JPS62139329A - 位置合せ装置 - Google Patents
位置合せ装置Info
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- JPS62139329A JPS62139329A JP60279329A JP27932985A JPS62139329A JP S62139329 A JPS62139329 A JP S62139329A JP 60279329 A JP60279329 A JP 60279329A JP 27932985 A JP27932985 A JP 27932985A JP S62139329 A JPS62139329 A JP S62139329A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- signals
- ram
- alignment
- identification marks
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、位置合せ装置に関し、例えば半導体装置にお
いてマスク（またはレチクル）パターンをウェハに焼付
ける際に、両者の位置識別マークであるアライメントマ
ーク同士の間隔を効率良く測定し両者の位置合せを高精
度かつ高速度で行なう位置合せ装置に関する。
いてマスク（またはレチクル）パターンをウェハに焼付
ける際に、両者の位置識別マークであるアライメントマ
ーク同士の間隔を効率良く測定し両者の位置合せを高精
度かつ高速度で行なう位置合せ装置に関する。
［従来技術の説明１
半導体焼付装置等において、マスク（またはレチクル）
とウェハとの位置合せは、例えばマスクおよびウェハの
それぞれに予め描かれた自動位置合せ用のアライメント
マーク上をレーザビームで走査し、マークエツジの散乱
回折光を位置合せ情報に使用している。この場合、受光
部で光学的に直接反射光を除去した後に、それぞれのア
ライメントマークのエツジからの散乱回折光の強度を光
電変換して電気的パルスに変え、このパルス位置をクロ
ック計数器等で測定してアライメントマーク同士の間隔
すなわち偏位を求めることが一般に行なわれている。
とウェハとの位置合せは、例えばマスクおよびウェハの
それぞれに予め描かれた自動位置合せ用のアライメント
マーク上をレーザビームで走査し、マークエツジの散乱
回折光を位置合せ情報に使用している。この場合、受光
部で光学的に直接反射光を除去した後に、それぞれのア
ライメントマークのエツジからの散乱回折光の強度を光
電変換して電気的パルスに変え、このパルス位置をクロ
ック計数器等で測定してアライメントマーク同士の間隔
すなわち偏位を求めることが一般に行なわれている。
具体的には、第２図（ａ）に示す様なアライメントマー
クＭと、同図（ｂ）に示す様なマークＷを、マスク上と
ウェハ上に各々左右各１組づつ設け、マスク１とウェハ
２のアライメントマークＭ。
クＭと、同図（ｂ）に示す様なマークＷを、マスク上と
ウェハ上に各々左右各１組づつ設け、マスク１とウェハ
２のアライメントマークＭ。
Ｗ上を左右同時にレーザビームしで走査して各マーク同
士の部位を求め、この偏位に応じてマスク１またはウェ
ハ２のいずれかを動かして、第２図（Ｃ）に示す状態に
マスク１とウェハ２の相対的な位置合せを行なっている
。
士の部位を求め、この偏位に応じてマスク１またはウェ
ハ２のいずれかを動かして、第２図（Ｃ）に示す状態に
マスク１とウェハ２の相対的な位置合せを行なっている
。
第３図（ａ）は、半導体焼付装置における位置合せシス
