JPS60123582A - Liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element

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JPS60123582A
JPS60123582A JP23027383A JP23027383A JPS60123582A JP S60123582 A JPS60123582 A JP S60123582A JP 23027383 A JP23027383 A JP 23027383A JP 23027383 A JP23027383 A JP 23027383A JP S60123582 A JPS60123582 A JP S60123582A
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JP
Japan
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liquid crystal
group
crystal element
laser
phase
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Pending
Application number
JP23027383A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuharu Katagiri
片桐 一春
Yoshihiro Oguchi
小口 芳弘
Junichiro Kanbe
純一郎 神辺
Yoshio Takasu
高須 義雄
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a liquid crystal element capable of forming optical image corresponding to the optical signal given by He-Ne laser, YAG laser, semiconductor laser or Ar laser, by using a composition prepared by dissolving specific polymethyne compound in liquid crystal. CONSTITUTION:The objective liquid crystal element can be obtained by using a composition prepared by dissolving in (A) pref. A- or C-phase of a smectic liquid crystal having positive dielectric anisotropy (B) pref. 1-3wt% of a polymethyne compound of formula [R1-R5 are each H, (substituted) alkyl, (substituted) aryl, (substituted) styryl or (substituted) heterocycle; m is 0 or 1; n is 0-1; X<-> is anion]. USE:Optical disk system with such recording scheme as to form large-sized screen display or pit.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、熱書き込み方式に用いうる液晶素rに関し、
3Tシ<はレーザビーム2其体的にはヘリウム−ネオン
レーザ、Y A Gレーザや゛1′導体レーザある−い
はアルゴンレーザかも生じた光信すに対応した光学像を
形成しうる液晶素子に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a liquid crystal element r that can be used in a thermal writing method.
The present invention relates to a liquid crystal element capable of forming an optical image corresponding to a light beam generated by a 3T laser beam 2, specifically a helium-neon laser, a YAG laser, a 1' conductor laser, or an argon laser. It is something.

これまで、2枚のガラス基板の間に負の誘電異方性をも
つネオンレーザとコレステリンク液晶との混合液晶ある
いは正の誘電異方性をもつスメクチンク液晶を配置した
液晶素fを用:@j 、1.、この液晶素子にレーザビ
ームを照射すると、その個所が局部的にイントロピック
相まで加熱され、その後の急激な冷却により初期の一様
な配向状態と異なったランダムな配向状態の液晶相が形
成される。その結果、レーザビームが照射された個所で
は光散乱を生じ、一様な配向状態にある背景域の液晶相
とで光学的特性に相違が生じることになる。
Until now, we have used a liquid crystal element f in which a mixed liquid crystal of a neon laser with a negative dielectric anisotropy and a cholesteric liquid crystal or a smectink liquid crystal with a positive dielectric anisotropy is arranged between two glass substrates: @ j, 1. When this liquid crystal element is irradiated with a laser beam, the area is locally heated to an intropic phase, and then rapidly cooled to form a liquid crystal phase with a random orientation different from the initial uniform orientation. Ru. As a result, light scattering occurs at the location where the laser beam is irradiated, resulting in a difference in optical characteristics between the liquid crystal phase in the background region, which is in a uniformly aligned state.

この種の液晶素子は、前述の如き方lJ、でレーザ(’
tき込みにより形成された光学像を消去することも可能
である。すなわち、液晶素そを構成して(〜る2枚の基
板にそれぞれ電極を設け、レーザビームとは別の熱源(
例えばヒーター)で液晶素子の全体に亘って加熱するこ
とにより、液晶相をイソI・ロピック相まで加熱し、次
いで前述の電極間に電圧を印加した状yi′iで、例え
ばスメクチック液晶の場合ではホメオトロピック組織、
あるいはコレステリンク−ネマチック液晶の場合ではグ
ランシュアン組織が形成されるまで冷却することによっ
て、先の書き込みにより形成していた光学像を消去する
ことができる。
This type of liquid crystal element is manufactured using a laser ('
It is also possible to erase the optical image formed by t-imprinting. In other words, the liquid crystal element is constructed by providing electrodes on each of the two substrates, and using a heat source other than the laser beam (
For example, in the case of a smectic liquid crystal, the liquid crystal phase is heated to the isoI-ropic phase by heating the entire liquid crystal element with a heater), and then a voltage is applied between the electrodes described above. homeotropic tissue,
Alternatively, in the case of a cholesteric-nematic liquid crystal, the optical image formed by previous writing can be erased by cooling it until a Grandshuan structure is formed.

この液晶素子は、画素を形成するマトリクス電極構造を
必要とせず、単に電気信号から変換された光信号の走査
によって画像パターンを形成することができ、しかもそ
れを大画面で得られる点に利点を有している。
This liquid crystal element does not require a matrix electrode structure to form pixels; it can form an image pattern simply by scanning optical signals converted from electrical signals, and the advantage is that it can be obtained on a large screen. have.

