JPS60104182A - Liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element

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Publication number
JPS60104182A
JPS60104182A JP21196983A JP21196983A JPS60104182A JP S60104182 A JPS60104182 A JP S60104182A JP 21196983 A JP21196983 A JP 21196983A JP 21196983 A JP21196983 A JP 21196983A JP S60104182 A JPS60104182 A JP S60104182A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal element
laser
phase
compound
Prior art date
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Pending
Application number
JP21196983A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuharu Katagiri
片桐 一春
Yoshihiro Oguchi
小口 芳弘
Junichiro Kanbe
純一郎 神辺
Yoshio Takasu
高須 義雄
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPS60104182A publication Critical patent/JPS60104182A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide the titled element capable of forming optical image corresponding to the optical signal transmitted from He-Ne laser, YAG laser, semiconductor laser, and Ar laser, comprising a liquid crystal composition containing specific azulenium compound. CONSTITUTION:The objective element comprising a liquid crystal composition containing pref. 1-5wt% of an azulenium compound of formula [R1-R7 are each H, halogen or monovalent organic residue (e.g. alkyl, alkoxy, aryl, aralkyl, acyl, amino); Z<-> is anionic residue (e.g. perchlorate, fluoroborate, sulfoacetate)]. Said compound will be prepared by the reaction, in a solvent such as alcohol or nitrile in the presence of strong acid at room temperature - boiling point, between azulene compound and glyoxal.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、熱書き込み方式に用いうる液晶素子に関し、
詳しくはレーザビーム、具体的にはへリウムーネオンレ
ーザ、YAGレーザや半導体レーザあるいはアルゴンレ
ーザから生じた光信号に対応した光学像を形成しうる液
晶素子に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a liquid crystal element that can be used in a thermal writing method.
Specifically, the invention relates to a liquid crystal element capable of forming an optical image corresponding to an optical signal generated from a laser beam, specifically a helium-neon laser, a YAG laser, a semiconductor laser, or an argon laser.

これまで、2枚のガラス基板の間に負の誘電異方性をも
つネマチンク液晶とコレステリック液晶との混合液晶あ
るいは正の誘電異方性をもつスメクチック液晶を配置し
た液晶素子を用意し、この液晶素子にレーザビームを照
射すると、その個所が局部的にイントロピック相まで加
熱され、その後の急激な冷却により初期の一様な配向状
態と異なったランタムな配向状態の液晶相が形成される
。その結果、レーザビームが照射された個所では光散乱
を生じ、一様な配向状態にある背景域の液晶相とで光学
的特性に相違が生しることになる。
Until now, we have prepared liquid crystal devices in which a mixed liquid crystal of nematic liquid crystal and cholesteric liquid crystal with negative dielectric anisotropy or smectic liquid crystal with positive dielectric anisotropy is placed between two glass substrates. When the element is irradiated with a laser beam, the area is locally heated to an intropic phase, and then rapidly cooled to form a liquid crystal phase with a random alignment state different from the initial uniform alignment state. As a result, light scattering occurs at the location where the laser beam is irradiated, resulting in a difference in optical properties from the liquid crystal phase in the background region, which is in a uniformly aligned state.

この種の液晶素子は、前述の如き方法でレーザ古き込み
により形成された光学像を消去することもjjl能であ
る。すなわち、液晶素子を構成してl、%る2枚の基板
にそれぞれ電極を設け、レーザビ−ムとは別の熱源(例
えばヒーター)で液晶素子の全体に亘って加熱すること
により、液晶相をイントロピンク相まで加熱し、次いで
前述の電極間に電圧を印加した状態で、例えばスメクチ
・ンク液晶の場合ではホメオトロピ・ンク組織、あるl
/% Liコレステリック−ネマチック液晶の場合では
グランシュアン組織が形成されるまで冷却することによ
って、先の書き込みにより形成してl、)だ光学像を消
去することができる。
This type of liquid crystal element is also capable of erasing an optical image formed by laser aging using the method described above. That is, by providing electrodes on each of the two substrates that make up the liquid crystal element, and heating the entire liquid crystal element with a heat source other than the laser beam (for example, a heater), the liquid crystal phase can be changed. For example, in the case of smectic liquid crystals, a homeotropic liquid crystal is formed by heating to the intro pink phase and then applying a voltage between the electrodes.
/% Li In the case of a cholesteric-nematic liquid crystal, the optical image formed by previous writing can be erased by cooling it until a Grandshuan structure is formed.

この液晶素子は、画素を形成するマトリクス電極構造を
必要とせず、単に電気信号から変換された光信号の走査
によって画像ノーターンを形成することができ、しかも
それを大画面で得られる点本こ利点を有している・ 一方、コンピュータ端末からの電気信号を光信号に変換
する手段として、これまでレーザビームをデジタル画像
情報に応じた駆動信号によって変調させ、この変調され
たレーザ拳ビームを結像レンズ、ガルバノミラ−等の光
偏向器からなる光学系を介して、走査する方式が採用さ
れている。特に、近年ではかかる光信号発生器のビーム
源として半導体レーザが用いられる様になって来た。
This liquid crystal element does not require a matrix electrode structure to form pixels, and can form a no-turn image simply by scanning an optical signal converted from an electrical signal.The main advantage is that it can be obtained on a large screen. On the other hand, as a means of converting electrical signals from computer terminals into optical signals, a laser beam has been modulated by a drive signal according to digital image information, and this modulated laser beam is focused into an image. A method of scanning is adopted through an optical system consisting of a light deflector such as a lens or a galvanometer mirror. In particular, in recent years, semiconductor lasers have come to be used as beam sources for such optical signal generators.

