JPS60118788A - Liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element

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Publication number
JPS60118788A
JPS60118788A JP22627383A JP22627383A JPS60118788A JP S60118788 A JPS60118788 A JP S60118788A JP 22627383 A JP22627383 A JP 22627383A JP 22627383 A JP22627383 A JP 22627383A JP S60118788 A JPS60118788 A JP S60118788A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal element
phase
laser
smectic
Prior art date
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Pending
Application number
JP22627383A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuharu Katagiri
片桐 一春
Yoshihiro Oguchi
小口 芳弘
Junichiro Kanbe
純一郎 神辺
Yoshio Takasu
高須 義雄
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:A liquid crystal element, having the composition in which a specific pyrylium compound is dissolved in a liquid crystal, and capable of forming optical signals corresponding to optical signals given from He-Ne laser, YAG laser, semiconductor laser or Ar laser. CONSTITUTION:A liquid crystal element containing a liquid crystal composition of a pyrylium compound of formula I [X is S, O or Ce; R1 and R2 are (substituted) aryl; R3 is (substituted) aryl or (substituted) heterocyclic ring; R4-R7 are H, halogen, alkyl or alkoxyl; n is 1 or 2; A<-> is anion], e.g. the compound of formula II, in an amount of preferably 1-3wt% dissolved in the phase A or C of preferably a smectic liquid crystal having positive dielectric anisotropy. USE:Optical disk systems of the recording method for forming a large scope display and pit.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、熱書き込み方式に用いうる液晶素子に関し、
詳しくはレーザビーム、具体的にはヘリウム−ネオンレ
ーザ、YAGレーザや半導体レーザあるいはアルゴンレ
ーザから生じた光信11.に対応した光学像を形成しう
る液晶素子に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a liquid crystal element that can be used in a thermal writing method.
More specifically, optical signals generated from laser beams, specifically helium-neon lasers, YAG lasers, semiconductor lasers, or argon lasers11. The present invention relates to a liquid crystal element that can form an optical image corresponding to the above.

これまで、2枚のガラス基板の間に負の誘電異方性をも
つネマチック液晶とコレステリック液晶との114合液
晶あるいは正の誘電異方性をもつスメクチック液晶を配
置した液晶素子を用、σ1し、この液晶素子にレーザビ
ームを照射すると、その個所が局部的にイントロピック
相まで加熱され、その後の急激な冷却により初期の一様
な配向状1.Qlと異なったランダムな配向状L11.
;の液晶相が形成される。その結果、レーザビームが照
射された個所では光71&乱を生じ、一様な配向状態に
ある背);(域の液晶相とで光学的特性に相違が生じる
ことになる。
Until now, liquid crystal devices have been used in which a 114-mer liquid crystal of a nematic liquid crystal with a negative dielectric anisotropy and a cholesteric liquid crystal or a smectic liquid crystal with a positive dielectric anisotropy is arranged between two glass substrates. When this liquid crystal element is irradiated with a laser beam, the area is locally heated to an intropic phase, and then rapidly cooled to change the initial uniform orientation state 1. Random orientation L11.Ql different from Ql.
A liquid crystal phase of ; is formed. As a result, light 71 is scattered at the location where the laser beam is irradiated, resulting in a difference in optical properties between the liquid crystal phase and the uniformly oriented back region.

この種の液晶素子は、前述の如き方法でレーサ書き込み
により形成された光学像を消去することも可能である。
This type of liquid crystal element can also erase an optical image formed by laser writing using the method described above.

すなわち、液晶素子を構成している2枚の基板にそれぞ
れ電極を設け、レーザビームとは別の熱源(例えばヒー
ター)で液晶素子の仝休に(1°って加熱することによ
り、液晶相をイソトロピック相まで加熱し、次いで前述
の電極間に電圧を印加した状態で、例えばスメクチ・ン
ク液晶の場合ではホメオトロピック組織、あるいはコレ
ステリック−ネマチック液晶の場合ではグランシュアン
組織か形成されるまで冷却することによって、先の書き
込みにより形成していた光学像を消去することができる
In other words, electrodes are provided on each of the two substrates that make up the liquid crystal element, and the liquid crystal phase is changed by heating the liquid crystal element (1°) with a heat source other than the laser beam (for example, a heater). It is heated to the isotropic phase, and then cooled with a voltage applied between the electrodes described above until, for example, a homeotropic structure is formed in the case of smectic liquid crystals, or a Grandshuan structure is formed in the case of cholesteric-nematic liquid crystals. By doing so, the optical image formed by the previous writing can be erased.

この液晶素子は、画素を形成するマトリクス電極構造を
必要とせず、単に電気信号から変換された光信号の走査
によって画像パターンを形成することができ、しかもそ
れを大画面で得られる点に利点を有している。
This liquid crystal element does not require a matrix electrode structure to form pixels; it can form an image pattern simply by scanning optical signals converted from electrical signals, and the advantage is that it can be obtained on a large screen. have.

一方、コンピュータ端末からの電気信号を光信−4に変
換する手段として、これまでレーザビームをテシタル画
像情報に応じた駆動信号によって変調させ、この変調さ
れたレーザ・ビームを結像レンズ、ガルバノミラ−等の
光偏向器からなる光学系を介して、走査する方式が採用
されている。4.′lに、近年ではかかる光信号発生器
のビーム源として半導体レーザが用いられる様になって
来た。
On the other hand, as a means of converting electrical signals from a computer terminal into optical signals, a laser beam has been modulated by a drive signal according to the digital image information, and this modulated laser beam is sent to an imaging lens, a galvanometer mirror, etc. A scanning method is adopted through an optical system consisting of a light deflector. 4. In recent years, semiconductor lasers have come to be used as beam sources for such optical signal generators.

