパターン幅等から予想して予め設定されたウ
ェハのマークからの信号の最小幅twainと比較する
。そして、この信号幅twnがtwmtnよりも広いも
のについてのみtn(tRn 、tFn )をCP U
 17のメモリ内に取り込む。
次にCP tJ 17はメモリに取り込んだ値tnより
各信号Wn同士の間隔を調べる。まずt2−tlを計算
し、この計算値を位置合せマークの寸法LSとレーザビ
ームのスキャン速度と計測クロック周波数によって定ま
る一定の値TSと比較する。
この比較は、TSにある一定率の余裕度たとえば±5%
を考慮し、n番目のパルスの計測(Itnと次のパルス
の計測値tn+1について、0.95− Ts < t
n+1− tn < 1.05 令Tsであるかどうか
チェックする。
上記条件を満たさなければ、これは、ウェハのアライメ
ントマークからの信号ではないと判断し、次にtn+2
−tnについて同様のチェックを行なう。
このチェックはn番目のパルス(測定値tn)がウェハ
からの信号であると仮定して行なわれており、もしm番
目までさがして to+ −tn >  LO5Ts となれば、tnはウェハのアライメントマークからの信
号ではなかったと判断し、n+1番目のパルスをウェハ
のアライメントマークからの信号と仮定し直して、tn
+2− tn+1 、 tn÷3−tn+1゜・・・・
・・についてチェックを行なう。
この様にして、たとえば第2図に示す様なウェハからの
信号S igaから7ライメントマーク以外の信号たと
えば前回の工程で位置合わせ後焼き付けられたマークか
らの信号m″、マスクの信号用いノイズ信号n(すなわ
ちPn)等を除去し、ウェハの7ライメントマークから
の信号W(同図(6)(7)Pwl、 Pw2. Pw
3. Pw4)のみを検出する。
マスクからの信号3 igbはウェハからの信号3ig
aに比べて信号レベルも太きくS/Nもよい。
このため信号3igbは、第2図(8)の期間S5およ
びS6についてマスクのアライメントマークからの信号
mの位置検出を行なう。
この様にして求めたウェハおよびマスクの7ライメント
マークの計測値より、CP U 17は、ウェハとマス
クの相対的なずれ量を求め、モータ32゜33(第8図
)を駆動してウェハとマスクの相対的な位置合せを行な
う。
モータの駆動が終了すると、CP U 17は、前記方
法による測定を再度行ない、ウェハとマスクの相対的な
ずれ吊が所定の誤差範囲に入っているか否かを調べ、入
っていれば位置合せを終了する。
そして次に、前記最後の計測値の中のマスクのマークの
位MTm1.tm2(第4図)をもとに新たなプリウィ
ンド時間rpwi ′、 Tpw2 ′、 Tc ′を
計算する。
この計算は、次の様にして行なう。
まず、ウェハとマスクの相対的なずれ量がある値Aより
も大きい時はウェハを駆動し、A以下の時はマスクを駆
動するものとする。第5図に示す様に、マークの信号の
測定系のマスクの駆fJJ Iの最大値Aに対応した時
間間隔をTR5予想されるマスクのマークからの信号の
最大幅をTpwとし、現在位置から次の位置合わせ位置
へ移動するまでのステージの送り精度に対応した時間を
To−とすると、CP Ll 17は、 Tc ” =TpVl+2TR TI)Wl −= tmi−To −−1/2 Te 
−”rpwz −−t12−To −−1/2 Te−
なる計算を行ない、この露1算によって求めたTpwl
′Tpw2− 、 Tc ′をカウンタ20およびタイ
ミング発生回路29にセットする。
前記駆動量の最大値Aは、ステージの送り精度Bよりも
大きくとってあり、たとえば第6図の様に一度位置合せ
に使用されマスクのマークが転写されても、該マークの
マスクのパターンが転写された部分からの信号は第4図
(6)のタイミング期間Tc′内となって、ゲート22
a 、 30で禁止され、信号3iga中に入って来る
事はない。このため、一度、位置合せが終了すれば、次
の位置合せショット以降は、ウェハからの信号は第4図
(6)のタイミングTo”期間中のみ検出されるので、
転写されたマスクの信号(第6図のm″)を検出する事
はない。このため、前記のような信号抽出を行なう必要
がなくなり、マスクのパターンが転写されていないマー
クを使用した場合と同等の処理速度で位置合せを行なう
事が可能となる。
すなわち、この実施例によれば、複数のパターンを組み
合せて作られたウェハおよびマスクのアライメントマー
クからの散乱光を検出して該アライメントマークの位置
を検出し、ウェハとマスクのずれ量を測定してウェハと
マスクの相対的位置合わせを行なう装置において、ウェ