前述の半導体レーザは、一般に長波長域(例えば750
 mm以上)にその発振波長をもっているにもかかわら
ず、前述の液晶素子では長波長ビームにt、Iする熱変
換効率が低く、このため半導体レーザを用いて液晶素子
に書き込みを行なう際には、高パワーのレーザビームを
照射することが必要となっていた。しかし、半導体レー
ザは一般にアルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザな
どのガスレーザに較べそのパワーが小さく、そのため前
述の如き液晶素子に半導体レーザを用いた光信号発生器
よりの光信号を走査させても十分な書き込みが行なえな
いか、又はその光信号の走査スピードを十分に遅くする
ことによってしか書き込みが行なえないという欠点があ
った。
The semiconductor laser described above generally has a long wavelength range (for example, 750 nm).
Despite having an oscillation wavelength of 1 mm or more, the above-mentioned liquid crystal element has a low thermal conversion efficiency for long wavelength beams, so when writing to a liquid crystal element using a semiconductor laser, It became necessary to irradiate with a high-power laser beam. However, semiconductor lasers generally have lower power than gas lasers such as argon lasers and helium-neon lasers, so it is not sufficient to scan a liquid crystal element as described above with an optical signal from an optical signal generator using a semiconductor laser. There is a drawback that writing cannot be performed, or writing can only be performed by slowing down the scanning speed of the optical signal sufficiently.

このために、従来では例えば5ociety ofIn
formation Display Interna
tional Symposium。
For this purpose, conventionally, for example, 5ociety ofIn
display format
tional Symposium.

Digest of Technical Paper
”P、P34−49,172−187゜238−253
(1882)に開示されている様にスメクチック液晶に
黒色の色素を混入したゲスト−ホストタイプのレーザ熱
書き込み方式の液晶素子が提案されている。
Digest of Technical Paper
"P, P34-49, 172-187゜238-253
(1882), a guest-host type laser thermal writing type liquid crystal element in which a black dye is mixed into a smectic liquid crystal has been proposed.

しかし、この種の液晶素子でも半導体レーザからのレー
ザビームを吸収し熱エネルギーに変換する効率か十分な
ものではなく、高パワー又は低スピードの光信号走査を
必要としている。この点で英国公開2081753号公
報に開示された方式の液晶ふ子における欠点と共通して
いる。しかも前述の黒色の色素を用いた液晶素子では黒
色背景の中に白色の画像パターンか形成されているため
、人間1学」二良好な表示とはならない欠点がある。
However, even this type of liquid crystal element does not have sufficient efficiency in absorbing a laser beam from a semiconductor laser and converting it into thermal energy, and requires high power or low speed optical signal scanning. This point is similar to the drawback of the liquid crystal lid of the method disclosed in British Publication No. 2081753. Moreover, the above-mentioned liquid crystal element using a black dye has a drawback in that a white image pattern is formed on a black background, which does not provide a good display.

従って、本発明の1]的は前述の欠点を解消し、特にレ
ーザ発振器を用いた光信号発生器からの光信号走査に応
じて光学像のパターンを形成することができる液晶素子
を提供することにある。
Therefore, the object of the present invention is to provide a liquid crystal element which eliminates the above-mentioned drawbacks and can form an optical image pattern in response to scanning of an optical signal from an optical signal generator using a laser oscillator. It is in.

