JPS61230418A - Ｉｄｔ励振型２ポ−ト共振器及びフイルタ - Google Patents
Ｉｄｔ励振型２ポ−ト共振器及びフイルタInfo
- Publication number
- JPS61230418A JPS61230418A JP7061285A JP7061285A JPS61230418A JP S61230418 A JPS61230418 A JP S61230418A JP 7061285 A JP7061285 A JP 7061285A JP 7061285 A JP7061285 A JP 7061285A JP S61230418 A JPS61230418 A JP S61230418A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は弾性表面波（ＳＡＷ）共振器の如くインタディ
ジタル・トランスジューサ？ＩＤＴ）電極によって圧電
基板に励起する波動を利用したＩＤＴ励撮型２ポート共
振器及びこれを利用した共振器フィルタに関する。
ジタル・トランスジューサ？ＩＤＴ）電極によって圧電
基板に励起する波動を利用したＩＤＴ励撮型２ポート共
振器及びこれを利用した共振器フィルタに関する。
（従来技術）
従来から、殊に高周波領域に於いては発振の容易性等に
鑑み２ポートＳＡＷ共振器が使用されているがこの共振
器は第２図に示す如く圧電基板１上に入力ＩＤＴ電極２
及び出力ＩＤＴ電極３を前記入力ＩＤＴ２によって励起
したＳＡＷの進行方向に沿って配置すると共にこれら両
者の両側に反射器４及び４′ヲ設は該反射器４゜４′間
に振動エネルギを閉じ込めるようにしたものが一役的で
ある。前記反射器４及び４′の間には励起したＳＡＷの
伝搬方向に沿ってはソサイン又はコサインカーヴ状の１
次モード及びそれより高次モードの波動が定在波として
存在することになり、これら高次モードの振動に基づく
レスポンスが前記出力ＩＤＴ＝ｆＪ−３から出力されス
プリアスとなるが一般に３次モード以上の振動エネルギ
に基づくスプリアスは基本波から充分離隔している上レ
ベルも小さいので問題となることは殆んどない。
鑑み２ポートＳＡＷ共振器が使用されているがこの共振
器は第２図に示す如く圧電基板１上に入力ＩＤＴ電極２
及び出力ＩＤＴ電極３を前記入力ＩＤＴ２によって励起
したＳＡＷの進行方向に沿って配置すると共にこれら両
者の両側に反射器４及び４′ヲ設は該反射器４゜４′間
に振動エネルギを閉じ込めるようにしたものが一役的で
ある。前記反射器４及び４′の間には励起したＳＡＷの
伝搬方向に沿ってはソサイン又はコサインカーヴ状の１
次モード及びそれより高次モードの波動が定在波として
存在することになり、これら高次モードの振動に基づく
レスポンスが前記出力ＩＤＴ＝ｆＪ−３から出力されス
プリアスとなるが一般に３次モード以上の振動エネルギ
に基づくスプリアスは基本波から充分離隔している上レ
ベルも小さいので問題となることは殆んどない。
伺、斯る構造の共振器に於いては前記８ＡＷの伝搬方向
に直角な方向にも同様の変位分布を有するエネルギ閉じ
込めモードが存在するが。
に直角な方向にも同様の変位分布を有するエネルギ閉じ
込めモードが存在するが。
これに基づくスプリアスは例えばＩＤＴに重み付けを付
するといった手段で抑圧し得るのでこれ以上の言及は避
ける。
するといった手段で抑圧し得るのでこれ以上の言及は避
ける。
しかしながら上述の如く構成する２ポート共振器に於い
ては２次モードのスプリアスは８ｉ！３図に示す如く基
本波によるレスポンスに近接しているのみならずレベル
も極めて大きくこれを発振器として使用する場合もフィ
ルタに適用する上でもはなはだ具合いが悪いという欠陥
があった。
ては２次モードのスプリアスは８ｉ！３図に示す如く基
本波によるレスポンスに近接しているのみならずレベル
も極めて大きくこれを発振器として使用する場合もフィ
ルタに適用する上でもはなはだ具合いが悪いという欠陥
があった。
（発明の目的）
本発明は上述した如き従来の２ボー）ＳＡＷ共振器の欠
陥を除去すべくなされたものであって、基本波周波数に
近接した偶数次、殊に２次のエネルギ閉じ込めモードに
起因するレベルの大きなスプリアスを除去したＩＤＴ励
振型２ポート共振器及びこれを利用する共振器フィルタ
を提供することを目的とする。
陥を除去すべくなされたものであって、基本波周波数に
近接した偶数次、殊に２次のエネルギ閉じ込めモードに
起因するレベルの大きなスプリアスを除去したＩＤＴ励
振型２ポート共振器及びこれを利用する共振器フィルタ
を提供することを目的とする。
（発明の概要）
上述の目的を達成する為１本発明に於いては入出力ＩＤ
