JPS61108591A - Photothermal conversion type recording medium - Google Patents

Photothermal conversion type recording medium

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JPS61108591A
JPS61108591A JP59228903A JP22890384A JPS61108591A JP S61108591 A JPS61108591 A JP S61108591A JP 59228903 A JP59228903 A JP 59228903A JP 22890384 A JP22890384 A JP 22890384A JP S61108591 A JPS61108591 A JP S61108591A
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Abstract

PURPOSE:To convert light to thermal energy by effectively absorbing said light and to enable high density recording and optical reproduction, by containing a specific azulenium salt compound. CONSTITUTION:A photothermal conversion type recording medium is obtained by forming a thin film 2 containing an azulenium salt compound to a substrate. The thin film 2 is formed by the vacuum vapor deposition of the azulenium salt compound represented by general formula [I] or coating a solution prepared by dissolving said compound in a solvent. The content of the azulenium salt compound is 0.1-99wt% in the thin film 2 and the thickness of said from 2 is set to 10mum or less. A pit 5 is formed by irradiating or contacting the thin film 2 with electromagnetic radiation 4. The scanning of low output laser is applied to the pit formed part and a pit non-formed part along a track and the reflectivity difference thereof is read by a photodetector.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、レーザ等により光熱変換効果を利用して情報
を高密度に記録し、これを再生する光熱変換記録媒体に
関し、詳しくはレーザ等の可視および近赤外域の波長の
光を効果的に吸収し、熱的エネルギーに変換し、高密度
の記録および光学的再生が可能な光熱変換記録媒体に関
するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a photothermal conversion recording medium that records and reproduces information at a high density by using a photothermal conversion effect using a laser or the like. The present invention relates to a photothermal conversion recording medium that effectively absorbs light with wavelengths in the visible and near infrared regions, converts it into thermal energy, and enables high-density recording and optical reproduction.

[従来の技術] 光デイスク技術で用いる光熱変換記録媒体は、基体上に
設けた薄い光熱変換記録層に形成された光学的に検出可
能な小さな(例えば約IJL)ピットをらせん状又は円
形のトラック形態にして高密度情報を記録することがで
きる。この様なディスクに情報を書き込むにはレーザ感
応層の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ光線
が照射された表面のみがピットを形成し、このピットを
らせん状又は円形トラックの形態で形成する。レーザ感
応層はレーザ・エネルギーを吸収して光学的に検出可能
なピットを形成できる。例えばヒートモード記録方式で
は、レーザ感応層に照射されたジーザ°エネルギーを吸
収し、熱的エネルギーに変換され、その個所に蒸発また
は変形により小さな凹部(ピット)を形成できるか、あ
るいはその個所に光学的に検出可能な化学変化によって
生じる酸化度差、反射率差、または濃度差を有する、 
 ピットを形成できる。
[Prior Art] A photothermal conversion recording medium used in optical disk technology consists of optically detectable small (for example, about IJL) pits formed in a thin photothermal conversion recording layer provided on a substrate in a spiral or circular track. It is possible to record high-density information in the form of To write information on such a disk, a focused laser beam is scanned over the surface of the laser-sensitive layer, and only the surface irradiated with this laser beam forms pits, and these pits are formed in the form of a spiral or circular track. do. The laser sensitive layer can absorb laser energy to form optically detectable pits. For example, in the heat mode recording method, the laser sensitive layer absorbs the Geezer energy irradiated, converts it into thermal energy, and forms small recesses (pits) at that location through evaporation or deformation, or optically have a difference in degree of oxidation, difference in reflectance, or difference in concentration caused by a chemical change that can be detected by
Can form pits.

この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される0例えば。
The information recorded on this optical disc is detected by scanning a laser along a track and reading optical changes in areas where pits are formed and areas where pits are not formed.

レーザがトラックに沿って走査され、ディスクにより反
射されたエネルギーがフォトディテクターによってモニ
ターされる。ピットが形成されていない時、フォトディ
テクターの出力は低下し、一方ピットが形成されている
時はレーザ光線は下層の反射面によって充分に反射され
フォトディテクターの出力は大きくなる。
A laser is scanned along the track and the energy reflected by the disk is monitored by a photodetector. When no pits are formed, the output of the photodetector decreases, while when pits are formed, the laser beam is sufficiently reflected by the underlying reflective surface and the output of the photodetector increases.

この様な光ディスクに用いる記録媒体として。As a recording medium used for such optical discs.

これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス
薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス
膜などの無機物質を主に用いたものが提案されている。
Up to now, methods have been proposed that mainly use inorganic materials such as metal thin films such as aluminum vapor-deposited films, bismuth thin films, tellurium oxide thin films, and chalcogenide amorphous glass films.

一方、光熱変換記録方式を用いうる液晶素子は、レーザ
等から生じた光信号に対応した光学像を形成することが
できる。
On the other hand, a liquid crystal element that can use a photothermal conversion recording method can form an optical image corresponding to an optical signal generated from a laser or the like.

従来、2枚のガラス基板の間に負の誘電異方性  ′を
もつネマチック液晶とコレステリック液晶との混合液晶
あるいは正の誘電異方性をもつスメクチック液晶を配置
した液晶素子を用意し、この液晶素子にレーザ光等を照
射すると、その個所が局部的に熱的エネルギーを生じ、
イントロピック相まで加熱される。その後、急激な冷却
により初期の一様な配向状態と異なったランダムな配向
状態の液晶相が形成される。その結果、レーザ光が照射
された個所では光散乱を生じ、一様な配向状態にある背
景域の液晶相とで光学的特性に相違が生じることになる
Conventionally, a liquid crystal element is prepared in which a mixed liquid crystal of nematic liquid crystal and cholesteric liquid crystal with negative dielectric anisotropy ′ or smectic liquid crystal with positive dielectric anisotropy is arranged between two glass substrates. When an element is irradiated with a laser beam, etc., that area generates thermal energy locally,
heated to the intropic phase. Thereafter, rapid cooling forms a liquid crystal phase with a random orientation different from the initial uniform orientation. As a result, light scattering occurs at the location where the laser beam is irradiated, resulting in a difference in optical characteristics between the liquid crystal phase in the background region, which is in a uniformly aligned state.

この種の液晶素子は前述の如き方法でレーザ書き込みに
より形成された光学像を消去することも可能である。す
なわち、液晶素子を構成している2枚の基板にそれぞれ
電極を設け、レーザ光と別の熱源(例えばヒーター)で
液晶素子の全体に亘って加熱することにより、液晶相を
イントロビック相まで加熱し、例えばスメクチック液晶
の場合ではホメオトロピック組織、あるいはコレステリ
ック−ネマチック液晶の場合ではグランジュラン組織が
形成されるまで冷却することによって先に書き込みによ
り形成していた光学像を消去することができる。
This type of liquid crystal element can also erase an optical image formed by laser writing using the method described above. In other words, electrodes are provided on each of the two substrates that make up the liquid crystal element, and by heating the entire liquid crystal element with a laser beam and another heat source (for example, a heater), the liquid crystal phase is heated to the introvic phase. However, the optical image previously formed by writing can be erased by cooling until a homeotropic structure is formed in the case of a smectic liquid crystal, or a grandeuran structure in the case of a cholesteric-nematic liquid crystal.

このような光熱変換記録方式を用いた液晶素子は画素を
形成するマトリクス電極構造を必要とせず、単に電気信
号から変換された光信号の走査によって画像パターンを
形成することができ、しかもそれを大画面で得られる点
に利点を有している。しかし、レーザ光を用いた場合、
レーザ光を吸収し熱エネルギーに変換する効率が十分な
ものではなく、光信号を走査させても十分な書き込みが
行なえない欠点を有している。そのため従来では例えば
“5ociety of InformationDi
splay International Sympo
sium、 Digest ofTechnical 
Paper” P、P34−49.172−187.2
38−253(1982)に開示されている様にスメク
チック液晶に黒色の色素を混入したゲスト−ホストタイ
プの光熱変換記録方式の液晶素子が提案、されている。
A liquid crystal device using such a photothermal conversion recording method does not require a matrix electrode structure to form pixels, and can form an image pattern simply by scanning optical signals converted from electrical signals. It has the advantage of being available on screen. However, when using laser light,
It has the drawback that the efficiency of absorbing laser light and converting it into thermal energy is not sufficient, and that sufficient writing cannot be performed even if an optical signal is scanned. Therefore, in the past, for example, “5ociety of Information Di
spray International Sympo
Digest of Technical
Paper” P, P34-49.172-187.2
38-253 (1982), a guest-host type photothermal conversion recording type liquid crystal element in which a black dye is mixed into a smectic liquid crystal has been proposed.

ところで、近年レーザとして小型でしかも低コストの上
、直接変調が可能な半導体レーザが開発されているが、
このレーザの発振波長が?OOn+w以上の波長を有し
ていることが多く、また、一般にアルゴンレーザ、ヘリ
ウム−ネオンレーザなどのガスレーザに較べ、レーザ光
パワーが小さい。
Incidentally, in recent years, semiconductor lasers have been developed that are small, low-cost, and capable of direct modulation.
What is the oscillation wavelength of this laser? It often has a wavelength of OOn+w or more, and generally has a lower laser light power than gas lasers such as argon lasers and helium-neon lasers.

従ってこの様な半導体レーザを用いて光熱変換記録を行
なう場合には、レーザ感応層の吸収特性は長波長側に吸
収ピーク(一般に700nm〜850nmの領域)を有
することが有効である。
Therefore, when performing photothermal conversion recording using such a semiconductor laser, it is effective that the absorption characteristic of the laser sensitive layer has an absorption peak on the long wavelength side (generally in the region of 700 nm to 850 nm).

