JPS61228988A - Photo-thermal conversion recording medium - Google Patents

Photo-thermal conversion recording medium

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Publication number
JPS61228988A
JPS61228988A JP60069483A JP6948385A JPS61228988A JP S61228988 A JPS61228988 A JP S61228988A JP 60069483 A JP60069483 A JP 60069483A JP 6948385 A JP6948385 A JP 6948385A JP S61228988 A JPS61228988 A JP S61228988A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
recording medium
general formula
laser
recording
Prior art date
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Pending
Application number
JP60069483A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Oguchi
小口 芳弘
Kouzou Arahara
荒原 幸三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60069483A priority Critical patent/JPS61228988A/en
Publication of JPS61228988A publication Critical patent/JPS61228988A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B7/2467Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes azo-dyes

Landscapes

  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a photo-thermal conversion recording medium capable of high-density recording and optical reproduction, by incorporating an azo compound comprising at least one azo group linked to a specified coupler residue. CONSTITUTION:An azo compound comprising at least one azo group linked to a coupler residue of general formula [1], wherein each of R1-R7 is hydrogen, halogen or monovalent organic residual group which may be selected from various ones, is incorporated. The azo compound is a monoazo, disazo or trisazo compound of general formula [2], wherein a is a monovalent, divalent or trivalent organic residual group having at least one conjugated double bond, and N is 1, 2 or 3. Accordingly, a novel and useful photo-thermal conversion recording medium is provided.

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は、レーザ等により光熱変換効果を利用して、情
報を高密度に記録し、これを再生する光熱変換記録媒体
に関し、詳しくはレーザ等の可視および近赤外域の波長
の光を効果的に吸収し、熱的エネルギーに交換し高密度
の記録および光学的再生が可能な光熱変換記録媒体に関
するものである。
[Detailed description of the invention] Industrial application field> The present invention relates to a photothermal conversion recording medium that records and reproduces information at high density by utilizing the photothermal conversion effect of a laser or the like. The present invention relates to a photothermal conversion recording medium that effectively absorbs light with wavelengths in the visible and near-infrared regions, and exchanges it into thermal energy, thereby enabling high-density recording and optical reproduction.

〈従来の技術〉 光デイスク技術で用いる光熱変換記録媒体は基体上に設
けた薄い光熱変換記録層に形成された光学的に検出可能
な小さな(例えば約1μ)ビットをらせん状又は円形の
トラック形態にして高密度情報を記録する事ができる。
<Prior art> Photothermal conversion recording media used in optical disk technology are optically detectable small (for example, about 1 μ) bits formed on a thin photothermal conversion recording layer provided on a substrate in the form of a spiral or circular track. It is possible to record high-density information.

この様なディスクに情報を書き込むにはレーザ感応層の
表面に集束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射
された表面のみがビットを形成し、このビットをらせん
状又は円形トラックの形態で形成する。レーザ感応1層
はレーザ・エネルギーを吸収して光学的に検出可能なビ
ットを形成できる0例えばヒートモード記録方式では、
レーザ感応層に照射されたレーザ・エネルギーを吸収し
、熱的エネルギーに変換され、その個所に蒸発又は変形
により小さな凹部(ビット)を形成できるか、或いはそ
の個所に光学的に検出可能な化学変化によって生じる酸
化度差1反射率差、又は濃度差を有するビットを形成で
きる。
To write information on such a disc, a focused laser is scanned over the surface of the laser-sensitive layer, and only the surface irradiated by this laser beam forms bits, which are formed in the form of spirals or circular tracks. do. A laser-sensitive layer can absorb laser energy to form optically detectable bits. For example, in heat mode recording,
The laser energy irradiated to the laser sensitive layer is absorbed and converted into thermal energy, and a small recess (bit) can be formed at that location by evaporation or deformation, or a chemical change that can be optically detected at that location. It is possible to form a bit having a reflectance difference or a density difference due to the oxidation degree difference.

この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し、ビットが形成された部分とビットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される0例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってモニターされる。ビットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ビットが形成されている時はレーザ光線は下層の反射面
によって充分に反射されフォトディテクターの出力は大
きくなる。
The information recorded on this optical disk is detected by scanning a laser along a track and reading the optical changes in areas where bits are formed and areas where no bits are formed. The energy reflected by the disk is monitored by a photodetector. When a bit is not formed, the output of the photodetector is reduced, while when a bit is formed, the laser beam is sufficiently reflected by the underlying reflective surface and the output of the photodetector is increased.

この様な光ディスクに用いる記録媒体として、これまで
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの
無機物質を主に用いたものが提案されている。
As recording media for use in such optical discs, media that mainly use inorganic materials such as metal thin films such as aluminum evaporated films, bismuth thin films, tellurium oxide thin films, and chalcogenide-based amorphous glass films have been proposed so far.

一方、光熱変換記録方式を用いうる液晶素子は、レーザ
等から生じた光信号に対応した光学像を形成することが
できる。
On the other hand, a liquid crystal element that can use a photothermal conversion recording method can form an optical image corresponding to an optical signal generated from a laser or the like.

従来、2枚のガラス基板の間に負の誘電異方性をもつネ
マチック液晶とコレステリック液晶との混合液晶あるい
は正の誘電異方性をもつスメクチック液晶を配置した液
晶素子を用意しこの液晶素子にレーザ光等を照射すると
、その個所が局部的に熱的エネルギーを生じ、イントロ
ビック相まで加熱される。その後、急激な冷却により初
期の一様な配向状態と異なったランダムな配向状態の液
晶相が形成される。その結果、レーザー光が照射された
個所では光散乱を生じ、一様な配向状態にある背景域の
液晶相とで光学的特性に相違が生じることになる。
Conventionally, a liquid crystal element is prepared in which a mixed liquid crystal of nematic liquid crystal and cholesteric liquid crystal with negative dielectric anisotropy or smectic liquid crystal with positive dielectric anisotropy is arranged between two glass substrates. When irradiated with laser light or the like, thermal energy is generated locally in that area, and the area is heated to the introbic phase. Thereafter, rapid cooling forms a liquid crystal phase with a random orientation different from the initial uniform orientation. As a result, light scattering occurs at the location where the laser beam is irradiated, resulting in a difference in optical characteristics between the liquid crystal phase in the background region, which is in a uniformly aligned state.

この種の液晶素子は前述の如き方法でレーザ書き込みに
より形成された光学像を消去することも可能である。す
なわち、液晶素子を構成している2枚の基板にそれぞれ
電極を設け、レーザ光と別の熱源(例えばヒーター)で
液晶素子の全体に亘って加熱することにより、液晶相を
イントロピック相まで加熱し、例えばスメクチック液晶
の場合ではホメオトロピック組織、あるいはコレステリ
ック−ネマチック液晶の場合ではグランヅユラン組織が
形成されるまで冷却することによって、先に書き込みに
より形成していた光学像を消去することができる。
This type of liquid crystal element can also erase an optical image formed by laser writing using the method described above. In other words, electrodes are provided on each of the two substrates that make up the liquid crystal element, and the entire liquid crystal element is heated with a laser beam and another heat source (for example, a heater), thereby heating the liquid crystal phase to the intropic phase. However, by cooling until a homeotropic structure is formed in the case of a smectic liquid crystal, or a glandular structure in the case of a cholesteric-nematic liquid crystal, the optical image previously formed by writing can be erased.

この様な光熱変換記録方式を用いた液晶素子は画素を形
成するマトリクス電極構造を必要とせず、単に電気信号
から変換された光信号の走査によって画像パターンを形
成する事ができ、而もそれを大画面で得られる点に利点
を有している。然しレーザ光を用いた場合レーザ光を吸
収し熱エネルギーに変換する効率が十分なものではなく
、光信号を走査させても十分な書き込みが行なえない欠
点を有している。その為従来では例えば“ソサイアテイ
・オブ・インフォーメーションφディスプレイ・インタ
ーナショナル・シンポジウム、ダイジェスト・オブ・テ
クニカル−ペーパー” (“5ociety  ofI
nformation  DisplayIntern
ational   Symposiun、Diges
t   of   TechnicalPaper”)
第34−49頁、第172−1&7頁、第238−25
3頁(1982年)に開示されている様にスメクチック
液晶に黒色の色素を混入したゲスト−ホストタイプの光
熱変換記録方式の液晶素子が提案されている。
A liquid crystal device using such a photothermal conversion recording method does not require a matrix electrode structure to form pixels, and can form an image pattern simply by scanning optical signals converted from electrical signals. It has the advantage of being available on a large screen. However, when a laser beam is used, the efficiency of absorbing the laser beam and converting it into thermal energy is not sufficient, and there is a drawback that sufficient writing cannot be performed even if an optical signal is scanned. For this reason, conventionally, for example, "Society of Information Display International Symposium, Digest of Technical Papers"("5 Society of I
nformation DisplayIntern
ational Symposium, Diges
of Technical Paper”)
Pages 34-49, 172-1 & 7, 238-25
3 (1982), a guest-host type photothermal conversion recording type liquid crystal element in which a black dye is mixed into a smectic liquid crystal has been proposed.