テムの１例を承す。図面中、左／右光学系の一対の部品
の参照番号には添字ｒｒＪおよび「！」が付されている
が、両者をまとめて呼称する場合のみ添字を省略する。
テムの１例を承す。図面中、左／右光学系の一対の部品
の参照番号には添字ｒｒＪおよび「！」が付されている
が、両者をまとめて呼称する場合のみ添字を省略する。
同図において、１はマスク、２はウェハ、３は移動ステ
ージ、４はマスク１のパターンをウェハ２上に転写する
ための投影レンズである。マスク１上には、左アライメ
ントマークＭＬ （Ｍｌ 、 Ｍ２ ）および右アライ
メントマークＭＲ（Ｍｌ 、 Ｍ２ ＞が設けられてい
る。
ージ、４はマスク１のパターンをウェハ２上に転写する
ための投影レンズである。マスク１上には、左アライメ
ントマークＭＬ （Ｍｌ 、 Ｍ２ ）および右アライ
メントマークＭＲ（Ｍｌ 、 Ｍ２ ＞が設けられてい
る。
また、ウェハ２上のアライメントマークは、第３図（ｂ
）に示すようにショット３ｎについては、隣接ショット
間に左アライメントマークＷＬｎ（Ｗｌ〜Ｗ４）、右ア
ライメントマークＷＲｎ（Ｗ１〜Ｗ４ ）が設けられ、
ウェハ面上で有効エリア内であれば各ショットにつき同
様に左右のアライメントマークが設けられている。
）に示すようにショット３ｎについては、隣接ショット
間に左アライメントマークＷＬｎ（Ｗｌ〜Ｗ４）、右ア
ライメントマークＷＲｎ（Ｗ１〜Ｗ４ ）が設けられ、
ウェハ面上で有効エリア内であれば各ショットにつき同
様に左右のアライメントマークが設けられている。
第３図（ａ）に戻り、７はモータ６によって回転するポ
リゴンミラーで、レーザ光源例えばレーザチューブ５か
ら出射されたレーザ光は、ポリゴンミラー７を経てビー
ムスプリッタ８により左右に分岐し、ビームスプリッタ
１１．２１、対物レンズ１０、ミラー９を経てマスク１
およびウェハ２上の左アライメントマークＭＬ、ＷＬと
右アライメントマークＭＲ，ＷＲ上をスキャンする。こ
れらのアライメントマークＭＬ、ＭＲ，，ＷＬ、ＷＲか
らの散乱光はミラー９、対物レンズ１０を通り、ビーム
スプリッタ２１に入射する。そして、アライメントマー
クＭからの散乱光はビームスプリッタ２１を透過してＭ
Ｄ系光電検出器２２に導かれ、アライメントマークＷか
らの散乱光はビームスプリッタ２１により反射されてビ
ームスプリッタ１１を通りＭＷ系光電検出器１２に入る
。
リゴンミラーで、レーザ光源例えばレーザチューブ５か
ら出射されたレーザ光は、ポリゴンミラー７を経てビー
ムスプリッタ８により左右に分岐し、ビームスプリッタ
１１．２１、対物レンズ１０、ミラー９を経てマスク１
およびウェハ２上の左アライメントマークＭＬ、ＷＬと
右アライメントマークＭＲ，ＷＲ上をスキャンする。こ
れらのアライメントマークＭＬ、ＭＲ，，ＷＬ、ＷＲか
らの散乱光はミラー９、対物レンズ１０を通り、ビーム
スプリッタ２１に入射する。そして、アライメントマー
クＭからの散乱光はビームスプリッタ２１を透過してＭ
Ｄ系光電検出器２２に導かれ、アライメントマークＷか
らの散乱光はビームスプリッタ２１により反射されてビ
ームスプリッタ１１を通りＭＷ系光電検出器１２に入る
。
これらの光電検出器１２ｒ 、 １２１および２２ｒ。
２２Ｊの出力信号は、制御回路１３に導かれ左右二系統
の切換タイミングによりいずれか一系統のＭＷ系信号と
ＭＤ系信号が選択される。片視野についての出力信号は
第２図（ｅ）に示す様なアナログ信号であり、この信号
中、ｍｌ 、ｍ２はマスク１上のマークＭｌ 、Ｍ２か
らの散乱光による信号、Ｗ１〜Ｗ４はウェハ２上のマー