Ｔの少なくとも一方１例えば出力よりＴ ｉ所要の個数
に分割し、入力ＩＤＴによって前記反射器間に励起した
２次の閉じ込めモードに起因しで発生した電荷を前記分
割したＩＤＴにて蒐集する際これ金相殺し電気信号とし
て出力しないよう接続するか或は上述の如く接続した分
割ＩＤＴ６人力ＩＤＴとし偶数次の閉じ込めモードの発
生上のものを実質的に発生し得なくするようにしたもの
である。
Ｔの少なくとも一方１例えば出力よりＴ ｉ所要の個数
に分割し、入力ＩＤＴによって前記反射器間に励起した
２次の閉じ込めモードに起因しで発生した電荷を前記分
割したＩＤＴにて蒐集する際これ金相殺し電気信号とし
て出力しないよう接続するか或は上述の如く接続した分
割ＩＤＴ６人力ＩＤＴとし偶数次の閉じ込めモードの発
生上のものを実質的に発生し得なくするようにしたもの
である。
（発明の実施例）
以下本発明を図面に示した実施例に□よって詳細に説明
する。
する。
第１図（ａｌ及び（ｂｌは夫々本発明に係る２ポート共
振器の基本的な構成をその原理と共に説明する概念図で
ある。
振器の基本的な構成をその原理と共に説明する概念図で
ある。
即ち、第１図（ａｌは入力ＩＤＴ２によって反射器４．
４′間に閉じ込められた１次モード及び２次モードの励
振エネルギに基づく発生電荷を分割した出力ＩＤＴ３’
及び３″ によって蒐集し電気信号として出力するもの
であるが、この内スプリアスの原因九る２次の閉じ込め
モードによる電荷については分割ＩＤＴ電極部に於いて
ハツチング５及び５’ ？施した部分の面積に相厄する
電荷を蒐集することになるが５及び５′は相互に極性が
反転しているので５及び５′の部分の面積が同等となる
ように前記分割ＩＤＴ３’及び３″の位置と幅（電極対
数）を選択すれば２次モードの励振エネルギに基づく発
生電荷は相殺せられ電気信号として出力しないことが理
解されよう。
４′間に閉じ込められた１次モード及び２次モードの励
振エネルギに基づく発生電荷を分割した出力ＩＤＴ３’
及び３″ によって蒐集し電気信号として出力するもの
であるが、この内スプリアスの原因九る２次の閉じ込め
モードによる電荷については分割ＩＤＴ電極部に於いて
ハツチング５及び５’ ？施した部分の面積に相厄する
電荷を蒐集することになるが５及び５′は相互に極性が
反転しているので５及び５′の部分の面積が同等となる
ように前記分割ＩＤＴ３’及び３″の位置と幅（電極対
数）を選択すれば２次モードの励振エネルギに基づく発
生電荷は相殺せられ電気信号として出力しないことが理
解されよう。
又、同図（ｂ）は前記分割した出力ＩＤＴ３”と反射器
４′ との間に生じた非電極部は無駄であるから核部に
入力ＩＤＴを付加して分割入力ＩＤＴ２′及び２″′に
よって励振せんとするものである。
４′ との間に生じた非電極部は無駄であるから核部に
入力ＩＤＴを付加して分割入力ＩＤＴ２′及び２″′に
よって励振せんとするものである。
以上説明した如き本発明に係る２ポート共振器のＩＤＴ
配置によれば入出力ＩＤＴ ？：交換した場合にも偶数
次モードのエネルギ閉じ込めは殆んど発生せず、仮に入
力ＩＤＴ配置のアンバランスによってわずかな２次モー
ドの電荷発生があったとしても後者（第１図（ｂ））の
如き電極構成をとれば蒐集電荷を相殺し得るからスプリ
アスを充分抑圧することができる。
配置によれば入出力ＩＤＴ ？：交換した場合にも偶数
次モードのエネルギ閉じ込めは殆んど発生せず、仮に入
力ＩＤＴ配置のアンバランスによってわずかな２次モー
ドの電荷発生があったとしても後者（第１図（ｂ））の
如き電極構成をとれば蒐集電荷を相殺し得るからスプリ
アスを充分抑圧することができる。
又、基本波（−次）モードの振動について入出力端子間
の位相を反転させたい場合には入力端子或は出力端子の
いずれかを相互につなぎかえるか又はＩＤＴの位置を励
振波長の１／２だけ移動すればよい。
の位相を反転させたい場合には入力端子或は出力端子の
いずれかを相互につなぎかえるか又はＩＤＴの位置を励
振波長の１／２だけ移動すればよい。
ここで上述の思想に基づいて現実に作成した２ポートＳ
ＡＷ共振器の２次モードの励振エネルギによるスプリア
スがどの程度抑圧せられたかについての実験結果を示す
。
ＡＷ共振器の２次モードの励振エネルギによるスプリア
スがどの程度抑圧せられたかについての実験結果を示す
。
ｗ、４図（ａ）は従来の２ボー）ＳＡＷ共振器（共振周
波数１００ＭＨ２） に於ける入出力ＩＤＴ？夫々２
等分し各々を入力及び出力側に接続したものであり、こ
の結果同図（ｂ）に示す如き結果を得た。本図から明ら
かな如〈従来の２ボー）ＳＡＷ共振器に比してスプリア