前述の半導体レーザは、一般に長波長域(例えば750
 mm以に)にその発振波長をもっているにもかかわら
ず、前述の液晶素子では長波長ビームに対する熱変換効
率が低く、このため半導体レーザを用いて液晶素子に書
き込みを行なう際には、高パワーのレーザビームを照射
することが8黄となっていた。しかし、半導体レーザは
一般にアルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザなどの
ガスレーザに較べそのパワーが小さく、そのため前述の
如き液晶素子に半導体レーザを用いた光信号発生器より
の光信号を走査させても十分な書き込みが行なえないか
、又はその光信号の走査スピードを十分に遅くすること
によってしか書き込みか行なえないという欠点かあった
The semiconductor laser described above generally has a long wavelength range (for example, 750 nm).
Despite having an oscillation wavelength of less than 1 mm), the aforementioned liquid crystal elements have low heat conversion efficiency for long wavelength beams, and for this reason, when writing to liquid crystal elements using a semiconductor laser, high power is required. Laser beam irradiation was 8 yellow. However, semiconductor lasers generally have lower power than gas lasers such as argon lasers and helium-neon lasers, so even if the optical signal from an optical signal generator using a semiconductor laser is used to scan a liquid crystal element as described above, it is not sufficient. The disadvantage is that writing cannot be performed, or writing can only be performed by slowing down the scanning speed of the optical signal sufficiently.

このために、従来では例えば5ociety ofIn
formation Display Interna
tional Symposium。
For this purpose, conventionally, for example, 5ociety ofIn
display format
tional Symposium.

Digest of Technical Paper
”P、P34−49,172−187 。
Digest of Technical Paper
”P, P34-49, 172-187.

238−253(If]82)に開示されている様にス
メクチック液晶に黒色の色素を混入したゲスト−ホスト
タイプのレーザ熱書き込み方式の液晶素子か提案されて
いる。
238-253 (If] 82), a guest-host type laser thermal writing type liquid crystal element in which a black dye is mixed into a smectic liquid crystal has been proposed.

しかし、この種の液晶素子でも半導体レーザからのレー
ザビームを吸収し熱エネルギーに変換する効率が十分な
ものではなく、高パワー又は低スピードの光信号走査を
必要としている。この点で英国公開2091753号公
報に開示された方式の液晶素子における欠点と共通して
いる。しかも前述の黒色の色素を用いた液晶素子では黒
色背景の中に白色の両像パターンが形成されているため
、人間工学J二良好な表示とはならない欠点がある。
However, even this type of liquid crystal element does not have sufficient efficiency in absorbing a laser beam from a semiconductor laser and converting it into thermal energy, and requires high power or low speed optical signal scanning. This point is similar to the drawback of the liquid crystal element of the type disclosed in British Publication No. 2091753. Furthermore, the above-mentioned liquid crystal element using a black dye has a drawback in that it does not provide good ergonomics display because both white image patterns are formed on a black background.

従って、本発明の目的は前述の欠点を解消し、1.1+
にレーザ発振器を用いた光信号発生器からの光信号走査
にIイ、:じて光学像のパターンを形成することができ
る液晶素子を提供することにある。
Therefore, it is an object of the present invention to overcome the aforementioned drawbacks and to
Another object of the present invention is to provide a liquid crystal element that can form an optical image pattern by scanning an optical signal from an optical signal generator using a laser oscillator.

本発明の液晶素子は、液晶中に下記一般式(1)で示さ
れるピリリウム系化合物を溶解させた液晶組成物を用い
る点に特徴を有している。
The liquid crystal element of the present invention is characterized in that it uses a liquid crystal composition in which a pyrylium compound represented by the following general formula (1) is dissolved in liquid crystal.

一般式(1) 式中、Xけ硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を示す。General formula (1) In the formula, X represents a sulfur atom, an oxygen atom or a selenium atom.

几、およびIt2は、置換又は未置換のアリール基(フ
ェニル、α−ナフチル、β−ナフチル、トリル、キシリ
ル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル、クロロフ
ェニル、ブロモフェニル、ジクロロフェニル、ジブロモ
フェニル、トリクロロフェニル、トリブロモフェニルな
ど)を示す。
几 and It2 are substituted or unsubstituted aryl groups (phenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, tolyl, xylyl, methoxyphenyl, dimethoxyphenyl, chlorophenyl, bromophenyl, dichlorophenyl, dibromophenyl, trichlorophenyl, tribromophenyl ).