本発明は、液晶中に下記一般式(])で表わされる化合
物を溶解させた液晶組成物を用いる点に特徴を有してい
る 一般式(1) 一般式(・こおいて、1モ、〜■モ、は、水素原子、ハ
ロゲン原子(塩素原子、臭素原子、沃素原子)kは1価
の有4.戊残基をら″(わす。1価の41機残基とし−
Cは、広I田なものから選択することができるが、11
”トにアルキル基(メチル、コーツール、1]−プロピ
ル、イソプロピル、I+−ブチル、t−ブチル、「l−
゛アミル、11−ヘキシル、n−オクチル、2−エチル
ヘキシル、t−オクチルナト)、アルコキシ、u;lj
 (メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど)
、if:j−1fiもしくは未−C換のアリール基(フ
ェニル、トリル、キシリル、エチルフェニル、メトキシ
フェニル、エトキシフェニル、クロロフェニル、ニトロ
フェニル、ジメチルアミノフェニル、α−ナフチル、β
−ナフテルンヨどLliM’を小もしくは未1肯“(q
lのアラルキル基(へ/シル、2−フェニルエチル、2
−フェニル−1−)fルエチル、ブロモペンジル、2−
ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メト干ンベ/
ジル、ニトロベンジル)、アシル基(アセチル、グロピ
オニル、ブチリル、バレリル、ぺ/ソイル、トリオイル
、ナフトイル、フタロイル、70イルなど) 、1r−
CIq若t、 <は未置換アミノ基(アミン、ジメチル
アミン、ジエチルアミノ、ジエチルアミノ、アセチルア
ミノ、ベンゾイルアミノなど)、14換若しくは未置換
スチリル基(スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエ
チルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メト
キシスチリル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど
)、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ
基又は置換若しくは未置換アリールアゾ基(フェニルア
ゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジエチルア
ミノフェニルアソ、クロロフェニルアゾ、ニトロフェニ
ルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾなど) q
c挙けることができる。又、1(1,と1も7、Lも、
とIも、 、l(、、と1も1.1も、と1へおよび1
j6.と几、の組合せのうち、少なくとも1つの組合で
置換又は未置換の芳香族環(ベンゼン、ナフタレ/、ク
ロロベンセン1、ブロモベンゼン、メチルベンジル、エ
チルベンセ/、メトキシベンゼ/、エトキシベンゼンな
ど)を形成してもよいっ 1(・4は置換又は床高1換のアリール基 (フェニル
、トリル、キシリル、ビフェニル、α−ナフチル、β−
ナフナル、ア/トラリル、ピレニル、メトキシフェニル
、ジェトキシフェニル、トリメトキシフェニル、エトキ
シフェニル、ジェトキシフェニル、クロロフェニル、ジ
クロロ7エ二ル、トリクロロノエニル、ブロモフェニル
、ジブロモフェニル、トリフロモフェニル、エチルフェ
ニル、ジエチルフェニル、ニトロフェニル、アミノノエ
ニル、ジメチルアミノフェニル、ジエチルアミノフェニ
ル、ジベンジルアミノフェニル、シグロピルアミノフェ
ニル、モルホリノフェニル、ピペリジニルフェニル、ヒ
ヘラジノフェニル、ジフェニルアミノフェニル、アセチ
ルアミノフェニル、ベンゾイルアミノフェニル、アセチ
ルフェニル、ペンソイルフェニル、シアノフェニルなど
)を表わす。又は、I(、、は7ジ/、チオノエン、ベ
ンゾ7う/、チオナンテン、ジベンゾフラン、カルバン
ール、フェノチアジン、フエノギリ゛シ/、ピリジノな
との・山素σ(から4、S導さ〕また1価の仲素項基を
表わす。こレラの複素環には、アルキル基(ブチル、エ
チル、II−プロピル、インンロピル、n−ブチル、t
−ブチル、l−アミル、n−ヘキシル、n−オフナル、
2−エチルヘキシル、t−オフナルなど)、アルコキシ
基(メトキシ、エトキシ、フロボキシ、メトキシなど)
、アリール基(フェニル、トリル、キノリル、エチルフ
ェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、クロロ
フェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェニル、
α−ナフチル、β−ナフチルナト)、アミノ基(アミン
、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジエチルアミノ、
アセチルアミノ、ベンゾイルアミツノCど)を置換基と
してf↑まれていてもよい。
The present invention is characterized in that it uses a liquid crystal composition in which a compound represented by the following general formula (]) is dissolved in a liquid crystal. 〜■Mo, is a hydrogen atom, a halogen atom (chlorine atom, bromine atom, iodine atom) k is a monovalent 4. The residue is ``(was. 41 monovalent residue) -
C can be selected from Hiro Ida, but 11
"To alkyl groups (methyl, coateur, 1]-propyl, isopropyl, I+-butyl, t-butyl, "l-
゛Amyl, 11-hexyl, n-octyl, 2-ethylhexyl, t-octylinato), alkoxy, u; lj
(methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.)
, if: j-1fi or un-C-substituted aryl group (phenyl, tolyl, xylyl, ethylphenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, chlorophenyl, nitrophenyl, dimethylaminophenyl, α-naphthyl, β
- Naphternyodo LliM' is small or not yet accepted” (q
l aralkyl group (h/syl, 2-phenylethyl, 2
-phenyl-1-) f-ethyl, bromopenzyl, 2-
Bromophenylethyl, methylbenzyl, methane/
zyl, nitrobenzyl), acyl group (acetyl, gropionyl, butyryl, valeryl, pe/soyl, triooyl, naphthoyl, phthaloyl, 70yl, etc.), 1r-
CIq or t, < is an unsubstituted amino group (amine, dimethylamine, diethylamino, diethylamino, acetylamino, benzoylamino, etc.), a 14-substituted or unsubstituted styryl group (styryl, dimethylaminostyryl, diethylaminostyryl, dipropylaminostyryl, methoxystyryl, ethoxystyryl, methylstyryl, etc.), nitro group, hydroxy group, carboxyl group, cyano group, or substituted or unsubstituted arylazo group (phenylazo, α-naphthylazo, β-naphthylazo, diethylaminophenylazo, chlorophenylazo, nitrophenylazo) , methoxyphenylazo, tolylazo, etc.) q
c. Also, 1 (1, and 1 and 7 and L,
and I also, , l(,, and 1 and 1.1, and 1 and 1
j6. At least one combination of and forms a substituted or unsubstituted aromatic ring (benzene, naphthalene/, chlorobenzene, bromobenzene, methylbenzyl, ethylbenzene/, methoxybenze/, ethoxybenzene, etc.) 1 (・4 is a substituted or 1-substituted aryl group (phenyl, tolyl, xylyl, biphenyl, α-naphthyl, β-
Nafnal, a/tralyl, pyrenyl, methoxyphenyl, jetoxyphenyl, trimethoxyphenyl, ethoxyphenyl, jetoxyphenyl, chlorophenyl, dichloro7enyl, trichloronoenyl, bromophenyl, dibromophenyl, triflomophenyl, ethylphenyl , diethylphenyl, nitrophenyl, aminonoenyl, dimethylaminophenyl, diethylaminophenyl, dibenzylaminophenyl, siglopylaminophenyl, morpholinophenyl, piperidinylphenyl, hyherazinophenyl, diphenylaminophenyl, acetylaminophenyl, benzoylaminophenyl, acetylphenyl, pensoylphenyl, cyanophenyl, etc.). Or, I(,, is 7 di/, thionoene, benzo 7/, thionanthene, dibenzofuran, carbanol, phenothiazine, phenolic acid/, pyridino, etc., σ (from 4, S derived) and monovalent The heterocycle of Kolera represents an alkyl group (butyl, ethyl, II-propyl, inlopyl, n-butyl, t
-butyl, l-amyl, n-hexyl, n-ofnal,
2-ethylhexyl, t-ofnal, etc.), alkoxy groups (methoxy, ethoxy, furoboxy, methoxy, etc.)
, aryl group (phenyl, tolyl, quinolyl, ethylphenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, chlorophenyl, nitrophenyl, dimethylaminophenyl,
α-naphthyl, β-naphthylnato), amino groups (amine, dimethylamino, diethylamino, diethylamino,
acetylamino, benzoylamino C, etc.) may be substituted as a substituent.