一方、コンピュータ端末からの電気信号を光信号に変換
する手段として、これまでレーザビームをデジタル画像
情報に応じた駆動信号によ一プて変調させ、この変調さ
れたレーザ・ビームを結像レンズ、ガルバノミラ−等の
光偏向器からなる光学系を介して、走査する方式が採用
されている。特に、近年ではかかる光信号発生器のビー
ム源として半導体レーザか用いられる様になって来た。
On the other hand, as a means of converting electrical signals from computer terminals into optical signals, a laser beam has been modulated by a drive signal corresponding to digital image information, and this modulated laser beam is passed through an imaging lens, A scanning method is employed in which the image is scanned through an optical system consisting of a light deflector such as a galvanometer mirror. In particular, in recent years, semiconductor lasers have come to be used as beam sources for such optical signal generators.

前述の半導体レーザは、一般に長波長域(例えば750
 mm以上)にその発振波長をもっているにもかかわら
ず、前述の滴晶素fでは長波長ビームに対する熱変換効
率か低く、このため半導体レーザを用いて液晶素子に書
き込みを行なう際には、高パワーのレーザビームを!!
頓射することが必要となっていた。しかし、半導体レー
ザは一般にアルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザな
どのガスレーザに較べそのパワーが小さく、そのため前
述の如き液晶素子に半導体レーザを用いた光信号発生器
よりの光信号を走査させても十分な書き込みか行なえな
いか、又はその光信号の走査スピードを十分に遅くする
ことによってしか書き込みが行なえないという欠点があ
った。
The semiconductor laser described above generally has a long wavelength range (for example, 750 nm).
Despite having an oscillation wavelength of 1 mm or more, the droplet crystal element f described above has a low heat conversion efficiency for long wavelength beams, so when writing to a liquid crystal element using a semiconductor laser, a high power is required. Laser beam! !
A sudden attack was needed. However, semiconductor lasers generally have lower power than gas lasers such as argon lasers and helium-neon lasers, so it is not sufficient to scan a liquid crystal element as described above with an optical signal from an optical signal generator using a semiconductor laser. There is a drawback that writing can only be performed, or writing can only be performed by slowing down the scanning speed of the optical signal sufficiently.

このために、従来では例えば”5ociety ofI
nformation Display Intern
ational Symposium。
For this purpose, conventionally, for example, "5ociety of I
nformation Display Intern
ational Symposium.

Digest of Technical Paper
″P、R34−49,172−187。
Digest of Technical Paper
"P, R34-49, 172-187.

238−253(1982)に開示されている様にスメ
クチック液晶に黒色の色素を混入したゲスト−ホストタ
イプのレーザ熱書き込み方式の液晶素子が提案されてい
る。
238-253 (1982), a guest-host type laser thermal writing type liquid crystal element in which a black dye is mixed into a smectic liquid crystal has been proposed.

しかし、この種の液晶素子でも半導体レーザからのレー
ザビームを吸収し熱エネルギーに変換する効率が十分な
ものではなく、高パワー又は低スピードの光信号走査を
必要としている。この点で莢国会開2091753号公
報に開示された方式の液晶素子における欠点と共通して
いる。しかも前述の黒色の色素を用いた液晶素子では黒
色背景の中に白色の画像パターンが形成されているため
、人間工学上良好な表示とはならない欠点がある。
However, even this type of liquid crystal element does not have sufficient efficiency in absorbing a laser beam from a semiconductor laser and converting it into thermal energy, and requires high power or low speed optical signal scanning. This point is similar to the drawback of the liquid crystal element of the method disclosed in Kazukai Kaikai No. 2091753. Moreover, the above-mentioned liquid crystal element using a black dye has a drawback in that a white image pattern is formed in a black background, which does not provide good display from an ergonomic point of view.

従って、本発明の目的は前述の欠点を解消し、特にレー
ザ発振器を用いた光信号発生器からの光信号走査に応じ
て光学像のパターンを形成することができる液晶素子を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks and to provide a liquid crystal element capable of forming an optical image pattern in response to scanning of an optical signal from an optical signal generator using a laser oscillator. .

本発明の液晶素子は、液晶中に下記一般式(1)で表わ
されるポリメチン化合物を溶解させた液晶組成物を用い
る点に特徴を有している。
The liquid crystal element of the present invention is characterized in that it uses a liquid crystal composition in which a polymethine compound represented by the following general formula (1) is dissolved in liquid crystal.

