JPS60104180A - Liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element

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Publication number
JPS60104180A
JPS60104180A JP21190883A JP21190883A JPS60104180A JP S60104180 A JPS60104180 A JP S60104180A JP 21190883 A JP21190883 A JP 21190883A JP 21190883 A JP21190883 A JP 21190883A JP S60104180 A JPS60104180 A JP S60104180A
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JP
Japan
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liquid crystal
laser
compound
phase
crystal element
Prior art date
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Pending
Application number
JP21190883A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuharu Katagiri
片桐 一春
Yoshihiro Oguchi
小口 芳弘
Junichiro Kanbe
純一郎 神辺
Yoshio Takasu
高須 義雄
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide the titled element capable of forming optical image corresponding to the optical signal transmitted from He-Ne laser, YAG laser, semiconductor laser and Ar laser, comprising a liquid crystal composition containing specific azulenium compound. CONSTITUTION:The objective element comprising a liquid crystal composition containing pref. 1-5wt% of an azulenium compound of formula [R1, R1', R2, R3, R3', R4, R4', R5, R5', R6, R6', R7 and R7' are each H, halogen or monovalent organic residue (e.g. alkyl, alkoxy, aryl, aralkyl, acyl, amino, etc.), Z<-> is anonic residue]. Said compound will be prepared by the reaction, in a solvent such as alcohol or nitrile in the presence of strong acid at room temperature- boiling point, between 1,3-diformyl azulene compound and the orginal azulene compound.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、熱書き込み方式に用いうるptk品素子に関
し、訂しくはレーザビーム、具体的にはへリウムーネオ
ンレーザ、YAGレーレー半導体レーザあるいはアルゴ
ンレーザから生じた光信号に対応した光学像を形成しう
る液晶素子に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a PTK element that can be used in a thermal writing method, and more particularly, the present invention relates to a PTK element that can be used in a thermal writing method, and more particularly, to a PTK element that can be used in a thermal writing method, and more specifically, to write an optical signal generated from a laser beam, specifically a helium-neon laser, a YAG laser diode laser, or an argon laser. The present invention relates to a liquid crystal element that can form an optical image corresponding to the above.

これまで、2枚のガラス基板の間に負の誘電異方性をも
つネマチック液晶とコレステリンク液晶との混合液晶あ
るいは正の誘電異方性をもつスメクチック液晶を配置し
た液晶素子を用意し、このlfM晶素r−にレーザビー
ムを照射すると、その個所が局rjR的にイントロピッ
ク相まで加熱され、その後の思慮な冷却により初期の一
様な配向状態と異なったランタムな配向状yt;の液晶
相が形成される。その結果、レーザビームが照射された
個所では光散乱を生じ、一様な配向状態にある背景域の
液晶相とで光学的特性に相違が生じることになる。
Until now, we have prepared liquid crystal devices in which a mixed liquid crystal of nematic liquid crystal with negative dielectric anisotropy and cholesteric liquid crystal or smectic liquid crystal with positive dielectric anisotropy is arranged between two glass substrates. When an lfM crystal element r- is irradiated with a laser beam, that part is heated locally rjR to an intropic phase, and then by careful cooling, the liquid crystal becomes a liquid crystal with a random orientation different from the initial uniform orientation state. A phase is formed. As a result, light scattering occurs at the location where the laser beam is irradiated, resulting in a difference in optical characteristics between the liquid crystal phase in the background region, which is in a uniformly aligned state.

この種の液晶素子は、前述の如き方法でレーザ占き込み
により形成された光学像を消去することもf1f能であ
る。すなわち、液晶素子を構成している2枚の基板にそ
れぞれ電極を設け、レーザビームとは別の熱源(例えば
ヒーター)で液晶素子の全体にけって加熱することによ
り、液晶相をイソプロピンク相まで加熱し、次いで前述
の電極間に電圧を印加した状態で、例えばスメクチック
液晶の場合ではホメオト、ロピック組織、あるいはコレ
ステリック−ネマチック液晶の場合ではグランシュアン
組織が形成されるまで冷却することによって、先の書き
込みにより形成していた光学像を消去することができる
This type of liquid crystal element is also capable of erasing an optical image formed by laser reading using the method described above. That is, by providing electrodes on each of the two substrates that make up the liquid crystal element, and heating the entire liquid crystal element with a heat source other than the laser beam (for example, a heater), the liquid crystal phase is changed to the isopropink phase. The above procedure is carried out by heating, and then cooling with a voltage applied between the electrodes until, for example, a homeotopic structure in the case of a smectic liquid crystal, a lopic structure, or a Grandshuan structure in the case of a cholesteric-nematic liquid crystal are formed. The optical image formed by writing can be erased.

この液晶素子は、画素を形成するマトリクス電極構造を
必要とせす、単に電気信号から変換された光信号の走査
によって画像パターンを形成することができ、しかもそ
れを大画面で得られる点に利点を有している。
This liquid crystal element has the advantage that it can form an image pattern simply by scanning optical signals converted from electrical signals, which requires a matrix electrode structure to form pixels, and that it can be obtained on a large screen. have.