又、式中Z0は、バークロレート、フルオロボレー1・
、スルフオアセテ−1・、アイオダイド、クロライド、
ブロマイド、P−トルエフスルホネート、アルキルスル
ホネート、アルキルジスルホネ−1・、ベンゼンジスル
ホイL −1−、ハロスルホネート、ビクラート、テト
フシアンエテレノアニオノ、テトラシアノキノジメタン
アニオンなどのアニス−ン残基ケ次わす。
In addition, Z0 in the formula is barchlorate, fluoroboret 1.
, sulfoacetate-1, iodide, chloride,
Anis-bromide, P-toluefsulfonate, alkylsulfonate, alkyldisulfone-1, benzene disulfoy L-1-, halosulfonate, viclate, tetofcyane eterenoaniono, tetracyanoquinodimethane anion, etc. The rest is next.

以下、本9?y明で用いるアズレニウム塩化合物の14
体レし全下dピに列奪する。
Below is book 9? 14 of azulenium salt compounds used in y-ming
Take the body and take it all the way to the bottom d pi.

02H。02H.

に() l13 (11) (12) (13) (14) C2+t。ni() l13 (11) (12) (13) (14) C2+t.

C H3 (17) CJJ) C)il (20C211゜ 1’、3579〜1’、3593(1961ヰ)に6己
載されている様にアズレノ化合物と対応するアルデヒド
化合物とを強酸の存在下適当な溶媒中で混合することに
よって得られる。
C H3 (17) CJJ) C)il (20C211゜1', 3579-1', 3593 (1961)), an azuleno compound and a corresponding aldehyde compound are mixed in a suitable manner in the presence of a strong acid. Obtained by mixing in a solvent.

用いられる反応溶媒とL7ては、エタノール、ブタノー
ル、ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセトニ
トリル、ンロビオニトリル等のニトリル類、酢蛯などの
有機カルホンliM、無水酢酸なとの酸無水物、ジオキ
サ/、テトラヒドロフランなどの脂環式エーテル類、な
どが用いらノする。捷た、ブタノール、ベンジルアルコ
ールなどにベンゼンなどの芳香族炭化水素を混合するこ
ともできる。反応中の温度は室温〜沸点の範囲から退択
される。
The reaction solvent used and L7 include alcohols such as ethanol, butanol and benzyl alcohol, nitriles such as acetonitrile and nitrobionitrile, organic calphones such as vinegar, acid anhydrides such as acetic anhydride, dioxa/, Alicyclic ethers such as tetrahydrofuran are used. It is also possible to mix aromatic hydrocarbons such as benzene with distilled butanol, benzyl alcohol, etc. The temperature during the reaction ranges from room temperature to boiling point.

合成例1 (化f8i物扁1) P−ジメチルアミノベンズアルデヒド5.96g、70
%過塩素酸10m1とテトラヒドロンラン400 md
より成る液に、1,4−ジメチル−7−イツブロビルア
ズレノ7.92!!とテトラヒドロフラノ400 mA
よりなる溶液を室温下に滴下し、2時間攪拌し、・−晩
装置した。析出物をと遇し、テトラヒドロフランi o
 o mgで3回洗浄濾過を行った。仄に、水200 
IT可で2回洗浄濾過し、さらにテトラヒドロフラン1
00 mlで洗浄p過後乾繰し、化合物、4639を1
0.40g得た。(収率60.6%) 融点:1’60.5〜162℃(キャピラリー法)溶液
吸収スペクトル:アセトン中 λmax 6401m 元素分析: 分子式 C2,H,8CANO。
Synthesis Example 1 (Chemical f8i product 1) P-dimethylaminobenzaldehyde 5.96 g, 70
% perchloric acid 10 ml and tetrahydrone 400 md
A liquid consisting of 1,4-dimethyl-7-itubrovir azuleno7.92! ! and tetrahydrofurano 400 mA
A solution consisting of the following was added dropwise at room temperature, stirred for 2 hours, and left in the apparatus overnight. Treating the precipitate, add tetrahydrofuran io
Wash filtration was performed three times with 0 mg. A little water 200
Washed and filtered twice with IT, and further added 1 liter of tetrahydrofuran.
After washing with 00 ml and drying, compound 4639 was added to 1
0.40g was obtained. (Yield 60.6%) Melting point: 1'60.5-162°C (capillary method) Solution absorption spectrum: λmax 6401m in acetone Elemental analysis: Molecular formula C2,H,8CANO.