スは概ね２０ ｄＢ低下し顕著な効果のあることが実証
された。
波数１００ＭＨ２） に於ける入出力ＩＤＴ？夫々２
等分し各々を入力及び出力側に接続したものであり、こ
の結果同図（ｂ）に示す如き結果を得た。本図から明ら
かな如〈従来の２ボー）ＳＡＷ共振器に比してスプリア
スは概ね２０ ｄＢ低下し顕著な効果のあることが実証
された。
同、前記第４図（ａｌに示す如き２ボー）ＳＡＷ共振器
を現実に量産する場合には第５図に示すような電極構成
とすればよい。
を現実に量産する場合には第５図に示すような電極構成
とすればよい。
即ち、入出力ＩＤＴ２’、２”及び３１，３２１の電極
指の片方を連続する一本のパターン６にて形成しこの両
端金夫々入出力のポートの接地線とすればよい。
指の片方を連続する一本のパターン６にて形成しこの両
端金夫々入出力のポートの接地線とすればよい。
ところで上述した如き本発明の基本的思想によれば本発
明に係るＩＤＴ励振型２ポート共振器は更に各種のＩＤ
Ｔ配置及び接続が考えられる。
明に係るＩＤＴ励振型２ポート共振器は更に各種のＩＤ
Ｔ配置及び接続が考えられる。
先ず前記第４図（ａｌに示す如きＩＤＴ分割１−一層細
分割し、端から順次入力側、出力側、入力側、・・・・
・・に夫々並列に接続してもよいことは云うまでもない
。
分割し、端から順次入力側、出力側、入力側、・・・・
・・に夫々並列に接続してもよいことは云うまでもない
。
次に偶数次、特に２次の閉じ込めモードの振動に起因す
る励起電荷を蒐集した際これを相殺すればよいのである
から第６図に示す如く出力ＩＤＴ３′ｆ：前記反射器４
，４′間隔の中心を境に例えば左右に適当個数に分割し
、左右夫々についての電荷の蒐集量が等しくなるように
すればよい、即ち本実施例の場合には２次モードの曲線
ははソサイン曲線とみなしてよいからハツチノグを施し
た面積（５）と面積（５”＋５”’）とが等しくなるよ
うＩＤＴｙ分布させればよい。
る励起電荷を蒐集した際これを相殺すればよいのである
から第６図に示す如く出力ＩＤＴ３′ｆ：前記反射器４
，４′間隔の中心を境に例えば左右に適当個数に分割し
、左右夫々についての電荷の蒐集量が等しくなるように
すればよい、即ち本実施例の場合には２次モードの曲線
ははソサイン曲線とみなしてよいからハツチノグを施し
た面積（５）と面積（５”＋５”’）とが等しくなるよ
うＩＤＴｙ分布させればよい。
最后に本発明に係る２ボー）ＳＡＷ共振器を利用した共
振器フィルタについて簡単に説明する。
振器フィルタについて簡単に説明する。
第２図に示した如き従来の２ボー） ＳＡＷ共振器を用
い九フィルタに於いては２次の閉じ込めモードの振動に
起因するレベルの大きいスプリアスが通過帯域の近傍に
発生し減衰特性が劣化するという欠陥があったこと前述
のとうりである。
い九フィルタに於いては２次の閉じ込めモードの振動に
起因するレベルの大きいスプリアスが通過帯域の近傍に
発生し減衰特性が劣化するという欠陥があったこと前述
のとうりである。
これに対しｗ、７図に示す如く例えば本発明に係る同一
の特性を有する２ボー） ＳＡＷ共撮共振−２個接続し
股間に容量６を挿入して所要の通過帯域を設定したフィ
ルタに於いては第８図実線に示す如く通過帯域近傍のス
プリアス番レスポンスが大幅に減少し良好なフィルタ特
性を得ることが確認されている。伺１本図に於ける点線
は従来の２ボー） ＳＡＷ共振器全用いた場合のスプリ
アスのレベルを示すものである。
の特性を有する２ボー） ＳＡＷ共撮共振−２個接続し
股間に容量６を挿入して所要の通過帯域を設定したフィ
ルタに於いては第８図実線に示す如く通過帯域近傍のス
プリアス番レスポンスが大幅に減少し良好なフィルタ特
性を得ることが確認されている。伺１本図に於ける点線
は従来の２ボー） ＳＡＷ共振器全用いた場合のスプリ
アスのレベルを示すものである。
以上、ＳＡＷ共振器を例にとって説明したが本発明はこ
れのみに限定される必然性はなくＩＤＴによって励振し
うる他の波動１例えば漏洩弾性表面波、ラブ波、ＳＨ波
或はすべり波等々にも全く同様に適用しうることは自明
であろう。
れのみに限定される必然性はなくＩＤＴによって励振し
うる他の波動１例えば漏洩弾性表面波、ラブ波、ＳＨ波
或はすべり波等々にも全く同様に適用しうることは自明
であろう。
又１本発明に係るＩＤＴの分割及び接続は。
ＩＤＴに重み付けが施されている２ポート共振器に適用
してもその効果に変わりはない。この場合は２次モード
の変位分布（はぼサインカーブ）にＩＤＴの重み付を乗
じその蒐集電荷を求めこれが相殺される如（ＩＤＴＱ分
割し接続すればよい。
してもその効果に変わりはない。この場合は２次モード