ハの送り精度から予め定められたアライメントマークの
各々のパターンからの信号を各々独立に補足出来る様な
タイミングを発生し、かかる各タイミングllI][中
、各々独立に信号の最大値(ピーク値)を検出し、該検
出値をもとに各々独立にスライスレベルを設定する手段
、更に、前記タイミングによって2値化したパルス列の
中からウェハの位置合わせマーク間の寸法に対応した時
間幅を有するパルスの組み合わせを抽出する手段、更に
、前記抽出に先だってウェハのアライメントマーク幅お
よび走査スポット径等によって決まる予想されるウェハ
上のアライメントマークからの信号幅よりも細い信号に
ついてはこれを除去する手段、を設ける事によって、ア
ルミ粗面等によるアライメントマークからの信号以外の
信号、ノイズ、および一度位置合せに使用してマスクか
らウェハ上に転写されたアライメントマークからの信号
等が混入しても、これらを除去し正確に位置合せを行な
う事が可能となった。
また、一度位置合せが完了した後は、以後のショットに
ついてはマスクのマークの信号がある余裕度をもってゲ
ートされるため、一度位置合せに使用したウェハであっ
ても処理スピードをおとす事なく位置合わせが出来る。
[発明の適用例] 前記実施例では、ウェハのマーク2本の間に1本のマス
クのマークをはさみ込むといった様なアライメントマー
クを使用する例について説明したが、マークの形状およ
び配置等はこれに限った事ではなく、たとえばマスクを
ある位置に固定し、ウェハ上に設けたアライメントマー
クのみを測定して前記マスクの固定位置に対するウェハ
の相対的なずれ量を測定し、該ずれ思をOにすべくウェ
ハを駆動する様な装置においてもウェハ上のマーク近傍
のノイズ等を除去するのに本発明は適用出来るものであ
る。
[発明の効果] 以上説明した様に本発明によれば、物体上の位置合せ用
マークを走査して得られるパルス信号の時間軸上の配列
を該マークの幾何的配列と比較し、マーク寸法に対応す
る時間配列のパルス信号のみを該マークの検出信号とし
て抽出するようにしたため、位置合せマークからの信号
以外のノイズまたはウェハ上の前工程で転写されたマス
クのマークからの信号等が混入してもこれを識別除去し
、正確な位置合せを行なうことができる。また、上記の
様にしてマーク位置を検出した後はマーク位置情報に基
づいて次のマークを検出するためのつインド信号を作成
し、マークからの信号以外の信号を権力除去する様にし
ているため、特にステップアンドレビート方式の露光装
置の様に既に検出したマークとウェハを移動して次に検
出するマークとの位置誤差が極めて少ない場合は、上記
の信号識別除去動作を省略することも可能であり、処理
速度をより向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る信号測定回路のブロ
ック図、 第2〜6図は、第1図の回路の動作波形図、第7図は、
位置合せに用いるマスクおよびウェハのアライメントマ
ークを説明する図、第8図は、半導体焼付装置における
従来の位置合せシステムの概略構成図、 第9図は、ウェハ上の7ライメン上マークからの信号の
検出タイミングを示す図 第10図は、第8図の信号測定回路をより詳細に示すブ
ロック図、 第11〜13図は、アライメントマークからの信号を説
明する図である。 1:マスク、2:ウェハ、3:移動ステージ、4:投影
レンズ、5:レーザチューブ、7:ポリゴンミラー、1
1a 、 11b :ビームスブIJ ツタ、12a 
、 12b :光電検出器、13:i+II御回路、1
4a 、 14b : 2Wi化回路、15:計測クロ
”7り発振器、16:パルス間隔測定回路、17:CP
LI。 20.21:ウィンド信号発生用カウンタ、22a 、
 22b 、 30:アンドゲート、26a 、 26
b :閾値設定回路、27a 、 27b :ビーク値
検出回路、29:タイミング発生回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、物体上に設けた複数のパターンよりなる位置合せ用
    マークからの反射信号を検出し、該反射信号よりマーク
    の存在する位置を検出し、該マークの検出位置より前記
    物体の位置を検出して該物体を所望の位置へ位置合せす
    る物体の位置合せ装置であつて、 前記位置合せマークを構成する個々のパターンからの信
    号を各々独立に検出するためのタイミング信号を発生す
    る手段、前記各検出タイミング信号の発生期間ごとの前
    記パターンからの信号のピーク値を個別に検出する手段
    、該検出ピーク値を前記各々のパターンからの信号とし