一般式(1) RI r R2* R3+ ”4およびR3け水素原子
又はアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、D−プ
ロピル基、1θO−プロピル基、n−ブチル基、eec
−ブチル基、1eo−ブチル族、t−ブチル基、n−ア
ミル基、t−アミル基、n−ヘキシル基、n−オクチル
基、t−オクチル基など)を示し、さらに他のアルキル
基、例えば置換アルキル基(例えば、2−ヒドロキシエ
チル基、3−ヒドロキシプロピル基、4−ヒドロキシブ
チル基、2−アセトキシエチル基、カルボキシメチル基
、2−カルボキシエチル基、ろ−カルボキシプロピル基
、2−スルホエチル基、3−スルホプロピ/I/s、4
−スルホブチル基、3−スルフエートプロピル基、4−
スルフエートフチルM、1(−(メチルスルホニル)−
カルバミルメチル基、5−(アセチルスルフアミ/L/
)プロピル基、4−(アセチルスルファミル)ブチル基
など)、環式アルキル基(し1えば、シクロヘキシル基
など)、アリル隻(OH,=CH−CH2)、アラルキ
ル基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基など)、Iqキン・
アラルキル基(例えは、カルボキシベンジル基、スルホ
ベンジル基、ヒドロキシベンジル幕なと)全包含する。
General formula (1) RI r R2 * R3+ "4 and R3 hydrogen atom or alkyl group (e.g. methyl group, ethyl group, D-propyl group, 1θO-propyl group, n-butyl group, eec
-butyl group, 1eo-butyl group, t-butyl group, n-amyl group, t-amyl group, n-hexyl group, n-octyl group, t-octyl group, etc.), and further includes other alkyl groups, such as Substituted alkyl groups (e.g., 2-hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, 4-hydroxybutyl group, 2-acetoxyethyl group, carboxymethyl group, 2-carboxyethyl group, ro-carboxypropyl group, 2-sulfoethyl group) , 3-sulfopropy/I/s, 4
-Sulfobutyl group, 3-sulfatepropyl group, 4-
Sulfatephthyl M, 1(-(methylsulfonyl)-
Carbamylmethyl group, 5-(acetylsulfami/L/
) propyl group, 4-(acetylsulfamyl)butyl group, etc.), cyclic alkyl group (e.g., cyclohexyl group, etc.), allyl group (OH,=CH-CH2), aralkyl group (e.g., benzyl group, phenethyl group, α-naphthylmethyl group, β-naphthylmethyl group, etc.), Iqkin・
All aralkyl groups (eg, carboxybenzyl group, sulfobenzyl group, hydroxybenzyl group, etc.) are included.

さらに、RI I R2+ R3r ”4およびR1は
i4(奥もしくは未)R換のアリーツ;♂(例えば、フ
ェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メトキ
シフェニル基、ジメトキシフェニル基、トリメトキシフ
ェニル族、エトキシフェニル基、ジメチルアミノフェニ
ル基、ジエチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェ
ニル基、ジベンジルアミノフェニル加、ジフェニルアミ
ノフェニル基なト)、置換もしく+d未置換の複素環基
(例えば、ピリジル基、キノリル基、レピジル基、メチ
ルピリジル基、フリル某、チェニル基、インドリル基、
ビロール基、カルバゾリル基%N−エチルカルバゾリル
基など)又11置換もしくは未置換のスf IJル基(
倒木ば、スチリル基、メトキシスチリル基、ジメトキシ
スチリル基、トリメトキシスチリル基、エトキシスチリ
ル基、ジメチルアミノスチリル基、ジエチルアミノスチ
リル基、ジエチルアミノスチリル基、ジベンジルアミノ
スチリル基、ジフェニルアミノスチリル基、2.2−ジ
フェニルビニル基、2−フェニル−2−メチルビニル基
、2−(ジメチルアミノフエニ)t、 ) −2−フェ
ニルビニル基、2−(ジエチルアミノフェニル)−2−
フェニルビニル基、2−(ジベンジルアミノフェニル)
−2−フェニルビニル基、2,2−ジ(ジエチルアミノ
フェニル)ビニル基、2.2−シ(メトキシフェニル)
ヒニル& 、2 T 2 V (エトキシフェニル)ビ
ニル基、2−(ジメチルアミノフェニル)−2−メチル
ビニル基、2−(ジエチルアミノフェニル)−2−エチ
ルビニル基など)を示す。mは、0又は1であり、nは
0,1父1d 2である。79は、塩化物イオン、臭化
物イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸+4イオン、ベン
ゼンスルホン酸塩イオン p−トルエンスルホンm L
M イオy、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン
、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わす。
Furthermore, RI I R2+ R3r ``4 and R1 are i4 (deep or un) substituted arytes; , ethoxyphenyl group, dimethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, dibenzylaminophenyl group, diphenylaminophenyl group), substituted or +d unsubstituted heterocyclic group (e.g. pyridyl group, quinolyl group) , lepidyl group, methylpyridyl group, furyl group, chenyl group, indolyl group,
virole group, carbazolyl group% N-ethylcarbazolyl group, etc.) and 11-substituted or unsubstituted sf IJ group (
Fallen tree grass, styryl group, methoxystyryl group, dimethoxystyryl group, trimethoxystyryl group, ethoxystyryl group, dimethylaminostyryl group, diethylaminostyryl group, diethylaminostyryl group, dibenzylaminostyryl group, diphenylaminostyryl group, 2.2 -diphenylvinyl group, 2-phenyl-2-methylvinyl group, 2-(dimethylaminophenyl)t, ) -2-phenylvinyl group, 2-(diethylaminophenyl)-2-
Phenylvinyl group, 2-(dibenzylaminophenyl)
-2-phenylvinyl group, 2,2-di(diethylaminophenyl)vinyl group, 2,2-cy(methoxyphenyl)
, 2 T 2 V (ethoxyphenyl) vinyl group, 2-(dimethylaminophenyl)-2-methylvinyl group, 2-(diethylaminophenyl)-2-ethylvinyl group, etc.). m is 0 or 1, and n is 0,1 and 1d2. 79 is chloride ion, bromide ion, iodide ion, perchlorate +4 ion, benzenesulfonate ion p-toluenesulfone m L
M represents an anion such as ion, methyl sulfate ion, ethyl sulfate ion, propyl sulfate ion, etc.