kLBは、置換もしくは未置換のアリール基(フェニル
、α−ナフチル、β−ナフチル、アントラリル、ピレニ
ル、トリル、キシリル、ビフェニル、メトキシフェニル
、ジメトキシフエニ/L/、エトキシフェニル、ジェト
キシフェニル、アミロキシフェニル、ニトロフェニル、
ジメチルアミノフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジ
プロピルアミノフェニル、ジベンジルアミ/フェニル、
ジフェニルアミノフェニル、ヒドロキシフェニル、クロ
ロフェニル、ジクロロフェニル、トリクロロフェニル、
ブロモフェニル、ジクロロフェニルなど)又は置換又は
未置換の払バ環基(3−カルバゾリル、9−メチル−3
−カルバゾリル、9−エチル−J−力ルパゾリル、7−
ニトロー9−エチル−3−カルバゾリル、2−ヒリジル
、4−ピリジル、2−キノリル、4−−1’ / IJ
ル、3−インドリル、2−フェニル−3−イノドリル、
■−メチルー2−フェニルー3−イ/ドリルなど)を示
す。几。、几、、 It、Jノよひ几、は、水素原子、
へロゲ7原子(娼二に原子、某素原子、フン素原子ン、
アルキル よチル、ブL7ビル、ブブル、γミル、へ」、シル、A
メチル、/ニルカ゛ど)又はアルコキシ基(メトキシ、
エトキシ、プロポ“キシ、)゛トー1−シ、アミロキシ
など)を示す。nは、1又は2である。
kLB is a substituted or unsubstituted aryl group (phenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, anthralyl, pyrenyl, tolyl, xylyl, biphenyl, methoxyphenyl, dimethoxyphenyl/L/, ethoxyphenyl, jetoxyphenyl, amyloxy phenyl, nitrophenyl,
Dimethylaminophenyl, diethylaminophenyl, dipropylaminophenyl, dibenzylamine/phenyl,
Diphenylaminophenyl, hydroxyphenyl, chlorophenyl, dichlorophenyl, trichlorophenyl,
bromophenyl, dichlorophenyl, etc.) or substituted or unsubstituted cyclic groups (3-carbazolyl, 9-methyl-3
-Carbazolyl, 9-ethyl-J-rupazolyl, 7-
Nitro 9-ethyl-3-carbazolyl, 2-hyridyl, 4-pyridyl, 2-quinolyl, 4--1'/IJ
, 3-indolyl, 2-phenyl-3-inodolyl,
■-Methyl-2-phenyl-3-y/drill, etc.).几. , 几, It, JノYOHI 几, is a hydrogen atom,
Heroge 7 atoms (two atoms, a certain elementary atom, a fluorine atom,
Alkyl, Chill, B L7 Bill, Buburu, γ Mil, to”, Sil, A
methyl, /nyl group) or alkoxy group (methoxy,
n is 1 or 2.

但し、nが2の時l(、4はそれぞれ同一<、シくに異
なっていてもよく、又R,はそれぞれ同一もしくは異な
っていてもよい。
However, when n is 2, l(, 4 may be the same <, and may be very different, and R may be the same or different, respectively.

Aeは、陰イオ/例えばバークロレート、フルオロボレ
ート、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、サルフ
ェート、バーアイオダイド、P−)ルエンスルフオネー
トなどを表わす。
Ae represents an anion such as barchlorate, fluoroborate, iodide, chloride, bromide, sulfate, bariodide, P-)luenesulfonate, etc.

次に、一般式(υで示される本発明の液晶素子で用いる
ビIJ IJウム糸化合物の代表例を下記に示す。
Next, representative examples of the bi-IJ-IJ compound used in the liquid crystal element of the present invention represented by the general formula (υ) are shown below.

化合物点 化合物例 (υ Cl04(l:) シ 3) 0 (261 (□□□ (30) (31) 本発明で用−るビリリウム系化合唆は、例えは2,6−
ジフェニル−4−メチルチアピリリウム塩と4−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒドとを反応させることによって
得られる。この反応はアミンの存在下又は無水カルボン
酸中で行なうことができる。
Compound point Compound example (υ Cl04 (l:) 3) 0 (261 (□□□ (30) (31) The biryllium-based compound used in the present invention is, for example, 2,6-
It is obtained by reacting diphenyl-4-methylthiapyrylium salt with 4-diethylaminobenzaldehyde. This reaction can be carried out in the presence of an amine or in a carboxylic anhydride.

1)アミンの存在下で行なわれる場合。この時溶媒とし
ては種々の溶媒が用いられるがとくにエタノールなどの
アルコ−/l/ 類、アセトニトリルなどのニトリル類
、メチルエチルケトンなどのケトン類、ニトロベンセー
ジ等のニトロ化合物類、テトラクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素類などが使われるが、好ましくはエタノー
ルなどのアルコール類が使用される。
1) When carried out in the presence of an amine. Various solvents are used as the solvent at this time, especially alcohols such as ethanol, nitriles such as acetonitrile, ketones such as methyl ethyl ketone, nitro compounds such as nitrobenzage, and halogenated compounds such as tetrachloroethane. Although hydrocarbons are used, alcohols such as ethanol are preferably used.

アミンとしては、ピペリジ/、トリエチルアミン、ヘキ
シルアミン等の炭素数1から25の第1、第2および第
3アルキルアミン、アニリ/、ジメチルアニリ/などの
炭素数6〜25の芳香族アミンあるいけビリジ/、キノ
リン等の含窒素不飽和複素環化合物が用いられる。
Examples of amines include primary, secondary and tertiary alkyl amines having 1 to 25 carbon atoms such as piperidine, triethylamine and hexylamine; aromatic amines having 6 to 25 carbon atoms such as anilyl and dimethylanili; /, quinoline and other nitrogen-containing unsaturated heterocyclic compounds are used.