クＷ１〜Ｗ４からの散乱光による信号である。これらの
信号は、制御回路１３中のコンパレータ３５．４５によ
って２値化され、第２図（ｆ）の様なパルス列となる。
の切換タイミングによりいずれか一系統のＭＷ系信号と
ＭＤ系信号が選択される。片視野についての出力信号は
第２図（ｅ）に示す様なアナログ信号であり、この信号
中、ｍｌ 、ｍ２はマスク１上のマークＭｌ 、Ｍ２か
らの散乱光による信号、Ｗ１〜Ｗ４はウェハ２上のマー
クＷ１〜Ｗ４からの散乱光による信号である。これらの
信号は、制御回路１３中のコンパレータ３５．４５によ
って２値化され、第２図（ｆ）の様なパルス列となる。
これらのパルス間隔を計測クロック発娠器１５およびパ
ルス間隔測定回路３６．４６で計測する。ＣＰ ｔＪ
１７は、該測定回路３６．４ｆ３の値を読み出してこの
計数値よりマスク１とウェハ２との相対的なずれ量を求
め、マスク１とウェハ２が正しい位置関係となるように
モータ１８．１９を回して移動ステージ３を駆動する。
ルス間隔測定回路３６．４６で計測する。ＣＰ ｔＪ
１７は、該測定回路３６．４ｆ３の値を読み出してこの
計数値よりマスク１とウェハ２との相対的なずれ量を求
め、マスク１とウェハ２が正しい位置関係となるように
モータ１８．１９を回して移動ステージ３を駆動する。
以下に、パルス検知の方法を詳細に説明する。
前述の左右アライメントマークをレーザスキャンする際
、レーザ走査方向に従い、時系列的に左右配列すると第
４図（ａ）の様になる。第４図（ｂ）に示す形状の一定
スパンＪだけ隔ったｌａ、１−ｂ一対のビームによって
このパターンを左右連続に走査する際、パターンとビー
ム形状が平行に重なる場合、制御回路１３において、一
定パルス幅、一定信号レベルのほぼ正規分布の出力信号
が得られる。レーザビームが走査線上を走査開始すると
、先ずビーム１ａは左／右アライメントマークの（−）
パターンを捕え、ビームＬｂはその時点よりビームスパ
ンツに対応した時間遅れをもって左／右アライメントマ
ークのく＋）パターンを捕える。制御回路１３内のＣＰ
Ｕ １７は、検出パターンのマーク（ウェハ／マスク
）に応じてＭＷ系、ＭＯ系どちらの光電検出器の出力を
位置検出信号として取込むかのセレクト信号３ ；ｇ、
ｓｅ＋を出力し、入力信号の切換えを行なう。また、制
御回路１３内に設けられたコンパレータ３５．４５、パ
ルス間隔測定回路３６．４６にセレクト信号を出力し、
左／右信号処理の切換を行なう。なお、セレクト信号の
切換は当該パターンからの二値化信号（第２図（ｆ））
の立下りをもって次のパターン検出用に切り換わり、第
４図（ａ）のパターンにおけるＣＰＵのセレクト信号は
同図のＳ ｉｇ、ｓｅｔの様になる。
、レーザ走査方向に従い、時系列的に左右配列すると第
４図（ａ）の様になる。第４図（ｂ）に示す形状の一定
スパンＪだけ隔ったｌａ、１−ｂ一対のビームによって
このパターンを左右連続に走査する際、パターンとビー
ム形状が平行に重なる場合、制御回路１３において、一
定パルス幅、一定信号レベルのほぼ正規分布の出力信号
が得られる。レーザビームが走査線上を走査開始すると
、先ずビーム１ａは左／右アライメントマークの（−）
パターンを捕え、ビームＬｂはその時点よりビームスパ
ンツに対応した時間遅れをもって左／右アライメントマ
ークのく＋）パターンを捕える。制御回路１３内のＣＰ
Ｕ １７は、検出パターンのマーク（ウェハ／マスク
）に応じてＭＷ系、ＭＯ系どちらの光電検出器の出力を
位置検出信号として取込むかのセレクト信号３ ；ｇ、
ｓｅ＋を出力し、入力信号の切換えを行なう。また、制