計算値(至) 分析値(至) C67,0467,17 H6,586,68 N 3.26 3.19 C18,258,16 合成例2 (化合物扁12) P−ジメチルアミノベンズアルデヒド1.50g、70
%過塩素m 5.0 rnAと酢Cfi、 ] 50 
mA!よシなる溶液中にアズレン1.28.!7と酢酸
150 wJよ勺なる溶液を室温下に滴下し、1時間撹
拌した。析出物を濾過し、酢酸100m1で洗浄後、水
250m1中に投入し、30分攪拌後沖過した。次に水
200m1で洗浄濾過を7回行なった後乾燥し、化合物
1650を2.41.9得た。、(収率67.0%)融
点:260℃以上 (キャピラリー法)溶液吸収スペク
トル:アセトニトリル中λmax 634 nm 元素分析 分子式 〇+oH+s (−lNO*計算値
(至) 分析値00 C63,4264,58 1i 5.05 5.32 N 3.89 4.04 CJ 9.85 9.64 合成例3 (化合物/l616) テトラヒドロ7ラン160 mll中にN〜エチル−3
−ホルミルカルバゾール2.267とグアイアズレン(
アルドリッチ・ケミカル社# : 01,100−4)
2.0.!9を加えて、溶ブソーした後、室温下で70
%過塩素酸5,0rneをmえて加熱し、液温60℃〜
65℃で1o分1fij反応させた。その後、冷却し、
−昼夜放置後、生成した析出物をp別した後、4oIn
lのテトラヒドロフランで4回洗浄および濾過を繰シ返
し、乾燥して粗生成物3.37.IZ(粗状率66.2
%)をイ1tた。次に、この粗生成物0.9.7をメチ
ルエチルケトンとアセトニトリルの混合溶媒(メチルエ
チルケトン:アセトニトリル=8=5)にょシ再結晶し
、精製化合@A54を0.42g得た。
Calculated value (To) Analysis value (To) C67,0467,17 H6,586,68 N 3.26 3.19 C18,258,16 Synthesis example 2 (Compound 12) P-dimethylaminobenzaldehyde 1.50 g, 70
% perchlorine m 5.0 rnA and vinegar Cfi, ] 50
mA! Azulene 1.28. ! A solution of 7 and 150 wJ of acetic acid was added dropwise at room temperature, and the mixture was stirred for 1 hour. The precipitate was filtered, washed with 100 ml of acetic acid, poured into 250 ml of water, stirred for 30 minutes, and filtered. Next, the mixture was washed and filtered seven times with 200 ml of water and then dried to obtain 2.41.9 of Compound 1650. , (yield 67.0%) Melting point: 260°C or higher (capillary method) Solution absorption spectrum: λmax 634 nm in acetonitrile Elemental analysis Molecular formula 〇+oH+s (-lNO*calculated value (total) Analysis value 00 C63,4264,58 1i 5.05 5.32 N 3.89 4.04 CJ 9.85 9.64 Synthesis example 3 (compound/l616) N~ethyl-3 in 160 ml of tetrahydro7 run
- formylcarbazole 2.267 and guaiazulene (
Aldrich Chemical Company #: 01,100-4)
2.0. ! After adding 9 and dissolving, 70 at room temperature.
Add 5.0rne of perchloric acid and heat until the liquid temperature reaches 60℃~
The reaction was carried out at 65° C. for 1 minute. Then cool it down,
-After standing for day and night, after separating the formed precipitate, 4oIn
Washing and filtration four times with 1 liter of tetrahydrofuran and drying yielded the crude product 3.37. IZ (roughness rate 66.2
%). Next, 0.9.7 of this crude product was recrystallized in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and acetonitrile (methyl ethyl ketone:acetonitrile=8=5) to obtain 0.42 g of purified compound @A54.

融点=206℃〜208°C(キャピラリー法)溶液吸
収スペクトル(ンクロルメタン中):λ max = 
612 nm 元素分析二 分子式 C5oHsoC1l N(JaC
1模、イI市(至) 分析値(至) C71,4872、o4 H6,016,14 N 2,78 2.B□ C17,037,01 次に、本発明の液晶素子を図面に従って説明する。
Melting point = 206°C to 208°C (capillary method) Solution absorption spectrum (in chlormethane): λ max =
612 nm Elemental analysis Binary Molecular formula C5oHsoC1l N(JaC
1 model, I city (to) Analysis value (to) C71,4872, o4 H6,016,14 N 2,78 2. B□ C17,037,01 Next, the liquid crystal element of the present invention will be explained according to the drawings.

第1図は、本発明の液晶素子の断面図を表わしている。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a liquid crystal element of the present invention.

液晶組成物108としては、前述の一般式(1)で表わ
される化合物を溶解した液晶が用いられる。本発明の素
子で用いる液晶は、スメクチック液晶が適しており、特
に正の誘電異方性をもつスメクチック液晶のA相又はC
相が適している。
As the liquid crystal composition 108, a liquid crystal in which a compound represented by the aforementioned general formula (1) is dissolved is used. The liquid crystal used in the device of the present invention is suitably a smectic liquid crystal, particularly the A phase or C phase of a smectic liquid crystal having positive dielectric anisotropy.
phase is suitable.

かかるスメクチック液晶は、レーザビームで局部的に加
熱されるまではホメオトロピック組織のスメクチック相
に配列されており、温度−L昇に伴ないホメオトロピッ
ク組織のスメクチンク相→ネマチック相→イントロピッ
ク相と相変化することができる。次いで、イソトロピッ
ク相から急冷状態でスメクチック相へ相変化させると光
散乱特性をもつフォーカルコニック組織のスメチック相
が形成されることになる。従って、レーザビームを照射
して液晶素子中のスメクチック相を局部的にイソトロピ
ック相まで加熱し、その後急冷するとその個所がフォー
カルコニック組織のスメクチック相となり、この状態が
光散乱特性をもっているので、1jb述のレーザビーム
による光信号走査によって静止画像のパターンを形成す
ることができる。
Such smectic liquid crystal is arranged in a smectic phase of a homeotropic structure until it is locally heated by a laser beam, and as the temperature -L increases, the phase changes from the smectic phase of the homeotropic structure to the nematic phase to the intropic phase. Can change. Next, when the phase is changed from the isotropic phase to the smectic phase in a rapidly cooled state, a smectic phase with a focal conic structure having light scattering properties is formed. Therefore, when the smectic phase in a liquid crystal element is locally heated to an isotropic phase by irradiation with a laser beam, and then rapidly cooled, that area becomes a smectic phase with a focal conic structure, and this state has light scattering properties. A still image pattern can be formed by scanning an optical signal using the laser beam described above.

本発明の液晶素子で用いる正の誘電異方性をもつスメク
チ・ンク相を形成しうる化合物としては、例えば特開昭
5fi−150030号公報、特開昭57−40429
号公報、特開昭57−51779号公報などに記載され
た化合物を用いることができる。
Compounds capable of forming a smectine phase having positive dielectric anisotropy used in the liquid crystal element of the present invention include, for example, JP-A-5FI-150030 and JP-A-57-40429.
Compounds described in JP-A-57-51779 and the like can be used.

前述の一般式(1)で表わされる化合物は、液晶に対し
て0.1重量%以上、好ましくは1重量%〜3重量%の
範囲で液晶組成物108中に含有することができる。
The compound represented by the aforementioned general formula (1) can be contained in the liquid crystal composition 108 in an amount of 0.1% by weight or more, preferably in the range of 1% to 3% by weight based on the liquid crystal.