次に、前記一般式(1)で示さR2るポリメチン化合物
の代表例を挙げる。
Next, representative examples of the polymethine compound represented by R2 represented by the general formula (1) will be listed.

Φ − 〇 三 亜 ? ■。Φ − 〇 Sanya? ■.

田 δ \− Φ 曽 S S S S ■。Field δ \− Φ So S S S S ■.

\−□−一一一ノ Q G’; ’:a < S ごI OS □ \−−□□/ \− これらのポリメチン化合物は、Bernara S。\−□−111ノ Q G’; ’:a < S I OS □ \−−□□/ \− These polymethine compounds are Bernara S.

filrliらのJ、Am、Ohem、So(! (ジ
ャーナル・オブ、アメリカン、ケミカルソザエデイ) 
8045772〜5777(195B)やHoSchm
idtらのAnn (リービッヒ・アンナーレンデル・
ケミ−)623204〜216あるいはRoWlzin
gerらの)leln 。
filrli et al.'s J, Am, Ohem, So (! (Journal of, American, Chemical Society)
8045772-5777 (195B) and HoSchm
Ann of idt et al.
Chemie) 623204-216 or RoWlzin
ger et al.) lern.

口him、 Acta (ヘルペテイカ・シミ力・アク
タ)24 569などに開示された合成法に漁じて合成
することによって容易に得られる。
It can be easily obtained by synthesis using the synthesis method disclosed in, for example, Acta 24, 569.

次に、本発明の液晶素子を図面に従って説明する。Next, the liquid crystal element of the present invention will be explained according to the drawings.

第1図は、本発明の液晶素子の断面図を表わしている。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a liquid crystal element of the present invention.

液晶組成物108としては、前述の一般式(1)で表わ
される化合物を溶解した液晶が用いられる。本発明の素
子で用いる腋品は、スメクチ・ツク1イタ品が適してお
り、特に正の誘電異方性をもつスメクチック液晶のA相
又1±C相が適している。
As the liquid crystal composition 108, a liquid crystal in which a compound represented by the aforementioned general formula (1) is dissolved is used. As the axillary material used in the device of the present invention, a smectic liquid crystal product is suitable, and a smectic liquid crystal A phase or 1±C phase having positive dielectric anisotropy is particularly suitable.

かかるスメクチック液晶は、レーザビームで局部的に加
熱されるまではホメ第1・ロピック組織のスメクチック
相に配列されており、温度」二昇に伴ないホメ第1・ロ
ピック組織のスメクチック相→ネマチンク相→イソトロ
ピック相と相変化することかでSる。次いて、イソトロ
ピック相から急冷状!ルでスメクチック相へ相変化させ
ると光散乱特性をもつフォーカルコニック組織のスメチ
ック相が形成ごれることになる。従って、レーザビーム
を照射して液晶素子中のスメクチック相を局部的にイン
トロピック相まで加熱し、その後急冷するとその個所が
フォーカルコニック組織のスメクチック相となり、この
状態が光散乱特性をもっているので、前述のレーザビー
ムによる光イハ号走査によって静止画像のパターンを形
成することができる。
Such smectic liquid crystals are arranged in a smectic phase with a homeolophic structure until they are locally heated by a laser beam, and as the temperature increases, the smectic phase of a homeolopic structure → nematic phase changes. →S is due to phase change to isotropic phase. Next, from the isotropic phase to the rapid cooling phase! When the phase is changed to a smectic phase using a molten metal, a smectic phase with a focal conic structure having light scattering properties is formed and destroyed. Therefore, when the smectic phase in the liquid crystal element is locally heated to the intropic phase by irradiation with a laser beam, and then rapidly cooled, the area becomes a smectic phase with a focal conic structure, and this state has light scattering properties, so A still image pattern can be formed by optical I/H scanning using a laser beam.