御回路１３内に設けられたコンパレータ３５．４５、パ
ルス間隔測定回路３６．４６にセレクト信号を出力し、
左／右信号処理の切換を行なう。なお、セレクト信号の
切換は当該パターンからの二値化信号（第２図（ｆ））
の立下りをもって次のパターン検出用に切り換わり、第
４図（ａ）のパターンにおけるＣＰＵのセレクト信号は
同図のＳ ｉｇ、ｓｅｔの様になる。
第５図に信号測定回路のブロック構成を示す。
ＭＷ系、ＭＤ系光電検出器よりそれぞれ出力された信号
は、左右系統切換部２０によって左／右選択される。Ｍ
Ｗ系信号は可変ゲインアンプ３１で増幅される。ｃ ｐ
Ｕ １７は、ＭＷ系信号が適切なＯベルになるゲイン
をＲＡＭ２９へ書込み、旬変ゲインアンプ３１はＲＡＭ
２９の出力によってゲインが制御される。また、ＲＡ
Ｍ ２９はＣＰ Ｕ １７が出力するスライスレベル（
スレッシュホールド電圧）のデータも記憶する。３２は
、ＭＷ系ピーク検出回路であり、ＣＰ Ｕ １７からの
セレクト信号（第４図（ａ）ｓｔａ、ｓｅｌ＞のタイミ
ング毎、すなわち信号の到来毎にそのピークを検出し、
その出力値をＡ／Ｄ変換してＲＡＭ２８に格納する。３
４はスライスレベル設定回路であり、ＣＰ Ｕ １７に
よってＲＡＭ２９に書込まれた値をＤ／Ａ変換してその
スレッシュホールド電圧をＭＷ系コンパレータ３５にセ
ットする。３６はパルス間隔測定回路で、ＭＷ系コンパ
レータ３５より出力された二値化信号列のパルス間隔を
計測クロック発信器１５からのクロックを基準にカウン
トアツプし、順次ＲＡＭ２８に格納する。
は、左右系統切換部２０によって左／右選択される。Ｍ
Ｗ系信号は可変ゲインアンプ３１で増幅される。ｃ ｐ
Ｕ １７は、ＭＷ系信号が適切なＯベルになるゲイン
をＲＡＭ２９へ書込み、旬変ゲインアンプ３１はＲＡＭ
２９の出力によってゲインが制御される。また、ＲＡ
Ｍ ２９はＣＰ Ｕ １７が出力するスライスレベル（
スレッシュホールド電圧）のデータも記憶する。３２は
、ＭＷ系ピーク検出回路であり、ＣＰ Ｕ １７からの
セレクト信号（第４図（ａ）ｓｔａ、ｓｅｌ＞のタイミ
ング毎、すなわち信号の到来毎にそのピークを検出し、
その出力値をＡ／Ｄ変換してＲＡＭ２８に格納する。３
４はスライスレベル設定回路であり、ＣＰ Ｕ １７に
よってＲＡＭ２９に書込まれた値をＤ／Ａ変換してその
スレッシュホールド電圧をＭＷ系コンパレータ３５にセ
ットする。３６はパルス間隔測定回路で、ＭＷ系コンパ
レータ３５より出力された二値化信号列のパルス間隔を
計測クロック発信器１５からのクロックを基準にカウン
トアツプし、順次ＲＡＭ２８に格納する。
ＭＯ系倍信号処理かかわる諸ブロックもＭＷ系のものと
同様の機能を有する。
同様の機能を有する。
従来では、左／右ＭＷ系信号、ＭＯ系信号の左／右系統
切換および信号検出部切換に時間を要する問題があった
上、切換のためのタイミング信号は前述したようにパル
ス到来をもって発生するので、左／右パターン配列（第
４図（ａ））とビームスパンＪ（第４図（ｂ））によっ
ては、ビーム１ａによって捕えられる信号Ｒ（−）とビ
ームＬｌ）によって捕えられる信号Ｌ（＋）の余裕度（
第４図（ａ）Δｔ）が得られず、左／右系統切換に支障
を来す危険性があった。
切換および信号検出部切換に時間を要する問題があった
上、切換のためのタイミング信号は前述したようにパル
ス到来をもって発生するので、左／右パターン配列（第
４図（ａ））とビームスパンＪ（第４図（ｂ））によっ
ては、ビーム１ａによって捕えられる信号Ｒ（−）とビ
ームＬｌ）によって捕えられる信号Ｌ（＋）の余裕度（