しかし、従来の光熱変換記録媒体は、レーザ光を吸収し
熱エネルギーに変換する効率が十分がものでなく、例え
ば光ディスクの場合、前記のような無機物質を主成分と
して形成した光熱変換記録層は、レーザ光に対する反射
率が高いため、レーザの利用率が低くなり高感度特性が
得られない欠点を有しており、しかも感応波長域を7Q
Onm以上とすることはレーザ感応層の層構成を複雑化
する欠点を有している。この様なことから近年比較的長
波長域の光エネルギーで物質変化可能な有機化・1  
合物の研究がなされている0例えば、米国特許第431
5983号、r Re5each Disclosur
eJ 2051?(1981,5)に開示のビリリウム
染料やrJ、Vac。
However, conventional photothermal conversion recording media do not have sufficient efficiency in absorbing laser light and converting it into thermal energy. , has the disadvantage that the laser utilization rate is low and high sensitivity characteristics cannot be obtained due to the high reflectance of laser light, and the sensitive wavelength range is 7Q.
Setting the thickness to Onm or more has the disadvantage of complicating the layer structure of the laser sensitive layer. For this reason, in recent years organic materials that can change substances with light energy in a relatively long wavelength range have been developed.
For example, US Pat. No. 431
No. 5983, r Re5each Disclosure
eJ 2051? (1981, 5), rJ, and Vac.

Sal、 Technol、、 18’(1)、 Ja
n、/Feb、 1981. P2O3〜P109に開
示のスクェアリリウム染料を含有した有機化合物が70
0na+以上のレーザに対して感応性があることが知ら
れている。
Sal, Technol, 18'(1), Ja
n,/Feb, 1981. The organic compound containing the square lylium dye disclosed in P2O3 to P109 is 70
It is known that it is sensitive to lasers of 0 na+ or higher.

しかし、一般に有機化合物は吸収特性が長波長領域にな
るほど不安定で、わずかの温度上昇によって分解されや
すいなどの問題を有している。
However, organic compounds generally have problems such as their absorption characteristics becoming more unstable in the longer wavelength region and being easily decomposed by a slight temperature rise.

一方、ゲスト−ホストタイプの光熱変換記録方式の液晶
素子も前記のような半導体レーザを用いた場合低パワー
のため、レーザ光を吸収し、熱エネルギーに変換する効
率が十分なものでなく、高パワーまたは□低スピードの
光信号走査を必要とする欠点がある。また、前記の黒色
色素を用いた液晶素子では、黒色背景の中に白色の画像
パターンが形成されているため、人間工学上良好な表示
とはならない欠点がある。
On the other hand, when a guest-host type photothermal conversion recording type liquid crystal element uses a semiconductor laser as described above, the power is low, so the efficiency of absorbing laser light and converting it into thermal energy is not sufficient, and it is It has the disadvantage of requiring low power or low speed optical signal scanning. In addition, the liquid crystal element using the black dye described above has a drawback in that a white image pattern is formed in a black background, which does not provide good display from an ergonomic point of view.

[発明が解決しようとする問題点1 以上のように光ディスクおよび液晶素子として用いられ
る光熱変換記録媒体で要求される各種の特性を満足する
必要があるため、必ずしも実用性の点で十分に満足でき
る光熱変換記録媒体が開発されているとは言えないのが
現状である。
[Problem to be solved by the invention 1 As mentioned above, it is necessary to satisfy various characteristics required of photothermal conversion recording media used as optical disks and liquid crystal elements, so it is not necessarily possible to fully satisfy them in terms of practicality. At present, it cannot be said that a photothermal conversion recording medium has been developed.

従って本発明の第1の目的は新規かつ有用な光熱変換記
録媒体を提供することにある。
Therefore, a first object of the present invention is to provide a new and useful photothermal conversion recording medium.

本発明の第2の目的は、可視域および近赤外域の波長に
吸収特性をもち、光を効果的に吸収し熱的エネルギーに
変換し、かつ高密度の記録および光学的再生が可能な光
熱変換記録媒体を提供することにある。
The second object of the present invention is to provide a photothermal device that has absorption characteristics in the visible and near-infrared wavelengths, effectively absorbs light and converts it into thermal energy, and enables high-density recording and optical reproduction. The objective is to provide a conversion recording medium.

本発明の第3の目的は、前述の欠点を解消した熱的に安
定な光熱変換記録媒体を提供することにある。
A third object of the present invention is to provide a thermally stable photothermal conversion recording medium that eliminates the above-mentioned drawbacks.

本発明の第4の目的は新規な光デイスク用光熱変換記録
媒体を提供することにある。
A fourth object of the present invention is to provide a novel photothermal conversion recording medium for optical discs.

本発明の第5の目的は、可視域および近赤外域の波長で
高感度であり、しかも十分なS/N比を有する光デイス
ク用光熱変換記録媒体を提供することにある。
A fifth object of the present invention is to provide a photothermal conversion recording medium for optical disks that is highly sensitive at wavelengths in the visible and near infrared regions and has a sufficient S/N ratio.

本発明の第6の目的は新規な光熱変換記録方式を用いう
る液晶素子を提供することにある。
A sixth object of the present invention is to provide a liquid crystal element that can use a novel photothermal conversion recording method.

本発明の第7の目的はレーザ発振器を用いた光信号発生
器からの光信号走査に応じて光学像のパターンを形成す
ることができる光熱変換記録方式を用いた液晶素子を提
供することにある。
A seventh object of the present invention is to provide a liquid crystal device using a photothermal conversion recording method that can form an optical image pattern in response to scanning of an optical signal from an optical signal generator using a laser oscillator. .

[問題点を解決するための手段]及び[作用]本発明の
かかる目的は下記一般式[I]で表わされるアズレニウ
ム塩化合物を含有する光熱変換記録媒体によって達成さ
れる。
[Means for Solving the Problems] and [Operation] The objects of the present invention are achieved by a photothermal conversion recording medium containing an azulenium salt compound represented by the following general formula [I].

一般式[I] 一般式[I]において、R1−R7は、水素原子、ハロ
ゲン原子(塩素原子、臭素原子、沃素原子)又は1価の
有機残基を表わす。1価の有機残基としては、広範なも
のから選択することができるが、特にアルキル基(メチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル
、t−ブチル、n−アミル、n−ヘキシル、n−オクチ
ル、2−エチルヘキシル、t−オクチルなど)、アルコ
キシ基(メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシな
ど)、置換もしくは未置換のアリール基(フェニル、ト
リル、キシリル、エチルフェニル、メトキシフェニル、
エトキシフェニル、クロロフェニル、ニトロフェニル、
ジメチルアミノフェニル、α−ナフチル、β−ナフチル
など)、置換もしくは未置換の複素環基(ピリジル、キ
ノリル、カルバゾリル、フリル、チェニル、ピラゾリル
など)、置換もしくは未置換の7ラルキル基(ベンジル
、2−フェニルエチル、2−フェニル−1−メチルエチ
ル、ブロモベンジル、2−ブロモフェニルエチル、メチ
ルベンジル、メトキシベンジル、ニトロベンジル)、ア
シ)基(7″′チ″・プ″ye−r=tv・7チ9″・
パパ リル、ベンゾイル、トリオイル、ナフトイル、フ
タロイル、フロイルなど)、置換若しくは未置換アミノ
基(アミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロ
ピルアミノ、アセチルアーミノ、ベンゾイルアミノなど
)、置換若しくは未置換スチリル基(スチリル、ジメチ
ルアミノスチリル、ジエチルアミノスチリル、ジプロピ
ルアミノスチリル、メトキシスチリル、エトキシスチリ
ル、メチルスチリルなど)、ニトロ基、ヒドロキシ基、
メルカプト基、チオエーテル基、カルボン酸、カルボン
酸エステル、カルボン酸アミド、シアノ基、置換若しく
は未置換アリールアゾ基(フェニルアゾ、α−ナフチル
アゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノフェニルアゾ
、クロロフェニルアゾ、ニトロフェニルアゾ、メトキシ
フェニルアゾ、トリルアゾなど)を挙げることができる
。又。
General Formula [I] In General Formula [I], R1 to R7 represent a hydrogen atom, a halogen atom (chlorine atom, bromine atom, iodine atom) or a monovalent organic residue. Monovalent organic residues can be selected from a wide variety of groups, but in particular alkyl groups (methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, n-amyl, n-hexyl, n-octyl, 2-ethylhexyl, t-octyl, etc.), alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.), substituted or unsubstituted aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, ethylphenyl, methoxyphenyl,
ethoxyphenyl, chlorophenyl, nitrophenyl,
dimethylaminophenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, etc.), substituted or unsubstituted heterocyclic groups (pyridyl, quinolyl, carbazolyl, furyl, chenyl, pyrazolyl, etc.), substituted or unsubstituted 7ralkyl groups (benzyl, 2- Phenylethyl, 2-phenyl-1-methylethyl, bromobenzyl, 2-bromophenylethyl, methylbenzyl, methoxybenzyl, nitrobenzyl), acyl) group (7'''ti''・pu''ye-r=tv・7 Chi9″・
Papalyl, benzoyl, trioyl, naphthoyl, phthaloyl, furoyl, etc.), substituted or unsubstituted amino groups (amino, dimethylamino, diethylamino, dipropylamino, acetylamino, benzoylamino, etc.), substituted or unsubstituted styryl groups (styryl), , dimethylaminostyryl, diethylaminostyryl, dipropylaminostyryl, methoxystyryl, ethoxystyryl, methylstyryl, etc.), nitro group, hydroxy group,
Mercapto group, thioether group, carboxylic acid, carboxylic acid ester, carboxylic acid amide, cyano group, substituted or unsubstituted arylazo group (phenylazo, α-naphthylazo, β-naphthylazo, dimethylaminophenylazo, chlorophenylazo, nitrophenylazo, methoxy phenylazo, tolylazo, etc.). or.