アミンの量はチオピリリウム塩1モルに対しテ0.1〜
10モル、好ましくは0.5〜2モルが使われる。また
大過剰のアミ/刀・溶媒として用いられることもある。
The amount of amine is 0.1 to 1 mole of thiopyrylium salt.
10 mol is used, preferably 0.5 to 2 mol. It is also sometimes used in large excess as a sword/solvent.

反応時間に30分〜IO時間好ましくけ1時間〜3時間
て、反応湿度は50℃0’ iIfから溶媒またはアミ
ノの還流温度1での湿度が採用され、好ましくは妃涙温
度伺近テする。浴個のjは26−ジフェニル−4−メチ
ルチオピリリウム塩1gに対1.1〜logic。
The reaction time is preferably 30 minutes to 10 minutes, preferably 1 hour to 3 hours, and the reaction humidity is set at 50 DEG C. 0'iIf to the reflux temperature of the solvent or amino acid, preferably close to the reflux temperature. J of the bath is 1.1 to logic per 1 g of 26-diphenyl-4-methylthiopyrylium salt.

好ましくは3〜10m1が用いられる。Preferably 3 to 10 ml is used.

II)m水カルボン酸中で反応が行なわれる場合。II) When the reaction is carried out in m-water carboxylic acid.

無水カルボン酸、例えは無水酢酸の足け2,6−ジフェ
ニル−4−メチルチアピリリウム塩1gに対しl ”−
20m7!、好ましくは2〜10m1である。反応時I
11は1分から1詩間、好ましくは3〜20分である。
l ''- for 1 g of carboxylic acid anhydride, for example acetic anhydride, 2,6-diphenyl-4-methylthiapyrylium salt.
20m7! , preferably 2 to 10 m1. Reaction time I
11 is 1 minute to 1 poem, preferably 3 to 20 minutes.

反応流度は80℃付近から、還流温度(140℃)で行
なわれ、好ましくはioo℃前ケて′イ]なわれる。
The reaction flow rate is from around 80°C to reflux temperature (140°C), preferably 100°C.

本発明で用いる代表的なビリリウム塩の合成例を示す。An example of synthesis of a typical biryllium salt used in the present invention will be shown.

合成例1 (FiiJ記例示Aα(23)のビリリウム
)2、6− ジフェニル−4−メチルピリリウムバーク
ロレート5,0gと4−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド3,7gを140m1!の無水酢酸中で95℃で20
分間加熱した。次に放冷し、沖過して得た相出物t?^
′F、酸/無水酢酬= L / 11Cより再結晶し、
東料18yを得た。
Synthesis Example 1 (Byrylium of FiiJ exemplified Aα(23)) 5.0 g of 2,6-diphenyl-4-methylpyrylium verchlorate and 3.7 g of 4-diethylaminobenzaldehyde were mixed in 140 ml! of acetic anhydride at 95°C for 20
Heated for minutes. Next, leave it to cool and pass it through the sea. ^
'F, recrystallized from acid/anhydrous vinegar = L/11C,
I got Toryo 18y.

緻点、271へ272℃ 九紫分布j 分子式 C,7H,、O,NC6m算値(
%) 実験値(%) C67,8568,01 H5,075,11 1侵 2.93 2.88 合成例2(削記例示應(4)のチオピリリウム)合成例
1で得プξビリリウム(前記例示J6 (2段のビリリ
ウム)1.4gをアセトン150d中に分散させ、硫化
ソーダ1gを水10+n7!で溶解した液を加え、2分
間撹拌した。この液1c20%過塩素に1bmlと水1
50mJH加え、1h問撹拌し、放!11シた。析出物
を沖過後、酢酸/fP水酊敏=l/1によυ再結晶し染
# 1.1.9を得た。
dense point, 271 to 272℃ Nine purple distribution j Molecular formula C, 7H,, O, NC6m calculated value (
%) Experimental value (%) C67,8568,01 H5,075,11 1 oxidation 2.93 2.88 Synthesis example 2 (thiopyrylium in deleted example (4)) 1.4 g of J6 (two-stage biryllium) was dispersed in 150 d of acetone, and a solution of 1 g of sodium sulfide dissolved in 10 + n7! of water was added and stirred for 2 minutes. 1 c of this solution was mixed with 1 bml of 20% perchlorine and 1 bml of water.
Add 50 mJH, stir for 1 hour, and release! It was 11. After the precipitate was filtered, it was recrystallized with acetic acid/fP water intoxication=l/1 to obtain dye #1.1.9.

怒I点 277〜2815°C 九累分柘 分子式 C,、H2,U、NCl5it m
値(%) 実験値(%) C65,6465,88 J−14,914,84 86496,56 次に、本発明の液晶素子を図面に従って説明する。
Anger I point 277-2815°C Nine-dimensional formula Molecular formula C,, H2, U, NCl5it m
Value (%) Experimental value (%) C65,6465,88 J-14,914,84 86496,56 Next, the liquid crystal element of the present invention will be explained according to the drawings.

第1図は、本発明の液晶素子の断面図を表わしている。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a liquid crystal element of the present invention.

液晶組成物108としては、前述の一般式(+)で表わ
される化合物を溶解した液晶が用いられる。本発明の素
子で用いる液晶は、スメクチ。
As the liquid crystal composition 108, a liquid crystal in which a compound represented by the above-mentioned general formula (+) is dissolved is used. The liquid crystal used in the device of the present invention is smecti.