又、本発明の液晶素子は、正の誘電異方性をも゛ つス
メクチック液晶とコレステリック液晶の混合液晶を用い
ることも可能である。コレステリック液晶は、液晶組成
物108中に0.5重量%〜15重hj%の範囲、好ま
しくは1重量%〜5重着%の範囲で含有することが適し
ている。
Further, the liquid crystal element of the present invention can also use a mixed liquid crystal of smectic liquid crystal and cholesteric liquid crystal having positive dielectric anisotropy. It is suitable that the cholesteric liquid crystal is contained in the liquid crystal composition 108 in a range of 0.5% by weight to 15% by weight, preferably in a range of 1% by weight to 5% by weight.

本発明で用いうるコレステリック液晶としては、コレス
テリルクロライド、コレステリルブロマイト、コレステ
リルヨーダイト、コレステリルニトレート、コレステリ
ルクpロデヵノエート、コレステリルブチレート、コレ
ステリルカプレート、コレステリルオレート、コレステ
リルリル−ト、コレステリルラウレート、コレステリル
ミリステート、コレステリルヘプチルカルバメート、コ
レステリルカプレート・ル、コレステリルラウリルエー
テル、コレステリルオレイルエーテルなどのコレステリ
ル化合物が挙げられる。
Cholesteric liquid crystals that can be used in the present invention include cholesteryl chloride, cholesteryl bromite, cholesteryl iodite, cholesteryl nitrate, cholesteryl chloridecanoate, cholesteryl butyrate, cholesteryl caprate, cholesteryl oleate, cholesteryl lylate, cholesteryl laurate, Examples include cholesteryl compounds such as cholesteryl myristate, cholesteryl heptyl carbamate, cholesteryl caprate, cholesteryl lauryl ether, and cholesteryl oleyl ether.

かかる混合液晶を用いた液晶素子は、レーザビームの局
部的な加熱によりホメオトロピックのスメクチック相か
らイントロピック相へ相変化を生し、これを急冷すると
前述と同様にフォーカルコニ・ンク組織のスメクチック
相を形成することができる。
A liquid crystal element using such a mixed liquid crystal undergoes a phase change from a homeotropic smectic phase to an intropic phase by local heating with a laser beam, and when this is rapidly cooled, a focal conical structure smectic phase changes as described above. can be formed.

前述の如き方式で記録された液晶素子は、液晶組成物1
08を全面に例えばヒータにより加熱してイソトロピッ
ク相へ相変化させた後に、液晶素子を構成している基板
101と102 (例えば、透明ガラス板やアクリル板
などのプラスチック板)に設けた電極103 と104
の間に適当な直流又は交流を印加するとともに徐冷する
ことによって、イントロピック相→ネマチック相→スメ
クチンク相へ相変化を生じることができる。この際、ネ
マチック相で液晶が正の誘電異方性を有しているために
電界方向にネマチック液晶が配列し、さらに冷却するホ
メオトロピック組織のスメクチックA相又はC相が形成
されて、書き込み画像パターンが消去される。電極10
3と104は、一般的に酸化インジウム、酸化錫あるい
はI To (Indium Tin 0xide)の
透明導゛屯膜によって得られ、又必要に応してアルミニ
ウム、クロム、銀やニッケルなどの金属導電膜によって
得られる。この電極103とlo4は、ノ、(板101
 と102の全面に亘って被膜されていることが望まし
く、必ずしも所定のパターン形状あるいはマトリクス電
極構造とする必要がない。しかし、所望に応して所定の
パターン形状あるいはマトリクス電極構造に設計するこ
とも可能である。
The liquid crystal element recorded by the above-mentioned method uses liquid crystal composition 1.
After heating the entire surface of 08 with a heater to change the phase to an isotropic phase, electrodes 103 are provided on substrates 101 and 102 (for example, plastic plates such as transparent glass plates and acrylic plates) constituting the liquid crystal element. and 104
By applying an appropriate direct current or alternating current during the process and slow cooling, it is possible to cause a phase change from an intropic phase to a nematic phase to a smectinic phase. At this time, since the liquid crystal is in the nematic phase and has positive dielectric anisotropy, the nematic liquid crystal is aligned in the direction of the electric field, and a smectic A phase or C phase with a homeotropic structure is further formed to cool the written image. The pattern will be erased. Electrode 10
3 and 104 are generally obtained by a transparent conductive film of indium oxide, tin oxide, or ITO (Indium Tin Oxide), and if necessary, by a metal conductive film of aluminum, chromium, silver, or nickel. can get. This electrode 103 and lo4 are
It is desirable that the film be coated over the entire surface of the electrodes 102 and 102, and it is not necessarily necessary to have a predetermined pattern shape or matrix electrode structure. However, it is also possible to design a predetermined pattern shape or matrix electrode structure as desired.

本発明の液晶素子は、それぞれの電極103と104の
上に絶縁性物質の被膜からなる配向制御膜106と10
7を設けることができる。この配向制御膜106と10
7は、これらの臨界面で接する液晶組成物10Bの配列
方向を所望の状態に制御することができる表面構造を有
している。又、この配向制御膜10Bと107は液晶組
成物108を通して流れる電流の発生を防止することが
できる絶縁膜としても機能する。この種の配向制御膜1
0Bと107は、例えば−酸化珪素、二酸化珪素、酸化
アルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化
セリウム、フン化セリウム、シリコン窒化物、シリコン
炭化物、ホウ素窒化物、ポリビニルアルコール、ポリイ
ミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパ
ラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ
ビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリ
スチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂
やアクリル樹脂、オルガノシロキサン、ポリフッ化エチ
レンなどの絶縁性物質を蒸着法、浸漬塗布法、スピンナ
ー塗布法あるいはスプレー塗布法により被膜形成するこ
とによって得られる。
The liquid crystal element of the present invention has alignment control films 106 and 10 made of an insulating material coating on the electrodes 103 and 104, respectively.
7 can be provided. These alignment control films 106 and 10
7 has a surface structure that allows the alignment direction of the liquid crystal composition 10B that contacts these critical surfaces to be controlled to a desired state. The alignment control films 10B and 107 also function as insulating films that can prevent the generation of current flowing through the liquid crystal composition 108. This kind of alignment control film 1
0B and 107 are, for example, silicon oxide, silicon dioxide, aluminum oxide, zirconia, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, polyesterimide. , polyparaxylerin, polyester, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin, organosiloxane, polyethylene fluoride, and other insulating materials by vapor deposition or dip coating. It can be obtained by forming a film using a spinner coating method, a spinner coating method, or a spray coating method.