R,とR2・R2とR3・R3とR4・R4とR5,R
,とR6およびR6とR7の組合せのうち、少なくとも
1つの組合で置換又は未置換の縮合環を形成してもよい
、縮合環としては5員、6員又は7員環の縮合環であり
、芳香族環、複素環又は脂肪族鎖による環が挙げられる
R, and R2, R2 and R3, R3 and R4, R4 and R5, R
, and R6 and R6 and R7, at least one combination may form a substituted or unsubstituted fused ring, and the fused ring is a 5-, 6-, or 7-membered fused ring, Mention may be made of aromatic rings, heterocycles or rings formed by aliphatic chains.

R8、R9およびRカは、水素原子、アルキル基(メチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル
、t−ブチル、n−アミル、n−ヘキシル、n−オクチ
ル、2−エチルヘキシル、E−オクチル、ノニル、ドデ
シルなど)、アルコキシ基(メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ブ、トキシ、アミロキシ、ヘキソキシ、オクト
キシなど)、置換もしくは未置換のアリール基(フェニ
ル、トリル、キシリル、エチルフェニル、メトキシフェ
ニル、クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミ
ノフェニル、ジベンジルアミノフェニル、α−ナフチル
、β−ナフチルなど)、置換もしくは未置換のスチリル
基、又は置換もしくは未置換の4−フェニル−1,3−
ブタジェニル基(スチリル、メトキシスチリル、ジメト
キシスチリル、エトキシスチリル、ジェトキシスチリル
、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミノスチリル、
4−フェニル−1,3−ブタジェニル、4−(p−ジメ
チルアミノフェニル)−1,3−ブタジェニル、4−(
p−ジエチルアミノフェニル)−1,3−ブタジェニル
など。)又ハ置換もしくは未置換の複素環基(3−カル
バゾリル、8−メチル−3−カルバゾリル、8−エチル
−3−カルバゾリル、8−カルバゾリルなど)を表わし
、又、R口とR9又はR9とR1゜は結合して置換もし
くは未置換のベンゼン環を形成してもよい。
R8, R9 and R are hydrogen atoms, alkyl groups (methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, n-amyl, n-hexyl, n-octyl, 2-ethylhexyl, E- octyl, nonyl, dodecyl, etc.), alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy, but, toxoxy, amyloxy, hexoxy, octoxy, etc.), substituted or unsubstituted aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, ethylphenyl, methoxyphenyl, chlorophenyl) , nitrophenyl, dimethylaminophenyl, dibenzylaminophenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, etc.), substituted or unsubstituted styryl group, or substituted or unsubstituted 4-phenyl-1,3-
Butadienyl group (styryl, methoxystyryl, dimethoxystyryl, ethoxystyryl, jetoxystyryl, dimethylaminostyryl, diethylaminostyryl,
4-phenyl-1,3-butadienyl, 4-(p-dimethylaminophenyl)-1,3-butadienyl, 4-(
p-diethylaminophenyl)-1,3-butadienyl, etc. ) or C represents a substituted or unsubstituted heterocyclic group (3-carbazolyl, 8-methyl-3-carbazolyl, 8-ethyl-3-carbazolyl, 8-carbazolyl, etc.), and R and R9 or R9 and R1 ° may be combined to form a substituted or unsubstituted benzene ring.

R,は水素原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基(メ
チル、エチル、プロピル、ブチルなど)又はアリール基
(フェニル、トリル、キシリルなど)を表わす。
R represents a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group (methyl, ethyl, propyl, butyl, etc.) or an aryl group (phenyl, tolyl, xylyl, etc.).

Zは、硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を表わす。Z represents a sulfur atom, an oxygen atom or a selenium atom.

Aはいずれも置換もしくは未置換のピラン、チオピラン
、セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベ
ンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフトチオピラン又
はナフトセレナピランを完成するに必要な原子を示して
いる。
A represents an atom necessary to complete substituted or unsubstituted pyran, thiopyran, selenapyran, benzopyran, benzothiopyran, benzoselenapyran, naphthopyran, naphthothiopyran or naphthoselenapyran.

e Z はアニオン残基を表わし、Z の具体例としては、
バークロレート、フルオロポレート、スルフォアセテー
ト、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、p−トル
エンスルホネート、アルキルスルホネート、アルキルジ
スルホネート、ペンゼンジスルホネート、ハロスルホネ
ート、ビクラート、テトラシアノエチレンアニオン、テ
トラシアノキノジメタンアニオンなどのアニオン残基を
表わす。
e Z represents an anion residue, and specific examples of Z are:
Berchlorate, fluoroporate, sulfoacetate, iodide, chloride, bromide, p-toluenesulfonate, alkylsulfonate, alkyldisulfonate, penzenedisulfonate, halosulfonate, viclate, tetracyanoethylene anion, tetracyanoquinodimethane anion, etc. Represents an anionic residue.

nは0.1又は2の整数を、nは0又は1の整数を表わ
す。
n represents an integer of 0.1 or 2; n represents an integer of 0 or 1;

以下、本発明で用いるアズレニウム塩化合物の具体例を
下記に列挙する。
Specific examples of the azulenium salt compounds used in the present invention are listed below.

”    l     ’             
N    (J=コ ーノ                       
                       誓η 工 χロ ヘ ロ Ill                      
                        I
I+=                      
                =ロ       
                  Q〜     
                    〜\工メー
1? ■ = ロ  門 口 へ 本発明の7ズレニウム塩化合物は、下記一般式[] 一般式[■] : (式中、R1−R7,R11およびmは前記の一般式[
I] と同意義) で示されるフォルミルアズレン化合物と一般式[I 一般式[T!i]  : ・・[+1] (式中、R8* R9+ R1o * A + X +
 Z  オよびnは前記の一般式[I1と同意義) で示される化合物とを溶媒中で反応させることによって
得られる。
"l'
N (J=Kono
Oath η Engineering χ Rohero Ill
I
I+=
= b
Q~
~ \ Engineering Me 1? ■ = B To the entrance The 7 durenium salt compound of the present invention has the following general formula [] General formula [■]: (wherein, R1-R7, R11 and m are the above general formula [
I] and the same meaning as) and the formyl azulene compound represented by the general formula [I General formula [T! i]: ...[+1] (in the formula, R8* R9+ R1o* A + X +
Z o and n can be obtained by reacting a compound represented by the above general formula [same definition as I1] in a solvent.

−“6″′式[I]で示されるアズレニウム墳化合で、
厘=Oの化合物は、一般式[I9’]]: (式中、R1−R7は一般式[I]と同意義)で示され
るアズレン化合物と一般式[V]4“−ゝv] : (式中、R8+ 19 + R1゜、A、X、およびn
は一般式[I] と同意義) で示されるアルデヒド化合物とを強酸存在下適当な溶媒
中で反応させることによっても容易に得ることができる
- an azulenium compound represented by the formula [I],
The compound where 厘=O is an azulene compound represented by the general formula [I9']]: (wherein R1-R7 has the same meaning as the general formula [I]) and the general formula [V]4"-ゝv]: (In the formula, R8 + 19 + R1゜, A, X, and n
It can also be easily obtained by reacting an aldehyde compound represented by the general formula [I] in an appropriate solvent in the presence of a strong acid.

用いられる溶媒としては広範な有機溶媒を使用できるが
、とくにエタノール、プロパツール、ブタノールなどの
アルコール類、アセトニトリルなどのニトリル類、メチ
ルエチルケトンなどのケトン類、ニトロベンゼンなどの
ニトロ化合物類、テトラクロロエタンなどのハロゲン化
炭化水素類、酢酸などの有機酸や無水酢酸などの酸無水
物などが用いられる。
A wide range of organic solvents can be used, but in particular alcohols such as ethanol, propatool and butanol, nitriles such as acetonitrile, ketones such as methyl ethyl ketone, nitro compounds such as nitrobenzene, and halogens such as tetrachloroethane. Hydrocarbons, organic acids such as acetic acid, and acid anhydrides such as acetic anhydride are used.

次に本発明の7ズレニウム塩化合物のうち、代表的なも
のについてその合成法を示す。
Next, a method for synthesizing typical compounds among the heptadurenium salt compounds of the present invention will be described.

九處皇」:化合物No、(1) 1−フォルミルー3,8−ジメチル−5−イソプロピル
、  7fyy、1°5′22・4−′ニアz:jlz
−5・8・7・8+)5hドロベンゾビリリウムバーク
ロレート2.58gを無水酢酸50履又中、80〜80
℃の液温にて2時間反応させた。放冷後、析出した結晶
をか刑し、氷酢酸、水、エタノールの順で洗浄した後、
乾燥した。その結果、化合物N001のアズレニウム塩
化合物3.35gを得た。
9th Emperor': Compound No., (1) 1-formyl-3,8-dimethyl-5-isopropyl, 7fyy, 1°5'22・4-'niaz:jlz
-5, 8, 7, 8+) 2.58 g of 5h drobenzobilylium verchlorate in 50 ml of acetic anhydride, 80-80
The reaction was carried out for 2 hours at a liquid temperature of °C. After cooling, the precipitated crystals were boiled and washed with glacial acetic acid, water, and ethanol in this order.
Dry. As a result, 3.35 g of an azulenium salt compound of compound N001 was obtained.