り液晶が適しており、特に正の誘電異方性をもつスメク
チック液晶のA相又はC相が適している。
Smectic liquid crystals are suitable, and in particular phase A or C of smectic liquid crystals having positive dielectric anisotropy are suitable.

かかるスメクチック液晶は、レーザビームで局γイ目的
に加熱されるまではホメオトロピック組織のスメクチ・
ンク相に配列されており+ 1iuj瓜上昇に伴ないホ
メ第1・ロピック組織のスメクチック相→ネマチック相
→イントロピック相と相変化することができる。次いで
、イソドロピンク和から急冷状11:でスメクチック相
へ相変化させると光散乱4.シ性をもつフォーカルコニ
ックMl mのスメヂックイ1ノが形成されることにな
る。従って、レーザビームを照射して液晶素子中のスメ
クチック相を局部的にイントロピック相まで加熱し、そ
の後急冷するとその個所がフォーカルコニック組織のス
メクチック相となり、この状態が光散乱特性をもってい
るので、前述のレーザビームによる光信弓走査によって
Ij)正画像のパターンを形成することができる。
Such smectic liquid crystals have a homeotropic smectic structure until they are locally heated with a laser beam.
As the melon rises, it can undergo a phase change from the smectic phase of the homeomorphic structure to the nematic phase to the intropic phase. Next, when the phase is changed from the isodropinic sum to the smectic phase by quenching 11:, light scattering occurs. This results in the formation of a focal conic Mlm smedicine with a strong characteristic. Therefore, when the smectic phase in the liquid crystal element is locally heated to the intropic phase by irradiation with a laser beam, and then rapidly cooled, the area becomes a smectic phase with a focal conic structure, and this state has light scattering properties, so Ij) A normal image pattern can be formed by optical beam scanning using a laser beam.

本発明の液晶素子で用いる正の誘電異方性をもつスメク
チック相を形成しうる化合物としては、例えは特開昭5
f!−150030号公報、特開昭57−40429号
公報、特開昭57−51779号公報などに記載された
化合物を用いることができる。
Compounds capable of forming a smectic phase with positive dielectric anisotropy to be used in the liquid crystal element of the present invention include, for example,
f! Compounds described in JP-A-150030, JP-A-57-40429, JP-A-57-51779, etc. can be used.

前述の一散式(1〕で表わされる化合物は、液晶に対し
て0.1重量%以上、好ましくは1重量%〜3IT1.
IIi%の範囲で液晶組成物108中に含有することが
できる。
The compound represented by the above-mentioned formula (1) is contained in an amount of 0.1% by weight or more, preferably 1% by weight to 3IT1.
It can be contained in the liquid crystal composition 108 in a range of IIi%.

又、本発明の液晶素子は、正の誘tニ異方性をもつスメ
クチック液晶とコレステリンク液晶の4を合1tli品
を用いることも可能である。コレステリックM晶は、液
晶組成物108中に0.5重量%〜15重は%の範囲、
好ましくは1重量%〜5重量%の範囲で含有することが
適している。
Further, the liquid crystal element of the present invention may be a product obtained by combining a smectic liquid crystal having positive di-t anisotropy and a cholesteric liquid crystal. The cholesteric M crystal is in the liquid crystal composition 108 in a range of 0.5% to 15% by weight,
Preferably, the content is suitably in the range of 1% by weight to 5% by weight.

本発明で用いうるコレステリック液晶としては、コレス
テリルクロライド、コレステリルブロマイド、コレステ
リルヨータイト、コレステリルニトレート、コレステリ
ルクロロチカッエート、コレステリルブチレート、コレ
ステリルカプレート、コレステリルオレート、コレステ
リルオレ−ト、コレステリルラウレート、コレステリル
ミリステート、コレステリルヘプチルカル八メート、コ
レステリルデシルエーテル、コレステリルラウリルエー
テル、コレステリルオレイルエーテルなどのコレステリ
ル化合物が挙げられる。
Cholesteric liquid crystals that can be used in the present invention include cholesteryl chloride, cholesteryl bromide, cholesteryl iotite, cholesteryl nitrate, cholesteryl chloroticaate, cholesteryl butyrate, cholesteryl caprate, cholesteryl oleate, cholesteryl oleate, cholesteryl laurate, cholesteryl Examples include cholesteryl compounds such as myristate, cholesteryl heptyl caroctamate, cholesteryl decyl ether, cholesteryl lauryl ether, and cholesteryl oleyl ether.

かかる混合液晶を用いた液晶素子は、レーザビームの局
部的な加熱によりホメ第1・ロピンクのスメクチック相
からイントロピンク相へ相変化を生じ、これを急冷する
と前述と同様にフォー力ルコニンク組織のスメクチ・ン
ク相を形成することができる。
A liquid crystal element using such a mixed liquid crystal undergoes a phase change from the smectic phase of home-primary pink to the intro-pink phase by local heating with a laser beam, and when this is rapidly cooled, the smectic phase of the force-lukoninck structure changes as described above.・Can form a black phase.