本発明の液晶素子で用いる正の誘電異方性をもつスメク
チック相を形成しうる化合物としては、例えば特開昭5
13−150030号公報、特開昭57−40428号
公報、特開昭57−51779号公報などに記載された
化合物を用いることがてきる。
Compounds capable of forming a smectic phase having positive dielectric anisotropy to be used in the liquid crystal element of the present invention include, for example,
Compounds described in JP-A No. 13-150030, JP-A-57-40428, JP-A-57-51779, etc. can be used.

前述の一般式(1)で表わされる化合物は、液晶に対し
て0.1重量%以」二、好ましくは1重]に%〜3重都
1%の範囲で液晶組成物10’8中に含有することがで
きる。
The compound represented by the above general formula (1) is contained in the liquid crystal composition 10'8 in an amount of 0.1% by weight or more, preferably 1% to 1% by weight, based on the liquid crystal. It can contain.

又、本発明の液晶素子は、正の誘電異方性をもつスメク
チ、り液晶とコレステリンク液晶の6里合液晶を用いる
ことも可能である。コレステリンク液晶は、液晶i&I
l成物1放物中に0.5重量%〜15 !TI:量%の
範囲、好ましくは1重量%・−5重量%の範囲で含有す
ることが適している。
Further, the liquid crystal element of the present invention can also use a combination liquid crystal of a smectyl liquid crystal and a cholesteric liquid crystal having positive dielectric anisotropy. Cholesterlink LCD is LCD i&I
0.5% by weight to 15% in one compound! TI: It is suitable to contain it in a range of % by weight, preferably in a range of 1% by weight to -5% by weight.

本発明で用いうるコレステリンク液晶としては、コレス
テリルクロライド、コレステリルブロマイト、コレステ
リルヨーダイト、コレステリルニトレート コレステリルブヂレート,コレステリルカブレ−)・、
コレステリルオレーI・、コレステリルオレーーI・、
コレステリルラウレート、コレステリルミリステーI・
、コレステリルヘプチル力ルバメー)・、コレステリル
デシルエーテル、コレステリルラウリルエーテル、コレ
ステリルオレイルエーテルなとのコレステリル化合物が
挙けられる。
Cholesterin liquid crystals that can be used in the present invention include cholesteryl chloride, cholesteryl bromite, cholesteryl iodite, cholesteryl nitrate, cholesteryl butyrate, cholesteryl carbureate), etc.
cholesteryl ole I, cholesteryl ole I,
Cholesteryl laurate, cholesteryl myriste I.
Examples include cholesteryl compounds such as cholesteryl heptyl rubberme), cholesteryl decyl ether, cholesteryl lauryl ether, and cholesteryl oleyl ether.

かかる泥合液晶を用いた油漏素子は、レーザビ−ムの局
部的な加熱にょリホメ第1・ロピンクのスメクチック相
からイントロピック相へ相変化を生じ、これを急冷する
とIiif述と同様にフォーカルコニック組織のスメク
チックイ1ノを形成することができる。
In an oil leakage element using such a liquid crystal, a phase change occurs from a primary pink smectic phase to an intropic phase due to local heating by a laser beam, and when this is rapidly cooled, a focal conic phase occurs as described in IIIf. It is possible to form a smectic structure of the tissue.

前述の如き方式で記録された液晶素子は,液晶Mll静
物08を全面に例えばヒータによりカn然してイントロ
ピック相へ相変化させた後に、液晶素子を構成している
基板101と102(例えば、透明ガラス板やアクリル
板などのプラスチック板)に設けた電極103 とIQ
4の間に適当な直流又は交流を印加するとともに徐冷す
ることによって、イソ]・ロピックイ11→ネマチンク
411→スメクチンク711.1へ411変化を生じる
ことができる。この際、ネマチフク相で液晶が正の誘電
異方性を有しているために電界方向にネマチンク腋晶が
配列し、さらに冷却するホメ第1・ロピック組織のスメ
クチックA相又はC相が形成されて、書き込み画像パタ
ーンが消去される。電極103 と104は、一般的に
酸化インジウム、酸化錫あるいlf I T O (I
ndlum Tln Ox1de)の透明導電膜によっ
て得られ、又必要に応してアルミニウム、クロム、銀や
ニンヶルなどの金1.% 導電1草によって得られる。
The liquid crystal element recorded by the above-mentioned method is produced by subjecting the entire surface of the liquid crystal Mll still life 08 to an intropic phase using, for example, a heater, and then converting the liquid crystal element to substrates 101 and 102 (for example, transparent). Electrode 103 and IQ provided on a plastic plate (glass plate, acrylic plate, etc.)
By applying a suitable direct current or alternating current during step 4 and slow cooling, a 411 change from iso]ropicui 11 to nematic 411 to smectin 711.1 can be caused. At this time, since the liquid crystal has a positive dielectric anisotropy in the nematic phase, nematic axillary crystals are aligned in the direction of the electric field, and a smectic A phase or C phase with a homeotropic structure that is further cooled is formed. The written image pattern is erased. Electrodes 103 and 104 are typically made of indium oxide, tin oxide or lf I T O (I
ndlum Tln Ox1de), and if necessary, gold such as aluminum, chromium, silver or nickel. Obtained by % conductivity 1 grass.