の変位分布（はぼサインカーブ）にＩＤＴの重み付を乗
じその蒐集電荷を求めこれが相殺される如（ＩＤＴＱ分
割し接続すればよい。
（発明の効果）
本発明は以上説明した如く構成するものであるから単に
共振器のＩＤＴ製作パターンをわずかに変更するのみで
励振を所望する基本波周波数の近傍に生ずる偶数次、殊
に２次の閉じ込めモードの振動に起因するスプリアスを
大幅に抑圧することが可能となるからこれを発振器とし
て使用する場合にも或は共振器フィルりを構成する場合
にも不要振動を除去し良好な特性を実現する上で著しい
効果を発揮する。
共振器のＩＤＴ製作パターンをわずかに変更するのみで
励振を所望する基本波周波数の近傍に生ずる偶数次、殊
に２次の閉じ込めモードの振動に起因するスプリアスを
大幅に抑圧することが可能となるからこれを発振器とし
て使用する場合にも或は共振器フィルりを構成する場合
にも不要振動を除去し良好な特性を実現する上で著しい
効果を発揮する。
第１図ｉａ）及びＴｂ）は夫々本発明に係るＩＤＴ励振
型２ポート共振器の基本的な構成と原理を説明する概念
説明図、８ｇ２図は従来の２ポートＳＡＷ共振器の構成
を説明する平面図、第３図は七の特性を示す一実験デー
タの図、第４図（ａｌ及び（ｂｌは夫々本発明に係る２
ポートＳＡＷ共振器のＩＤＴ＄ｌＩ成の一実施例を示す
平面図及びその特性を示す実験データの図、第５図は本
発明に係る２ポートＳＡＷ共撮器のＩＤＴ構成の一実施
例を示す平面図、＠６図は本発明に係るＩＤＴ励振型２
ポート共根器の他のＩＤＴ構成例を示す概念図、第７図
は本発明に係るＩＤＴ励振型２ポート共振器を利用した
共振器フィルタの一実施例金子す構成間、箪８図はその
一投的特性を示す□である。 １・・・・・・・・・圧電基通、 ２，３．２’、
３’、２″３ ＩＩ 、 ２＃＃＃及び３″′・・・・
・・・・・入出力ＩＤＴ。 ４．４′・・・・・・・・・反射器、 ５．５’及
び５″′・・・・・・・・・分割ＩＤＴに励起された電
荷量特許出願人 東洋通信機株式会社 第 １ 詔
型２ポート共振器の基本的な構成と原理を説明する概念
説明図、８ｇ２図は従来の２ポートＳＡＷ共振器の構成
を説明する平面図、第３図は七の特性を示す一実験デー
タの図、第４図（ａｌ及び（ｂｌは夫々本発明に係る２
ポートＳＡＷ共振器のＩＤＴ＄ｌＩ成の一実施例を示す
平面図及びその特性を示す実験データの図、第５図は本
発明に係る２ポートＳＡＷ共撮器のＩＤＴ構成の一実施
例を示す平面図、＠６図は本発明に係るＩＤＴ励振型２
ポート共根器の他のＩＤＴ構成例を示す概念図、第７図
は本発明に係るＩＤＴ励振型２ポート共振器を利用した
共振器フィルタの一実施例金子す構成間、箪８図はその
一投的特性を示す□である。 １・・・・・・・・・圧電基通、 ２，３．２’、
３’、２″３ ＩＩ 、 ２＃＃＃及び３″′・・・・
・・・・・入出力ＩＤＴ。 ４．４′・・・・・・・・・反射器、 ５．５’及
び５″′・・・・・・・・・分割ＩＤＴに励起された電
荷量特許出願人 東洋通信機株式会社 第 １ 詔
Claims (2)
- （１）インタディジタル・トランスジューサ（ＩＤＴ）
電極によって圧電基板に励起する波動の進行方向に沿っ
て入出力ＩＤＴ及びこれら両者の両側に反射器を備える
２ポート共振器に於いて、前記入出力ＩＤＴの少なくと
も一方を所要の個数に分割し前記基板の励振に伴う前記
反射器間に於ける偶数次のエネルギ閉じ込めモードの振
動の発生を抑圧するか或は発生した偶数次のエネルギ閉
じ込めモードの振動に起因して励起された電荷を前記Ｉ
ＤＴの電極指にて蒐集する際これを相殺する如く前記分
割ＩＤＴを接続したことを特徴とするＩＤＴ励振型２ポ
ート共振器。 - （２）特許請求の範囲（１）記載のＩＤＴ励振型２ポー
ト共振器を所要個数接続し所望の通過帯域特性を得るよ
うにしたことを特徴とする共振器フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070612A JPH0714133B2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | Ｉｄｔ励振型２ポート共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070612A JPH0714133B2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | Ｉｄｔ励振型２ポート共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230418A true JPS61230418A (ja) | 1986-10-14 |