    て各々独立にデジタル化する手段、前記パターンの平面
    的な配置寸法と前記各ピーク値の時間軸上の配列とを比
    較し、マーク寸法に対応したものの組み合せのみを抽出
    する手段、および、位置合せ終了時に、次の位置合せの
    ために前記位置合せマークからの検出信号を基に前記検
    出タイミング信号の発生タイミングを変更する手段を有
    することを特徴とする位置合せ装置。 2、前記パルス信号の時間軸上の配列の中より前記位置
    合せ用マークのパターンからの信号に対応する組合せを
    抽出するに当り、前記位置合せマークを構成するパター
    ンの最小寸法に応じて検出信号の最小幅を算出し該最小
    幅に満たない信号についてはこれをノイズとして除去す
    る手段を有する特許請求の範囲第1項記載の位置合せ装
    置。 3、前記物体が、半導体製造におけるウェハまたはマス
    クである特許請求の範囲第1または2項記載の位置合せ
    装置。
JP60078568A 1985-04-15 1985-04-15 位置合せ装置 Pending JPS61237425A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60078568A JPS61237425A (ja) 1985-04-15 1985-04-15 位置合せ装置
US06/850,710 US4830500A (en) 1985-04-15 1986-04-11 Alignment device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60078568A JPS61237425A (ja) 1985-04-15 1985-04-15 位置合せ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61237425A true JPS61237425A (ja) 1986-10-22

Family

ID=13665495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60078568A Pending JPS61237425A (ja) 1985-04-15 1985-04-15 位置合せ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61237425A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2985323B2 (ja) パターン検査方法及びその装置
US4634876A (en) Object position detecting apparatus using accumulation type sensor
JPS61174717A (ja) 位置合わせ装置
US4504148A (en) System for detecting a signal for aligning two bodies and signal _processing method
JPH01191003A (ja) マーク位置検出装置およびマーク配置方法
JPS5963503A (ja) マ−ク位置検出方法
US4659227A (en) Alignment apparatus
JPS5852825A (ja) 位置合わせ信号処理装置
JPS6148250B2 (ja)
JPS61237425A (ja) 位置合せ装置
JPS6313687A (ja) レ−ザ−書き込み法におけるシステムの信頼性を向上させる方法とその装置
US4545684A (en) Alignment mark detecting apparatus and method
JPS61237424A (ja) 位置合せ装置
JPH0656293B2 (ja) 欠陥検出方法
US4566796A (en) Method of determining position on a wafer
JPS6267819A (ja) 位置合せ装置
JPS62139329A (ja) 位置合せ装置
JPS61239108A (ja) 信号検出装置
JPH0221650B2 (ja)
JPS61242019A (ja) 位置合わせ装置
JPS5984523A (ja) 位置合せマ−ク判別方式
JPS61242020A (ja) 位置合わせ装置
JPS59208402A (ja) 位置検出装置
JPS6191543A (ja) Icリ−ド曲り検出方法及び装置
JPH047091B2 (ja)