一方、コンピュータ端末からの電気信号を光信号に変換
する手段として、これまでレーザビームをデジタル画像
情報に応じた駆動信号によって変調させ、この変調され
たレーザ・ビームを結像レンズ、ガルバノミラ−等の光
偏向器からなる光学系を介して、走査する方式が採用さ
れている。特に、近年ではかかる光信号発生器のビーム
源として半導体レーザが用いられる様になって来た。
On the other hand, as a means of converting electrical signals from computer terminals into optical signals, a laser beam has been modulated by a drive signal according to digital image information, and this modulated laser beam is sent to an imaging lens, galvanometer mirror, etc. A scanning method is adopted through an optical system consisting of a light deflector. In particular, in recent years, semiconductor lasers have come to be used as beam sources for such optical signal generators.

前述の半導体レーザは、一般に長波長域(例えば750
 mm以上)にその発振波長をもっているにもかかわら
す、前述の液晶素子では長波長ビームに対する熱変換効
率が低く、このため半導体レーザを用いて液晶素子に書
き込みを行なう際には、高パワーのレーザビームを照射
することか必要となっていた。しかし、半導体レーザは
一煎°にアルコンレーサ、ヘリウム−ネオンレーザなど
のカスレーザに較べそのパワーが小さく、そのため前述
の如き液晶素f−に半導体レーザを用いた光信号発生器
よりの光信号を走査させても十分な書き込みが行なえな
いか、又はその光信号の走査スピードを十分に遅くする
ことによってしか書き込みが行なえないという欠点があ
った。
The semiconductor laser described above generally has a long wavelength range (for example, 750 nm).
Despite having an oscillation wavelength of 1 mm or more, the above-mentioned liquid crystal elements have low heat conversion efficiency for long wavelength beams, so when writing to liquid crystal elements using a semiconductor laser, a high-power laser is required. It became necessary to irradiate it with a beam. However, the power of a semiconductor laser is lower than that of a laser such as an alcone laser or a helium-neon laser, and therefore the optical signal from an optical signal generator using a semiconductor laser is scanned into the liquid crystal element f- as described above. However, there is a drawback that sufficient writing cannot be performed even if the optical signal is controlled, or writing can only be performed by slowing down the scanning speed of the optical signal sufficiently.

このために、従来では例えば”5ociety ofI
nformation Display Intern
ational Symposium。
For this purpose, conventionally, for example, "5ociety of I
nformation Display Intern
ational Symposium.

Digest of Technicai Paper
″P、P34−48,172−187 。
Digest of Technicai Paper
"P, P34-48, 172-187.

238−253(1882)に開示されている様にスメ
クチック液晶に黒色の色素を混入したゲスト−ポストタ
イプのレーザ熱書き込み方式の液晶素子が提案されてい
る。
238-253 (1882), a guest-post type laser thermal writing type liquid crystal element in which a black dye is mixed into a smectic liquid crystal has been proposed.

しかし、この種の液晶素子でも半導体レーザがらのレー
ザビームを吸収し熱エネルギーに変換する効率が十分な
ものではなく、高パワー又は低スピードの光信号走査を
必要としている。この点で英国公開2091753号公
報に開示された方式の液晶素fにおける欠点と共通して
いる。しがも前述の黒色の色素を用いた液晶素子では黒
色背景の中に白色の画像パターンが形成されているため
、人間上゛7:」−良好な表示とはならない欠点がある
However, even this type of liquid crystal element does not have sufficient efficiency in absorbing the laser beam of a semiconductor laser and converting it into thermal energy, and requires high power or low speed optical signal scanning. This point is similar to the drawback of the liquid crystal element f of the system disclosed in British Publication No. 2091753. However, the liquid crystal element using the above-mentioned black dye has a drawback in that a white image pattern is formed on a black background, which does not provide a good display for humans.

従って、本発明の目的は前述の欠点を解消し、4.9に
レーザ発振器を用いた光信号発生器からの光信号走査に
応じて光学像のパターンを形成することができる液晶素
子−を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks and provide a liquid crystal element capable of forming an optical image pattern in response to scanning of an optical signal from an optical signal generator using a laser oscillator. It's about doing.

本発明は、液晶中に下記一般式(1)で表わされる化合
物を溶解させた液晶組成物を用いる点に特徴を有してい
る。
The present invention is characterized in that it uses a liquid crystal composition in which a compound represented by the following general formula (1) is dissolved in liquid crystal.