第４図（ａ）Δｔ）が得られず、左／右系統切換に支障
を来す危険性があった。
゛ざらに、光電検出器セレクトについても以下に片視野
に注目して事例を上げると、ＭＷ系光電検出器１２およ
びＭＤ系光電検出器２２へのｃ ｐ Ｕ １７からのセ
レクト信号は、前述したようにパルス到来をもって切り
換わるため、第６図（１）のようにマスクおよびウェハ
上のアライメントマークからの信号にノイズが乗ってし
まう場合、セレクト信号は第６図（２）のように選択さ
れており、パルス間隔測定ではノイズ信号とウェハ上の
アライメントマークからの信号を第６図（３）のパルス
列のように誤確認してしまうという問題があった。
に注目して事例を上げると、ＭＷ系光電検出器１２およ
びＭＤ系光電検出器２２へのｃ ｐ Ｕ １７からのセ
レクト信号は、前述したようにパルス到来をもって切り
換わるため、第６図（１）のようにマスクおよびウェハ
上のアライメントマークからの信号にノイズが乗ってし
まう場合、セレクト信号は第６図（２）のように選択さ
れており、パルス間隔測定ではノイズ信号とウェハ上の
アライメントマークからの信号を第６図（３）のパルス
列のように誤確認してしまうという問題があった。
［発明の目的］
本発明の目的は、上述従来例の問題点に鑑み、アライメ
ントマークからの信号処理において、左／右系統の切換
および信号検出切換時間とそれにともなう繁雑さを回避
し、アライメント所要時間を短縮するとともに、Ｓ／Ｎ
比が悪くノイズ信号がランダムにのってくるウェハ等に
ついてもパルス誤検知による切換誤動作の問題点を解決
し、検出率を向上させることにある。
ントマークからの信号処理において、左／右系統の切換
および信号検出切換時間とそれにともなう繁雑さを回避
し、アライメント所要時間を短縮するとともに、Ｓ／Ｎ
比が悪くノイズ信号がランダムにのってくるウェハ等に
ついてもパルス誤検知による切換誤動作の問題点を解決
し、検出率を向上させることにある。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
なお、従来例と共通または対応する部分については同一
の符号で表わす。
の符号で表わす。
第１図は、本発明の一実施例に係る信号測定回路のブロ
ック構成を示す。同図の回路は、第３図の制御回路１３
のＭＷ系コンパレータ３５、ＭＤ系コンパレータ４５、
ＭＷ系パルス間隔測定回路３６およびＭＯＯパルス間隔
測定回路４６の一部、ならびにＣＰ Ｕ １７部分に相
当するものである。
ック構成を示す。同図の回路は、第３図の制御回路１３
のＭＷ系コンパレータ３５、ＭＤ系コンパレータ４５、
ＭＷ系パルス間隔測定回路３６およびＭＯＯパルス間隔
測定回路４６の一部、ならびにＣＰ Ｕ １７部分に相
当するものである。
ウェハ２上に設けられた左右のアライメントマークのう
ち左アライメントマークからの散乱光（以下、左ＭＷ系
信号）は第３図の左ＭＷ系充電検出器１２Ｊに入り、そ
の出力信号は第１図のＭＷ系可変ゲインアンプ３１へ導
かれる。同様にしてウェハ上右ナライメントマークから
の散乱光（以下右ＭＷ系信号）、マスク上左／右アライ
メントマーク（左／右ＭＯ系信号）もそれぞれ独立に各
々の可変ゲインアンプ６１．５１．４１へと導かれる。
ち左アライメントマークからの散乱光（以下、左ＭＷ系
信号）は第３図の左ＭＷ系充電検出器１２Ｊに入り、そ
の出力信号は第１図のＭＷ系可変ゲインアンプ３１へ導
かれる。同様にしてウェハ上右ナライメントマークから
の散乱光（以下右ＭＷ系信号）、マスク上左／右アライ
メントマーク（左／右ＭＯ系信号）もそれぞれ独立に各