ところで、近年レーザとして小型でしかも低コストの上
、直接変調が可能な半導体レーザが開発されているが、
このレーザの発振波長が700mm以上の波長を有して
いることが多く、又、一般にアルゴンレーザ、ヘリウム
−ネオンレーザなどのガスレーザに較べ、レーザ光パワ
ーが小さい、従って、この様な半導体レーザを用いて光
熱変換記録を行なう場合には。
Incidentally, in recent years, semiconductor lasers have been developed that are small, low-cost, and capable of direct modulation.
The oscillation wavelength of this laser often has a wavelength of 700 mm or more, and the laser light power is generally lower than that of gas lasers such as argon lasers and helium-neon lasers. Therefore, it is difficult to use such semiconductor lasers. when performing photothermal conversion recording.

レーザ感応層の吸収特性は長波長側に吸収ピーク(一般
に700mm 〜850mmの領域)を有することが有
効である。
It is effective for the absorption characteristics of the laser sensitive layer to have an absorption peak on the long wavelength side (generally in the region of 700 mm to 850 mm).

然し、従来の光熱変換記録媒体は、レーザ光を吸収し、
熱エネルギーに変換する効率が十分なものでなく1例え
ば光ディスクの場合、a記の様な無機物質を主成分とし
て形成した光熱変換記録層は、レーザ光に対する反射率
が高い為レーザの利用率が低くなり高感度特性が得られ
ない欠点を有しており、しかも感応波長域を700mm
以上とする事はレーザ感応層の層構成を複雑化する欠点
を有している。この様な事から近年比較的長波長域の光
エネルギーで物質変化可能な有機化合物の研究がなされ
ている。
However, conventional photothermal conversion recording media absorb laser light and
For example, in the case of an optical disc, the photothermal conversion recording layer formed mainly of an inorganic material as described in A has a high reflectance to laser light, so the laser utilization rate is low. It has the disadvantage that high sensitivity characteristics cannot be obtained due to low sensitivity, and the sensitive wavelength range is 700 mm.
This has the disadvantage of complicating the layer structure of the laser sensitive layer. For this reason, in recent years, research has been carried out on organic compounds whose substances can be changed by light energy in a relatively long wavelength range.

例えば、米国特許第4315983号「リサーチ・ディ
スクロージャーJ  (rReseachD、5clo
sureJ)第20517頁(1981年5月)に開示
のピリリウム染料や「ジャーナル・オブ・バキューム・
サイエンス・テクノロジーJ  (rJ、Vac、sc
i 。
For example, US Pat. No. 4,315,983 “Research Disclosure J”
sureJ), p. 20517 (May 1981) and the pyrylium dye disclosed in "Journal of Vacuum
Science and Technology J (rJ, Vac, sc
i.

Technol、J)、18 (1)、1月72月号、
1981年、第105〜109頁に開示のスクェアリリ
ウム染料を含有した有機化合物が700 mm以上のレ
ーザに対して感応性があることが知られている。
Technol, J), 18 (1), January 72 issue,
It is known that the organic compound containing the square lylium dye disclosed in 1981, pages 105-109 is sensitive to lasers of 700 mm or more.

しかし一般に有機化合物は吸収特性が長波長領域になる
ほど不安定で、わずかの温度上昇によって分解されやす
いなどの問題を有している。
However, organic compounds generally have problems such as their absorption characteristics becoming more unstable in the longer wavelength region and being more easily decomposed by a slight temperature rise.

一方、ゲスト−ホストタイプの光熱変換記録方式の液晶
素子も前記のような半導体レーザを用いた場合低パワー
のため、レーザ光を吸収し熱エネルギーに変換する効率
が十分なものでなく、高パワーまたは低スピードの光信
号走査を必要とする欠点がある。また、前記の黒色色素
を用いた液晶素子では黒色背景の中に白色の画像パター
ンが形成されているため、人間工学上良好な表示とはな
らない欠点がある。
On the other hand, when a guest-host type photothermal conversion recording type liquid crystal element uses a semiconductor laser like the one mentioned above, the power is low, so the efficiency of absorbing laser light and converting it into thermal energy is not sufficient, and high power Another drawback is that it requires low-speed optical signal scanning. Further, in the liquid crystal element using the above-mentioned black dye, a white image pattern is formed in a black background, which has the disadvantage that it does not provide good display from an ergonomic point of view.

以上のように光ディスクおよび液晶素子として用いられ
る光熱変換記録媒体で要求される各種の特性を満足する
必要があるため、必ずしも実用性の点で十分に満足でき
る光熱変換記録媒体が開発されているとは言えないのが
現状である。
As mentioned above, it is necessary to satisfy the various characteristics required of photothermal conversion recording media used as optical disks and liquid crystal elements, so it is not necessarily the case that photothermal conversion recording media that are fully satisfactory in terms of practicality have been developed. The current situation is that it is impossible to say.

〈発明が解決しようとする問題点〉 従って本発明の第1の目的は新規、かつ有用な光熱交換
記録媒体を提供することにある。
<Problems to be Solved by the Invention> Therefore, the first object of the present invention is to provide a novel and useful light-heat exchange recording medium.

本発明の第2の目的は、可視域および近赤外域の波長に
吸収特性をもち光を効果的に吸収し熱的エネルギーに変
換し、かつ高密度の記録および光学的再生が可能な光熱
変換記録媒体を提供することにある。
The second object of the present invention is to provide a photothermal conversion system that has absorption characteristics in the visible and near-infrared wavelengths, effectively absorbs light and converts it into thermal energy, and enables high-density recording and optical reproduction. The goal is to provide recording media.

本発明の第3の目的は、前述の欠点を解消した熱的に安
定な光熱変換記録媒体を提供することにある。
A third object of the present invention is to provide a thermally stable photothermal conversion recording medium that eliminates the above-mentioned drawbacks.

本発明の第4の目的は、新規な光デイスク用光熱変換記
録媒体を提供することにある。
A fourth object of the present invention is to provide a novel photothermal conversion recording medium for optical discs.

本発明の第5の目的は、可視域および近赤外域の波長で
高感度であり、しかも十分なS/N比を有する光デイス
ク用光熱変換記録媒体を提供することにある。
A fifth object of the present invention is to provide a photothermal conversion recording medium for optical disks that is highly sensitive at wavelengths in the visible and near infrared regions and has a sufficient S/N ratio.

本発明の第6の目的は、新規な光熱変換記録方式を」い
うる液晶素子を提供することにある。
A sixth object of the present invention is to provide a liquid crystal device that uses a novel photothermal conversion recording method.

本発明の第7の目的は、レーザ発振器を用いた光信号発
生器からの光信号走査に応じて光学像のパターンを形成
することができる光熱変換記録方式を用いた液晶素子を
提供することにある。
A seventh object of the present invention is to provide a liquid crystal element using a photothermal conversion recording method that can form an optical image pattern in response to scanning of an optical signal from an optical signal generator using a laser oscillator. be.

〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明者
のかかる目的は、下記一般式[1]で示されるカプラー
残基と結合したアゾ基を少なくとも1稀有するアゾ化合
物を含有する光熱変換記録媒体によって達成される。
[Means for Solving the Problem] and [Action] The object of the present inventor is to provide a photothermal solution containing an azo compound having at least one azo group bonded to a coupler residue represented by the following general formula [1]. This is accomplished by a conversion recording medium.

れ5 式中R1〜R7は、水素原子、ハロゲン原子(塩素原子
、臭素原子、沃素原子)又は1価の有機残基を表わす、
1価の有機残基としては、広範なものから選択すること
ができるが、特にアルキル基(メチル、エチル、n−プ
ロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、n−
7ミル、n−ヘキシル、n−オクチル、2−二チルヘキ
シル、七−オクチルなど)、アルコキシ基(メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど)、置換もしくは
未置換の7リール基(フェニル、トリル、キシリル、エ
チルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、
クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェ
ニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど)、置換もしく
は未置換の複素環基(ピリジル、キノリル、カルバゾリ
ル、フリル、チェニル、ピラゾリルなど)、置換もしく
は未置換のアラルキル基(ベンジル、2−フェニルエチ
ル、2−フェニル−1−メチルエチル、ブロモベンジル
、2−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキ
シベンジル、ニトロベンジル)、アシル基(アセチル、
プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、トリ
オイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど)、置
換若しくは未置換アミノ基(アミノ、ジメチルアミノ。
5 In the formula, R1 to R7 represent a hydrogen atom, a halogen atom (chlorine atom, bromine atom, iodine atom) or a monovalent organic residue,
Monovalent organic residues can be selected from a wide variety of groups, but in particular alkyl groups (methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, n-
7 mil, n-hexyl, n-octyl, 2-ditylhexyl, 7-octyl, etc.), alkoxy groups (methoxy,
ethoxy, propoxy, butoxy), substituted or unsubstituted 7-aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, ethylphenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl,
chlorophenyl, nitrophenyl, dimethylaminophenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, etc.), substituted or unsubstituted heterocyclic groups (pyridyl, quinolyl, carbazolyl, furyl, chenyl, pyrazolyl, etc.), substituted or unsubstituted aralkyl groups ( benzyl, 2-phenylethyl, 2-phenyl-1-methylethyl, bromobenzyl, 2-bromophenylethyl, methylbenzyl, methoxybenzyl, nitrobenzyl), acyl group (acetyl,
propionyl, butyryl, valeryl, benzoyl, triooyl, naphthoyl, phthaloyl, furoyl, etc.), substituted or unsubstituted amino groups (amino, dimethylamino, etc.).

ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、
ベンゾイルアミノなど)、置換若しくは未置換スチリル
基(スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミ
ノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチ
リル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど)、ニト
ロ基、ヒドロキシ基、メチルカプト基、チオエーテル基
、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カルボン酸ア
ミド、シアノ基、置換若しくは未置換アリールアゾ基(
フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、
ジメチルアミノスチリルアソ、クロロフェニルアゾ、ニ
トロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾ
など)を挙げる事ができる。又、R1とR2、R2とR
3、R3とR4、R4とR5、R5とR6およびR6と
R7の組合せのうち、少なくとも1つの組合せで置換又
は未置換の縮合環を形成してもよい、縮合環としては5
員、6員、7員環の縮合環であり、芳香族環、複素環又
は脂肪属類による環が挙げられる。
diethylamino, dipropylamino, acetylamino,
benzoylamino, etc.), substituted or unsubstituted styryl groups (styryl, dimethylaminostyryl, diethylaminostyryl, dipropylaminostyryl, methoxystyryl, ethoxystyryl, methylstyryl, etc.), nitro group, hydroxy group, methylcapto group, thioether group, carboxyl group, carboxylic acid ester, carboxylic acid amide, cyano group, substituted or unsubstituted arylazo group (
Phenylazo, α-naphthylazo, β-naphthylazo,
dimethylaminostyrylazo, chlorophenylazo, nitrophenylazo, methoxyphenylazo, tolylazo, etc.). Also, R1 and R2, R2 and R
3. Among the combinations of R3 and R4, R4 and R5, R5 and R6, and R6 and R7, at least one combination may form a substituted or unsubstituted condensed ring, and the condensed ring is 5
It is a condensed ring having 6-membered, 6-membered, or 7-membered rings, and includes aromatic rings, heterocycles, and aliphatic rings.

本発明で用いるアゾ化合物は、下記一般式[2]で示さ
れるモノアゾ化合物、ジスアゾ化合物およびトリスアゾ
化合物である。
The azo compound used in the present invention is a monoazo compound, a disazo compound, and a trisazo compound represented by the following general formula [2].

式中、R1−R7は前記で定義したものと同一の定義を
有する。
where R1-R7 have the same definitions as defined above.

Aは少なくとも1つの共役二重結合を有する1価、2価
、および3価の有機残基を示す、これらの有機残基とし
ては、二重結合系を有する炭化水素基、共役二重結合内
に窒素原子を有する炭化水素基または芳香族環および複
素環を有する有機残基などを挙げることができる。又、
芳香族環及び複素環を有する有機残基は、その芳香族環
が複素環と結合したものでもよく、或いは芳香族環が複
素環と縮合したものであってもよい、nは1.2または
3を示す。
A represents monovalent, divalent, and trivalent organic residues having at least one conjugated double bond. These organic residues include hydrocarbon groups having a double bond system, Examples include a hydrocarbon group having a nitrogen atom or an organic residue having an aromatic ring and a heterocycle. or,
In the organic residue having an aromatic ring and a heterocycle, the aromatic ring may be bonded to the heterocycle, or the aromatic ring may be fused to the heterocycle, and n is 1.2 or 3 is shown.

前述の有a歿基の具体例は下記のとおりである。Specific examples of the above-mentioned a-group are as follows.

(5)      C2H5 言 (1°)  −Q−〇− (14)  −Q−CH=C−Q− (15)  < H=H’<− (ts)  、ひ−cH=Nり一 (22)   →む−CH=N−N=CH÷2H5 前記一般式〔2〕で示されるアゾ化合物の具体例は下記
のとおりである。
(5) C2H5 Word (1°) -Q-〇- (14) -Q-CH=C-Q- (15) <H=H'<- (ts), H-cH=Nriichi (22) →M-CH=N-N=CH÷2H5 Specific examples of the azo compound represented by the general formula [2] are as follows.

M−(+) H3 M−(2) H3 M−(4) M−(6) H3 一般式〔2〕で示されるジアゾ化合物 D−(+) D−(2) D−(3) D−(5) D−(6) D−(7) D−(8) D−(9) D−(10) ト rt3 T−(2) CH3 次に本発明に使用するアゾ化合物についての合成例で具
体的に説明する。
M-(+) H3 M-(2) H3 M-(4) M-(6) H3 Diazo compound represented by general formula [2] D-(+) D-(2) D-(3) D- (5) D-(6) D-(7) D-(8) D-(9) D-(10) trt3 T-(2) CH3 Next, in a synthesis example for the azo compound used in the present invention. I will explain in detail.

合成例CD−(1)のジスアゾ化合物〕3.3′−ジメ
トキシベンジジン12.2 g 、水200m文、濃塩
酸30mMからなる分散液を5°Cまで冷却した後、亜
硝酸ソーダ7.2gを水15mJlに溶解した液を上記
液中に30分間で滴下し、その後液温を4〜7℃に保ち
30分間攪拌を続は活性炭を加え濾過し、テトラゾニウ
ム液を得た。このテトラゾニウム液に42%2%ホウフ
ッ素酸66gを加え、析出物を吸引濾過後、50mJl
の冷水で2度洗浄した後、真空   ゛乾燥し、15.
4gのテトラゾニウム塩を得た。
Synthesis Example CD-(1) Disazo Compound] After cooling a dispersion consisting of 12.2 g of 3.3'-dimethoxybenzidine, 200 mL of water, and 30 mM of concentrated hydrochloric acid to 5°C, 7.2 g of sodium nitrite was added. A solution dissolved in 15 mJl of water was added dropwise to the above solution over a period of 30 minutes, and the temperature of the solution was kept at 4 to 7°C and stirred for 30 minutes.Activated carbon was then added and filtered to obtain a tetrazonium solution. Add 66 g of 42% 2% borofluoric acid to this tetrazonium solution, filter the precipitate with suction, and then
After washing twice with cold water, vacuum dry.15.
4 g of tetrazonium salt was obtained.

次に、グアイアズレン5.7g、ジメチルホルムアミド
450m1よりなる液を2℃まで冷却した。上記で得た
テトラゾニウム塩6.0gを液に加え溶解させた後、こ
の液を4〜8℃に保ちながらピリジン4.4 m lを
液中に10分間で滴下しその後2時間攪拌した後、室温
にて1晩放置した。
Next, a liquid consisting of 5.7 g of guaiazulene and 450 ml of dimethylformamide was cooled to 2°C. After adding 6.0 g of the tetrazonium salt obtained above to the liquid and dissolving it, 4.4 ml of pyridine was added dropwise into the liquid over 10 minutes while keeping the liquid at 4 to 8°C, and after stirring for 2 hours, It was left at room temperature overnight.

反応液を濾過して得られた結晶をDMF、ベンゼンおよ
びエタノールで順次洗浄した後乾燥し、3.8gの精製
顔料を得た。
The crystals obtained by filtering the reaction solution were washed successively with DMF, benzene and ethanol, and then dried to obtain 3.8 g of purified pigment.

テトラゾニウム塩ベースの収率:43%融 点 :22
3℃より分解 溶液吸収スペクトル:ジクロルメタン溶液中入max=
537mm 元素分析: C44H46N402 計算値      分析値 C:  79.71     79.61H:   7
.01      7.18N  :   8.45 
     8.40以上、D−(1)のジスアゾ顔料の
合成法について述べたが一般式[2]で示される他のア
ゾ化合物も同様にして合成される。
Yield based on tetrazonium salt: 43% Melting point: 22
Decomposition solution absorption spectrum from 3°C: Dichloromethane solution max=
537mm Elemental analysis: C44H46N402 Calculated value Analysis value C: 79.71 79.61H: 7
.. 01 7.18N: 8.45
8.40 The method for synthesizing the disazo pigment D-(1) has been described above, but other azo compounds represented by the general formula [2] can be synthesized in the same manner.