この1[4伝+03と104は、基板101 と102
の全面に亘って被膜されていることが望ましく、必すし
も所定のパターン形状あるいはマトリクス電極構造とす
る心間がない。しかし、所望に応じて所定のパターン形
状あるいIよマトリクス電極構造に設計することも可能
である。
This 1 [4 transmission +03 and 104 are board 101 and 102
It is desirable that the film be coated over the entire surface of the electrode, and there is not necessarily a predetermined pattern shape or a center spacing for forming a matrix electrode structure. However, it is also possible to design a predetermined pattern shape or matrix electrode structure as desired.

本発明の液晶素子は、それぞれの電極103と104の
」二に絶縁性物質の被11Mからなる配向制御膜106
 と107を設けることができる。この配向制御膜10
6 と107は、これらの臨界面で接する液晶組成1#
108の配列方向を所望の状態に制御することができる
表面構造を有している。又、この配向制御膜106 と
107は液晶組成物108を通して流れる電流の発生を
防止することができる絶縁1摸としても機能する。この
種の配向制御膜106と107は、例えは−酸化珪素、
二酸化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニア、ソツ化マ
グネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シリコン
窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物、ポリビニルア
ルコール、ポリイミi・、ポリアミドイミド、ポリエス
テルイミ;z゛、ポリパラキシレリン、ポリエステル、
ポリカーポネ−1・、ポリビニルアセクール、ポリ’X
A化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂、オルガ
ノシロキサン、ポリフッ化エチレンなどの絶縁性物質を
蒸着法、浸漬@布法,スピンナー塗布法あるいはスプレ
ー塗布法により被膜形成することによって得られる。
In the liquid crystal element of the present invention, an alignment control film 106 made of an insulating material 11M is applied to each electrode 103 and 104.
and 107 can be provided. This orientation control film 10
6 and 107 are liquid crystal compositions 1# that are in contact at these critical surfaces.
It has a surface structure that allows the arrangement direction of 108 to be controlled to a desired state. The alignment control films 106 and 107 also function as an insulator that can prevent the generation of current flowing through the liquid crystal composition 108. This type of alignment control films 106 and 107 are made of, for example, -silicon oxide,
Silicon dioxide, aluminum oxide, zirconia, magnesium oxide, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, polyesterimide, polyparaxylerin ,polyester,
Polycarbonate-1, polyvinyl acecool, poly'X
Film formation using insulating materials such as vinyl acetate, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin, organosiloxane, polyfluorinated ethylene, etc. by vapor deposition, dipping@cloth method, spinner coating method, or spray coating method. obtained by doing.

配向制御11+≧106と107は、所定の古き込みブ
〕式に応じて、その表面を布、紙やビロードなどにより
ラビングするか、あるいは被膜形成111に斜め7に着
法を用いることによって、液晶組成物108をホモジニ
アス配向させる表面構造をもつことができ、あるいはそ
の表1mを例えば特開+1/J 5 0 − 3 ft
 1 5 0号公報に記載されたパーフルオロアルキル
基をもつシラン化合物、特開昭50−50947号公報
に記載されたアルキルトリアルコキシシラン、稍開閉5
0−83955号公+17に記・成されたテトラアルコ
キシシランなとの化合物により処理することによって、
液晶組成物108をホメオi・ロピンク配向させる表r
f8構造をもつことができる。
The orientation control 11+≧106 and 107 can be performed by rubbing the surface with cloth, paper, velvet, etc., or by using the diagonal coating method 7 for film formation 111, according to a predetermined old-fashioned formula. The composition 108 may have a surface structure that homogeneously aligns the composition 108, or the surface structure thereof may be described, for example, in Japanese Patent Application Publication No. JP-A-1-1-25030.
The silane compound having a perfluoroalkyl group described in JP-A No. 150, the alkyltrialkoxysilane described in JP-A No. 50-50947, and the silane compound having a perfluoroalkyl group described in JP-A No. 50-50947.
By treating with a compound such as tetraalkoxysilane described in No. 0-83955 +17,
Table r for aligning the liquid crystal composition 108 with homeo-i-lopink alignment
It can have an f8 structure.

配向制御11!JIOeと107は、使用した絶縁性物
質のJ+Ii IAによって、その最適なI+央/ゾが
異なるが、一般的に100A−1にの範囲、好ましくは
500 A〜2000Aの範囲に定めることが適してお
り、さらにこの配向制御膜+08 と107が反則防止
11Wとしても作用する様な膜厚に設定しておくことが
望ましい。
Orientation control 11! For JIOe and 107, the optimum I+center/zo differs depending on the J+Ii IA of the insulating material used, but it is generally suitable to set it in the range of 100A-1, preferably in the range of 500A to 2000A. Furthermore, it is desirable to set the film thickness so that the orientation control films +08 and 107 also function as foul prevention 11W.