々の可変ゲインアンプ６１．５１．４１へと導かれる。
本実施例では、左／右両視野でのＭＷ系、ＭＯ系信号検
出系に従い、４系列独立の信号測定回路を設けている。
出系に従い、４系列独立の信号測定回路を設けている。
ＣＰ Ｕ １７は左／右ＭＷ系信号および左／右ＭＤ系
信号が適切なレベルになるゲインおよびコンパレータに
出力されるスレッシュホールド電圧を４種独立にＲＡＭ
２９に１込む。また、ピークホールド回路３２．６２．
５２．４２の出力値および二値化パルス間隔測定回路３
６．６６、５６．４６のパルス間隔データは、メモリＲ
ＡＭ２８に４種独、立に格納される。
信号が適切なレベルになるゲインおよびコンパレータに
出力されるスレッシュホールド電圧を４種独立にＲＡＭ
２９に１込む。また、ピークホールド回路３２．６２．
５２．４２の出力値および二値化パルス間隔測定回路３
６．６６、５６．４６のパルス間隔データは、メモリＲ
ＡＭ２８に４種独、立に格納される。
ここで、左／右二系統ＭＷ系、ＭＤ系の信号処理タイミ
ングについて片視野に注目して以下に述べる。ｃ ｐ
Ｕ １７は、不図示のタイミング発生回路に対して第７
図（１）のＭＷ系信号Ｗ１〜Ｗ４を各々個別にゲート可
能な時間を第４図（ａ）の同明信号５ＶｎＣＬの立上り
を基準に設定し、第７図（２）の様なタイミングを発生
させる。なお、Ｃｐ ＩＪ １７からの該時間設定は、
プリセット可能である。第１図に戻り、３２はＭＷ系ピ
ーク検出回路であり、第７図（２）に示すタイミング区
間ＳＥＭゝＮ１〜ＳＥＭＷ４毎、信号の到来毎にそのピ
ークを検出し、その値を△／Ｄ変換してＲＡ Ｍ ２８
に格納する。３４は左ＭＷ系スライスレベル設定回路で
あり、ＣＰ Ｕ １７によってＲＡＭ２９に書き込まれ
た値をＤ／Ａ変換してそのスレッシュホールド電圧を左
ＭＷ系コンパレータ３５にセットする。
ングについて片視野に注目して以下に述べる。ｃ ｐ
Ｕ １７は、不図示のタイミング発生回路に対して第７
図（１）のＭＷ系信号Ｗ１〜Ｗ４を各々個別にゲート可
能な時間を第４図（ａ）の同明信号５ＶｎＣＬの立上り
を基準に設定し、第７図（２）の様なタイミングを発生
させる。なお、Ｃｐ ＩＪ １７からの該時間設定は、
プリセット可能である。第１図に戻り、３２はＭＷ系ピ
ーク検出回路であり、第７図（２）に示すタイミング区
間ＳＥＭゝＮ１〜ＳＥＭＷ４毎、信号の到来毎にそのピ
ークを検出し、その値を△／Ｄ変換してＲＡ Ｍ ２８
に格納する。３４は左ＭＷ系スライスレベル設定回路で
あり、ＣＰ Ｕ １７によってＲＡＭ２９に書き込まれ
た値をＤ／Ａ変換してそのスレッシュホールド電圧を左
ＭＷ系コンパレータ３５にセットする。
また、ＭＤ系信号に対するタイミングも同様に同期信号
５ｙｎｃＬの立上りを基準にした時間設定により不図示
のタイミング発生回路からＭＷ系と別個に出力される（
第７図（４））。この各タイミング区間ＳＥＭＤ１ 、
ＳＥＭＤ２に対しても、左ＭＯ系ピーク検出回路５２、
左ＭＤ系スライスレベル設定回路５４および左ＭＤ系コ
ンパレータ５５はＭＷ系のものと同様の機能を有する。
５ｙｎｃＬの立上りを基準にした時間設定により不図示
のタイミング発生回路からＭＷ系と別個に出力される（
第７図（４））。この各タイミング区間ＳＥＭＤ１ 、
ＳＥＭＤ２に対しても、左ＭＯ系ピーク検出回路５２、
左ＭＤ系スライスレベル設定回路５４および左ＭＤ系コ
ンパレータ５５はＭＷ系のものと同様の機能を有する。
なお、右系統信号測定回路もＭＷ系、ＭＤ系倍信号処理
おいて前述の左系統のものと同様の機能を有する。
おいて前述の左系統のものと同様の機能を有する。
