JPH0257032B2 - - Google Patents

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JPH0257032B2
JPH0257032B2 JP59228904A JP22890484A JPH0257032B2 JP H0257032 B2 JPH0257032 B2 JP H0257032B2 JP 59228904 A JP59228904 A JP 59228904A JP 22890484 A JP22890484 A JP 22890484A JP H0257032 B2 JPH0257032 B2 JP H0257032B2
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group
substituted
liquid crystal
general formula
atom
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Kazuharu Katagiri
Yoshio Takasu
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Canon Inc
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、レーザ等により光熱変換効果を利用
して情報を高密度に記録し、これを再生する光熱
変換記録媒体に関し、詳しくはレーザ等の可視お
よび近赤外域の波長の光を効果的に吸収し、熱的
エネルギーに変換し、高密度の記録および光学的
再生が可能な光熱変換記録媒体に関するものであ
る。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a photothermal conversion recording medium that records and reproduces information at a high density by using a photothermal conversion effect using a laser or the like. The present invention relates to a photothermal conversion recording medium that effectively absorbs light with wavelengths in the visible and near infrared regions, converts it into thermal energy, and enables high-density recording and optical reproduction.

[従来の技術] 光デイスク技術で用いる光熱変換記録媒体は、
基体上に設けた薄い光熱変換記録層に形成された
光学的に検出可能な小さな(例えば約1μ)ピツ
トをらせん状又は円形のトラツク形態にして高密
度情報を記録することができる。この様なデイス
クに情報を書き込むにはレーザ感応層の表面に集
束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射さ
れた表面のみがピツトを形成し、このピツトをら
せん状又は円形トラツクの形態で形成する。レー
ザ感応層はレーザ・エネルギーを吸収して光学的
に検出可能なピツトを形成できる。例えばヒート
モード記録方式では、レーザ感応層に照射された
レーザ・エネルギーを吸収し、熱的エネルギーに
変換され、その個所に蒸発または変形により小さ
な凹部(ピツト)を形成できるか、あるいはその
個所に光学的に検出可能な化学変化によつて生じ
る酸化度差、反射率差、または濃度差を有するピ
ツトを形成できる。
[Prior art] The photothermal conversion recording medium used in optical disk technology is
High-density information can be recorded by optically detectable small (eg, about 1 micron) pits formed in a thin photothermal conversion recording layer on a substrate in the form of spiral or circular tracks. To write information on such a disk, a focused laser is scanned over the surface of the laser sensitive layer, and only the surface irradiated with this laser beam forms pits, which are formed in the form of a spiral or circular track. do. The laser sensitive layer can absorb laser energy to form optically detectable pits. For example, in the heat mode recording method, the laser energy irradiated to the laser sensitive layer is absorbed and converted into thermal energy, and a small pit can be formed at that location by evaporation or deformation, or an optical Pits can be formed with oxidation degree differences, reflectance differences, or density differences caused by physically detectable chemical changes.

この光デイスクに記録された情報は、レーザを
トラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された部
分とピツトが形成されていない部分の光学的変化
を読み取ることによつて検出される。例えば、レ
ーザがトラツクに沿つて走査され、デイスクによ
り反射されたエネルギーがフオトデイテクターに
よつてモニターされる。ピツトが形成されていな
い時、フオトデイテクターの出力は低下し、一方
ピツトが形成されている時はレーザ光線は下層の
反射面によつて充分に反射されフオトデイテクタ
ーの出力は大きくなる。
The information recorded on this optical disk is detected by scanning a laser along the track and reading the optical changes in the pitted and non-pitted areas. For example, a laser is scanned along a track and the energy reflected by the disk is monitored by a photodetector. When pits are not formed, the output of the photodetector is reduced, while when pits are formed, the laser beam is sufficiently reflected by the underlying reflective surface and the output of the photodetector is increased.

この様な光デイスクに用いる記録媒体として、
これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビ
スマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたもの
が提案されている。
As a recording medium used for such optical discs,
So far, methods have been proposed that mainly use inorganic materials such as metal thin films such as aluminum vapor-deposited films, bismuth thin films, tellurium oxide thin films, and chalcogenite amorphous glass films.