一般式(1) 式中、R,、RS 、R,、R34t(、n、 、n2
 、all、R′l+RHRLR1およびRjは、水素
原子、)・ロゲン原子(塩素原子、臭素原子、沃素原子
)父は1価の有機残基を表わす。1価の有機残基として
は、広範なものから選択することができるが、特にアル
キル基(メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル
、n−ブチル、t−ブチル、n−アミル、n−ヘキシル
、n−オクチル、2−エチルヘキシル、t−オクチルな
ど)、アルコキシ基(メトキシ、エトキシ、プロポキシ
、ブトキシなど)、置換もしくは米作4急のアリール基
(フェニル、トリル、キシリル、エチルフェニル、メト
キシフェニル、エトキシフェニル、クロロフェニル、ニ
トロフェニル、ジメチルアミノフェニル、α−ナフチル
、β−ナフチルなど)、置換もしくは未1n喚のアラル
キル基(ベンジル、2−フェニルエチル、2−フェニル
−1−メチルエチル、ブロモベンジル、2−7”ロモフ
ェニルエチル、メチルベンジル、メトキシベンジル、ニ
トロベンジル)、1シル基(アセチル、フロビオニル、
ブナリル、バレリル、ベンゾイル、トリオイル、ナフト
イル、フタロイル、フロイルなど)、黄・処若しくは未
Iイ庚γばノ基(アミノ、ジメチルアξ)、ジエ1−ル
アミノ、ジフロピルアミノ、アセチルアミノ、ぺ/ジイ
ルアミンなど)、置↓枦を若しくは未q +99スチリ
ルノシ(スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチル
アミノスチリル、ジエチルアミノスチリル、メトキシス
チリル、エトキシスチリル、メチルスチリルナト)、ニ
トロ隻、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基又(
は置換若しくは未Iff換アリールアゾ基(フェニルア
ゾ、α−ナフチルアソ、β−ナフチルアゾ、ジメチルア
ミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、ニトロフェニ
ルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾなど)を礒
げることができる。父、R1とR2、R3とR,、R4
とR1、R。
General formula (1) where R,,RS ,R,,R34t(,n, ,n2
, all, R'l+RHRLR1 and Rj each represent a hydrogen atom, ) and a rogene atom (chlorine atom, bromine atom, iodine atom) each representing a monovalent organic residue. Monovalent organic residues can be selected from a wide variety of groups, but in particular alkyl groups (methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, n-amyl, n-hexyl, n-octyl, 2-ethylhexyl, t-octyl, etc.), alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.), substituted or aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, ethylphenyl, methoxyphenyl, ethoxy) phenyl, chlorophenyl, nitrophenyl, dimethylaminophenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, etc.), substituted or unsubstituted aralkyl groups (benzyl, 2-phenylethyl, 2-phenyl-1-methylethyl, bromobenzyl, 2 -7” romophenylethyl, methylbenzyl, methoxybenzyl, nitrobenzyl), 1 syl group (acetyl, flobionyl,
(bunaryl, valeryl, benzoyl, trioyl, naphthoyl, phthaloyl, furoyl, etc.), yellow-choo or non-isolated γ-bano group (amino, dimethylaξ), di-1-lylamino, difuropylamino, acetylamino, pen/diylamine, etc.) , place ↓ or not q +99 styryl (styryl, dimethylaminostyryl, diethylaminostyryl, diethylaminostyryl, methoxystyryl, ethoxystyryl, methylstyryl), nitro group, hydroxy group, carboxyl group, cyano group or (
can be a substituted or unsubstituted If-substituted arylazo group (phenylazo, α-naphthylazo, β-naphthylazo, dimethylaminophenylazo, chlorophenylazo, nitrophenylazo, methoxyphenylazo, tolylazo, etc.). Father, R1 and R2, R3 and R,, R4
and R1, R.

とR6訃よひRoとR7の組合せのうち、少なくとも1
つの、組合で置換又は未置換の芳香族環(ベンゼン、ナ
フタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベ
ンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシ
ベンゼンなど)を形+ji Lでもよい。
and R6, at least one of the combinations of Ro and R7
A combination of substituted or unsubstituted aromatic rings (benzene, naphthalene, chlorobenzene, bromobenzene, methylbenzene, ethylbenzene, methoxybenzene, ethoxybenzene, etc.) may be of the form +ji L.

父、R−とR′4、Rf、と1(ぞ、R4とRみ、およ
び現と呂の・徂合せのうち、少なくとも1つの組合で置
換又は未キー喚の芳香族環(ベンゼン、ナフタレン、ク
ロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベンゼンなど
)を形成してもよい。
At least one combination of substituted or unkeyed aromatic rings (benzene, naphthalene, , chlorobenzene, bromobenzene, methylbenzene, ethylbenzene, methoxybenzene, ethoxybenzene, etc.).

又、式中の2θは、バークロレート、フルオロボレート
、スルフオアセテート、アイオダイド、クロライド、ブ
ロマイド、P−トルエンスルホネート、アルキルスルホ
ネート、アルギルジスルホネート、ベンゼンジスルホネ
ート、ノ10スルホネート、ピクラート、テトラシアノ
エチレンrニオン、テトラシアノキノジメタンアニオン
などのアニオン残其を表わす。
In addition, 2θ in the formula represents verchlorate, fluoroborate, sulfoacetate, iodide, chloride, bromide, P-toluenesulfonate, alkylsulfonate, algyldisulfonate, benzenedisulfonate, 10sulfonate, picrate, tetracyanoethylene Represents anion residues such as r anion and tetracyanoquinodimethane anion.