収  率:  85% 元素分析:  分子式  C37H,、C立05計算値
(z)    分析値(z) C74,8874,57 H5,946,03 C文   5.98      5.83合成例2:化
合物No、(8) 1−クロロ−4,8,8−)リメチルアズレン2.4g
と2.4−ジフェニル−テトラヒドロベンゾピロロ−8
−ω−アルデヒド3.89gをテトラヒドロフラン15
0■立で溶解し、液温2″5℃で70%過塩素酸4 m
fLを加え、同温度で6時間撹拌した。析出物を炉別し
、テトラヒドロフラン、水、テトラヒドロフランの順で
洗浄し、乾燥した。その結果、化合物 [No、(9)
の7ズレニウム塩3.88gを得た。
Yield: 85% Elemental analysis: Molecular formula C37H,, C 05 calculated value (z) Analysis value (z) C74,8874,57 H5,946,03 C text 5.98 5.83 Synthesis example 2: Compound No. (8) 2.4 g of 1-chloro-4,8,8-)limethylazulene
and 2,4-diphenyl-tetrahydrobenzopyrrolo-8
-3.89 g of ω-aldehyde was added to 15 g of tetrahydrofuran.
Dissolve at 0°C and add 4 m of 70% perchloric acid at a liquid temperature of 2″5°C.
fL was added and stirred at the same temperature for 6 hours. The precipitate was separated in a furnace, washed with tetrahydrofuran, water, and tetrahydrofuran in this order, and dried. As a result, the compound [No, (9)
3.88 g of 7 durenium salt was obtained.

収  率:  55% 元素分析:  分子式  C3,H3,C1205計算
値(X)    分析値(X) CBi2.88     1313.73H5,045
,18 C111,7911,84 本発明の光熱変換記録媒体は、光デイスク記録に用いる
ことができる0例えば第1図に示す様な基板1の上に前
述の7ズレニウム塩化合物゛を含有する薄膜2を形成し
たものとすること・ができる、かかる薄膜2は前述の一
般式[I]で示されるアズレニウム塩化合物を真空蒸着
によって形成でき、また前述のアズレニウム塩化合物を
適当な溶媒に含有させた塗工液を塗布することによって
も形成することができる。塗工によって被膜を形成する
際、前述の7ズレニウム塩化合物は溶媒中に分散状態で
含有されていてもよく、あるいは非晶質状態で含有され
ていてもよい・、また塗工液中にバインダーとして樹脂
を含有させることができ、好適なバインダーとしては、
広範な樹脂から選択することができル、 具体的にはニ
トロセルロース、リン酸セルロース、[8セルロース、
酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸セルロ
ース1.ミリスチン酸セルロース、パルミチン酸セルロ
ース、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セル
ロースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース
、エチルセルロース、プロピルセルロース、ブチルセル
ロース、などのセルロースエーテル類、ポリスチレン、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブ
タジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポ
リマー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコポ
リマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重
合樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアク
リレート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル醸、
ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロ
ニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタ
レートなどのポリエステル類、ポリ(4,4’−イソプ
ロヒリテンジフェニレンーコ−1,4−0シクロヘキシ
レンジメチレンカーボネート)、ポリ(エチレンジオキ
シ−3,3′−フェニレンチオカーボネート)、ポリ(
4,4”−イソプロビリデンジフェニレンカーポネート
ーコーテレフタレート)、ポリ(4,4’−イソプロピ
リデンジフェニレンカーポネート)、ポリ(4,4’−
5ec−ブチリデンジフェニレンカーボネート)、ポリ
(4,4’−イソプロビリデンジフェニレンカーポネー
トーブロックーオキシエチレン)などのボリアリレート
樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキ
シ樹脂類、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類な
どを用いることができる。
Yield: 55% Elemental analysis: Molecular formula C3, H3, C1205 Calculated value (X) Analytical value (X) CBi2.88 1313.73H5,045
, 18 C111, 7911, 84 The photothermal conversion recording medium of the present invention can be used for optical disk recording.For example, a thin film 2 containing the above-mentioned 7-durenium salt compound is formed on a substrate 1 as shown in FIG. The thin film 2 can be formed by vacuum evaporation of the azulenium salt compound represented by the above-mentioned general formula [I], or can be formed by a coating containing the above-mentioned azulenium salt compound in a suitable solvent. It can also be formed by applying an industrial solution. When forming a film by coating, the above-mentioned 7 durenium salt compound may be contained in a solvent in a dispersed state or in an amorphous state. As a suitable binder, a resin can be contained as a binder.
You can choose from a wide range of resins, including nitrocellulose, cellulose phosphate, cellulose [8],
Cellulose acetate, cellulose propionate, cellulose acetate 1. Cellulose esters such as cellulose myristate, cellulose palmitate, cellulose acetate/propionate, cellulose acetate/acetate, cellulose ethers such as methyl cellulose, ethyl cellulose, propyl cellulose, butyl cellulose, polystyrene,
Vinyl resins such as polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyvinyl butyral, polyvinyl acetal, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, styrene-butadiene copolymer, styrene-acrylonitrile copolymer, styrene-butadiene-acrylonitrile copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, etc. copolymer resins, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polybutyl acrylate, polyacrylic resin,
Acrylic resins such as polymethacrylic acid, polyacrylamide, and polyacrylonitrile; polyesters such as polyethylene terephthalate; ethylene dioxy-3,3'-phenylene thiocarbonate), poly(
4,4''-isopropylidene diphenylene carbonate coated terephthalate), poly(4,4'-isopropylidene diphenylene carbonate), poly(4,4'-
Polyarylate resins such as 5ec-butylidene diphenylene carbonate), poly(4,4'-isopropylidene diphenylene carbonate block-oxyethylene), polyamides, polyimides, epoxy resins, phenolic resins, polyethylene Polyolefins such as , polypropylene, and chlorinated polyethylene can be used.

塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダーの種類や
前述の化合物をバインダー中に含有させる際1分散状態
とするか、あるいは非晶質状態とするかによって異なっ
てくるが、一般には、メタノール、エタノール、イソプ
ロパツールなどの7′ ″ルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シ。
The organic solvent that can be used during coating varies depending on the type of binder and whether the above-mentioned compound is contained in the binder in a single dispersed state or in an amorphous state, but in general, methanol is used. , 7''' alcohols such as ethanol and isopropanol, acetone, methyl ethyl ketone, and alcohol.

クロヘキサノンなどのケトン類、N、N−ジメチルホル
ムアミド、N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノ
メチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロホルム、塩
化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチシンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類、あるい
はベンゼン、゛トルエン、キシレン、リグロイン、モノ
クロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類など
を用いることができる。
Ketones such as clohexanone, amides such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, ethers such as tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol monomethyl ether, methyl acetate, ethyl acetate , esters such as butyl acetate, aliphatic halogenated hydrocarbons such as chloroform, methylene chloride, dichloroethylene, carbon tetrachloride, trichlorethicine, or benzene, toluene, xylene, ligroin, monochlorobenzene, dichlorobenzene Aromatics such as, etc. can be used.

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
ブイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行うことができる。
Coating methods include dip coating, spray coating, spinner coating, bead coating,
This can be carried out using a coating method such as a bouillon coating method, a blade coating method, a roller coating method, or a curtain coating method.

バインダーとともに薄Fs2を形成する際、前述  [
のアズレニウム塩化合物の含有量は、薄膜2中に結いて
0.1〜38重量%、好ましくは40〜80重量%であ
る。また、薄Fs2の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は10
ミクロン以下、好ましくは2ミクロン以下である。
When forming thin Fs2 with a binder, the above-mentioned [
The content of the azulenium salt compound in the thin film 2 is 0.1 to 38% by weight, preferably 40 to 80% by weight. In addition, the dry film thickness or vapor deposited film thickness of thin Fs2 is 10
It is less than a micron, preferably less than 2 microns.

基体lとしては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。
As the substrate 1, plastics such as polyester, acrylic resin, polyolefin resin, phenol resin, epoxy resin, polyamide, and polyimide, glass, or metals can be used.

本発明の光熱変換記録媒体は、支持体として用いる基体
lの上に前述の薄膜2(電磁放射線感応層)を形成する
ことによって得られるが、各種補助層を設けることがで
きる0例えば、基体lの表面に熱定数を調整する目的で
無機あるいは有機物質からなる表面被膜を有する基体を
用いることができる。又、薄膜2の上に透明な材質から
なる保護層を設けることができ、この保w1層は機械的
損傷の防止に対して有効となる上に、適当な厚さで形成
することにより、反射防止膜とすることができるので、
感度の向上にも有効である。又、第2図に示す様に薄膜
2と基体1の間に反射N3を設けることができる。この
反射層3は、アルミニウム、銀、クロムなどの反射性金
属の蒸着層又はラミネート層とすることができる。
The photothermal conversion recording medium of the present invention is obtained by forming the aforementioned thin film 2 (electromagnetic radiation sensitive layer) on the substrate l used as a support, but various auxiliary layers may be provided. A substrate having a surface coating made of an inorganic or organic material for the purpose of adjusting the thermal constant can be used. In addition, a protective layer made of a transparent material can be provided on the thin film 2, and this protective layer is effective in preventing mechanical damage, and by forming it with an appropriate thickness, it can reduce reflection. Since it can be used as a preventive film,
It is also effective in improving sensitivity. Further, as shown in FIG. 2, a reflection N3 can be provided between the thin film 2 and the base 1. This reflective layer 3 can be a vapor deposited layer or a laminate layer of a reflective metal such as aluminum, silver, or chromium.

又、本発明の光熱変換記録媒体には特願昭57−723
74号明細書に記載のトラック案内溝や番地指定溝など
の機能をもつプレグルーブを形成することができる。
Further, the photothermal conversion recording medium of the present invention is disclosed in Japanese Patent Application No. 57-723.
It is possible to form a pregroove having a function such as a track guide groove or an address designation groove as described in the specification of No. 74.