一方、光熱変換記録方式を用いうる液晶素子
は、レーザ等から生じた光信号に対応した光学像
を形成することができる。
On the other hand, a liquid crystal element that can use a photothermal conversion recording method can form an optical image corresponding to an optical signal generated from a laser or the like.

従来、2枚のガラス基板の間に負の誘電異方性
をもつネマチツク液晶とコレステリツク液晶との
混合液晶あるいは正の誘電異方性をもつスメクチ
ツク液晶を配置した液晶素子を用意し、この液晶
素子にレーザ光等を照射すると、その個所が局部
的に熱的エネルギーを生じ、イソトロピツク相ま
で加熱される。この後、急激な冷却により初期の
一様な配向状態と異なつたランダムな配向状態の
液晶相が形成される。その結果、レーザ光が照射
された個所では光散乱を生じ、一様な配向状態に
ある背景域の液晶相とで光学的特性に相違が生じ
ることになる。
Conventionally, a liquid crystal element is prepared in which a mixed liquid crystal of a nematic liquid crystal with a negative dielectric anisotropy and a cholesteric liquid crystal or a smectic liquid crystal with a positive dielectric anisotropy is arranged between two glass substrates. When a laser beam or the like is irradiated onto the area, thermal energy is generated locally at that area, and the area is heated to the isotropic phase. Thereafter, rapid cooling forms a liquid crystal phase with a random orientation different from the initial uniform orientation. As a result, light scattering occurs at the location where the laser beam is irradiated, resulting in a difference in optical characteristics between the liquid crystal phase in the background region, which is in a uniformly aligned state.

この種の液晶素子は前述の如き方法でレーザ書
き込みにより形成された光学像を消去することも
可能である。すなわち、液晶素子を構成している
2枚の基板にそれぞれ電極を設け、レーザ光と別
の熱源(例えばヒーター)で液晶素子の全体に亘
つて加熱することにより、液晶相をイソトロピツ
ク相まで加熱し、例えばスメクチツク液晶の場合
ではホメオトロピツク組織、あるいはコレステリ
ツク−ネマチツク液晶の場合ではグランジユラン
組織が形成されるまで冷却することによつて先に
書き込みにより形成していた光学像を消去するこ
とができる。
This type of liquid crystal element can also erase an optical image formed by laser writing using the method described above. In other words, electrodes are provided on each of the two substrates that make up the liquid crystal element, and the entire liquid crystal element is heated with a laser beam and another heat source (for example, a heater), thereby heating the liquid crystal phase to the isotropic phase. For example, the optical image previously formed by writing can be erased by cooling until a homeotropic structure is formed in the case of a smectic liquid crystal, or a grunge-yuran structure in the case of a cholesteric-nematic liquid crystal.

このような光熱変換記録方式を用いた液晶素子
は画素を形成するマトリクス電極構造を必要とせ
ず、単に電気信号から変換された光信号の走査に
よつて画像パターンを形成することができ、しか
もそれを大画面で得られる点に利点を有してい
る。しかし、レーザ光を用いた場合、レーザ光を
吸収し熱エネルギーに変換する効率が十分なもの
ではなく、光信号を走査させても十分な書き込み
が行なえない欠点を有している。そのため従来で
は例えば“Society of Information Display
International Symposium、Digest of
Technical Paper”P.P34−49、172−187、238−
253(1982)に開示されている様にスメクチツク液
晶に黒色の色素を混入したゲスト−ホストタイプ
の光熱変換記録方式の液晶素子が提案されてい
る。
A liquid crystal device using such a photothermal conversion recording method does not require a matrix electrode structure to form pixels, and can form an image pattern simply by scanning optical signals converted from electrical signals. The advantage is that it can be obtained on a large screen. However, when a laser beam is used, the efficiency of absorbing the laser beam and converting it into thermal energy is not sufficient, and there is a drawback that sufficient writing cannot be performed even if an optical signal is scanned. Therefore, in the past, for example, “Society of Information Display”
International Symposium, Digest of
Technical Paper”P.P34−49, 172−187, 238−
253 (1982), a guest-host type photothermal conversion recording type liquid crystal device in which a black dye is mixed into a smectic liquid crystal has been proposed.