又、本発明の液晶素子は図示する如く背面方向からレー
ザビーム110を照射することによって前述の静止画像
を形成し、正面力面から自然光、ハロゲンランプ光、キ
セノンランプ光、蛍光灯光なとの観察光109を素子−
中に入射させて、この光線をコールドミラー105から
の反則光として、前述の静止画像を観察することができ
る。このコールドミラー105は、−・服に可視光に対
しては十分に高い反射材・くを有し、600mm以」―
の長波長光に対しては高い透過率特性を右している。具
体的には、Ge/MgF2 (1/4人) /CeO2
(1/4人) /MgF2(1/4人)/CeO2(1
/4人)からなる多J音1模が知られている。
Further, the liquid crystal element of the present invention forms the above-mentioned still image by irradiating the laser beam 110 from the back side as shown in the figure, and allows observation of natural light, halogen lamp light, xenon lamp light, fluorescent lamp light, etc. from the front side. Light 109 element-
The above-mentioned still image can be observed by using this light beam as reflected light from the cold mirror 105. This cold mirror 105 has a sufficiently high reflective material for visible light on clothing, and has a diameter of 600 mm or more.
It has high transmittance characteristics for long wavelength light. Specifically, Ge/MgF2 (1/4 person) /CeO2
(1/4 person) /MgF2 (1/4 person)/CeO2 (1
/4 people) is known.

しかし、本発明ではコールドミラー105の使用を省略
することもてきる。又、本発明の素子lオコールドフィ
ルター(図示せず)を電J@103 と配自制(JI 
II臭106の間に設けることもできる。このコールド
フィルターは、可視光に対しては上のに高い透過率を有
し、又長波長光に対しては十分に高い反射率特性を有し
ている。
However, in the present invention, the use of the cold mirror 105 can be omitted. In addition, the element lOcold filter (not shown) of the present invention was used with electric J@103 and self-distribution control (JI
It can also be provided between the II odor 106. This cold filter has an extremely high transmittance for visible light and a sufficiently high reflectance for long wavelength light.

次に1本発明の液晶素子を用いて表示パターンを形成し
た実施例を第2図に示す。
Next, FIG. 2 shows an example in which a display pattern was formed using the liquid crystal element of the present invention.

前述の一般式(1)で表わされる化合物のうぢ、化合物
No、2の化合物をスメクチック相晶(4,4’−シア
ノオクチルビフェニル;正の誘電異方性をもつ)に対し
て2重¥%の割合となる様に溶解した。この際、液晶組
成物をイソトロピック相となるまで加熱してから、前述
の化合物を添加し、この液を内壁面がホメオトロピンク
配向処理されたセル中に注入し、その後徐冷することに
よってホノ第1・ロピンクMi織をもつスメクチック相
の液晶を形成させた。
Compound No. 2 of the compound represented by the above general formula (1) is double-coated with smectic phase crystal (4,4'-cyanooctylbiphenyl; has positive dielectric anisotropy). %. At this time, the liquid crystal composition is heated until it becomes an isotropic phase, the above-mentioned compound is added, and this liquid is poured into a cell whose inner wall surface has been subjected to a homeotropic pink alignment treatment, and then slowly cooled. A smectic phase liquid crystal with a hono-first-ropink Mi weave was formed.

液晶セル201に画像を書き込むために使用するレーザ
ビームを全身寸するレーザ発手辰器202は、4夜晶中
に含有させた前述の化合物の吸収効率に対応した波長の
ものから選択することができるが、特にヘリウムーネオ
ンレーザ、半導体レーザあるいはYAGレーザより発射
された長波長のレーザビームあるいはアルゴンレーザよ
り発射された&i7波長のレーザビームを用いることが
てきる。レーザ発振器202より発射したレーザビーム
は、変調器203、スリッI・204 、Y輛偏向器2
05 、X軸偏向器206を通過して変調と偏向されて
から、書き込みレンズ208により東光され、タイクロ
イックミラー209を介して液晶素子201の背面から
照射される。前述の変調器203.Y軸偏向器205 
、 X+li1+偏向器206は、駆動用増幅器210
を介して信号源211 と接続されており、これによっ
てレーザビームが制御されて、信号源211からのデジ
タル電気信号を光信号に変換する。この光信号によって
液晶素子20+に画像パターンが書き込まれる。
The laser generator 202 that emits the laser beam used to write an image on the liquid crystal cell 201 can be selected from wavelengths corresponding to the absorption efficiency of the above-mentioned compound contained in the crystal. In particular, a long wavelength laser beam emitted from a helium-neon laser, a semiconductor laser or a YAG laser, or a &i7 wavelength laser beam emitted from an argon laser can be used. The laser beam emitted from the laser oscillator 202 is transmitted to a modulator 203, a slit I/204, and a Y deflector 2.
05, the light passes through the X-axis deflector 206, is modulated and deflected, is directed by the writing lens 208, and is irradiated from the back of the liquid crystal element 201 via the tychroic mirror 209. The aforementioned modulator 203. Y-axis deflector 205
, X+li1+ deflector 206 is a driving amplifier 210
The signal source 211 is connected to the signal source 211 through which the laser beam is controlled and the digital electrical signal from the signal source 211 is converted into an optical signal. An image pattern is written on the liquid crystal element 20+ by this optical signal.