前述の如き方式で記録された液晶素子は、液晶組成物1
08を全面に例えばヒータにより加熱してイソトロピッ
ク相へ相変化させた後に、液晶素子を構成している基板
+01と102(例えば、透明カラス板やアクリル板な
どのプラスチンク板)に設けた電極+03と104の間
に適当な直流又は交流を印加するとともに徐冷すること
によって、イソトロピック相→ネマチック相→スメクチ
ック相へ相変化を生じることができる。この際、ネマチ
ンク相で液晶か正の!’[異方性を有しているために′
屯界方向にネマチック液晶が配列し、さらに冷却するホ
メオトロピック組織のスメクチックA相又はC相が形成
されて、書き込み画像パターンが消去される。電極+0
3と104は、一般的に酸化インジウム、酸化錫あるい
はI T O(Indium Tin O++1de)
の透明導電j模によって得られ、又必要にノ心してアル
ミニウム、クロム、銀やニッケルなどの金属導電膜によ
って得られる。この電極+03と104は。
The liquid crystal element recorded by the above-mentioned method uses liquid crystal composition 1.
After heating the entire surface of 08 with a heater to change the phase to an isotropic phase, electrodes are placed on the substrates +01 and 102 (for example, transparent glass plates or plastic plates such as acrylic plates) that constitute the liquid crystal element. By applying a suitable direct current or alternating current between +03 and 104 and slow cooling, a phase change from an isotropic phase to a nematic phase to a smectic phase can be caused. At this time, the liquid crystal is positive in the nematic phase! '[Because it has anisotropy'
Nematic liquid crystals are aligned in the horizontal direction, and a smectic A phase or C phase with a homeotropic structure is further cooled, and the written image pattern is erased. electrode +0
3 and 104 are generally indium oxide, tin oxide or ITO (Indium Tin O++1de).
It can be obtained by using a transparent conductive layer, and if necessary, it can also be obtained by using a metal conductive film such as aluminum, chromium, silver or nickel. These electrodes +03 and 104.

基板+01 と102の全面に亘って被I模されている
ことが望ましく、必すしも所定のパターン形状あるイL
tマトリクス電極構造とする必要がない。しかし、所望
に応して所定のパターン形状あるいはマ!・リフスミ極
禍造に設計することも可能である。
It is desirable that the pattern is patterned over the entire surface of the substrates +01 and 102, and it is not necessarily necessary that the pattern has a predetermined shape.
There is no need for a t-matrix electrode structure. However, it is possible to create a predetermined pattern shape or shape as desired.・It is also possible to design a refusumi extremely disaster-resistant structure.

本発明の液晶素子は、それぞれの電極+03と104の
上に絶縁性物質の被膜からなる配向制御膜】06と10
7を設けることができる。この配向制j却膜106 と
107は、これらの臨界面で接する液晶組成物108の
配列方向を所望の状態に制御することができる表面構造
を右している。又、この配向制御B*+oeと107は
液晶組成物108を通して流れる電流の発生を防止する
ことができる絶縁膜としても機能する。この種の配向制
御11!;!l0f(と107は、例えば−酸化珪素、
二酸化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マ
グネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シリコン
窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物、ポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ルイミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセクール、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン
樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂、オルガノシロキサン
、ポリフン化エチレンなどの絶縁性物質を蒸着法、浸漬
塗布〃い スピンナー塗布法あるいはスプレー塗布法に
より披++C形成することによって得られる。
The liquid crystal element of the present invention has an alignment control film made of an insulating material coating on the electrodes +03 and 104, respectively.
7 can be provided. The alignment control films 106 and 107 form a surface structure capable of controlling the alignment direction of the liquid crystal composition 108 that is in contact with these critical surfaces to a desired state. Further, the alignment control B*+oe and 107 also function as an insulating film that can prevent generation of current flowing through the liquid crystal composition 108. This kind of orientation control 11! ;! l0f (and 107 are, for example, -silicon oxide,
Silicon dioxide, aluminum oxide, zirconia, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, polyesterimide, polyparaxylerin, polyester, polycarbonate, polyvinyl acecool, polyvinyl chloride,
It is obtained by forming an insulating material such as polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin, organosiloxane, polyfluorinated ethylene, etc. by vapor deposition, dip coating, spinner coating, or spray coating. It will be done.

配向制御11り106と107は、所定の書き込み方式
に応じて、その表面を布、紙やビロードなどによりラヒ
ングするか、あるいは被11Q形成時に斜め蒸!i法を
用いることによって、液晶組成物108をホモジこアス
配向させる表面構造をもっことができ、あるいはその表
面を例えば特開昭50−38150号公mに記載された
パーフルオロアルキル基をもつシラン化合物、特開昭5
0−50947号公報に記載されたアルギルトリアルコ
キシシラン、特開昭5043955号公報に記載された
テトラアルコキシシランなどの化合物により処理するこ
乏によって、液晶組成物+08をホメオトロピック配向
させる表面4t′i造をもつことができる。
The surfaces of the orientation control elements 106 and 107 are covered with cloth, paper, velvet, etc., depending on the predetermined writing method, or are diagonally steamed when forming the target 11Q. By using the i method, the liquid crystal composition 108 can have a surface structure with homogeous alignment, or the surface can be formed using a silane having a perfluoroalkyl group as described in JP-A No. 50-38150. Compound, Japanese Patent Application Publication No. 1973
Surface 4t' on which liquid crystal composition +08 is homeotropically aligned by treatment with a compound such as algyltrialkoxysilane described in Japanese Patent Publication No. 0-50947 or tetraalkoxysilane described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5043955. It can have an i structure.