以下、本発明で用いる゛γズ1/ニウ五塩化合物の具体
例を下記に列挙する。
Specific examples of the γZ1/Ni penta-salt compounds used in the present invention are listed below.

ReQされている様に強乍存在下1,3−ジプオルミル
ア・ズレン化合物とアメレン化合物とを摘当な溶媒中で
加熱することにより曲らhる。
As shown in ReQ, the 1,3-dipromylazulene compound and the amelene compound are heated in a suitable solvent in the presence of a strong presence.

用いられる反応溶媒としては、エタノール、ブタノール
、ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセトニト
リル、フロピオニトリル等のニトリル類、酢酸などの有
機カルボン酸類、無水酢酸などの酸乍水物、ジオキサン
、テトラヒドロフランなどの1四環式エーテル類、など
が用いられる。また、ブタノール、ベンジルアルコール
などにベンゼンなどの芳香族炭化水素を混合することも
できる。反応中の温度は室温〜沸点の範囲から選択でき
る。
The reaction solvents used include alcohols such as ethanol, butanol, and benzyl alcohol, nitriles such as acetonitrile and fropionitrile, organic carboxylic acids such as acetic acid, acid hydrides such as acetic anhydride, dioxane, tetrahydrofuran, etc. Tetracyclic ethers, etc. are used. Furthermore, aromatic hydrocarbons such as benzene can be mixed with butanol, benzyl alcohol, and the like. The temperature during the reaction can be selected from the range of room temperature to boiling point.

汗成例 t(化合物A2) 氷酢酸70rnfJ、中に1,5−シフオルミルアズレ
ン1.4gと1,4−ジメチル−7−インフロビル゛r
ズレン6.09を加え、加熱撹拌し、1050とした。
Sweat Formation Example t (Compound A2) 1.4 g of 1,5-dimethylazulene and 1,4-dimethyl-7-inflovir in 70rnfJ of glacial acetic acid.
6.09% of Dulen was added and heated and stirred to make it 1050%.

この液[70%過塩素酸5.4tnQ、を加え、同温[
(で5分間加熱後−晩装置した。析出物をF迦し氷酢酸
10切り、で洗浄戸−・晶菱、水50域で2回洗浄P禍
彼乾燥し、咀染料2.4gを得た。
Add 5.4 tnQ of 70% perchloric acid to this solution and add at the same temperature [
After heating for 5 minutes, the precipitate was washed with glacial acetic acid, washed twice with 50% water, and dried to obtain 2.4 g of masticatory dye. Ta.

(徂収率65イ)徂生成物2.0gをアセトニトリルに
より再結晶して化合物/f62を1.2g得た。
(Yield 65) 2.0 g of the product was recrystallized from acetonitrile to obtain 1.2 g of compound/f62.

融点: 2600以上(キャピラリー法)溶液i秒収ス
ペクトル:氷酢酸中 λ、。ax=660nm 元素分析: 分子式 C<t H4t C401計算値
(%)分析値(%) C! 67.64 67.76 H5,695,78 C(1,9,519,!+ 1 次に、本発明の液晶素子を図面に従って説明する。
Melting point: 2600 or more (capillary method) Solution i second yield spectrum: λ in glacial acetic acid. ax=660nm Elemental analysis: Molecular formula C<t H4t C401 Calculated value (%) Analysis value (%) C! 67.64 67.76 H5,695,78 C(1,9,519,!+ 1 Next, the liquid crystal element of the present invention will be explained according to the drawings.

第1図は、本発明の液晶素子の断面図を表わしている。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a liquid crystal element of the present invention.

M品組成物+08としては、前述の一般式(1)で表わ
される化合物を溶解した液晶が用いられる。本発明の素
子で用いる液晶は、スメクチ、。
As the M product composition +08, a liquid crystal in which the compound represented by the above-mentioned general formula (1) is dissolved is used. The liquid crystal used in the device of the present invention is Smect.

り液晶が適しており、特に正の誘電異方性をもつスメク
チンク液晶のA相又はC相が適している。
Suitable liquid crystals are A-phase or C-phase of smectinic liquid crystals having positive dielectric anisotropy.

かかるスメクチンク液晶は、レーザビームで局部的に加
熱されるまではホメ第1・ロピンク組織のスメクチック
相に配列されており、温度上y1にイ゛rないホノオト
ロピンク組織のスメクチンク相→ネマチンク相→イソド
ロピンク相と相変化することができる。次いで、イント
ロピック相から急冷状態でスメクチック相へ相変化させ
ると光散乱特性をもつフォーカルコニック組織のスメチ
ック相が形成されることになる。従って、レーザビーム
を照射して液晶素r−中のスメクチック相を局部的にイ
ソトロピック相まて加熱し、その後S冷するとその個所
かフォー力ルコニンク組織のスメクチック相となり、こ
の状態が光散乱特性をもっているので、前述のレーザビ
ームによる光信り走査によって静止画像のパターンを形
成することができる。
Such smectinic liquid crystals are arranged in a smectic phase of a homeotrophic pink structure until they are locally heated by a laser beam, and the smectic phase of a homeotropic pink structure that is not equal to y1 in terms of temperature → nematic phase → Can change phase to isodoropink phase. Next, when the phase is changed from the intropic phase to the smectic phase in a rapidly cooled state, a smectic phase with a focal conic structure having light scattering properties is formed. Therefore, when the smectic phase in the liquid crystal element r- is locally heated to an isotropic phase by irradiation with a laser beam, and then cooled by S, the smectic phase of the force-luconinck structure is formed at that location, and this state has light scattering properties. Therefore, a still image pattern can be formed by optical scanning using the laser beam described above.