ところで、近年レーザとして小型でしかも低コ
ストの上、直接変調が可能な半導体レーザが開発
されているが、このレーザの発振波長が700nm
以上の波長を有していることが多く、また、一般
にアルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザなど
のガスレーザに比べ、レーザ光パワーが小さい。
従つてこの様な半導体レーザを用いて光熱変換記
録を行なう場合には、レーザ感応層の吸収特性は
長波長側に吸収ピーク(一般に700nm〜850nm
の領域)を有することが有効である。
Incidentally, in recent years, semiconductor lasers have been developed that are small, low-cost, and capable of direct modulation, but the oscillation wavelength of this laser is 700 nm.
In addition, laser beam power is generally lower than that of gas lasers such as argon lasers and helium-neon lasers.
Therefore, when performing photothermal conversion recording using such a semiconductor laser, the absorption characteristics of the laser sensitive layer have an absorption peak on the long wavelength side (generally between 700 nm and 850 nm).
It is effective to have a

しかし、従来の光熱変換記録媒体は、レーザ光
を吸収し熱エネルギーに変換する効率が十分なも
のでなく、例えば光デイスクの場合、前記のよう
な無機物質を主成分として形成した光熱変換記録
層は、レーザ光に対する反射率が高いため、レー
ザの利用率が高くなり高感度特性が得られない欠
点を有しており、しかも感応波長域を700nm以
上とすることはレーザ感応層の層構成を複雑化す
る欠点を有している。この様なことから近年比較
的長波長域の光エネルギーで物質変化可能な有機
化合物の研究がなされている。例えば、米国特許
第4315983号、「Research Disclosure」20517
(1981、5)に開示のピリリウム染料や「J.Vac.
Scl.Technol.、18(1)、Jan./Feb.1981、P105〜
P109に開示のスクエアリリウム染料を含有した
有機化合物が700nm以上のレーザに対して感応
性があることが知られている。
However, conventional photothermal conversion recording media do not have sufficient efficiency in absorbing laser light and converting it into thermal energy. has a high reflectance to laser light, so the laser utilization rate increases and high sensitivity characteristics cannot be obtained.Moreover, setting the sensitive wavelength range to 700 nm or more requires changing the layer structure of the laser sensitive layer. It has the disadvantage of increasing complexity. For this reason, in recent years, research has been carried out on organic compounds whose substances can be changed by light energy in a relatively long wavelength range. For example, U.S. Patent No. 4,315,983, “Research Disclosure” 20517
(1981, 5) and the pyrylium dye disclosed in J.Vac.
Scl.Technol., 18(1), Jan./Feb.1981, P105~
It is known that the organic compound containing the squarerium dye disclosed in P109 is sensitive to a laser of 700 nm or more.

しかし、一般に有機化合物は吸収特性が長波長
領域になるほど不安定で、わずかの温度上昇によ
つて分解されやすいなどの問題を有している。
However, organic compounds generally have problems such as their absorption characteristics becoming more unstable in the longer wavelength region and being more easily decomposed by a slight temperature rise.

一方、ゲスト−ホストタイプの光熱変換記録方
式の液晶素子も前記のような半導体レーザを用い
た場合低パワーのため、レーザ光を吸収し、熱エ
ネルギーに変換する効率が十分なものでなく、高
パワーまたは低スピードの光信号走査を必要とす
る欠点がある。また、前記の黒色色素を用いた液
晶素子では、黒色背景の中に白像の画像パターン
が形成されているため、人間工学上良好な表示と
はならない欠点がある。
On the other hand, when a guest-host type photothermal conversion recording type liquid crystal element uses a semiconductor laser as described above, the power is low, so the efficiency of absorbing laser light and converting it into thermal energy is not sufficient, and it is It has the disadvantage of requiring low power or low speed optical signal scanning. Further, in the liquid crystal element using the above-mentioned black dye, a white image image pattern is formed in a black background, which has the disadvantage that it does not provide good display from an ergonomic point of view.

[発明が解決しようとする問題点] 以上のように光デイスクおよび液晶素子として
用いられる光熱変換記録媒体で要求される各種の
特性を満足する必要があるため、必ずしも実用性
の点で十分に満足できる光熱変換記録媒体が開発
されているとは言えないのが現状である。
[Problems to be Solved by the Invention] As mentioned above, it is necessary to satisfy various characteristics required of photothermal conversion recording media used as optical disks and liquid crystal elements, so it is not always possible to fully satisfy them in terms of practicality. At present, it cannot be said that a photothermal conversion recording medium that can perform this conversion has been developed.