本発明の光熱変換記録媒体は、光デイスク記録に用いる
ことができる0例えば第1図に示す様な基板lの上に前
述の有機化合物を含有する、薄膜2を形成したものとす
ることができる。かかる薄膜2は、前述の一般式〔2〕
で示される化合物を真空蒸着によって形成でき、またバ
インダー中に前述の有機化合物を含有させた塗工液を塗
布することによっても形成することができる。塗工によ
って被膜を形成する際、前述の有機化合物はバインダー
中に分散状態で含有されていてもよく、あるいは非晶質
状態で含有されていてもよい、好適なバインダーとして
は。
The photothermal conversion recording medium of the present invention can be used for optical disc recording. For example, a thin film 2 containing the above-mentioned organic compound can be formed on a substrate l as shown in FIG. . Such a thin film 2 has the above-mentioned general formula [2]
The compound represented by can be formed by vacuum evaporation, or by applying a coating liquid containing the above-mentioned organic compound in a binder. When forming a film by coating, the above-mentioned organic compound may be contained in the binder in a dispersed state or in an amorphous state, as a suitable binder.

広範な樹脂から選択することができる。具体的にはニト
ロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース、酢
酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸セルロー
ス、ミリスチン酸セルロース、パルミチン酸セルロース
、酢酸、プロピオン酸セルロース、酢酸・酪酸セルロー
スなどのセルロースエステル類、メチルセルロース、エ
チルセルロース、プロピルセルロース、ブチルセルロー
ス、などのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ
塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、
ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレンーブタジ
エンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマ
ー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリマ
ー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹
脂、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレー
ト、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリアクリアミド、ポリアクリロニトリル
などのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレートな
どのポリエステル類、ポリ(4,4’−イソプロビリデ
ンジフェニレンーコ−1,4シクロヘキシレンジメチレ
ンカーボネート)、ポリ(エチレンジオキシ−3,3’
−フェニレンチオカーボネート)、ポリ(4,4’−イ
ソプロピリデンジフェニレンカーポネートーコーテレフ
タレート)、ポリ(4,4’−イソプaピリデンジフエ
ニレンカーポネート)、ボIJ(4,4’−5ec−7
’チリデンジフエニレンカーボネート)、ポリ(4,4
’−イソプロビリデンジフニレンカーボネートーブロッ
クーオキシエチレン)などのボリアリレート樹脂類、あ
るいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、
フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩
素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用いる
ことができる。
A wide range of resins can be selected. Specifically, cellulose esters such as nitrocellulose, cellulose phosphate, cellulose sulfate, cellulose acetate, cellulose propionate, cellulose acetate, cellulose myristate, cellulose palmitate, acetic acid, cellulose propionate, cellulose acetate/butyrate, methyl cellulose, Cellulose ethers such as ethyl cellulose, propyl cellulose, butyl cellulose, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyvinyl butyral,
Vinyl resins such as polyvinyl acetal, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, copolymer resins such as styrene-butadiene copolymer, styrene-acrylonitrile copolymer, styrene-butadiene-acrylonitrile copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate , polybutyl acrylate, polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polyacryamide, acrylic resins such as polyacrylonitrile, polyesters such as polyethylene terephthalate, poly(4,4'-isopropylidene diphenylene-co-1,4cyclohexyl) silane dimethylene carbonate), poly(ethylenedioxy-3,3'
-phenylene thiocarbonate), poly(4,4'-isopropylidene diphenylene carbonate coated terephthalate), poly(4,4'-isopropylidene diphenylene carbonate), BoIJ(4,4'-5ec- 7
'tylidene diphenylene carbonate), poly(4,4
polyarylate resins such as '-isopropylidene diphnylene carbonate block-oxyethylene), polyamides, polyimides, epoxy resins,
Phenol resins, polyolefins such as polyethylene, polypropylene, chlorinated polyethylene, etc. can be used.

塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダーの種類や
前述の化合物をバインダー中に含有させる際、分散状態
とするか、あるいは非晶質状態とするかによって異なっ
てくるが、一般には、メタノール、エタノール、イソプ
ロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N、N−
ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロ
ロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水
素類、あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロ
イン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳
香族類などを用いることができる。
The organic solvent that can be used during coating varies depending on the type of binder and whether the above-mentioned compound is contained in the binder in a dispersed or amorphous state, but in general, methanol is used. , alcohols such as ethanol and isopropanol, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, N, N-
Amides such as dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, ethers such as tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol monomethyl ether, esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, chloroform, chloride Aliphatic halogenated hydrocarbons such as methylene, dichloroethylene, carbon tetrachloride, trichlorethylene, etc., or aromatics such as benzene, toluene, xylene, ligroin, monochlorobenzene, dichlorobenzene, etc. can be used.

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビドコーテ°イング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。
Coating methods include dip coating method, spray coating method, spinner coating method, bido coating method,
This can be carried out using a coating method such as a Mayer bar coating method, a blade coating method, a roller coating method, or a curtain coating method.

バインダーとともに薄膜2を形成する際に、前述の有機
化合物の含有量は、薄膜2中において1〜90重量%、
好ましくは20〜70重量%である。また、薄膜2の乾
燥膜厚あるいは蒸着膜厚は10ミクロン以下、好ましく
は2ミクロン以下である。
When forming the thin film 2 together with the binder, the content of the above-mentioned organic compound in the thin film 2 is 1 to 90% by weight,
Preferably it is 20 to 70% by weight. Further, the dry film thickness or vapor deposited film thickness of the thin film 2 is 10 microns or less, preferably 2 microns or less.

基体1としては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。
As the substrate 1, plastics such as polyester, acrylic resin, polyolefin resin, phenol resin, epoxy resin, polyamide, polyimide, glass, or metals can be used.

本発明の光熱変換記録媒体は支持体として用いる基体l
の上に前述の薄!I2(電磁放射線感応層)を形成する
ことによって得られるが、各種補助層を設けることがで
きる0例えば、基体1の表面に熱定数を調整する目的で
無機あるいは有機物質からなる表面被膜を有する基体を
用いることができる。又、電磁放射線感応層2の上に透
明な材質からなる保護層を設けることができ、この保護
層は機械的損傷の防止に対して有効となる上に、適当な
厚さで形成することにより、反射防止膜とすることがで
きるので、感度の向上にも有効である。又、第2図に示
す様に電磁放射線感応層2と基体lの間に反射層3を設
けることができる。この反射層3は、アルミニウム、銀
、クロムなどの反射性金属の蒸着層又はラミネート層と
することができる。
The photothermal conversion recording medium of the present invention has a substrate l used as a support.
The aforementioned thin on top! It is obtained by forming I2 (electromagnetic radiation sensitive layer), but various auxiliary layers can be provided.For example, a substrate having a surface coating made of an inorganic or organic substance on the surface of the substrate 1 for the purpose of adjusting the thermal constant. can be used. Further, a protective layer made of a transparent material can be provided on the electromagnetic radiation sensitive layer 2, and this protective layer is effective in preventing mechanical damage and can be formed with an appropriate thickness. Since it can be used as an antireflection film, it is also effective in improving sensitivity. Further, as shown in FIG. 2, a reflective layer 3 can be provided between the electromagnetic radiation sensitive layer 2 and the substrate l. This reflective layer 3 can be a vapor deposited layer or a laminate layer of a reflective metal such as aluminum, silver, or chromium.

又、本発明の光学記録媒体には特願昭57−72374
号明細書に記載のトラック案内溝や番地指定溝などの機
能をもつプレグルーブを形成することができる。
Further, the optical recording medium of the present invention is disclosed in Japanese Patent Application No. 57-72374.
It is possible to form a pregroove having functions such as a track guide groove and an address designation groove as described in the specification of the above patent.

本発明の光熱変換記録媒体は、第3図に示す様に薄膜2
に電磁放射線4、例えばガリウムーヒ素−アルミニウム
半導体レーザ(発振波長=820nm)、アルゴンガス
レーザ(発振波長:488,515nm)、 ヘリウム
−ネオンガスレーザ(発振波長:632.8nm)その
他可視債域から赤外領域に発振波長を有するレーザやキ
セノンフラッシュランプなどの各種短パルス発光ランプ
あるいは赤外線ランプ光やヒータを照射あるいは接触さ
せることによってピット5を形成することができる。こ
のピット形成部は、ピット未形成部の反射率と異なって
おり、従って1例えば電磁放射線をトラックに沿って走
査することにってピットを形成し、このピット形成部と
ピット未形成部に前述のトラックに沿って低出力レーザ
を走査し、その反射率差をフォトディテクターによって
読み取ることができる。
The photothermal conversion recording medium of the present invention has a thin film 2 as shown in FIG.
Electromagnetic radiation 4, such as gallium-arsenic-aluminum semiconductor laser (oscillation wavelength: 820 nm), argon gas laser (oscillation wavelength: 488,515 nm), helium-neon gas laser (oscillation wavelength: 632.8 nm), and other sources from the visible range to the infrared range The pits 5 can be formed by irradiating or contacting with various short-pulse light emitting lamps such as lasers and xenon flash lamps having an oscillation wavelength of 300 nm, infrared lamp light, or a heater. The reflectance of the pit-formed area is different from that of the non-pit-formed area, so pits are formed by, for example, scanning electromagnetic radiation along the track, and the pit-formed area and the non-pit-formed area are A low-power laser is scanned along the track, and the difference in reflectance can be read by a photodetector.