配向制御膜106と107は、使用した絶縁性物質の種
類によって、その最適な膜厚が異なるが、一般的に10
0A〜1にの範囲、好ましくは500 A〜200OA
の範囲に定めることが適しており、ぎらにこの配向ff
′lIj御膜108 と107が反射防止膜としてもイ
′1川する様な膜厚に設定しておくことが望ましい。
The optimum thickness of the alignment control films 106 and 107 varies depending on the type of insulating material used, but generally it is 10.
Range from 0A to 1, preferably 500A to 200OA
It is suitable to set this orientation in the range of ff
It is desirable to set the film thickness so that the films 108 and 107 can also be used as anti-reflection films.

又、本発明の液晶素子は図示する如く背面力面からレー
ザビーム+10を照射することによって前述の静止画像
を形成し、正iMi方向から自然光、ハロゲンランプ光
、キセノンランプ光、イノ1光灼光などの観察光108
を素子中に入射さセて、この光線をコールドミラー10
5からの反n4光として、前述の静止画像を観察するこ
とができる。このコールドミラー105は、一般にDf
視光に対しては十分に高い反射率を有し、6(10no
n以上の長波長光に対しては高い透過率特性を有してい
る。具体的には、Ge/MgF2 (+/4λ) /C
ent (1/4人) /MgF2(1/4人)/Ge
O2(+/4人)からなる多層膜が知られている。
Further, the liquid crystal element of the present invention forms the above-mentioned still image by irradiating the laser beam +10 from the back surface as shown in the figure, and emits natural light, halogen lamp light, xenon lamp light, and Inno1 light ablation from the positive iMi direction. Observation light 108 such as
incident on the element, this ray is transferred to the cold mirror 10
The above-mentioned still image can be observed as anti-n4 light from 5. This cold mirror 105 is generally Df
It has a sufficiently high reflectance for visible light, and has a reflectance of 6 (10 no.
It has high transmittance characteristics for long wavelength light of n or more. Specifically, Ge/MgF2 (+/4λ) /C
ent (1/4 person) /MgF2 (1/4 person)/Ge
A multilayer film consisting of O2 (+/4 people) is known.

しかし、本発明ではコールドミラー105の使用を省略
することもできる。又、本発明の素子はコールドフィル
ター(図示せず)を電極+03 と配向制御1]til
Oflの間に89けることもできる。このコールドフィ
ルターは、13f視光に対しては十分に高い透過率を有
し、又長波長光に対しては十分に高い反射率特性を有し
ている。
However, in the present invention, the use of cold mirror 105 can also be omitted. In addition, the device of the present invention connects a cold filter (not shown) to electrode +03 and orientation control 1]til
You can also put 89 between Ofl. This cold filter has a sufficiently high transmittance for 13f visible light and a sufficiently high reflectance for long wavelength light.

次に、未発りJの液晶素子を用いて表示バクーンを形成
し、た実施例を第2図に示す。
Next, FIG. 2 shows an example in which a display panel was formed using a liquid crystal element of undeveloped J.

+ii+述の一般式(1)で表わされる化合物のうち、
化合物No、5の化合物をスメクチック液晶(4,4’
−シアノオクチルビフェニル:正のバ^電異方性をもつ
)に対して2重足%の割合となる様に溶解した。この際
、液晶組成物をイソトロビ・ンク相となるまで加熱して
から、前述の化合物を添加し、このlαを内壁面がホメ
オトロピック配向処理されたセル中に注入し、その後徐
冷することによってホメオトロピック組織をもつスメク
チック相の液晶を形成させた。
+ii+ Among the compounds represented by the general formula (1) mentioned above,
Compound No. 5 was mixed with smectic liquid crystal (4,4'
- Cyanooctylbiphenyl (having positive electrolytic anisotropy) was dissolved in a proportion of % double. At this time, the liquid crystal composition is heated until it becomes an isotropic phase, the above-mentioned compound is added, this lα is injected into a cell whose inner wall surface has been subjected to homeotropic alignment treatment, and then slowly cooled. A smectic phase liquid crystal with a homeotropic structure was formed.

液晶セル201に画像を書き込むために使用するレーザ
ビームを発射するレーザ発振器202は、液晶中に含イ
1させた前述の化合物の吸収効率に対応した?皮Iその
ものから選択することができるが、特にヘリウム−ネオ
ンレーザ、半導体レーザあるいはYAGレーザより発O
jされた長波長のレーザビームあるいはアルゴンレーザ
より発射された短波長のレーザビームを用いることがで
きる。レーザ発振器202より発射したレーザビームは
、変調器203、スリット204 、 Y軸偏向器20
5 、 Xil+l+偏向器208を通過して変調と偏
向されてから、書き込みレンズ208により集光され、
グイクロインクミラー208を介して液晶素子201の
背面から照射される。前述の変調器203 、Y輔偏向
器205 、 X軸偏向器20θは、駆動用増幅器21
0を介して信すa211 と接続されており、これによ
ってレーザビームが制御されて、信号源2+1からのデ
ジタル電気信号を光信号に変換する。この光信号によっ
て液晶素子201に画像パターンが書き込まれる。
Is the laser oscillator 202 that emits a laser beam used to write an image on the liquid crystal cell 201 compatible with the absorption efficiency of the aforementioned compound contained in the liquid crystal? The laser I itself can be selected, but in particular the laser emitted from a helium-neon laser, a semiconductor laser or a YAG laser can be selected.
A long wavelength laser beam emitted by an argon laser or a short wavelength laser beam emitted by an argon laser can be used. The laser beam emitted from the laser oscillator 202 passes through a modulator 203, a slit 204, and a Y-axis deflector 20.
5. After passing through the Xil+l+ deflector 208 and being modulated and deflected, the light is focused by the writing lens 208,
The light is irradiated from the back side of the liquid crystal element 201 via the microink mirror 208. The aforementioned modulator 203, Y-axis deflector 205, and X-axis deflector 20θ are connected to the drive amplifier 21.
It is connected to the signal a211 via the signal source 2+1, which controls the laser beam and converts the digital electrical signal from the signal source 2+1 into an optical signal. An image pattern is written on the liquid crystal element 201 by this optical signal.