本発明の!α晶素子で用いる止の誘電異方性をもつスメ
クチック相を形成しうる化合物としては、例えば特開昭
56−150030号公報、特開昭57−40428号
公報、特開昭57−51779号公報などに記載された
化合物を用いることができる。
The invention! Examples of compounds capable of forming a smectic phase with a constant dielectric anisotropy used in α-crystal elements include those disclosed in JP-A-56-150030, JP-A-57-40428, and JP-A-57-51779. Compounds described in, etc. can be used.

前述の一般式(1)で表わされる化合物は、液晶に対し
て0.1 重量%以上、好ましくは1重量%〜3屯11
t%の範囲で液晶組成物108中に含有することかでき
る。
The compound represented by the above-mentioned general formula (1) is used in an amount of 0.1% by weight or more, preferably 1% to 3% by weight based on the liquid crystal.
It can be contained in the liquid crystal composition 108 within a range of t%.

又、本発明の液晶素子は、正のi^誘電異方性もつスメ
クチック液晶とコレステリンク液晶の混合液晶を用いる
ことも+】f能である。コレステリンク液晶は、!α晶
組成物108中に0.5重量%〜15重11;%の範囲
、好ましくは1重量%〜5重h1%の範囲で含有するこ
とが適している。
Further, the liquid crystal element of the present invention can also use a mixed liquid crystal of smectic liquid crystal and cholesteric liquid crystal having positive dielectric anisotropy. Cholesterlink LCD! It is suitable to contain it in the α-crystal composition 108 in a range of 0.5% by weight to 15% by weight, preferably in a range of 1% by weight to 5% by weight.

本発明で用いうるコレステリック除晶としては、コレス
テリルクロライド、コレステリルブロマイ1ζ、コレス
テリルヨーダイト、コレステリルニトレート、コレステ
リルクロロチカッニー1・、コレステリルブチレート、
コレステリルカプレート、コレステリルオレート、コレ
ステリルオレ−ト、コレステリルラウレート、コレステ
リルミリステート、コレステリルヘプチルカルバメート
、コレステリルデシルエーテル、コレステリルラウリル
エーテル、コレステリルオレイルエーテルなどのコレス
テリル化合物が挙げられる。
Cholesteric crystallization that can be used in the present invention includes cholesteryl chloride, cholesteryl bromyl 1ζ, cholesteryl iodite, cholesteryl nitrate, cholesteryl chloroticani 1, cholesteryl butyrate,
Examples include cholesteryl compounds such as cholesteryl caprate, cholesteryl oleate, cholesteryl oleate, cholesteryl laurate, cholesteryl myristate, cholesteryl heptyl carbamate, cholesteryl decyl ether, cholesteryl lauryl ether, and cholesteryl oleyl ether.

かかる混合液晶を用いた液晶素子は、レーザビームの局
部的な加熱によりホメオトロピックのスメクチック相か
らイソトロピック相へ相変化を生じ、これを急冷すると
前述と同様にフォーカルコニックMl織のスメクチック
相を形成することができる。
A liquid crystal element using such a mixed liquid crystal undergoes a phase change from a homeotropic smectic phase to an isotropic phase by local heating with a laser beam, and when this is rapidly cooled, a focal conic Ml woven smectic phase is formed as described above. can do.