従つて本発明の第1の目的は新規かつ有用な光
熱変換記録媒体を提供することにある。
Accordingly, a first object of the present invention is to provide a new and useful photothermal conversion recording medium.

本発明の第2の目的は、可視域および近赤外域
の波長に吸収特性をもち、光を効果的に吸収し熱
的エネルギーに変換し、かつ高密度の記録および
光学的再生が可能な光熱変換記録媒体を提供する
ことにある。
The second object of the present invention is to provide a photothermal device that has absorption characteristics in the visible and near-infrared wavelengths, effectively absorbs light and converts it into thermal energy, and enables high-density recording and optical reproduction. The objective is to provide a conversion recording medium.

本発明の第3の目的は、前述の欠点を解消した
熱的に安定な光熱変換記録媒体を提供することに
ある。
A third object of the present invention is to provide a thermally stable photothermal conversion recording medium that eliminates the above-mentioned drawbacks.

本発明の第4の目的は新規な光デイスク用光熱
変換記録媒体を提供することにある。
A fourth object of the present invention is to provide a novel photothermal conversion recording medium for optical discs.

本発明の第5の目的は、可視域および近赤外域
の波長で高感度であり、しかも十分なS/N比を
有する光デイスク用光熱変換記録媒体を提供する
ことにある。
A fifth object of the present invention is to provide a photothermal conversion recording medium for optical disks that is highly sensitive at wavelengths in the visible and near infrared regions and has a sufficient S/N ratio.

本発明の第6の目的は新規な光熱変換記録方式
を用いうる液晶素子を提供することにある。
A sixth object of the present invention is to provide a liquid crystal element that can use a novel photothermal conversion recording method.

本発明の第7の目的はレーザ発振器を用いた光
信号発振器からの光信号走査に応じて光学像のパ
ターンを形成することができる光熱変換記録方式
を用いた液晶素子を提供することにある。
A seventh object of the present invention is to provide a liquid crystal element using a photothermal conversion recording method that can form an optical image pattern in response to scanning of an optical signal from an optical signal oscillator using a laser oscillator.

[問題点を解決するための手段]及び[作用] 本発明のかかる目的は下記一般式[]で表わ
されるアズレニウム塩化合物を含有する光熱変換
記録媒体によつて達成される。
[Means for Solving the Problems] and [Operations] The objects of the present invention are achieved by a photothermal conversion recording medium containing an azulenium salt compound represented by the following general formula [].