本発明による効果を列挙すると下記のとおりである。The effects of the present invention are listed below.

本発明の光熱変換記録媒体は、電磁放射線感応層が電磁
放射線に対して吸収効率が大きく。
In the photothermal conversion recording medium of the present invention, the electromagnetic radiation sensitive layer has high absorption efficiency for electromagnetic radiation.

低いエネルギー密度のヘリウム−ネオンガスレーザやキ
セノンフラッシュランプにより記録が可能で、しかも長
波長側に発振波長をもつ半導体レーザにより記録にも有
効である。又、S/N比が高く、再生効率が良好である
。さらに、本発明で用いる化合物は、熱に対して極めて
安定している利点を有している。
Recording is possible with a low energy density helium-neon gas laser or xenon flash lamp, and is also effective for recording with a semiconductor laser with an oscillation wavelength on the long wavelength side. Furthermore, the S/N ratio is high and the regeneration efficiency is good. Furthermore, the compound used in the present invention has the advantage of being extremely stable against heat.

本発明の別の具体例では、光熱変換記録方式の液晶素子
として適用することができる0例えば、第4図に本発明
の液晶素子の断面図を示す様に、液晶組成物108とし
ては前述の一般式〔2〕で表わされる化合物を溶解した
液晶が用いられる0本発明の素子で用いる液晶は、スメ
クチック液晶が適しており、特に正の誘電異方性をもつ
スメクチック液晶のA相又はC相が適している。かかる
スメクチック液晶は、レーザビームで局部的に加熱され
るまではホメオトロピック組織のスメクチック相に配列
されており、温度上昇に伴ないホメオトロピック組織の
スメクチック相→ネマチックイントロピック相の相変化
することができる0次いで、イソトロピック相から急冷
状態でスメクチック相へ相変化させると光散乱特性をも
つフォーカルコニック組織のスメクチック相が形成され
ることになる。従って、レーザビームを照射して液晶素
子中のスメクチック相を局部的にイントロピック相まで
加熱し、その後急冷するとその個所がフォールカルコニ
ック組織のスメクチック相となり、この状態が光散乱特
性をもっているので、前述のレーザビームにより光信号
走査によって静止画像のパターンを形成することができ
る。
In another specific example of the present invention, the liquid crystal composition 108 can be applied as a photothermal conversion recording type liquid crystal element.For example, as shown in FIG. A liquid crystal in which a compound represented by general formula [2] is dissolved is used. Smectic liquid crystal is suitable for the liquid crystal used in the device of the present invention, and in particular, A phase or C phase of smectic liquid crystal having positive dielectric anisotropy. is suitable. Such smectic liquid crystals are arranged in the smectic phase of a homeotropic structure until they are locally heated by a laser beam, and as the temperature rises, the phase changes from the smectic phase of the homeotropic structure to the nematic-intropic phase. Next, when the isotropic phase changes to the smectic phase under rapid cooling, a smectic phase with a focal conic structure having light scattering properties is formed. Therefore, when the smectic phase in a liquid crystal element is locally heated to an intropic phase by irradiation with a laser beam, and then rapidly cooled, the area becomes a smectic phase with a false calconic structure, and this state has light scattering properties. A still image pattern can be formed by scanning an optical signal using the laser beam described above.

本発明の液晶素子で用いる正の誘電異方性をもつスメク
チック相を形成しうる化合物としては、例えば特開昭5
6−150030号公報、特開昭57−40429号公
報、特開昭57−51779号公輻などに記載された化
合物を用いることができる。
Compounds capable of forming a smectic phase having positive dielectric anisotropy to be used in the liquid crystal element of the present invention include, for example,
Compounds described in JP-A-6-150030, JP-A-57-40429, JP-A-57-51779, etc. can be used.

前述の一般式〔2〕で表わされる化合物は。The compound represented by the above general formula [2] is.

液晶に対して0.1重量%以上、好ましくは1重量%〜
3重量%の範囲で液晶組成物108中に含有することが
できる。
0.1% by weight or more, preferably 1% by weight or more based on the liquid crystal
It can be contained in the liquid crystal composition 108 in a range of 3% by weight.

又1本発明の液晶素子は、正の誘電異方性をもつスメク
チック液晶とコレステリック液晶の混合液晶を用いるこ
とも可能である。コレステリック液晶は、液晶組成物1
08中に0.5重量%〜15重量%の範囲、好ましくは
1重量%〜5重量%の範囲で含有することが適している
Furthermore, the liquid crystal element of the present invention can also use a mixed liquid crystal of smectic liquid crystal and cholesteric liquid crystal having positive dielectric anisotropy. Cholesteric liquid crystal is liquid crystal composition 1
It is suitable for the content in the range of 0.5% to 15% by weight, preferably in the range of 1% to 5% by weight.

本発明で用いうるコレステリック液晶としては、コレス
テリルクロライド、コレステリルブロマイド、コレステ
リルヨーダイト、コレステリルニトレート、コレステリ
ルクロロデカノエート、コレステリルブチレート、コレ
ステリルカプレート、コレステリルオレート、コレステ
リルオレ−ト、コレステリルラウレート、コレステリル
ミリステート、コレステリルへブチカルバメート、コレ
ステリルデシルエーテル、コレステリルラウリルエーテ
ル、コレステリルオレイルエーテルなどのコレステリル
化合物が挙げられる。
Cholesteric liquid crystals that can be used in the present invention include cholesteryl chloride, cholesteryl bromide, cholesteryl iodite, cholesteryl nitrate, cholesteryl chlorodecanoate, cholesteryl butyrate, cholesteryl caprate, cholesteryl oleate, cholesteryl oleate, cholesteryl laurate, Examples include cholesteryl compounds such as cholesteryl myristate, cholesteryl hebutycarbamate, cholesteryl decyl ether, cholesteryl lauryl ether, and cholesteryl oleyl ether.

かかる混合液晶を用いた液晶素子は、レーザビームの局
部的な加熱によりホメオトロピックのスメクチック相か
らイントロピック相へ相変化を生じ、これを急冷すると
前述と同様にフォーカルコニック組織のスメクチック相
を形成することができる。
A liquid crystal element using such a mixed liquid crystal causes a phase change from a homeotropic smectic phase to an intropic phase by local heating with a laser beam, and when this is rapidly cooled, a smectic phase with a focal conic structure is formed as described above. be able to.

前述の如き方式で記録された液晶素子は、液晶組成物l
O8を全面に例えばヒータにより加熱してイントロビッ
ク相へ相変化させた後に。
A liquid crystal element recorded by the above-mentioned method uses a liquid crystal composition l.
After heating O8 over the entire surface, for example, with a heater, to cause a phase change to the introbic phase.

液晶素子を構成している基板lotと102(例えば、
透明ガラス板やアクリル板などのプラスチック板)に設
けた電極103と104との間に適当な直流又は交流を
印加するとともに徐冷することによって、イントロビッ
ク相呻ネマチック相→スメクチック相へ相変化を生じる
ことができる。この際、ネマチック相で液晶が正の誘電
異方性を有しているために電界方向にネマチック液晶が
配列し、さらに冷却するホメオトロピック組織のスメク
チックA相又はC相が形成されて、書き込み画像パター
ンが消去される。電極103と104は、一般的に酸化
イソジウム、酸化錫あるいはITO(I nd iun
  Tin  0xide)の透明導電膜によって得ら
れ、又必要に応じてアルミニウム、クロム、銀やニッケ
ルなどの金属導電膜によって得られる。この電極103
と104は、基板101と102の全面に亘って被膜さ
れていることが望ましく、必ずしも所定のパターン形状
あるいはマトリックス電極構造とする必要がない、しか
し、所望に応じて所定のパターン形状あるいはマトリク
ス電極構造に設計することも可能である。
A lot of substrates constituting a liquid crystal element and 102 (for example,
By applying an appropriate direct current or alternating current between electrodes 103 and 104 provided on a plastic plate (such as a transparent glass plate or an acrylic plate) and slow cooling, the phase changes from an introbic phase to a nematic phase to a smectic phase. can occur. At this time, since the liquid crystal is in the nematic phase and has positive dielectric anisotropy, the nematic liquid crystal is aligned in the direction of the electric field, and a smectic A phase or C phase with a homeotropic structure is further formed to cool the written image. The pattern will be erased. Electrodes 103 and 104 are generally made of isodium oxide, tin oxide or ITO (Indium Oxide).
It can be obtained with a transparent conductive film such as Tin Oxide, or, if necessary, with a metal conductive film such as aluminum, chromium, silver or nickel. This electrode 103
and 104 are desirably coated over the entire surface of the substrates 101 and 102, and do not necessarily have to have a predetermined pattern shape or matrix electrode structure. It is also possible to design

本発明の液晶素子は、それぞれの電極103と104の
上に絶縁性物質の被膜からなる配向制御fi106と1
07を設けることができる。
The liquid crystal element of the present invention has alignment control fi 106 and fi 1 which are made of a film of an insulating material on the respective electrodes 103 and 104.
07 can be provided.