前述の如き方式で記録された液晶素子は、液晶組成物1
08を全面に例えばヒータにより加熱してイントロピッ
ク相へ相変化させた後に、液晶素子を構成している基板
101と102 (例えば、透明ガラス板やアクリル板
などのプラスチック板)に設けた電極103と104の
間に適当な直流又は交流を印加するとともに徐冷するこ
とによって、イントロピンク相→ネマチック相→スメク
チック相へ相変化を生しることができる。この際、ネマ
チック相で液晶が正の誘電異方性を有しているために電
界方向にネマチック静晶が配列し、さらに冷却するホメ
オトロピック組織のスメクチックA相又はC相が形成さ
れて、書き込み画像パターンが消去される。電極103
 と104は、一般的に酸化インジウム、醇化錫あるい
はI To (Indium Tin 0w1de)の
透明導電膜によって得られ、又必要に応じてアルミニウ
ム、クロム、銀やニッケルなどの金属溝’、b: 膜に
よって得られる。この電81103と104は、ス(板
101 と102の全面に亘って被膜されていることが
望ましく、必すしも所定のパターン形状あるいはマトリ
クス電極構造とする必要がない。しかし、所望に応じて
所定のパターン形状あるいはマトリクス電極構造に設計
することも可能である。
The liquid crystal element recorded by the above-mentioned method uses liquid crystal composition 1.
After heating the entire surface of 08 with a heater to change the phase to an intropic phase, electrodes 103 are provided on substrates 101 and 102 (for example, plastic plates such as transparent glass plates and acrylic plates) constituting the liquid crystal element. By applying a suitable direct current or alternating current between and 104 and slow cooling, a phase change can occur from an intro pink phase to a nematic phase to a smectic phase. At this time, since the liquid crystal has a positive dielectric anisotropy in the nematic phase, nematic static crystals are aligned in the direction of the electric field, and a smectic A phase or C phase with a homeotropic structure is formed for further cooling. The image pattern is erased. Electrode 103
and 104 are generally obtained by a transparent conductive film of indium oxide, tin oxide, or I To (Indium Tin 0w1de), and if necessary, a metal groove of aluminum, chromium, silver, nickel, etc. can get. These electrodes 81103 and 104 are desirably coated over the entire surface of the plates 101 and 102, and do not necessarily have to have a predetermined pattern shape or matrix electrode structure. It is also possible to design a pattern shape or matrix electrode structure.

本発明の液晶素子は、それぞれの電極103と104め
上に絶縁性物質の被膜からなる配向制御膜106と10
7を設けることができる。この配向制御+1qloeと
107は、これらの臨界面で接する液晶組成物+08の
配列方向を所望の状態に制御することができる表面構造
をイノしている。又、この配向側till II栗10
Gと107は液晶M1成物108を通して流れる゛−シ
流の発生を防11することができる絶縁膜としても機能
する。この種の配向制御1&!+06と107は、例え
ば・酸化珪素、−Hpg化珪素、酸化アルミニウム、ジ
ルコニア、フッ化マグネジウド、酸化セリ” ly、フ
ン化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ
、(;窒化物、ポリビニルアルコール、ポリイノ1ζ、
ポリアミドイミド ルイミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセクール、ポリIJ,H化ビ
ニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メ
ラミン樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂、オルカッシロ
キサン、ポリフッ化エチレンなどの絶縁性物質を蒸〕,
法、浸漬塗布法、スピンナーQ llj法あるいはスプ
レー塗布法により被IIQ彫成することによって得られ
る。
The liquid crystal element of the present invention has alignment control films 106 and 10 made of an insulating material coating on the electrodes 103 and 104, respectively.
7 can be provided. This alignment control +1qloe and 107 innovate a surface structure that can control the alignment direction of the liquid crystal composition +08 that is in contact with these critical surfaces to a desired state. Also, this orientation side till II chestnut 10
G and 107 also function as an insulating film that can prevent the generation of a current flowing through the liquid crystal M1 composition 108. This kind of orientation control 1&! +06 and 107 are, for example, silicon oxide, -Hpg silicon oxide, aluminum oxide, zirconia, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron, (; nitride, polyvinyl alcohol, Polyino 1ζ,
Polyamide imide, polyparaxylerin, polyester, polycarbonate, polyvinyl acecool, polyIJ, vinyl hydride, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin, orcasiloxane, polyfluorinated ethylene, etc. Steaming an insulating material]
It can be obtained by engraving IIQ using a method, a dip coating method, a spinner Qllj method or a spray coating method.

配向制御膜10Bと107は、所定の書き込み方式に応
して、その表面を7Ij、紙やビロードなどによりラビ
ングするか、あるいは被膜形成時に刺め薄石法を用いる
ことによって、液晶組成物108をホモシニアス配向さ
せる表面構造をもつことができ、あるいはその表面を例
えば特開昭50−36150号公+17に記載されたパ
ーフルオロアルキルジ,(をもつンラン化合物,特開昭
50ー50947号公報に記載ごれたアルキルトリアル
コキシシラン、特開昭50−63955 %公報に記載
されたテトラアルコキシシランなとの化合物により処理
することによって、液晶組成物108をホメ第1・ロピ
ック配向させる表面構造をもつことができる。
The alignment control films 10B and 107 are coated with the liquid crystal composition 108 by rubbing their surfaces with 7Ij, paper, velvet, or the like, or by using the pierced stone method during film formation, depending on the predetermined writing method. It is possible to have a surface structure with homocyanic orientation, or the surface can be formed by, for example, a perfluoroalkyldi compound described in JP-A No. 50-36150 +17, and a nran compound having a perfluoroalkyl di-(described in JP-A No. 50-50947). By treating with a compound such as a dirty alkyltrialkoxysilane, such as the tetraalkoxysilane described in JP-A-50-63955%, the liquid crystal composition 108 has a surface structure that allows the liquid crystal composition 108 to have a homeo-1-ropic orientation. I can do it.