従来では、左／右のＭＷ系信号、ＭＤ系信号を時系列的
に並べ、到来したパルス本数をカウントして、左／右処
理系統を切換えていたため、疑似信号（ノイズ信号）お
よびパターンとビームスパンによる余裕度の問題により
、パルス誤検出や検出不能の危険性があったが本実施例
ではこのようにして左／右処理系統の切換が不要となり
、検出率の向上が図れる。
に並べ、到来したパルス本数をカウントして、左／右処
理系統を切換えていたため、疑似信号（ノイズ信号）お
よびパターンとビームスパンによる余裕度の問題により
、パルス誤検出や検出不能の危険性があったが本実施例
ではこのようにして左／右処理系統の切換が不要となり
、検出率の向上が図れる。
また、レーザビーム走査に追従した左／右二系ＩＭＷ系
、ＭＤ系独立の信号入力後、左／右同時信号処理が可能
となり高速度化が達成される。
、ＭＤ系独立の信号入力後、左／右同時信号処理が可能
となり高速度化が達成される。
［発明の効果１
以上説明したように、本発明によれば、左／右両視野で
のＭＷ系、ＭＤ系信号検出系に従い、左／／右二系統の
ＭＷ系、ＭＤ系４系列独立の信号測定回路を設けること
により、信号検出部切換および左／右系統の切換にとも
なう繁雑さによる誤動作が回避できるようになり、さら
にＳ／Ｎ比が悪くノイズ信号がランダムにのってくるウ
ェハや当該信号以外の信号が混入するウェハのアライメ
ントマークをも確実に検出することが可能である。
のＭＷ系、ＭＤ系信号検出系に従い、左／／右二系統の
ＭＷ系、ＭＤ系４系列独立の信号測定回路を設けること
により、信号検出部切換および左／右系統の切換にとも
なう繁雑さによる誤動作が回避できるようになり、さら
にＳ／Ｎ比が悪くノイズ信号がランダムにのってくるウ
ェハや当該信号以外の信号が混入するウェハのアライメ
ントマークをも確実に検出することが可能である。
また、左／右二系ＶｔＭＤ系、ＭＷ系独立の信号入力後
、左／右同時信号処理が可能となり高速度化が図れるよ
うになった。
、左／右同時信号処理が可能となり高速度化が図れるよ
うになった。
第１図は、本発明の一実施例に係る位置合せシステムの
信号検出部分ブロック図、 第２図は、位置合せに用いるマスクおよびウェハのアラ
イメントマークとその検出タイミングおよびパルス列を
説明する図、 第３図は、従来の位置合せシステムの概略構成を示す全
体図、 第４図は、従来のアライメントマークの検出タイミング
を示す図、 第５図は、従来の信号検出部分ブロック図、第６図は、
検出信号に疑似信号が混入したときの従来のアライメン
トマークの検出タイミングを示す図、 第７図は、本発明のアライメントマークからの信号の検
出タイミングを示す図である。 １：マスク、２：ウェハ、３：移動ステージ、５；レー
ザチューブ、 ７：ポリゴンミラー、３、１１．２
１：ビームスブリツタ、 １２．２２：光電検出器、 １３：制御回路、１５：
計測クロック発振器、１７：ＣＰＵ。 １８、１９：モータ、 ２８．２９： ＲＡＭ。 ３１、４１．５１．６１ ：可変ゲインアンプ、３２、
４２．５２．６２：ビーク検出回路、’ ３３．４３
．５３．６３： Ａ／Ｄ、３４、４４．５４．６４ニス
ライスレベル設定回路、３５、４５．５５．６５：コン
パレータ、３６、４６．５６．７６：“パルス間隔測定
回路。
信号検出部分ブロック図、 第２図は、位置合せに用いるマスクおよびウェハのアラ
イメントマークとその検出タイミングおよびパルス列を
説明する図、 第３図は、従来の位置合せシステムの概略構成を示す全
体図、 第４図は、従来のアライメントマークの検出タイミング