一般式[] 一般式[]において、R1〜R7は、水素原子、
ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、沃素原子)
又は1価の有機残基を表わす。1価の有機残基と
しては、広範なものから選択することができる
が、特にアルキル基(メチル、エチル、n−プロ
ピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、
n−アミル、n−ヘキシル、n−オクチル、2−
エチルヘキシル、t−オクチルなど)、アルコキ
シ基(メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シなど)、置換もしくは未置換のアリール基(フ
エニル、トリル、キシリル、エチルフエニル、メ
トキシフエニル、エトキシフエニル、クロロフエ
ニル、ニトロフエニル、ジメチルアミノフエニ
ル、α−ナフチル、β−ナフチルなど)、置換も
しくは未置換の複素環基(ピリジル、キノリル、
カルバゾリル、フリル、チエニル、ピラゾリルな
ど)、置換もしくは未置換のアラルキル基(ベン
ジル、2−フエニルエチル、2−フエニル−1−
メチルエチル、ブロモベンジル、2−ブロモフエ
ニルエチル、メチルベンジル、メトキシベンジ
ル、ニトロベンジルなど)、アシル基(アセチル、
プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイ
ル、トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロ
イルなど)、置換若しくは未置換アミノ基(アミ
ノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピ
ルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノな
ど)、置換若しくは未置換スチリル基(スチリル、
ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミノスチリ
ル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチリ
ル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど)、
ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオエ
ーテル基、カルボン酸、カルボン酸エステル、カ
ルボン酸アミド、シアノ基、置換若しくは未置換
アリールアゾ基(フエニルアゾ、α−ナフチルア
ゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノフエニル
アゾ、クロロフエニルアゾ、ニトロフエニルア
ゾ、メトキシフエニルアゾ、トリルアゾなど)を
挙げることができる。又、R1とR2、R2とR3、R3
とR4、R4とR5、R5とR6およびR6とR7の組合せの
うち、少なくとも1つの組合で置換又は未置換の
縮合環を形成してもよい。縮合環としては5員、
6員、又は7員の縮合環であり、芳香族環、複素
環又は脂肪族鎖による環が挙げられる。
General formula [] In the general formula [], R 1 to R 7 are hydrogen atoms,
Halogen atoms (chlorine atoms, bromine atoms, iodine atoms)
Or represents a monovalent organic residue. Monovalent organic residues can be selected from a wide variety of groups, but in particular alkyl groups (methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl,
n-amyl, n-hexyl, n-octyl, 2-
ethylhexyl, t-octyl, etc.), alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.), substituted or unsubstituted aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, ethyl phenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, chlorophenyl, nitrophenyl, dimethyl aminophenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, etc.), substituted or unsubstituted heterocyclic groups (pyridyl, quinolyl,
carbazolyl, furyl, thienyl, pyrazolyl, etc.), substituted or unsubstituted aralkyl groups (benzyl, 2-phenylethyl, 2-phenyl-1-
methylethyl, bromobenzyl, 2-bromophenylethyl, methylbenzyl, methoxybenzyl, nitrobenzyl, etc.), acyl groups (acetyl,
propionyl, butyryl, valeryl, benzoyl, triooyl, naphthoyl, phthaloyl, furoyl, etc.), substituted or unsubstituted amino groups (amino, dimethylamino, diethylamino, dipropylamino, acetylamino, benzoylamino, etc.), substituted or unsubstituted styryl groups (Styrill,
dimethylaminostyryl, diethylaminostyryl, dipropylaminostyryl, methoxystyryl, ethoxystyryl, methylstyryl, etc.),
Nitro group, hydroxy group, mercapto group, thioether group, carboxylic acid, carboxylic acid ester, carboxylic acid amide, cyano group, substituted or unsubstituted arylazo group (phenylazo, α-naphthylazo, β-naphthylazo, dimethylaminophenylazo, chlorophyllazo) enylazo, nitrophenylazo, methoxyphenylazo, tolylazo, etc.). Also, R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3
At least one of the combinations of and R 4 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , and R 6 and R 7 may form a substituted or unsubstituted fused ring. As a fused ring, it is 5-membered,
It is a 6-membered or 7-membered condensed ring, and includes an aromatic ring, a heterocycle, or a ring formed by an aliphatic chain.

R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14およびR15
は水素原子、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原
子、沃素原子)、アルキル基(メチル、エチル、
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−
ブチル、など)、アルコキシ基(メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、ブトキシなど)、ヒドロキシ
基、置換又は未置換のアリール基(フエニル、ト
リル、キシリル、エチルフエニル、メトキシフエ
ニル、ニトロフエニル、ジメチルアミノフエニ
ル、α−ナフチル、β−ナフチルなど)、置換又
は未置換のアラルキル基(ベンジル、2−フエニ
ルエチル、2−フエニル−1−メチルエチル、ブ
ロモベンジル、メチルベンジル、ニトロベンジル
など)およびニトロ基のいずれか一種を表わす。
又、R8とR9、R9とR10、R10とR11、R12とR13
R13とR14、およびR14とR15の組合せのうち、少
なくとも1つの組合せで置換又は未置換の芳香族
環を形成してもよい。
R8 , R9 , R10 , R11 , R12 , R13 , R14 and R15
is hydrogen atom, halogen atom (chlorine atom, bromine atom, iodine atom), alkyl group (methyl, ethyl,
n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-
butyl, etc.), alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.), hydroxy groups, substituted or unsubstituted aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, ethyl phenyl, methoxyphenyl, nitrophenyl, dimethylaminophenyl, α- Naphthyl, β-naphthyl, etc.), a substituted or unsubstituted aralkyl group (benzyl, 2-phenylethyl, 2-phenyl-1-methylethyl, bromobenzyl, methylbenzyl, nitrobenzyl, etc.), and a nitro group. .
Also, R 8 and R 9 , R 9 and R 10 , R 10 and R 11 , R 12 and R 13 ,
At least one combination of R 13 and R 14 and R 14 and R 15 may form a substituted or unsubstituted aromatic ring.

Xは酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を表わ
す。
X represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom.