配向i1ff制御11jJ10Gと107は、使用した
絶縁性物質の種類によって、その最適な膜厚が異なるが
、一般的に100A−1.の範囲、好ましくは500A
〜2000Aの範囲に足めることが適しており、さらに
この配向制御膜106と107が反射防止11Qとして
も作用する様な膜厚に設足しておくことが望ましい。
The optimum film thickness of the orientation i1ff control 11jJ10G and 107 differs depending on the type of insulating material used, but generally 100A-1. range, preferably 500A
It is suitable for the thickness to be within the range of ~2000A, and it is desirable that the film thickness is set so that the alignment control films 106 and 107 also function as anti-reflection film 11Q.

又、本発明の液晶素子は図示する如く背面方向からレー
ザビームHQを照射することによって前述の静止画像を
形成し、正面方向から自然光、ハロゲンランプ光、キセ
ノンランプ光、蛍光灯光などの18!察光108を素子
中に入射させて、この光線をコールドミラー105から
の反射光として、前述の+1tl Iに画像をrIJt
察することができる。このコールドミラー105は、一
般に可視光に対しては十分に高い反射率を有し、800
mm以上の長波長光に対しては高い透過率特性を有して
いる。具体的には、Ge/MgF2(1/4人) /C
e02(1/4λ) 7MgF2(+/4人)/Ce0
2(+/4人)からなる多層膜が知られている。
In addition, the liquid crystal element of the present invention forms the above-mentioned still image by irradiating the laser beam HQ from the rear direction as shown in the figure, and from the front direction it receives 18! of natural light, halogen lamp light, xenon lamp light, fluorescent lamp light, etc. The light detector 108 is made to enter the element, and this light beam is reflected from the cold mirror 105, and the image is transferred to +1tl I mentioned above.
can be understood. This cold mirror 105 generally has a sufficiently high reflectance for visible light, and has a reflectance of 800
It has high transmittance characteristics for long wavelength light of mm or more. Specifically, Ge/MgF2 (1/4 person) /C
e02 (1/4λ) 7MgF2 (+/4 people)/Ce0
A multilayer film consisting of 2 (+/4) members is known.

しかし、本発明ではコールドミラー105の使用を省略
することもできる。又1本発明の素子はコールドフィル
ター(図示せず)を1ltJi 103 と配向制御膜
IHの間に設けることもできる。このコールドフィルタ
ーは、可視光に対しては十分に高い透過率を41し、又
長波長光に対しては十分に高い反射率特性を有している
However, in the present invention, the use of cold mirror 105 can also be omitted. Furthermore, in the element of the present invention, a cold filter (not shown) can be provided between 1ltJi 103 and the alignment control film IH. This cold filter has a sufficiently high transmittance of 41 for visible light and a sufficiently high reflectance for long wavelength light.

次に、本発明の液晶素子を用いて表示パターンを形成し
た実施例を第2図に示す。
Next, FIG. 2 shows an example in which a display pattern was formed using the liquid crystal element of the present invention.

前述の一般弐′(1)で表わされる化合物のうち、化合
物No、2の化合物をスメクチック最高(4,4’−シ
アノオクチルビノエニル;圧の誘電異方性をもつ)に対
して2重量%の割合となる様に溶解した。この際、液晶
組成物をイントロピック相となるまで加熱してから、前
述の化合物を添加し、この液を内壁面がホメオトロピッ
ク配向熱JTされたセル中に注入し、その後徐冷するこ
とによってポメ第1・ロピック組織をもつスメクチック
相の液晶を形成させた。
Among the compounds represented by general 2'(1) above, compound No. 2 was added in an amount of 2% by weight based on the highest smectic compound (4,4'-cyanooctylbinoenyl; having dielectric anisotropy of pressure). It was dissolved in a proportion of . At this time, the liquid crystal composition is heated until it becomes an intropic phase, the above-mentioned compound is added, the liquid is poured into a cell whose inner wall surface is subjected to homeotropic alignment heat, and then slowly cooled. A smectic phase liquid crystal with a Pome-first-ropic structure was formed.

液晶セル201に画像を書き込むために使用するレーザ
ビームを発射するレーザ発振!4202は、液晶中に含
有させた前述の化合物の吸収効率に対応した波長のもの
から選択することができるが、特にヘリウム−ネオンレ
ーザ、半導体レーザあるいはYAGレーザより発射され
た長波長のレーザビームあるいはアルゴンレーザより発
射された短波長のレーザビームを用いることができる。
Laser oscillation to emit a laser beam used to write an image on the liquid crystal cell 201! 4202 can be selected from those with wavelengths corresponding to the absorption efficiency of the above-mentioned compounds contained in the liquid crystal, but in particular long wavelength laser beams emitted from helium-neon lasers, semiconductor lasers, or YAG lasers, or A short wavelength laser beam emitted by an argon laser can be used.