配向制御膜106と107は、所定の書き込み方式に応
じて、その表面を布、紙やビロードなどによりラビング
するか、あるいは被膜形成時に斜め薄着法を用いること
によって、液晶組成物108をホモジニアス配向させる
表面構造をもっことができ、あるいはその表面を例えば
特開昭50−38150号公報に記載されたパーフルオ
ロアルキル基をもつシラン化合物、特開昭50−501
147号公報に記載されたアルキルトリアルコキシシラ
ン、特開昭50−63955号公報に記載されたテトラ
アルコキシシランなどの化合物により処理することによ
って、液晶組成物108をホメオトロピック配向させる
表面構造をもつことができる。
The alignment control films 106 and 107 homogeneously align the liquid crystal composition 108 by rubbing their surfaces with cloth, paper, velvet, etc., or by using an oblique thin coating method when forming the film, depending on a predetermined writing method. A silane compound having a surface structure or having a perfluoroalkyl group on the surface, for example, as described in JP-A-50-38150, JP-A-50-501
The liquid crystal composition 108 has a surface structure that homeotropically aligns the liquid crystal composition 108 by treating it with a compound such as an alkyltrialkoxysilane described in Japanese Patent Publication No. 147 or a tetraalkoxysilane described in JP-A-50-63955. I can do it.

配向制御11910Bと107は、使用した絶縁性物質
の種類によって、その最適な膜厚が異なるが、一般的に
100 A〜1ルの範囲、好ましくは500 A〜20
0OAの範囲に定めることが適しており、さらにこの配
向制御膜1013と107が反射防止膜としても作用す
る様な膜厚に設定しておくことが望ましい。
The optimum film thickness of the orientation control 11910B and 107 varies depending on the type of insulating material used, but it is generally in the range of 100 A to 1 L, preferably 500 A to 20 A.
It is suitable to set the thickness in the range of 0 OA, and it is also desirable to set the film thickness so that the alignment control films 1013 and 107 also function as antireflection films.

又、本発明の液晶素子は図示する如く背面方向からレー
ザビーム110を照射することによって前述の静止画像
を形成し、正面方向から自然光、ハロゲンランプ光、午
セノンランプ光、蛍光灯光などの観察光109を素子中
に入射させて、この光線をコールドミラー105からの
反射光として、前述の静止画像を観察することができる
。このコールドミラー105は、一般に可視光に対して
は十分に高い反射率を有し、600■以上の長波長光に
対しては高い透過率特性を有している。具体的には、G
e/MgF2 (1/’4人) /CeO2(1/4人
) /MgF2(,1/4λ)/CeO2(1/4人)
からなる多層膜が知られている。
In addition, the liquid crystal element of the present invention forms the above-mentioned still image by irradiating the laser beam 110 from the rear direction as shown in the figure, and uses observation light 109 such as natural light, halogen lamp light, noon lamp light, fluorescent lamp light, etc. from the front direction. The above-mentioned still image can be observed by making the light beam incident on the element and using this light beam as reflected light from the cold mirror 105. This cold mirror 105 generally has a sufficiently high reflectance for visible light and a high transmittance for light with a long wavelength of 600 cm or more. Specifically, G
e/MgF2 (1/'4 people) /CeO2 (1/4 people) /MgF2 (,1/4λ)/CeO2 (1/4 people)
A multilayer film consisting of

しかし、本発明ではコールドミラー105の使用を省略
することもできる。又、本発明の素子はコールドフィル
ター(1Δ示せず)を電極103と配向制御膜10Bの
間に設けることもできる。このコールドフィルターは、
ijl視光に対しては十分に高い透過率を有し、又長波
長光に対しては十分に高い反射率特性を有している。
However, in the present invention, the use of cold mirror 105 can also be omitted. Further, in the element of the present invention, a cold filter (1Δ not shown) can be provided between the electrode 103 and the alignment control film 10B. This cold filter is
It has a sufficiently high transmittance for visible light, and a sufficiently high reflectance for long wavelength light.

次に、本発明の液晶素子を用いて表示パターンを形成し
た実施例を第2図に示す。
Next, FIG. 2 shows an example in which a display pattern was formed using the liquid crystal element of the present invention.

、前述の一般式(1)で表わされる化合物のうち、化合
物No、 1の化合物をスメクチック液晶(4,4’−
シアノオクチルビフェニル;正の誘電異方性をもつ)に
対して2重量%の割合となる様に溶解した。この際、液
晶組成物をイントロビック相となるまで加熱してから、
前述の化合物を添加し、この液を内壁面がホメオトロピ
ック配向処理されたセル中に注入し、その後徐冷するこ
とによってホメ第1・ロピック組織をもつスメクチック
相の液晶を形成させた。
Among the compounds represented by the above general formula (1), compound No. 1 was converted into a smectic liquid crystal (4,4'-
Cyanooctylbiphenyl (having positive dielectric anisotropy) was dissolved in a proportion of 2% by weight. At this time, after heating the liquid crystal composition until it becomes an introbic phase,
The above-mentioned compound was added, and this liquid was injected into a cell whose inner wall surface had been subjected to a homeotropic alignment treatment, and then slowly cooled to form a smectic phase liquid crystal having a homeotropic structure.