この配向制御膜106と107は、これらの臨界面に接
する液晶組成物108の配列方向を所望の状態に制御す
ることができる表面構造を有している。又、この配向側
mm1oeと107は液晶組成物108を通して流れる
電流の発生を防止することができる絶縁膜としても機能
する。この種の配向側WM106と107は、例えば−
酸化硅素、二酸化硅素、#化アルミニウム、ジルコニア
、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム
、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物、ポ
リビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエステルイミド、ポリパラキシレリン、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩
化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂
、メラミン樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂、オルガノ
シロキサン、ポリフッ化エチレンなどの絶縁性物質を蒸
着法、浸漬塗布法、スピナー塗布法あるいはスプレー塗
布法により被膜形成することによって得られる。
The alignment control films 106 and 107 have a surface structure that allows the alignment direction of the liquid crystal composition 108 in contact with these critical surfaces to be controlled to a desired state. In addition, the alignment side mm1oe and 107 also function as an insulating film that can prevent the generation of current flowing through the liquid crystal composition 108. This type of orientation side WMs 106 and 107 are, for example, -
Silicon oxide, silicon dioxide, aluminum oxide, zirconia, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide,
Vapor deposition of insulating materials such as polyesterimide, polyparaxylerin, polyester, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin, organosiloxane, polyethylene fluoride, etc. It can be obtained by forming a film using a dip coating method, a spinner coating method, or a spray coating method.

配向制御膜106と107は、所定の書き込み方式に応
じて、表面を布、紙やビロードなどによりラビングする
か、あるいは被膜形成時に斜め蒸着法を用いることによ
って、液晶組成物108をホモジニアス配向させる表面
構造をもつことができ、あるいはその表面を例えば特開
昭50−36150号公報に記載されたパーフルオロア
ルキル基をもつシラン化合物、特開昭50−50947
号公報に記載されたアルキルトリアルコキシシラン、特
開昭50−63955号公報に記載されたテトラアルコ
キシシランなどの化合物により処理することによって、
液晶組成物108をホメオトロピック配向させる表面構
造をもつことができる。
The alignment control films 106 and 107 have surfaces on which the liquid crystal composition 108 is homogeneously aligned by rubbing the surfaces with cloth, paper, velvet, etc., or by using an oblique vapor deposition method during film formation, depending on a predetermined writing method. Silane compounds having a perfluoroalkyl group on the surface, such as those described in JP-A-50-36150, JP-A-50-50947;
By treating with compounds such as alkyltrialkoxysilanes described in JP-A-50-63955 and tetraalkoxysilanes described in JP-A-50-63955,
The liquid crystal composition 108 can have a surface structure that homeotropically aligns it.

配向制御膜106と107は、使用した絶縁性物質の種
類によって、その最適な膜厚が異なるが、一般的に10
0人〜lルの範囲、好ましくは500人〜2000人の
範囲に定めることが適しており、さらにこの配向制御膜
108と107が反射防止膜としても作用する様な膜厚
に設定しておくことが望ましい。
The optimum thickness of the alignment control films 106 and 107 varies depending on the type of insulating material used, but generally it is 10.
It is suitable to set it in the range of 0 to 1000 people, preferably in the range of 500 to 2000 people, and furthermore, the film thickness is set so that the alignment control films 108 and 107 also act as antireflection films. This is desirable.

又1本発明の液晶素子は図示する如く背面方向からレー
ザビーム110を照射することによって前述の静止画像
を形成し、正面方向から自然光、ハロゲンランプ光、キ
セノンランプ光、蛍光灯光などの観察光109を素子中
に入射させて、この光線をコールドミラー105からの
反射光として、前述の静止画像を観察することができる
。このコールドミラー105は、一般に可視光に対して
は十分に高い反射率を有し、600mm以上の長波長光
に対しては高い透過率特性を有している。具体的には、
Ge/MgF2  (1/4人) / G e O2(
1/ 4人)/MgF2(174人)/GeO2(1/
4人)からなる多層膜が知られている。しかし、本発明
ではコールドミラー105の使用を省略することもでき
る。又、本発明の素子はコールドフィルター(図示せず
)を電極103と配向制御膜lO6の間に設けることも
できる。このコールドフィルターは、可視光に対しては
十分に高い透過率を有し、又長波長に対しては十分に高
い反射率特性を有している。
In addition, the liquid crystal element of the present invention forms the above-mentioned still image by irradiating the laser beam 110 from the rear direction as shown in the figure, and uses observation light 109 such as natural light, halogen lamp light, xenon lamp light, fluorescent lamp light, etc. from the front direction. The above-mentioned still image can be observed by making the light beam incident on the element and using this light beam as reflected light from the cold mirror 105. This cold mirror 105 generally has sufficiently high reflectance for visible light and high transmittance for long wavelength light of 600 mm or more. in particular,
Ge/MgF2 (1/4 person) / G e O2 (
1/4 people)/MgF2 (174 people)/GeO2 (1/
A multilayer film consisting of 4 people) is known. However, in the present invention, the use of cold mirror 105 can also be omitted. Further, in the device of the present invention, a cold filter (not shown) can be provided between the electrode 103 and the alignment control film IO6. This cold filter has a sufficiently high transmittance for visible light and a sufficiently high reflectance for long wavelengths.

以下、本発明を実施例に従って、詳細に説明するがこれ
に限定されるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be explained in detail according to examples, but the present invention is not limited thereto.

実施例1 アセトニトリルスチレン共重号樹脂(三井東圧化学■製
、ライタツクA330PC)1重量部、前述の化合物D
−(1)5重量部およびジクロルメタン60重量部をボ
ールミルで十分に混合した。この混合した液を直径20
 cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板上にスピナーコ
ーティング法により塗布した後、乾燥して0.4g/c
rn’の記録層を得た。
Example 1 1 part by weight of acetonitrile styrene copolymer resin (manufactured by Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd., Lightac A330PC), the above-mentioned compound D
- (1) 5 parts by weight and 60 parts by weight of dichloromethane were thoroughly mixed in a ball mill. This mixed liquid is
After coating on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate of cm by spinner coating method, it is dried to give a coating of 0.4 g/c.
A recording layer of rn' was obtained.

こうして作成した光デイスク記録体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモータで1100Orp
の回転を与えながら、スポットサイズ、1.0ミクロン
に集中した出力10mWおよびパルス幅2MHzのヘリ
ウム−ネオンレーザ(発振波長632.8nm)を記録
層面にトラック状で走査して記録を行なった。
The optical disk recording body thus created was mounted on a turntable, and the turntable was rotated to 1100 orps using a motor.
Recording was performed by scanning the surface of the recording layer in a track shape with a helium-neon laser (oscillation wavelength: 632.8 nm) concentrated at a spot size of 1.0 microns, with an output of 10 mW and a pulse width of 2 MHz.

この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが認められた。また、こ
のディスクに1mWのへリウムーネオンレーザを入射し
、反射光の検知を行なったところ、十分なS/N比を有
する波形が得られた。
When the surface of this recorded optical disc was observed using a scanning electron microscope, clear pits were observed. Furthermore, when a 1 mW helium-neon laser was applied to this disk and the reflected light was detected, a waveform with a sufficient S/N ratio was obtained.

また、記録後の経時における耐久安定性を測定するため
に、前述の記録された記録媒体を温度35℃および相対
湿度95%の強制環境下に240時間放置した後、記録
された記録媒体の表面を前述と同様に顕微鏡で観察した
が、耐久テスト前に観察した時と同様のピットが認めら
れた。また、この記録され且つ耐久テストされた記録媒
体に1mWのヘリウム−ネオンレーザを入射し、反射光
の検知を行なったところ、十分に高いS/N比を有する
波形が得られた。
In addition, in order to measure the durability stability over time after recording, the recorded recording medium was left in a forced environment of a temperature of 35°C and a relative humidity of 95% for 240 hours, and then the surface of the recorded recording medium was was observed under a microscope in the same manner as described above, and pits similar to those observed before the durability test were observed. Furthermore, when a 1 mW helium-neon laser was applied to the recorded and durability-tested recording medium and the reflected light was detected, a waveform with a sufficiently high S/N ratio was obtained.