を示す図、 第５図は、従来の信号検出部分ブロック図、第６図は、
検出信号に疑似信号が混入したときの従来のアライメン
トマークの検出タイミングを示す図、 第７図は、本発明のアライメントマークからの信号の検
出タイミングを示す図である。 １：マスク、２：ウェハ、３：移動ステージ、５；レー
ザチューブ、 ７：ポリゴンミラー、３、１１．２
１：ビームスブリツタ、 １２．２２：光電検出器、 １３：制御回路、１５：
計測クロック発振器、１７：ＣＰＵ。 １８、１９：モータ、 ２８．２９： ＲＡＭ。 ３１、４１．５１．６１ ：可変ゲインアンプ、３２、
４２．５２．６２：ビーク検出回路、’ ３３．４３
．５３．６３： Ａ／Ｄ、３４、４４．５４．６４ニス
ライスレベル設定回路、３５、４５．５５．６５：コン
パレータ、３６、４６．５６．７６：“パルス間隔測定
回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の識別マークを左右一対に形成した第１の物体
と第２の識別マークを左右一対に形成した第２の物体の
上を光照射し上記各識別マークからの反射または散乱光
を光電変換して得られる電気的パルス信号を検出して上
記識別マーク同士の間隔を測定し、該二物体の相対的位
置合せを行なう装置であって、 上記左右の第１の識別マークと上記左右の第２の識別マ
ークからの反射または散乱光をそれぞれ独立に計測し信
号処理する信号計測処理手段を有することを特徴とする
位置合せ装置。 ２、前記信号計測処理手段は、前記左右の第１の識別マ
ークと前記左右の第２の識別マークに対する電気的パル
スに対してその検出タイミングを各系統独立に設定し、
任意変更できることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の位置合せ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60279329A JPS62139329A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 位置合せ装置 |
| US06/850,710 US4830500A (en) | 1985-04-15 | 1986-04-11 | Alignment device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60279329A JPS62139329A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 位置合せ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139329A true JPS62139329A (ja) | 1987-06-23 |
Family
ID=17609658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60279329A Pending JPS62139329A (ja) | 1985-04-15 | 1985-12-13 | 位置合せ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62139329A (ja) |
-
1985
- 1985-12-13 JP JP60279329A patent/JPS62139329A/ja active Pending
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