しかる後に、液晶素子201の周辺部に取すイ・」けた
ペルチェ素子2+2を電11213により作動させて、
急冷状態となして、液晶素子201を冷却し。
After that, the Peltier element 2+2, which has a 1-inch diameter and is attached to the periphery of the liquid crystal element 201, is activated by the electric current 11213.
The liquid crystal element 201 is cooled in a rapid cooling state.

フォーカルコニックM1織のスメクチック相を形成させ
、光信号の照射された個所が光散乱状態となっりITj
ll 像パターンか形成された。この際、ベニルチェ素
子212は温度コントロール器214により温度コン]
・ロールされる。
A smectic phase of the focal conic M1 weave is formed, and the area irradiated with the optical signal becomes a light scattering state and ITj
An image pattern is formed. At this time, the Venirtier element 212 is temperature controlled by the temperature controller 214]
- Rolled.

この画像パターンは、液晶素子201の前面に配置いた
照明源2+5を点灯することによって、観察することが
できる。
This image pattern can be observed by turning on the illumination source 2+5 placed in front of the liquid crystal element 201.

次いで、前述の画像パターンを消去するには、/I&晶
素/−201に1没けた透明ヒータ216(例えば、酸
化インジウト膜、醇化銀11り、ITO膜)を温度コン
トロール器+X217を介したヒータ用?[を源2+8
により加熱し、液晶相からイソドロピンク相へ相変化を
生しさせる。しかる後、液晶素子201に設けた゛+L
E極219 と220の間に交流電源221より電圧を
印加しながら、液晶素子201を徐冷して、ホメ第1・
ロピック組織のスメクチック相を形成させた。
Next, in order to erase the above-mentioned image pattern, the transparent heater 216 (e.g., indium oxide film, silver oxide film, ITO film) immersed in /I&crystalline/-201 is heated via the temperature controller +X217. for? [Source 2+8
is heated to cause a phase change from a liquid crystal phase to an isodropink phase. After that, ゛+L provided on the liquid crystal element 201
While applying a voltage from the AC power supply 221 between the E electrodes 219 and 220, the liquid crystal element 201 is slowly cooled, and the first
A smectic phase with a ropic structure was formed.

この結果、書き込まれた画像パターンか消去された。As a result, the written image pattern was erased.

本発明の液晶素子は、大画面ディスプレイとして応用す
ることが11丁能であり、又所定の情報を含む光4+i
t号−をトラックに沿って走査してピントを形成する記
録方式の光ディスクシステ1、にも応用することができ
る。
The liquid crystal element of the present invention can be applied as a large screen display, and the liquid crystal element of the present invention can be used as a large screen display, and the liquid crystal element of the present invention can be used as a large screen display.
The present invention can also be applied to an optical disc system 1 using a recording method in which a focus is formed by scanning a number t along a track.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の液晶素子の断面図である。 152図は、本発明のtth品素子を用いた表示方式の
1例を表わす説明図である。 101.102.基板 +03.+04;電極 105;コールドミラー IH,+07.配向制御1模 108;液晶組成物 108;観察光 110:レーザビーム 特許出願人 キャノン株式会社
FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal element of the present invention. FIG. 152 is an explanatory diagram showing an example of a display method using the tth element of the present invention. 101.102. Board +03. +04; Electrode 105; Cold mirror IH, +07. Orientation control 1 model 108; Liquid crystal composition 108; Observation light 110: Laser beam Patent applicant Canon Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 液晶と下記一般式(1)で示される化合物を含有する液
晶組成物を有することを特徴とする液晶素子。 一般式(1) (式中、Xけ硫黄原子、酸禦原子又はセレン原子を示す
。鴇および鵬は、置換又は未置換のアリール基を示す。 鳥は、置換もしくは未置換のアリール基又は置換もしく
は未置換の複X環基を示す。R,,1(、、、几、およ
びR7は、氷菓原子、へpゲン原子、アルキル基又はア
ルコキシ基を示す。 n h、l又は2である。但し、
nが2の時、it、はそれぞれ同一もしくけ異なってい
てもよく、又R,はそれぞれ同一もしくは異なってぃで
もよい。A は、陰イオンを示す。)
[Scope of Claims] A liquid crystal element comprising a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a compound represented by the following general formula (1). General formula (1) (wherein, or represents an unsubstituted multi-X ring group. R,,1(,, 几, and R7 represent a frozen candy atom, a hepgen atom, an alkyl group, or an alkoxy group. n h, l, or 2. however,
When n is 2, it may be the same or different, and R may be the same or different. A represents an anion. )
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