′ 本発明の光熱変換記録媒体は、第3図に示す様に薄
膜2に電磁放射線4、例えばガリウムーヒ素−アルミニ
ウム半導体レーザ(発振波長二820nm ) 、アル
ゴンガスレーザ(発振波長:488.515n層)、ヘ
リウム−ネオンガスレーザ(発振波長= 832.8n
m )その他可視領域から赤外領域に発振波長を有する
レーザやキセノンフラッシュランプなどの各種短パルス
発光ランプあるいは赤外線ランプ光やヒータを照射ある
いは接触させることによってピット5を形成することが
できる。
' The photothermal conversion recording medium of the present invention, as shown in FIG. Helium-neon gas laser (oscillation wavelength = 832.8n)
m) In addition, the pits 5 can be formed by irradiating or contacting with various short pulse light emitting lamps such as lasers and xenon flash lamps having oscillation wavelengths from the visible region to the infrared region, infrared lamp light, or heaters.

このビット形成部は、ビット未形成部の反射率と異なっ
ており、従って、例えば電子放射線をトラックに沿って
走査することによってビットを形成し、このピット形成
部とピット未形成部に前述のトラックに沿って低出力レ
ーザを走査し、その反射率差をフォトディテクターによ
って読み取ることができる。
This bit forming area has a reflectance different from that of the bit-free area, so a bit is formed by, for example, scanning electron radiation along the track, and the above-mentioned track is formed between the pit-forming area and the pit-free area. It is possible to scan a low-power laser along the surface and read the difference in reflectance with a photodetector.

本発明の別の具体例では、光熱変換記録方式の液晶素子
として適用することができる0例えば、第4図に本発明
の光熱変換記録媒体の1例である液晶素子の断面図を示
す様に、液晶組成物108としては、前述の一般式[I
]で表わされるアズレ・ニウム塩化合物を溶解した液晶
が用いられる0本発明の光熱変換記録媒体に適用される
液晶素子に用いる液晶はスメクチック液晶が適しており
、特に正の誘電異方性をもつスメクチック液晶のA相又
はC相が適している。かかるスメクチック液晶は、レー
ザビームで局部的に加熱されるまではホメオトロピック
組織のスメクチック相に配列されており、温度上昇に伴
ないホメオトロピック組織のスメクチック相→ネマチッ
ク相→イソトロピック相と相変化することができる0次
いで、イントロピック相から急冷状態でスメクチック相
へ相変化させると光散乱特性をもつフォ−カルコニック
組織のスメクチック相が形成されることになる。
In another specific example of the present invention, the liquid crystal element can be applied as a photothermal conversion recording type liquid crystal element. For example, as shown in FIG. , the liquid crystal composition 108 has the general formula [I
] Smectic liquid crystal is suitable as the liquid crystal used in the liquid crystal element applied to the photothermal conversion recording medium of the present invention, and in particular has positive dielectric anisotropy. Smectic liquid crystal A phase or C phase is suitable. Such smectic liquid crystals are arranged in the smectic phase of a homeotropic structure until they are locally heated by a laser beam, and as the temperature increases, the phase changes from the smectic phase of the homeotropic structure to the nematic phase to the isotropic phase. Next, when the phase is changed from the intropic phase to the smectic phase under rapid cooling, a smectic phase with a focal conic structure having light scattering properties is formed.

従って、レーザビームを照射して液晶素子中のスメクチ
ック相を局部的にイントロビック相まで加熱し、その後
急冷するとその個所がフォーカルコニック組織のスメク
チック相となり、この状態が光散乱特性をもっているの
で、前述のレーザビームによる光信号走査によって静止
画像のパターンを形成することができる。
Therefore, when the smectic phase in the liquid crystal element is locally heated to the introbic phase by irradiation with a laser beam, and then rapidly cooled, the area becomes a smectic phase with a focal conic structure, and this state has light scattering properties, so A still image pattern can be formed by scanning an optical signal with a laser beam.

本発明の液晶素子で用いる正の誘電異方性をもつスメク
チック相を形成しうる化合物としては、例えば特開昭5
8−150030号公報、特開昭57−40429号公
報、特開昭57−51779号公報などに記載された化
合物を用いることができる。
Compounds capable of forming a smectic phase having positive dielectric anisotropy to be used in the liquid crystal element of the present invention include, for example,
Compounds described in JP-A No. 8-150030, JP-A-57-40429, JP-A-57-51779, etc. can be used.

前述の一般式[I]で表わされるアズレニウム塩化合物
は、液晶に対して0.1重量%以上、好ましくは1重量
%〜3重量%の範囲で液晶組成物108中に含有するこ
とができる。
The azulenium salt compound represented by the aforementioned general formula [I] can be contained in the liquid crystal composition 108 in an amount of 0.1% by weight or more, preferably in the range of 1% to 3% by weight based on the liquid crystal.

又1本発明の液晶素子は、正の誘電異方性をもつスメク
チック液晶とコレステリック液晶の混合液晶を用いるこ
とも可能で゛ある。コレステリック液晶は液晶組成物1
08中に0.5重量%〜15fi量%の範囲、好ましく
は1重量%〜5重量%の範囲で含有することが適してい
る。
Furthermore, the liquid crystal element of the present invention can also use a mixed liquid crystal of smectic liquid crystal and cholesteric liquid crystal having positive dielectric anisotropy. Cholesteric liquid crystal is liquid crystal composition 1
It is suitable for the content in the range of 0.5% by weight to 15% by weight, preferably in the range of 1% to 5% by weight.

本発明で用いうるコレステリック液晶としては、コレス
テリルクロライド、コレステリルブロマイド、コレステ
リルヨーダイト、コレステリルニトレート、コレステリ
ルクロロチカッエート、コレステリルブチレート、コレ
ステリルカプレート、コレステリルオレート、コレステ
リルオレ−ト、゛コレステリルラウレート、コレステリ
ル゛ミリステート、コレステリルヘプチルカルバメート
、コレステリルデシルエーテル、コレステリルラウリル
エーテル、コレステリルオレイルエーテルなどのコレス
テリル化合物が會げられる。  。
Cholesteric liquid crystals that can be used in the present invention include cholesteryl chloride, cholesteryl bromide, cholesteryl iodite, cholesteryl nitrate, cholesteryl chloroticaate, cholesteryl butyrate, cholesteryl caprate, cholesteryl oleate, cholesteryl oleate, cholesteryl laurate, Cholesteryl compounds such as cholesteryl myristate, cholesteryl heptyl carbamate, cholesteryl decyl ether, cholesteryl lauryl ether, and cholesteryl oleyl ether are synthesized. .

かかる混合液晶を用いた液晶素子は、レーザビームの局
部的な加熱によりホメオトロピックのスメクチック相か
らイントロピック相へ相変化を生じ、これを急冷すると
前述と同様にフォーカルコニック組織のスメクチック相
を形成することができる。
A liquid crystal element using such a mixed liquid crystal causes a phase change from a homeotropic smectic phase to an intropic phase by local heating with a laser beam, and when this is rapidly cooled, a smectic phase with a focal conic structure is formed as described above. be able to.

前述の如き方式で記録された液晶素子は、液晶組成物1
08を全面に例えばヒータにより加熱してイントロピッ
ク相へ相変化させた後に、液晶素子を構成している基板
101と102(例えば、透明ガラス板やアクリル板な
どのプラスチック板)に設けた電極103と104の間
に適当な直流又は交流を印加するとともに徐冷すること
によって、イントロピック相→ネマチック相→スメクチ
ック相へ相変化を生じることができる。この際、ネマチ
ック相で液晶が正の誘電異方性を有しているために電界
方向にネマチック液晶が配列し、さらに冷却するとホメ
オトロピック組織のスメクチックA相又はC相が形成さ
れて、書き込み画像パターンが消去される。電極103
と104は、一般的に酸化インジウム、酸化錫あるいは
ITO(Indium Tin0xide )の透明導
電膜によって得られ、又必要に応じてアルミニウム、ク
ロム、銀やニッケルなどの金属導電膜によって得られる
。この電極103と104は、基板101と102の全
面に亘って被膜されていることが望ましく、必ずしも所
定のパターン形状あるいはマトリックス電極構造とする
必要がない、しかし、所望に戒じて所定のパターン形状
あるいはマトリックス電極構造に設計することも可能で
ある。
The liquid crystal element recorded by the above-mentioned method uses liquid crystal composition 1.
After heating the entire surface of 08 with a heater to change the phase to an intropic phase, electrodes 103 are provided on substrates 101 and 102 (for example, plastic plates such as transparent glass plates and acrylic plates) constituting the liquid crystal element. By applying a suitable direct current or alternating current between and 104 and slow cooling, a phase change can be caused from an intropic phase to a nematic phase to a smectic phase. At this time, since the liquid crystal in the nematic phase has positive dielectric anisotropy, the nematic liquid crystal is aligned in the direction of the electric field, and when it is further cooled, a smectic A phase or C phase with a homeotropic structure is formed, and the written image is The pattern will be erased. Electrode 103
and 104 are generally obtained by a transparent conductive film of indium oxide, tin oxide, or ITO (Indium TinOxide), and if necessary, by a metal conductive film of aluminum, chromium, silver, nickel, or the like. These electrodes 103 and 104 are desirably coated over the entire surface of the substrates 101 and 102, and do not necessarily have to have a predetermined pattern shape or matrix electrode structure. Alternatively, it is also possible to design a matrix electrode structure.