R16は水素原子;ニトロ基、シアノ基、アルキ
ル基(メチル、エチル、プロピル、ブチルなど)
又はアリール基(フエニル、メリル、キシリルな
ど)を表わす。
R 16 is a hydrogen atom; nitro group, cyano group, alkyl group (methyl, ethyl, propyl, butyl, etc.)
Or it represents an aryl group (phenyl, meryl, xylyl, etc.).

Z はアニオン残基を表わし、Z の具体例と
しては、パークロレート、フルオロボレート、ス
ルフオアセテート、アイオダイド、クロライド、
ブロマイド、p−トルエンスルホネート、アルキ
ルスルホネート、アルキルジスルホネート、ベン
ゼンジスルホネート、ハロスルホネート、ピクラ
ート、テトラシアノエチレンアニオン、テトラシ
アノキノジメタンアニオンなどのアニオン残基を
表わす。nは0、1又は2の整数を表わす。
Z represents an anionic residue, and specific examples of Z include perchlorate, fluoroborate, sulfoacetate, iodide, chloride,
Represents anionic residues such as bromide, p-toluenesulfonate, alkylsulfonate, alkyldisulfonate, benzenedisulfonate, halosulfonate, picrate, tetracyanoethylene anion, and tetracyanoquinodimethane anion. n represents an integer of 0, 1 or 2.

以下、本発明で用いるアズレニウム塩化合物の
具体例を下記に列挙する。
Specific examples of the azulenium salt compounds used in the present invention are listed below.

本発明のアズレニウム塩化合物は、下記一般式
[] 一般式[]: (式中、R1〜R7、R16およびnは前記の一般式
[]と同意義) で示されるフオルミルアズレン化合物と 一般式[] 一般式[]: (式中、R8〜R15、およびZ は前記の一般式
[]と同意義) で示される化合物とを溶媒中で反応させることに
よつて得られる。
The azulenium salt compound of the present invention has the following general formula [] General formula []: (In the formula, R 1 to R 7 , R 16 and n have the same meanings as the above general formula []) and a formyl azulene compound represented by the general formula [] general formula []: (In the formula, R 8 to R 15 and Z have the same meanings as the general formula []) It is obtained by reacting a compound represented by the following in a solvent.

又、一般式[]で示されるアズレニウム塩化
合物においてn=0の化合物は、一般式[] 一般式[]: (式中、R1〜R7は前記の一般式[]と同意義) で示されるアズレン化合物と 一般式[] 一般式[]: (式中、R8〜R15は前記の一般式[]と同意
義) で示されるアルデヒド化合物とを強酸存在下適当
な溶媒中で反応させることによつても容易に得る
ことができる。
Further, in the azulenium salt compound represented by the general formula [], the compound where n=0 is the general formula [] General formula []: (In the formula, R 1 to R 7 have the same meanings as the above general formula []) and the azulene compound represented by the general formula [] general formula []: (In the formula, R 8 to R 15 have the same meanings as the above general formula []) It can also be easily obtained by reacting an aldehyde compound represented by the following in an appropriate solvent in the presence of a strong acid.

次に本発明のアズレニウム塩化合物のうち、代
表的なものについてその合成法を示す。
Next, a method for synthesizing typical azulenium salt compounds of the present invention will be described.

合成例 1 化合物No.(1) 1−フオルミル−3,8−ジメチル−5−イソ
プロピルアズレン2.26gと9−メチル−キサンチ
リウムパークロレート2.95gを無水酢酸180ml中、
80〜90℃の液温にて2時間反応させた。放冷後、
析出した結晶を別し、氷酢酸、水、エタノール
の順で洗浄した後、乾燥し、化合物No.(1)のアズレ
ニウム塩化合物4.07gを得た。
Synthesis Example 1 Compound No. (1) 2.26 g of 1-formyl-3,8-dimethyl-5-isopropylazulene and 2.95 g of 9-methyl-xanthylium perchlorate were added in 180 ml of acetic anhydride.
The reaction was carried out at a liquid temperature of 80 to 90°C for 2 hours. After cooling,
The precipitated crystals were separated, washed with glacial acetic acid, water, and ethanol in this order, and then dried to obtain 4.07 g of azulenium salt compound No. (1).