レーザ発振器202より発射したレーザビームは、変調
器203 、スリッI・204 、Y軸偏向器205 
、 X1lll偏向器206を通過して変調と偏向され
てから、書き込みレンス208により1光され、グイク
ロイックミラー209を介して液晶前j’−201の背
面から照射される。前述の変調器203 、 Y軸偏向
器205 、X軸偏向器206は、駆動7−11増11
11.を器210を介して信号源211 と接続されて
おり、これによってレーザビー1、が制御されて、信号
源2+1からのデジタル′−L気信号を光(:r ””
rに変換する。この光信号によって液晶前r201に画
像パターンが書き込まれる。
The laser beam emitted from the laser oscillator 202 is transmitted through a modulator 203, a slit I/204, and a Y-axis deflector 205.
, X1llll deflector 206 to be modulated and deflected, a writing lens 208 converts the light into one beam, and the light is irradiated from the back side of the liquid crystal front j'-201 via a gicroic mirror 209. The aforementioned modulator 203, Y-axis deflector 205, and X-axis deflector 206 are connected to the drive 7-11
11. is connected to a signal source 211 via a signal source 210, which controls the laser beam 1 and converts the digital signal from the signal source 2+1 into an optical signal (:r"").
Convert to r. An image pattern is written in front of the liquid crystal r201 by this optical signal.

しかる後に、液晶素子20+の周辺部に取り1・jけた
ペルチェ集イ212を電源213により作動させて、急
冷状Jjl、’となして、フル晶渠f−201を冷却し
Thereafter, the Peltier collector 212 installed around the liquid crystal element 20+ is operated by the power source 213 to rapidly cool the full crystal conduit f-201.

フォーカルコニック組織のスメクチック相を形成させ、
光信号の照射された個所が光散乱状態となった画像パタ
ーンが形成された。この際、ベニルチェ、+cr−21
2は温度コントa−ル器214により温石コンi・ロー
ルされる。
forming a smectic phase with focal conic structure,
An image pattern was formed in which the portions irradiated with the optical signal were in a light scattering state. At this time, Benilche, +CR-21
2 is heated and rolled by a temperature controller 214.

この画像パターンは、液晶前r−201の611面に配
置いた照明源215を点灯することによって、観察する
ことができる。
This image pattern can be observed by turning on the illumination source 215 placed on the 611th surface of the r-201 in front of the liquid crystal.

次いで、前述の画像パターンを消去するには、液晶未−
f−2QI に設けた透明ヒータ216(例えば。
Then, to erase the aforementioned image pattern,
Transparent heater 216 provided in f-2QI (for example.

酸化インジウム膜、酸化錫膜、ITOIIり)を温度コ
ントロール器217を介したヒータ用電源2】8により
加熱し、液晶相からイソドロピンク相へ相変化を生じさ
せる。しかる後、液晶素子201に設けた′市極219
と220の間に交流電源221より電圧を印加しなから
、−J&晶素了−201を徐冷して、ホメ第1・けピン
ク組織のスメクチック相を形成させた。
An indium oxide film, a tin oxide film, an ITO II film) is heated by a heater power source 2]8 via a temperature controller 217 to cause a phase change from a liquid crystal phase to an isodoropink phase. After that, the 'city pole 219 provided on the liquid crystal element 201
While applying no voltage from the AC power source 221 between and 220, -J&Crystalline-201 was slowly cooled to form a smectic phase with a home-like structure and a pink structure.

この結果、占き込まれた画像パターンか消去された。As a result, the image pattern that was filled in was erased.

本発明の液晶前r−は、大画面ディスプレイとして尾、
用することが可能であり、又所定の情報を含む光(iJ
’Jをトラクタに沿って走査してピットを形成する記録
方式の光デイスクシステムにも応用することができる。
The liquid crystal front r- of the present invention can be used as a large screen display.
It is also possible to use light (iJ
It can also be applied to an optical disk system of a recording type in which pits are formed by scanning 'J along a tractor.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は1,4:発明の液晶前f−の断面図である。 第2図は、本発明の液晶前fを用いた表示方式の1例を
表わす説明図である。 101,102.ノ人板 103、104 、電極 105:コールドミラー 106.107.配向側it’ll II費108:液
晶組成物 IO2;観察光 110;レーザビーム
FIG. 1 is a sectional view of 1, 4: f- in front of the liquid crystal of the invention. FIG. 2 is an explanatory diagram showing one example of a display method using the liquid crystal front f of the present invention. 101, 102. No person board 103, 104, electrode 105: cold mirror 106.107. Orientation side it'll II cost 108: liquid crystal composition IO2; observation light 110; laser beam

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1晶と下記一般式(1)で表わされる化合′吻を含有
する液晶組成物を有することを特徴とする液晶素子。 一般式(1) ( (式 中 RI I R’l r ”t + R1* 
RQ 、R,、u′、、)え、、RQ、R,、Rち 、
R?訃よびR4は水素原子、ハロゲン原子又は1価の有
機残基を表わす。zeは、アニオン残基を表わす、)
[Scope of Claims] A liquid crystal element characterized by having a liquid crystal composition containing one crystal and a compound compound represented by the following general formula (1). General formula (1) ( (in the formula RI I R 'l r ”t + R1*
RQ ,R,,u′,,)E,,RQ,R,,Rchi,
R? R4 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic residue. ze represents an anionic residue)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1318185A1 (en) * 2001-12-10 2003-06-11 MERCK PATENT GmbH Reactive mesogenic azulenes

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