本発明の液晶素子は、それぞれの電極103と104の
上に絶縁性物質の被膜からなる配向制御膜108と10
7を設けることができる。この配向制御膜108と10
7は、これらの臨界面で接する液晶組成物108の配列
方向を所望の状態に制御することができる表面構造を有
している。又、この配向制御?!10Bと107は液晶
組成物108を通して流れる電流の発生を防止すること
ができる絶縁膜としても機能する。この種の配向制御膜
1013と107は、例えば−酸化珪素、二酸化珪素、
酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、
酸化セリウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリ
コ) ン炭化物、ホウ素窒化物、ポリビニルアルコール
、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド
、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリとニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミ
ド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユ
リア樹脂やアクリル樹脂、オルガノシロキサン、ポリフ
ッ化エチレンなどの絶縁性物質を蒸着法、浸漬塗布法、
スピンナー塗布法あるいはスプレー塗布法により被膜形
成することによって得られる。
The liquid crystal element of the present invention has alignment control films 108 and 10 made of an insulating material coating on the electrodes 103 and 104, respectively.
7 can be provided. These alignment control films 108 and 10
No. 7 has a surface structure that allows the alignment direction of the liquid crystal composition 108 that contacts these critical surfaces to be controlled to a desired state. Also, this orientation control? ! 10B and 107 also function as insulating films that can prevent generation of current flowing through the liquid crystal composition 108. This type of alignment control films 1013 and 107 are made of, for example, -silicon oxide, silicon dioxide,
aluminum oxide, zirconia, magnesium fluoride,
Cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, polyesterimide, polyparaxylerin, polyester, polycarbonate, poly and nylacetal, polyvinyl chloride, polyamide , polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin, organosiloxane, polyfluoroethylene, and other insulating materials can be applied by vapor deposition, dip coating,
It can be obtained by forming a film using a spinner coating method or a spray coating method.

配向制御膜10Bと107は、所定の書き込み方式に応
じて、その表面を布、紙やビロードなどによりラビング
するか、あるいは被膜形成時に斜め蒸着法を用いること
によって、液晶組成物108をホモジニアス配向させる
表面構造をもつことができ、あるいはその表面を例えば
特開昭5O−31315Q号公報に記載されたパーフル
オロアルキル基をもつシラン化合物、特開昭50−50
947号公報に記載されたアルキルトリアルコキシシラ
ン、特開昭50−83955号公報に記載されたテトラ
アルコキシシランなどの化合物により処理することによ
って、液  [晶組成物108をホメオトロピック配向
させる表面構造をもつことができる。
The alignment control films 10B and 107 homogeneously align the liquid crystal composition 108 by rubbing the surface with cloth, paper, velvet, etc., or by using an oblique vapor deposition method when forming the film, depending on a predetermined writing method. A silane compound that can have a surface structure or has a perfluoroalkyl group on its surface, for example, as described in JP-A-50-31315Q, JP-A-50-50
By treating with a compound such as an alkyltrialkoxysilane described in Japanese Patent Publication No. 947, or a tetraalkoxysilane described in JP-A-50-83955, a surface structure for homeotropically aligning the liquid crystal composition 108 can be obtained. You can have it.

配向間@Wlttoeと107は、使用した絶縁性物質
の種類によって、その最適な膜厚が異なるが、一般的に
100 A〜1終の範囲、好ましくは500A〜200
OAの範囲に定めることが適しており、さらにこの配向
制御膜10Eiと107が反射防止膜としても作用する
様な膜厚に設定しておくことが望ましい。
The optimum film thickness for the orientation between @Wlttoe and 107 varies depending on the type of insulating material used, but is generally in the range of 100 A to 1, preferably 500 A to 200 A.
It is suitable to set the thickness within the OA range, and it is also desirable to set the film thickness so that the alignment control films 10Ei and 107 also function as antireflection films.

又、本発明の液晶素子は図示する如く背面方向からレー
ザビーム110を照射することによって前述の静止画像
を形成し、正面方向から自然光、ハロゲンランプ光、キ
セノンランプ光、蛍光灯光などの観察光108を素子中
に入射させて、この光線をコールドミラー105からの
反射光として、前述の静止画像を観察することができる
。このコールドミラー105は、一般に可視光に対して
は十分に高い反射率を有し、800nm以上の長波長光
に対しては高い透過率特性を有している。具体的には、
Ge/MgFz  (1/4  人) /Ce02(1
/4  人)7MgF2(l/4人) /CeO□ (
1ハ入)からなる多層膜が知られている。しかし、本発
明ではコールドミラー105の使用を省略することもで
きる。又、本発明の素子はコールドフィルター(図示せ
ず)を電極103と配向制御I!10Bの間に設けるこ
ともできる。このコールドフィルターは、可視光に対し
ては十分に高い透過率を有し、又長波長光に対しては十
分に高い反射率特性を有している。
Further, the liquid crystal element of the present invention forms the above-mentioned still image by irradiating the laser beam 110 from the rear direction as shown in the figure, and uses observation light 108 such as natural light, halogen lamp light, xenon lamp light, fluorescent lamp light, etc. from the front direction. The above-mentioned still image can be observed by making the light beam incident on the element and using this light beam as reflected light from the cold mirror 105. This cold mirror 105 generally has sufficiently high reflectance for visible light and high transmittance for long wavelength light of 800 nm or more. in particular,
Ge/MgFz (1/4 person) /Ce02 (1
/4 people) 7MgF2 (l/4 people) /CeO□ (
A multilayer film consisting of 1 layer is known. However, in the present invention, the use of cold mirror 105 can also be omitted. In addition, the device of the present invention connects a cold filter (not shown) to the electrode 103 and orientation control I! It can also be provided between 10B. This cold filter has a sufficiently high transmittance for visible light and a sufficiently high reflectance for long wavelength light.

[実施例] 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
[Examples] Hereinafter, the present invention will be explained in detail according to Examples, but the present invention is not limited thereto.

実施例1 ニトロセルロース溶液(ダイセル化学工業■製;オーバ
ーレスラッカー:ニトロセルロース25重量%のメチル
エチルケトン溶液)12重量部、前述の化合物No、(
1)の化合物3重量部およびメチルエチルケトン70重
量部をボールミルで十分に混合した。この混合した液を
直径30c層のディスク状アルミ蒸着ガラス板上にスピ
ンナーコーティング法により塗布した後、乾燥して0.
8g/m2の記録層を得た。
Example 1 12 parts by weight of nitrocellulose solution (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.; overless lacquer: 25% by weight nitrocellulose solution in methyl ethyl ketone), the aforementioned compound No.
3 parts by weight of the compound 1) and 70 parts by weight of methyl ethyl ketone were thoroughly mixed in a ball mill. This mixed solution was applied onto a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm by a spinner coating method, and then dried to a 0.05 mm diameter.
A recording layer of 8 g/m2 was obtained.

こうして作成した光デイスク記録体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモータで11000rp
の回転を与えながら、スポットサイズ1.0ミクロンに
集束した出力5履曽およびパルス幅8 MHzのガリウ
ムーアルミニウムーヒ素半導体レーザ(発振波長780
n■)を記録層面にトラック状で走査して記録を行なっ
た。
The optical disc recording medium thus created was mounted on a turntable, and the turntable was rotated by a motor at 11,000 rpm.
A gallium-aluminum-arsenide semiconductor laser (oscillation wavelength 780 nm) with an output of 5 MHz and a pulse width of 8 MHz focused to a spot size of 1.0 microns while giving a rotation of
Recording was carried out by scanning the recording layer surface in the form of a track.

この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが認められた。また、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レーザを入射し、反射光の検知を行なったところ
、十分なS/N比を有する波形が得られた。
When the surface of this recorded optical disc was observed using a scanning electron microscope, clear pits were observed. Furthermore, when a low-output gallium-aluminum-arsenide semiconductor laser was incident on this optical disk and reflected light was detected, a waveform with a sufficient S/N ratio was obtained.

また、記録後、経時における耐久安定性を測定するため
に、前述の記録された記録媒体を温度35℃および相対
湿度85%の強制環境下に240時間放置した後、記録
された記録媒体の表面を前述と同様に顕微鏡で観察した
が、耐久テスト前に観察、  した時と同・様のピット
が認められた。また、このj′ 記録され且つ耐久テストされた記録媒体に低出力のガリ
ウムーヒ素−アルミニウム半導体レーザを入射し、反射
光の検知を行なったところ、十分に高いS/N比を有す
る波形が得られた。
In addition, in order to measure the durability stability over time after recording, the recorded recording medium was left in a forced environment of a temperature of 35°C and a relative humidity of 85% for 240 hours, and then the surface of the recorded recording medium was was observed under a microscope in the same manner as described above, and pits similar to those observed before the durability test were observed. Furthermore, when a low-output gallium-arsenide-aluminum semiconductor laser was incident on the recording medium on which this j' had been recorded and which had undergone a durability test, and the reflected light was detected, a waveform with a sufficiently high S/N ratio was obtained. Ta.

、実施例2 前述の化合物No、(5)の化合物を実施例1と同様の
方法で直径30c層のディスク状アルミ蒸着ガラス板の
上にスピンナーコーティング法により塗工して0.13
g/m2の記録層を有する光デイスク記録体を作成した
, Example 2 The above-mentioned compound No. (5) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using a spinner coating method in the same manner as in Example 1 to obtain a coating composition of 0.13.
An optical disc recording medium having a recording layer of g/m2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記録させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又情報を書き込みした後の記録層
面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピット
が形成されていた。また、記録後の耐久テストを実施例
1と同様の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例3 前述の化合物No、 (10)の化合物を実施例1と同
様の方法で直径30c層のディスク状アルミ蒸着ガラ 
 ・ス板の上にスピンナーコーティング法により塗工し
て0 、13g/s’の記録層を有する光デイスク記録
体を作成した。
Example 3 The above-mentioned compound No. (10) was applied to a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass having a diameter of 30 cm in the same manner as in Example 1.
- An optical disk recording medium having a recording layer of 0.13 g/s' was prepared by coating on a substrate by a spinner coating method.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed.

また、記録後の耐久テストを実施例1と同様の方法で測
定したが同様の結果が得られた。
Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例4 前述の化合物No、(12)の化合物を実施例1と同様
の方法で直径30c■のディスク状アルミ蒸着ガラス板
の上にスピンナーコーティング法により塗工して0.8
g/m2の記録層を有する光デイスク記録体を作成した
Example 4 The above-mentioned compound No. (12) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm by spinner coating method in the same manner as in Example 1 to give a coating of 0.8 cm.
An optical disc recording medium having a recording layer of g/m2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed.