実施例2 前述の化合物M−(2)の化合物を実施例1と同様の方
−法で直径20cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板上
にスピナーコーティング法により塗工して0.4g/m
′の記録層を有する光デイスク記録体を作成した。
Example 2 The above-mentioned compound M-(2) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm using a spinner coating method in the same manner as in Example 1 to give a coating composition of 0.4 g/m.
An optical disc recording medium having a recording layer of 1 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又情報を書き込みした後の記録層
面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピット
が形成されていた。また、記録後の耐久テストを実施例
1と同様の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例3 前述の化合物M−(6)の化合物を実施例1と同様の方
法で直径20cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板上に
スピナーコーティング法により塗工して0.4 g /
 m’の記録層を有する光デイスク記録体を作成した。
Example 3 The above-mentioned compound M-(6) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm using a spinner coating method in the same manner as in Example 1 to give 0.4 g/
An optical disc recording medium having a recording layer of m' was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子m微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。また、記録後の耐久テストを実施
例1と同様の方法で測定したが同様の結果が得られた。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例4 前述の化合物D−(3)の化合物を実施例1と同様の方
法で直径20cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板の上
にスピナーコーティング法により塗工して0.5g/m
′の記録層を有する光デイスク記録体を作成した。
Example 4 The above-mentioned compound D-(3) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm using a spinner coating method in the same manner as in Example 1 to give a coating composition of 0.5 g/m.
An optical disc recording medium having a recording layer of 1 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。また、記録後の耐久テストを実施
例1と同様の方法で測定したが、同様の結果が得られた
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例5 前述の化合物D−(5)の化合物を実施例1と同様の方
法で直径30cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板の上
にスピナーコーティング法により塗工して0.5 g 
/m’の記録層を有する光デイスク記録体を作成した。
Example 5 The above-mentioned compound D-(5) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm by spinner coating method in the same manner as in Example 1, and 0.5 g of the compound was coated using a spinner coating method.
An optical disc recording medium having a recording layer of /m' was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピン
トが形成されていた。また、記録後の耐久テストを実施
例1と同様の方法で測定したが、同様の結果が得られた
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, a clear focus was formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例6 前述の化合物D−(8)の化合物を実施例1と同様の方
法で直径20cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板の上
にスピナーコーティング法により塗工して0.5g/m
″の記録層を有する光デイスク記録体を作成した。
Example 6 The above-mentioned compound D-(8) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm using a spinner coating method in the same manner as in Example 1 to give a coating composition of 0.5 g/m.
An optical disc recording medium having a recording layer of `` was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. or.

情報を書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが形成されていた。また
、記録後の耐久テストを実施例1と同様の方法で測定し
たが、同様の結果が得られた。
When the surface of the recording layer after information was written was observed using a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例7 前述の化合物D−(10)の化合物を実施例1と同様の
方法で直径20cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板の
上にスピナーコーティング法により塗工して0.5g/
rrlの記j!層を有する光デイスク記録体を作成した
Example 7 The above-mentioned compound D-(10) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm using a spinner coating method in the same manner as in Example 1 to give 0.5 g/
rrl's notes! An optical disc recording medium having layers was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。また、記録後の耐久テストを実施
例1と同様の方法で測定したが、同様の結果がイ与られ
た。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and the same results were obtained.

実施例8 ニトロセルロース溶液(ダイセル化学工業■製;オーハ
ーレスラッカー二ニトロセルロース25重量%のメチル
エチルケトン溶液)12重量部、前述の化合物T−(1
)、3重量部およびメチルエチルケトン60重量部をボ
ールミルで十分に混合した。この混合液を直径20cm
のディスク状アルミ蒸着ガラス板上に、スピナーコーテ
ィング法、により塗布した後、乾燥して0、2 g /
 c rn’の記録層を得た。
Example 8 12 parts by weight of a nitrocellulose solution (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.; Ohares Lacquer 25% by weight solution of dinitrocellulose in methyl ethyl ketone), the above-mentioned compound T-(1
), 3 parts by weight of methyl ethyl ketone and 60 parts by weight of methyl ethyl ketone were thoroughly mixed in a ball mill. Pour this mixture into a diameter of 20 cm.
It was coated on a disc-shaped aluminized glass plate using a spinner coating method, and then dried to give a coating weight of 0.2 g/
A recording layer of cr rn' was obtained.

こうして作成した光デイスク記録体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモータでlooorpm
の回転を与えながら、スポットサイズ1.0ミクロンに
集束した出力5mWおよびパルス幅4 M Hzがヘリ
ウムーアルミニウムーヒ素半導体レーザ(発振波長78
0nm)を記録層面にトラック状で走査して記録を行な
った。
The optical disk recording medium created in this way is mounted on a turntable, and the turntable is turned to LOOORPM by a motor.
While giving a rotation of
Recording was performed by scanning a recording layer (0 nm) in a track shape on the surface of the recording layer.

この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが認められた。また、こ
のディスクに1mWのガリウムーアルミニウムーヒ素半
導体レーザを入射し、反射光の検知を行なったところ、
十分なS/N比を有する波形が得られた。
When the surface of this recorded optical disc was observed using a scanning electron microscope, clear pits were observed. In addition, when a 1 mW gallium-aluminum-arsenic semiconductor laser was incident on this disk and the reflected light was detected,
A waveform with a sufficient S/N ratio was obtained.

また、記録後の経時における耐久安定性を測定するため
に、前述の記録された記録媒体を温度35℃および相対
湿度95%の強制環境下に240時間放置した後、記録
された記録媒体の表面を前述と同様に顕微鏡で観察した
が、耐久テスト前に観察した時と同様のピットが認めら
れた。また、この記録され且つ耐久テストされた記録媒
体に1mWのガリウムーヒ素−アルミニウム半導体レー
ザを入射し、反射光の検知を行なったところ、十分に高
いS/N比を有する波形が得られた。
In addition, in order to measure the durability stability over time after recording, the recorded recording medium was left in a forced environment of a temperature of 35°C and a relative humidity of 95% for 240 hours, and then the surface of the recorded recording medium was was observed under a microscope in the same manner as described above, and pits similar to those observed before the durability test were observed. Furthermore, when a 1 mW gallium-arsenide-aluminum semiconductor laser was incident on the recorded and durability-tested recording medium and the reflected light was detected, a waveform with a sufficiently high S/N ratio was obtained.

実施例9 前述の化合物T−(2)の化合物を実施例1と同様の方
法で直径20cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板の上
にスピンナーコーティング法により塗工してo、2g/
rn’の記録層を有する光デイスク記録体を作成した。
Example 9 The above-mentioned compound T-(2) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm by spinner coating method in the same manner as in Example 1, and the compound was coated with o, 2 g/
An optical disc recording medium having a recording layer of rn' was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。また、記録後の耐久テストを実施
例1と同様の方法で測定したが同様の結果が得られた。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例10 前述の化合物T−(3)の化合物を実施例1と同様の方
法で直径20cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板の上
にスピンナーコーティング法により塗工して0.2g/
m’の記録層を有する光デイスク記録体を作成した。
Example 10 The above-mentioned compound T-(3) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm using a spinner coating method in the same manner as in Example 1 to give 0.2 g/
An optical disc recording medium having a recording layer of m' was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. or.

情報を書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが形成されていた。また
、記録後の耐久テストを実施例1と同様の方法で測定し
たが同様の結果が得られた。
When the surface of the recording layer after information was written was observed using a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例11 本発明の液晶素子を用いて表示パターンを形成した実施
例を第5図に示す前述の一般式〔2〕で表わされる化合
物のうち、T−(1)の化合物をスメクチック液晶(4
,4’−シアノオクチルビフェニル;正の誘電異方性を
もつ)に対して2重量%の割合となる様に溶解した。
Example 11 An example in which a display pattern was formed using the liquid crystal element of the present invention is shown in FIG.
, 4'-cyanooctylbiphenyl (having positive dielectric anisotropy) was dissolved in a proportion of 2% by weight.

この際、液晶組成物をイソトロピック相となるまでの加
熱してから、前述の化合物を添加し、この液を内壁面が
ホメオトロピック配向処理されたセル中に注入し、その
後徐冷することによってホメオトロピック組織をもつス
メクチック相の液晶を形成させた。
At this time, the liquid crystal composition is heated until it becomes an isotropic phase, the above-mentioned compound is added, the liquid is injected into a cell whose inner wall surface has been subjected to homeotropic alignment treatment, and then slowly cooled. A smectic phase liquid crystal with a homeotropic structure was formed.

液晶セル201に画像を書き込むために使用するレーザ
ビームを発射するレーザ発振器202は、液晶中に含有
させた前述の化合物の吸収効率に対応した波長のものか
ら選択することができるが、特にヘリウム−ネオンレー
ザ。
The laser oscillator 202 that emits the laser beam used to write an image on the liquid crystal cell 201 can be selected from those with wavelengths that correspond to the absorption efficiency of the above-mentioned compounds contained in the liquid crystal. neon laser.