| JPH0714133B2 JPH0714133B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=13436590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60070612A Expired - Lifetime JPH0714133B2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | Ｉｄｔ励振型２ポート共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714133B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648710A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Toyo Communication Equip | Idt exciting type 2-port resonator |
| JPS6438824U (ja) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | ||
| JPH07135444A (ja) * | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Nec Corp | 弾性表面波フィルタ |
| US5485052A (en) * | 1992-05-14 | 1996-01-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Three electrode type saw longitudinal coupling filter |
| WO2007037457A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Epson Toyocom Corporation | 弾性表面波デバイス、モジュール装置、発振回路および弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP2007288812A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-11-01 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイス、モジュール装置、発振回路および弾性表面波デバイスの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460842A (en) * | 1977-10-06 | 1979-05-16 | Philips Nv | Elastic wave resonator |
-
1985
- 1985-04-03 JP JP60070612A patent/JPH0714133B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460842A (en) * | 1977-10-06 | 1979-05-16 | Philips Nv | Elastic wave resonator |
Cited By (8)
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| WO2007037457A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Epson Toyocom Corporation | 弾性表面波デバイス、モジュール装置、発振回路および弾性表面波デバイスの製造方法 |
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| US7843112B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-11-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device |
| US8018122B2 (en) | 2005-09-30 | 2011-09-13 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714133B2 (ja) | 1995-02-15 |
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