また、記録後の耐久テストを実施例1と同様の方法で測
定したが、同様の結果が得られた。
Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例5 前述の化合物No、(17)の化合物を実施例1と同様
の方法で直径30cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板
の上にスピンナーコーティング法により塗工して0 、
8g/+a2の記録層を有する光デイスク記録体を作成
した。
Example 5 The above compound No. (17) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm by spinner coating method in the same manner as in Example 1.
An optical disc recording medium having a recording layer of 8 g/+a2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されてい邂。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Furthermore, when the surface of the recording layer after information was written was observed using a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed.

また、記録後の耐久テストを実施例1と同様の方法で測
定したが、同様の結果が得られた。
Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例6 前述の化合物No、(20)の化合物を実施例1と同様
の方法で直径30cmのディスク状アルミ蒸着ガラス板
の上にスピンナーコーティング法により塗工して0.8
g/層2の記録層を有する光デイスク記録体を作゛成し
た。
Example 6 The above-mentioned compound No. (20) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using a spinner coating method in the same manner as in Example 1 to give a coating composition of 0.8 cm.
An optical disc recording medium having a recording layer of g/layer 2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed.

また、記録後の耐久テストを実施例1と同様の方法で測
定したが、同様の結果が得られた。
Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例7 前述の化合物No、(22)の化合物を実施例1と同様
の方法で直径30c層のディスク状アルミ蒸着ガラス板
の上にスピンナーコーティング法により塗工して0.8
g/m2の記録層を有する光デイスク記録体を作成した
Example 7 The above-mentioned compound No. (22) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using a spinner coating method in the same manner as in Example 1 to obtain a coating composition of 0.8 cm.
An optical disc recording medium having a recording layer of g/m2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なS/N比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed.

1  また、記録後の耐久テストを実施例1と同様の方
法で測定したが、同様の結果が得られた。
1 In addition, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例8 前述の化合物No、(2)の化合物500■gを蒸着用
モリブテンポートに入れ、I X 10” mmHg以
下に排気した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着
中は真空室内の圧力が10′lmmHg以上に上昇しな
い様にヒーターを制御しながら、0.2ミクロンの蒸着
膜を形成させた。
Example 8 500 μg of the above compound No. (2) was put into a molybdenum port for vapor deposition, and after evacuated to below I x 10” mmHg, it was vapor deposited on an aluminum vapor-deposited glass plate.During the vapor deposition, the pressure in the vacuum chamber was kept constant. A vapor deposited film of 0.2 microns was formed while controlling the heater so that the temperature did not rise above 10'lmmHg.

こうして作成した光デイスク記録体に実施例1と同様の
方法で情報を記憶させたところ、実施例1と同様の鮮明
なピットが認められ、また実施例1と同様の方法で情報
を再生したが、この際十分なS/N比を有する波形が認
められた。
When information was stored in the optical disc recording medium thus prepared in the same manner as in Example 1, clear pits similar to those in Example 1 were observed, and information was reproduced in the same manner as in Example 1. At this time, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed.

実施例9 本発明の液晶素子を用いて表示パターンを形成した実施
例を第5図に示す。
Example 9 FIG. 5 shows an example in which a display pattern was formed using the liquid crystal element of the present invention.

前述の一般式[I]で表わされる化合物のうち、化合物
No−(21)の化合物をスメクチック液晶(4,4”
−シアノオクチルビフェニル;正の誘電具−5ち 方性をもつ)に対して2重量%の割合となる様に溶解し
た。この際、液晶組成物をイソトロピック相となるまで
加熱してから、前述の化合物を添加し、この液を内壁面
がホメオトロピック配向処理されたセル中に注入し、そ
の後徐冷することによってホメオトロピック組織をもつ
スメクチック相の液晶を形成させた。
Among the compounds represented by the above-mentioned general formula [I], compound No.
-cyanooctylbiphenyl; positive dielectric device - having 5-isotropy) was dissolved in a proportion of 2% by weight. At this time, the liquid crystal composition is heated until it becomes an isotropic phase, the above-mentioned compound is added, and this liquid is injected into a cell whose inner wall surface has been subjected to homeotropic alignment treatment. A smectic phase liquid crystal with a tropic structure was formed.

液晶セル201に画像を書き込むために使用するレーザ
ビームを発射するレーザ発振器202は、液晶中に含有
させた前述の化合物の吸収効率に対応した波長のものか
ら選択することができるが、特にヘリウム−ネオンレー
ザ、半導体レーザあるいはYAGレーザより発射された
長波長のレーザビームあるいはアルゴンレーザより発射
された短波長のレーザビームを用いることができる。レ
ーザ発振器202より発射したレーザビームは、変調器
203 、7. !j ット204 、 Y軸偏向器2
05 、 X軸偏向器206を通過して変調と偏向され
てから、書き込みレンズ208により集光され、グイク
ロイックミラー208を介して液晶素子201の背面か
ら照射される。前述の変調器203 、 Y軸偏向器2
05 、 X軸偏向器206は、駆動用増幅器210を
介して信号源211と接続されており、これによってレ
ーザビームが制御されて、信号源211からのデジタル
電気信号を光信号に変換する。この光信号によって液晶
素子201に画像パターンが書き込まれる。しかる後に
、液晶素子201の周辺部に取り付けたベルチェ素子2
12を電源213により作動させて、急冷状態となして
、液晶素子201を冷却し、フォーカルコニック組織の
スメクチック相を形成させ、光信号の照射された個所が
光散乱状態となった画像パターンが形成された。この際
、ベルチェ素子212は温度コントロール器214によ
り温度コントロールされる。
The laser oscillator 202 that emits the laser beam used to write an image on the liquid crystal cell 201 can be selected from those with wavelengths that correspond to the absorption efficiency of the above-mentioned compounds contained in the liquid crystal. A long wavelength laser beam emitted from a neon laser, a semiconductor laser, or a YAG laser, or a short wavelength laser beam emitted from an argon laser can be used. The laser beam emitted from the laser oscillator 202 is transmitted to modulators 203, 7. ! j cut 204, Y-axis deflector 2
05, the light passes through the X-axis deflector 206, is modulated and deflected, is focused by the writing lens 208, and is irradiated from the back side of the liquid crystal element 201 via the gicroic mirror 208. The aforementioned modulator 203 and Y-axis deflector 2
05, the X-axis deflector 206 is connected to the signal source 211 via the driving amplifier 210, thereby controlling the laser beam and converting the digital electrical signal from the signal source 211 into an optical signal. An image pattern is written on the liquid crystal element 201 by this optical signal. After that, the Bertier element 2 attached to the periphery of the liquid crystal element 201 is
12 is activated by a power source 213 to bring it into a quenched state, thereby cooling the liquid crystal element 201 and forming a smectic phase with a focal conic structure, forming an image pattern in which the portions irradiated with the optical signal are in a light scattering state. It was done. At this time, the temperature of the Bertier element 212 is controlled by the temperature controller 214.

この画像パターンは、液晶素子201の前面に配置した
照明源215を点灯することによって、観察することが
できる。
This image pattern can be observed by turning on the illumination source 215 placed in front of the liquid crystal element 201.

次いで、前述の画像パターンを消去するには、液晶素子
201に設けた透明ヒータ218(例えば、酸化インジ
ウム膜、酸化錫膜、ITO膜)を温度コントロール器2
17を介したヒータ用電源218により加熱し、液晶相
からイソトロピック相へ相変化を生じさせる。しかる後
、液晶素子201に設けた電極218と220の間に交
流電源221より電圧を印加しながら、液晶素子201
を徐冷して、ホメオトロピック組織のスメクチック相を
形成させた。この結果、書き込まれた画像パターンが消
去された。
Next, in order to erase the image pattern described above, a transparent heater 218 (for example, an indium oxide film, a tin oxide film, an ITO film) provided on the liquid crystal element 201 is connected to a temperature controller 2.
It is heated by a heater power supply 218 via a heater power source 218 via a heater power source 218 to cause a phase change from a liquid crystal phase to an isotropic phase. After that, while applying a voltage from the AC power supply 221 between the electrodes 218 and 220 provided on the liquid crystal element 201, the liquid crystal element 201
was slowly cooled to form a smectic phase with a homeotropic structure. As a result, the written image pattern was erased.

[発明の効果] 本発明による効果を列挙すると下記のとおりである。[Effect of the invention] The effects of the present invention are listed below.

本発明の光熱交換記録媒体は、薄膜の電磁放射線感応層
が電磁放射線に対して吸収効率が大きく、低いエネルギ
ー密度のヘリウム−ネオンガスレーザやキセノンフラッ
シュランプによる記録が可能で、しかも長波長側に発振
波長をもつ半導体レーザによる記録にも有効である。又
、S/N比が高く、再生効率が良好である。さらに、本
発明で用いる化合物は、熱に対して極めて安定している
利点を有している。
The photothermal exchange recording medium of the present invention has a thin electromagnetic radiation-sensitive layer that has a high absorption efficiency for electromagnetic radiation, and enables recording with a low energy density helium-neon gas laser or xenon flash lamp, and oscillates on the long wavelength side. It is also effective for recording using a semiconductor laser with a certain wavelength. Furthermore, the S/N ratio is high and the regeneration efficiency is good. Furthermore, the compound used in the present invention has the advantage of being extremely stable against heat.