半導体レーザあるいはYAGレーザより発射された長波
長のレーザビームあるいはアルゴンレーザより発射され
た短波長のレーザビームを用いることができる。レーザ
発振器202より発射したレーザビームは、変調器20
3.スリット204、Y軸偏向器205、X軸偏向器2
06を通過して変調と偏向されてから、書き込みレンズ
208により集光され、グイクロイックミラー209を
介して液晶素子201の背面から照射される。前述の変
調器203、Y軸偏向器205、X軸偏向器206は、
駆動用増幅器210を開始て信号源211と接続されて
おり、これによってレーザビームが制御されて、信号源
211からのデジタル電気信号を光信号に変換する。こ
の光信号によって液晶素子201に画像パターンが書き
込まれる。しかるに後に、液晶素子201の周辺部に取
り付けたベルチェ素子212を電源213により作動さ
せて、急冷状態となして、液晶素子201を冷却し、フ
ォーカルコニック組織のスメクチック相を形成させ、光
信号の照射された個所が光散乱状態となった画像パター
ンが形成された。この際、ベニルチェ素子212は温度
コントロール器214により温度コントロールされる。
A long wavelength laser beam emitted from a semiconductor laser or a YAG laser, or a short wavelength laser beam emitted from an argon laser can be used. The laser beam emitted from the laser oscillator 202 is transmitted to the modulator 20
3. Slit 204, Y-axis deflector 205, X-axis deflector 2
06, the light is modulated and deflected, is focused by a writing lens 208, and is irradiated from the back side of the liquid crystal element 201 via a gicroic mirror 209. The aforementioned modulator 203, Y-axis deflector 205, and X-axis deflector 206 are
A driving amplifier 210 is connected to a signal source 211 to control a laser beam and convert a digital electrical signal from the signal source 211 into an optical signal. An image pattern is written on the liquid crystal element 201 by this optical signal. After that, the Bertier element 212 attached to the periphery of the liquid crystal element 201 is activated by the power supply 213 to rapidly cool the liquid crystal element 201, forming a smectic phase with a focal conic structure, and irradiating the optical signal. An image pattern was formed in which the exposed areas were in a light scattering state. At this time, the temperature of the Venirtier element 212 is controlled by the temperature controller 214.

この画像パターンは、液晶素子201の前面に配した照
明源215を点灯することによって、観察することがで
きる。
This image pattern can be observed by turning on the illumination source 215 placed in front of the liquid crystal element 201.

次いで、前述の画像パターンを消去するには、液晶素子
201に設けた透明ヒータ21B(例えば、酸化インジ
ウム膜、酸化錫膜、ITO膜)を温度コントロール器2
17を介したヒータ用電源218により加熱し、液晶相
からイントロピック相へ相変化を生じさせる。しかるに
後、液晶素子201に設けた電極219と220の間に
交流電源221より電圧を印加しながら、液晶素子20
1を徐冷して、ホメオトロピック組織のスメクチック相
を形成させた。
Next, in order to erase the above-mentioned image pattern, the transparent heater 21B (for example, indium oxide film, tin oxide film, ITO film) provided on the liquid crystal element 201 is connected to the temperature controller 2.
The liquid crystal layer is heated by a heater power source 218 via a heater power source 218 to cause a phase change from a liquid crystal phase to an intropic phase. After that, while applying a voltage from the AC power supply 221 between the electrodes 219 and 220 provided on the liquid crystal element 201, the liquid crystal element 20
1 was slowly cooled to form a smectic phase with a homeotropic structure.

この結果、書き込まれた画像パターンが消去された。As a result, the written image pattern was erased.

本発明の液晶素子は、大画面ディスプレイとして応用す
ることが可能であり、又、所定の情報を含む光信号をト
ラックに沿って走査してピットを形成する記録方式の光
デイスクシステムにも応用することができる。
The liquid crystal element of the present invention can be applied to a large screen display, and can also be applied to an optical disk system using a recording method in which pits are formed by scanning an optical signal containing predetermined information along a track. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は、本発明の光デイスク用光熱変換
記録媒体の断面図である。第3図は光熱変換記録媒体の
実施態様を示す説明図である。第4図は本発明の液晶素
子の断面図である。第5図は本発明の液晶素子を用いた
表示方式の1例を表わす説明図である。 l:基 体 2:薄 膜 3:反射層 4:電磁放射線 5:ビット 101.102:基板 103.104:電極 105:コールドミラー 106.107:配向制御膜 108:液晶組成物 109:観察光 110:レーザビーム
1 and 2 are cross-sectional views of the photothermal conversion recording medium for optical disks of the present invention. FIG. 3 is an explanatory diagram showing an embodiment of the photothermal conversion recording medium. FIG. 4 is a sectional view of the liquid crystal element of the present invention. FIG. 5 is an explanatory diagram showing one example of a display method using the liquid crystal element of the present invention. l: Substrate 2: Thin film 3: Reflective layer 4: Electromagnetic radiation 5: Bit 101.102: Substrate 103.104: Electrode 105: Cold mirror 106.107: Alignment control film 108: Liquid crystal composition 109: Observation light 110 :Laser beam

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下記一般式[1]で示されるカプラー残基と結合
したアゾ基を少なくとも1種有するアゾ化合物を含有す
ることを特徴とする光熱変換記録媒体。 一般式〔1〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、一般式[1]においてR1、R2、 R3、R4、R5、R6およびR7は水素原子、ハロゲ
ン原子又は1価の有機残基を表わし、又、R1とR2、
R2とR3、R3と R4、R4とR5、R5とR6およびR6とR7の組合
せのうち、少なくとも1つの組合わせで置換又は未置換
の縮合環を形成してもよい。
(1) A photothermal conversion recording medium characterized by containing an azo compound having at least one kind of azo group bonded to a coupler residue represented by the following general formula [1]. General formula [1] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ However, in general formula [1], R1, R2, R3, R4, R5, R6, and R7 are hydrogen atoms, halogen atoms, or monovalent organic residues. Representation, also R1 and R2,
At least one combination of R2 and R3, R3 and R4, R4 and R5, R5 and R6, and R6 and R7 may form a substituted or unsubstituted fused ring.
(2)下記一般式[1]で示されるカプラー残基と結合
したアゾ基を少なくとも1種含有するアゾ化合物を有す
る被膜と基体からなる特許請求の範囲第1項記載の光熱
変換記録媒体。 一般式〔1〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、一般式[1]においてR1、R2、 R3、R4、R5、R6およびR7は水素原子、ハロゲ
ン原子又は1価の有機残基を表わし、又、R1とR2、
R2とR3、R3と R4、R4とR5、R5とR6およびR6とR7の組合
せのうち、少なくとも1つの組合わせで置換又は未置換
の縮合環を形成してもよい。
(2) The photothermal conversion recording medium according to claim 1, comprising a substrate and a coating having an azo compound containing at least one azo group bonded to a coupler residue represented by the following general formula [1]. General formula [1] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ However, in general formula [1], R1, R2, R3, R4, R5, R6, and R7 are hydrogen atoms, halogen atoms, or monovalent organic residues. Representation, also R1 and R2,
At least one combination of R2 and R3, R3 and R4, R4 and R5, R5 and R6, and R6 and R7 may form a substituted or unsubstituted fused ring.
(3)下記一般式[1]で示されるカプラー残基と結合
したアゾ基を少なくとも1種含有するアゾ化合物と液晶
を含有する液晶組成物からなる特許請求の範囲第1項記
載の光熱変換記録媒体。 一般式〔1〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、一般式[1]においてR1、R2、 R3、R4、R5、R6およびR7は水素原子、ハロゲ
ン原子又は1価の有機残基を表わし、又、R1とR2、
R2とR3、R3と R4、R4とR5、R5とR6およびR6とR7の組合
せのうち、少なくとも1つの組合わせで置換又は未置換
の縮合環を形成してもよい。
(3) The photothermal conversion record according to claim 1, comprising a liquid crystal composition containing a liquid crystal and an azo compound containing at least one azo group bonded to a coupler residue represented by the following general formula [1]. Medium. General formula [1] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ However, in general formula [1], R1, R2, R3, R4, R5, R6, and R7 are hydrogen atoms, halogen atoms, or monovalent organic residues. Representation, also R1 and R2,
At least one combination of R2 and R3, R3 and R4, R4 and R5, R5 and R6, and R6 and R7 may form a substituted or unsubstituted fused ring.
JP60069483A 1985-04-02 1985-04-02 Photo-thermal conversion recording medium Pending JPS61228988A (en)

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JP60069483A JPS61228988A (en) 1985-04-02 1985-04-02 Photo-thermal conversion recording medium

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JPS61228988A true JPS61228988A (en) 1986-10-13

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JP (1) JPS61228988A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0403766A2 (en) * 1989-04-27 1990-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Scanning tunnelling microscope displacement detector

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0403766A2 (en) * 1989-04-27 1990-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Scanning tunnelling microscope displacement detector

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