液晶セル201に画像を書き込むために使用するレーザ
ビームを発射するレーザ発振器202は、液晶中に含有
させた前述の化合物の吸収効率に対応した波長のものか
ら選択することができるが、特にヘリウム−ネオンレー
ザ、半導体レーザあるいはYAGレーザより発射された
長波長のレーザビームあるいはアルゴンレーザより発射
された短波長のレーザビームを用いることができる。レ
ーザ発振器202より発射したレーザビームは、変調器
203 、7.’) y ト204 、 Y軸偏向器2
05 、 X軸偏向器206を通過して変調と偏向され
てから、書き込みレンズ208により集光され、グイク
ロイックミラー209を介して液晶素子201の背面か
ら照射yれる。前述の変調器203.Y軸偏向器205
 +、 X軸偏向器206は、駆動用増幅器210を介
して信号源211 と接続されており、これによってレ
ーザビームが制御されて、信号源211からのデジタル
電気信号を光信号に変換する。この光信号によって液晶
素子201に画像パターンが書き込まれる。
The laser oscillator 202 that emits the laser beam used to write an image on the liquid crystal cell 201 can be selected from those with wavelengths that correspond to the absorption efficiency of the above-mentioned compounds contained in the liquid crystal. A long wavelength laser beam emitted from a neon laser, a semiconductor laser, or a YAG laser, or a short wavelength laser beam emitted from an argon laser can be used. The laser beam emitted from the laser oscillator 202 is transmitted to modulators 203, 7. ') y 204, Y-axis deflector 2
05, the light passes through the X-axis deflector 206, is modulated and deflected, is focused by the writing lens 208, and is irradiated from the back surface of the liquid crystal element 201 via the graphical mirror 209. The aforementioned modulator 203. Y-axis deflector 205
The +, X-axis deflector 206 is connected to the signal source 211 via a driving amplifier 210, thereby controlling the laser beam and converting the digital electrical signal from the signal source 211 into an optical signal. An image pattern is written on the liquid crystal element 201 by this optical signal.

しかる後に、液晶素子201の周辺部に取り付けたペル
チェ素子212を電llA213により作動させて、急
冷状態となして、液晶素子201を冷却し、フォーカル
コニック組織のスメクチック相を形成させ、光信号の照
射された個所が光散乱状態となった画像パターンが形成
された。この際、ベニルチェ素子212は温度コントロ
ール器214により温度コントロールされる。
Thereafter, the Peltier element 212 attached to the peripheral part of the liquid crystal element 201 is activated by the electric current 213 to bring it into a rapid cooling state, cooling the liquid crystal element 201 to form a smectic phase with a focal conic structure, and irradiating the optical signal. An image pattern was formed in which the exposed areas were in a light scattering state. At this time, the temperature of the Venirtier element 212 is controlled by the temperature controller 214.

この画像パターンは、液晶素子201の前面に配置いた
照明源215を点灯することによって、観察することが
できる。
This image pattern can be observed by turning on the illumination source 215 placed in front of the liquid crystal element 201.

次いで、前述の画像パターンを消去するには、液晶素子
201に設けた透明ヒータ216(例えば、酸化インジ
ウム膜、酸化錫膜、ITO膜)を温度コントロール器2
17を介したヒータ用電源218により加熱し、液晶相
からイントロピック相へ相変化を生じさせる。しかる後
、液晶素子201に設けた電極219と220の間に交
流電源221より電圧を印加しながら、液晶素子201
を徐冷して、ホメオトロピック組織のスメクチック相を
形成させた。
Next, in order to erase the above-mentioned image pattern, a transparent heater 216 (for example, an indium oxide film, a tin oxide film, an ITO film) provided on the liquid crystal element 201 is connected to a temperature controller 2.
The liquid crystal layer is heated by a heater power source 218 via a heater power source 218 to cause a phase change from a liquid crystal phase to an intropic phase. After that, while applying a voltage from the AC power supply 221 between the electrodes 219 and 220 provided on the liquid crystal element 201, the liquid crystal element 201
was slowly cooled to form a smectic phase with a homeotropic structure.

この結果、書き込まれた画像パターンが消去された。As a result, the written image pattern was erased.

本発明の液晶素子は、大画面ディスプレイとして応用す
ることが可能であり、又所定の情報を含む光信号をトラ
ックに沿って走査してピットを形成する記録方式の光デ
イスクシステムにも応用することができる。
The liquid crystal element of the present invention can be applied to a large screen display, and can also be applied to an optical disk system using a recording method in which pits are formed by scanning an optical signal containing predetermined information along a track. I can do it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の液晶素子の断面図である。 第2図は、本発明の液晶素子を用いた表示方式の1例を
表わす説明図である。 +01.Io2;基板 +03,104;電極 105;コール1ζミラー 106.10?、配向制御膜 108;液晶組成物 108;観察光 +10;レーザビーム
FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal element of the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a display method using the liquid crystal element of the present invention. +01. Io2; Substrate +03,104; Electrode 105; Cole 1ζ mirror 106.10? , alignment control film 108; liquid crystal composition 108; observation light +10; laser beam

Claims (1)

【特許請求の範囲】 液晶と下記一般式(1)で表わさiする化合物を含有す
る液晶組成物をイ1することを特徴とする液晶素子。 一般式(1) (式中、It、 、 Iも2,1も3.」も4+’も6
.jイ1.および1(1□は水素原子、ハロケン原子又
は1価の有機残基を表わす。It8は置換若しくは未1
1ζ1漠のアリール基又は置換若しくは未2を換の複素
環から誘導された1価の復素項基を表わす。Zけ、アニ
オン残基を表わす。)
[Scope of Claims] A liquid crystal element comprising a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a compound represented by the following general formula (1). General formula (1) (In the formula, It, , I is also 2, 1 is also 3.'' and 4+' are also 6
.. ji1. and 1 (1□ represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic residue. It8 is substituted or unused.
1ζ1 represents a monovalent hydrogen atom group derived from a wide variety of aryl groups or substituted or unsubstituted heterocycles. Z represents an anionic residue. )
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