)  又、本発明の光熱変換記録媒体に係わる液晶素子
は、大画面ディスプレイとして応用することが可能であ
り、又所定の情報を含む光信号をトラックに沿って走査
してピットを形成する記録方式の光デイスクシステムに
も応用することができる。
) Furthermore, the liquid crystal element related to the photothermal conversion recording medium of the present invention can be applied as a large screen display, and can also be used in a recording method in which pits are formed by scanning an optical signal containing predetermined information along a track. It can also be applied to other optical disk systems.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図は各々本発明の光ディス、り用光熱
変換記録媒体の断面図である。第3図は、光熱変換記録
媒体の実施態様を示す説明図である。第4図は、本発明
の光熱変換記録媒体の1例を示す液晶素子の断面図であ
る。第5図は、本発明の液晶素子を用いた表示方式の1
例を表わす説明図である。 に基体、2:薄膜、3:反射層、 4:電磁放射線、5:ビット、 101、102:基板、103.104:電極、105
:コールドミラー、 108、10?:配向制御膜、108:液晶組成物゛、
1013  :観察光、110:レーザビーム。
FIG. 1 and FIG. 2 are sectional views of a photothermal conversion recording medium for optical disks and discs of the present invention, respectively. FIG. 3 is an explanatory diagram showing an embodiment of the photothermal conversion recording medium. FIG. 4 is a cross-sectional view of a liquid crystal element showing an example of the photothermal conversion recording medium of the present invention. FIG. 5 shows one of the display methods using the liquid crystal element of the present invention.
It is an explanatory diagram showing an example. 2: thin film, 3: reflective layer, 4: electromagnetic radiation, 5: bit, 101, 102: substrate, 103.104: electrode, 105
: Cold Mirror, 108, 10? : alignment control film, 108: liquid crystal composition,
1013: observation light, 110: laser beam.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下記一般式[ I ]で表わされるアズレニウム塩
化合物を含有することを特徴とする光熱変換記録媒体。 一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼……[ I ] [但し、一般式[ I ]において、R_1、R_2、R
_3、R_4、R_5、R_6およびR_7は水素原子
、ハロゲン原子又は1価の有機残基のいずれか一種、又
はR_1とR_2、R_2とR_3、R_3とR_4、
R_4とR_5、R_5とR_6およびR_6とR_7
の組合せのうち、少なくとも1つの組合せで形成された
置換又は未置換の縮合環を表わす。R_8、R_9およ
びR_1_0は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、
置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換
のスチリル基、置換もしくは未置換の4−フェニル−1
、3−ブタジエニル基又は置換もしくは未置換の複素環
基のいずれか一種、又はR_8とR_9、或いはR_9
とR_1_0の組合せで形成された置換もしくは未置換
のベンゼン環を表わす。 R_1_1は水素原子、ニトロ基、アルキル基又はアリ
ール基を表わす。Xは酸素原子、硫黄原子又はセレン原
子を表わす。Aはいずれも置換もしくは未置換のピラン
、チオピラン、セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチ
オピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフト
チオピラン、又はナフトセレナピランを完成するに必要
な原子群を表わす。Z^■はアニオン残基、mは0、1
又は2の整数、及びnは0又は1の整数を表わす。]
(1) A photothermal conversion recording medium characterized by containing an azulenium salt compound represented by the following general formula [I]. General formula [I] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼... [I] [However, in the general formula [I], R_1, R_2, R
_3, R_4, R_5, R_6 and R_7 are hydrogen atoms, halogen atoms, or monovalent organic residues, or R_1 and R_2, R_2 and R_3, R_3 and R_4,
R_4 and R_5, R_5 and R_6 and R_6 and R_7
represents a substituted or unsubstituted condensed ring formed by at least one combination of the following. R_8, R_9 and R_1_0 are hydrogen atoms, alkyl groups, alkoxy groups,
Substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted styryl group, substituted or unsubstituted 4-phenyl-1
, 3-butadienyl group or substituted or unsubstituted heterocyclic group, or R_8 and R_9, or R_9
represents a substituted or unsubstituted benzene ring formed by a combination of and R_1_0. R_1_1 represents a hydrogen atom, a nitro group, an alkyl group, or an aryl group. X represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom. A represents an atomic group necessary to complete substituted or unsubstituted pyran, thiopyran, selenapyran, benzopyran, benzothiopyran, benzoselenapyran, naphthopyran, naphthothiopyran, or naphthoselenapyran. Z^■ is an anion residue, m is 0, 1
or an integer of 2, and n represents an integer of 0 or 1. ]
(2)前記光熱変換記録媒体が基体上に下記一般式[
I ]で表わされるアズレニウム塩化合物を含有する被膜
を形成してなる特許請求の範囲第1項記載の光熱変換記
録媒体。 一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼……[ I ] [但し、一般式[ I ]において、R_1、R_2、R
_3、R_4、R_5、R_6およびR_7は水素原子
、ハロゲン原子又は1価の有機残基のいずれか一種、又
はR_1とR_2、R_2とR_3、R_3とR_4、
R_4とR_5、R_5とR_6およびR_6とR_7
の組合せのうち、少なくとも1つの組合せで形成された
置換又は未置換の縮合環を表わす。R_8、R_9およ
びR_1_0は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、
置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換
のスチリル基、置換もしくは未置換の4−フェニル−1
、3−ブタジエニル基又は置換もしくは未置換の複素環
基のいずれか一種、又はR_8とR_9、或いはR_9
とR_1_0の組合せで形成された置換もしくは未置換
のベンゼン環を表わす。 R_1_1は水素原子、ニトロ基、アルキル基又はアリ
ール基を表わす。Xは酸素原子、硫黄原子又はセレン原
子を表わす。Aはいずれも置換もしくは未置換のピラン
、チオピラン、セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチ
オピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフト
チオピラン、又はナフトセレナピランを完成するに必要
な原子群を表わす。Z^■はアニオン残基、mは0、1
又は2の整数、及びnは0又は1の整数を表わす。]
(2) The photothermal conversion recording medium is formed on a substrate by the following general formula [
The light-to-heat conversion recording medium according to claim 1, comprising a coating containing an azulenium salt compound represented by [I]. General formula [I] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼... [I] [However, in the general formula [I], R_1, R_2, R
_3, R_4, R_5, R_6 and R_7 are hydrogen atoms, halogen atoms, or monovalent organic residues, or R_1 and R_2, R_2 and R_3, R_3 and R_4,
R_4 and R_5, R_5 and R_6 and R_6 and R_7
represents a substituted or unsubstituted condensed ring formed by at least one combination of the following. R_8, R_9 and R_1_0 are hydrogen atoms, alkyl groups, alkoxy groups,
Substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted styryl group, substituted or unsubstituted 4-phenyl-1
, 3-butadienyl group or substituted or unsubstituted heterocyclic group, or R_8 and R_9, or R_9
represents a substituted or unsubstituted benzene ring formed by a combination of and R_1_0. R_1_1 represents a hydrogen atom, a nitro group, an alkyl group, or an aryl group. X represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom. A represents an atomic group necessary to complete substituted or unsubstituted pyran, thiopyran, selenapyran, benzopyran, benzothiopyran, benzoselenapyran, naphthopyran, naphthothiopyran, or naphthoselenapyran. Z^■ is an anion residue, m is 0, 1
or an integer of 2, and n represents an integer of 0 or 1. ]
(3)前記光熱変換記録媒体が下記一般式[ I ]で表
わされるアズレニウム塩化合物を含有する液晶組成物を
有する液晶素子からなる特許請求の範囲第1項記載の光
熱変換記録媒体。 一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼……[ I ] [但し、一般式[ I ]において、R_1、R_2、R
_3、R_4、R_5、R_6およびR_7は水素原子
、ハロゲン原子又は1価の有機残基のいずれか一種、又
はR_1とR_2、R_2とR_3、R_3とR_4、
R_4とR_5、R_5とR_6およびR_6とR_7
の組合せのうち、少なくとも1つの組合せで形成された
置換又は未置換の縮合環を表わす。R_8、R_9およ
びR_1_0は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、
置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換
のスチリル基、置換もしくは未置換の4−フェニル−1
、3−ブタジエニル基又は置換もしくは未置換の複素環
基のいずれか一種、又はR_8とR_9、或いはR_9
とR_1_0の組合せで形成された置換もしくは未置換
のベンゼン環を表わす。 R_1_1は水素原子、ニトロ基、アルキル基又はアリ
ール基を表わす。Xは酸素原子、硫黄原子又はセレン原
子を表わす。Aはいずれも置換もしくは未置換のピラン
、チオピラン、セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチ
オピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフト
チオピラン、又はナフトセレナピランを完成するに必要
な原子群を表わす。Z^■はアニオン残基、mは0、1
又は2の整数、及びnは0又は1の整数を表わす。]
(3) The photothermal conversion recording medium according to claim 1, wherein the photothermal conversion recording medium comprises a liquid crystal element having a liquid crystal composition containing an azulenium salt compound represented by the following general formula [I]. General formula [I] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼... [I] [However, in the general formula [I], R_1, R_2, R
_3, R_4, R_5, R_6 and R_7 are hydrogen atoms, halogen atoms, or monovalent organic residues, or R_1 and R_2, R_2 and R_3, R_3 and R_4,
R_4 and R_5, R_5 and R_6 and R_6 and R_7
represents a substituted or unsubstituted condensed ring formed by at least one combination of the following. R_8, R_9 and R_1_0 are hydrogen atoms, alkyl groups, alkoxy groups,
Substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted styryl group, substituted or unsubstituted 4-phenyl-1
, 3-butadienyl group or substituted or unsubstituted heterocyclic group, or R_8 and R_9, or R_9
represents a substituted or unsubstituted benzene ring formed by a combination of and R_1_0. R_1_1 represents a hydrogen atom, a nitro group, an alkyl group, or an aryl group. X represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom. A represents an atomic group necessary to complete substituted or unsubstituted pyran, thiopyran, selenapyran, benzopyran, benzothiopyran, benzoselenapyran, naphthopyran, naphthothiopyran, or naphthoselenapyran. Z^■ is an anion residue, m is 0, 1
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