しかる後に、液晶素子201の周辺部に取り伺けたベル
チェ素子212を電源213により作動させて、急冷状
!Eとなして、液晶素子20+ を冷却し、フΔ−カル
コニック組織のスメクチック相を形成させ、光信号の照
射された個所が光散乱状態となった画像パターンが形成
された。この際、ベニルチェ素子2+2は温度コントロ
ール器2+4により温度コンI・ロールされる。
After that, the Bertier element 212, which was located around the liquid crystal element 201, is activated by the power supply 213, and is rapidly cooled! As E, the liquid crystal element 20+ was cooled to form a smectic phase of a Δ-chalconic structure, and an image pattern was formed in which the portions irradiated with the optical signal were in a light scattering state. At this time, the temperature of the Venirtier element 2+2 is controlled by the temperature controller 2+4.

この画像パターンは、液晶素子201の前面に配置いた
照明1;f215を点灯することによって、観察するこ
とができる。
This image pattern can be observed by turning on the illumination 1; f215 arranged in front of the liquid crystal element 201.

次いで、前述の画像パターンを消去するには、液晶素子
201に設けた透明ヒータ218(例えは、酸化インジ
ウム膜、酸化錫11ジ、ITOII桑)を温度コントロ
ール器217を介したヒータ用電源218により加熱し
、液晶相からイソトシピック相へ相変化を生じさせる。
Next, in order to erase the above-mentioned image pattern, a transparent heater 218 (for example, indium oxide film, tin oxide film, ITOII mulberry film) provided on the liquid crystal element 201 is turned on by a heater power source 218 via a temperature controller 217. Heating causes a phase change from the liquid crystal phase to the isototropic phase.

しかる後、液晶素子201に設けた′if極213と2
20の間に交流電源221より電圧を印加しながら、液
晶素子201を徐冷して、ホメオI・ロピック組織のス
メクチック相を形成させた。
After that, the 'if poles 213 and 2 provided on the liquid crystal element 201
The liquid crystal element 201 was slowly cooled while applying a voltage from an AC power source 221 for 20 hours to form a smectic phase having a homeo-I-ropic structure.

この結果、書き込まれた画像パターンが消去された。As a result, the written image pattern was erased.

本発明の液晶素子は、大画面ディスプレイとして広用す
ることが可能であり、又所定の情tlJを含む光信号を
トランクに沿って走査してピットを形成する記録方式の
光ティスフシステムにも応用することができる。
The liquid crystal element of the present invention can be widely used as a large screen display, and can also be used in an optical display system that uses a recording method in which pits are formed by scanning an optical signal containing predetermined information along a trunk. It can be applied.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の液晶素子の断面図である。 第2図は、本発明の液晶素子を用いた表示方式の1例を
表わす説明1Δである。 101,102.ノ、(板 103、+04;%:極 105;コールドミラー 10θ、 107 ;配向制御膜 108;最高組成物 108;観察光 110、レーザビーム 特許出願人 キャノン株式会社 代 理 人 丸 島 儀 − ’s ブ ? −109 ’>1t。
FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal element of the present invention. FIG. 2 is an explanation 1Δ showing one example of a display method using the liquid crystal element of the present invention. 101, 102. (Plate 103, +04; %: Pole 105; Cold mirror 10θ, 107; Orientation control film 108; Highest composition 108; Observation light 110, Laser beam Patent applicant Canon Co., Ltd. Agent Gi Marushima - 's Bu? -109'>1t.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 液晶と下記一般式(1)で示さnる化合物を含有する液
晶組成物を有することを特徴とする液晶素子。 一般式(1) (式中、RI r R2r R3+ R4およびR6け
、水素原子、1屍準もしくは未置換のアルキル基、置換
もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未1す換の
スチリル基又は14換もしくは未1電換の複素環基を示
す、mは、0父け1であり、nは0,1又” け2であ
る。X8は、陰イオンである。)
[Scope of Claims] A liquid crystal element comprising a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a compound represented by the following general formula (1). General formula (1) (wherein, RI r R2r R3+ R4 and R6, hydrogen atom, monosubstituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted styryl group, or 14 Indicates a substituted or unsubstituted heterocyclic group, m is 0 and 1, and n is 0, 1 or 2. X8 is an anion.)
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