収 率:81% 元素分析:分子式C30H27ClO5 計算値(%) 分析値(%) C 71.63 71.52 H 5.42 5.50 Cl 7.05 7.12 合成例 2 化合物No.(5) 1,4−ジメチル−7−イソプロピルアズレン
0.74g、9−フオルミルメチレン−3,4,5,
6−ジベンゾキサンテン1.2gとテトラヒドロフ
ラン80mlよりなる液中に、70%過塩素酸2mlを室
温下にて滴下し、同温度で4時間撹拌した。析出
物を別し、テトラヒドロフラン、水、テトラヒ
ドロフランの順で洗浄し、乾燥した。その結果化
合物No.(5)のアズレニウム塩化合物1.01gを得た。
Yield: 81% Elemental analysis: Molecular formula C 30 H 27 ClO 5 Calculated value (%) Analytical value (%) C 71.63 71.52 H 5.42 5.50 Cl 7.05 7.12 Synthesis example 2 Compound No. (5) 1,4-dimethyl-7 -isopropyl azulene
0.74g, 9-formylmethylene-3,4,5,
2 ml of 70% perchloric acid was added dropwise to a solution consisting of 1.2 g of 6-dibenzoxanthene and 80 ml of tetrahydrofuran at room temperature, and the mixture was stirred at the same temperature for 4 hours. The precipitate was separated, washed with tetrahydrofuran, water, and tetrahydrofuran in this order, and dried. As a result, 1.01 g of azulenium salt compound No. (5) was obtained.

収 率:45% 元素分析:分子式C38H31ClO5 計算値(%) 分析値(%) C 75.67 75.71 H 5.19 5.26 Cl 5.88 5.79 本発明の光熱変換記録媒体は、光デイスク記録
に用いることができる。例えば第1図に示す様な
基板1の上に前述のアズレニウム塩化合物を含有
する薄膜2を形成したものとすることができる。
かかる薄膜2は前述の一般式[]で示されるア
ズレニウム塩化合物を真空蒸着によつて形成で
き、また前述のアズレニウム塩化合物を適当な溶
媒に含有させた塗工液を塗布することによつても
形成することができる。塗工によつて被膜を形成
する際、前述のアズレニウム塩化合物は溶媒中に
分散状態で含有されていてもよく、あるいは非晶
質状態で含有されていてもよい。また塗工液中に
バインダーとして樹脂を含有させることができ、
好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選択
することができる。具体的にはニトロセルロー
ス、リン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸セ
ルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロ
ース、ミリスチン酸セルロース、パルミチン酸セ
ルロース、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢
酸・酪酸セルロースなどのセルロースエステル
類、メチルセルロース、エチルセルロース、プロ
ピルセルロース、ブチルセルロース、などのセル
ロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレ
ン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリロ
ニトリルコポリマー、スチレン−ブタジエン−ア
クリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビ
ニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチル
メタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリ
ブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタ
クリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニ
トリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレ
フタレートなどのポリエステル類、ポリ(4,
4′−イソプロピリデンジフエニレン−コ−1,
4,0シクロヘキシレンジメチレンカーボネー
ト)、ポリ(エチレンジオキシ−3,3′−フエニ
レンチオカーボネート)、ポリ(4,4′−イソプ
ロピリデンジフエニレンカーボネート−コ−テレ
フタレート)、ポリ(4,4′−イソプロピリデン
ジフエニレンカーボネート)、ポリ(4,4′−sec
−ブチリデンジフエニレンカーボネート)、ポリ
(4,4′−イソプロピリデンジフエニレンカーボ
ネート−ブロツク−オキシエチレン)などのポリ
アリレート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリ
イミド類、エポキシ樹脂類、フエノール樹脂類、
ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチ
レンなどのポリオレフイン類などを用いることが
できる。
Yield: 45% Elemental analysis: Molecular formula C 38 H 31 ClO 5 Calculated value (%) Analytical value (%) C 75.67 75.71 H 5.19 5.26 Cl 5.88 5.79 The photothermal conversion recording medium of the present invention can be used for optical disc recording. can. For example, a thin film 2 containing the azulenium salt compound described above may be formed on a substrate 1 as shown in FIG.
Such a thin film 2 can be formed by vacuum deposition of the azulenium salt compound represented by the above-mentioned general formula [], or by applying a coating liquid containing the above-mentioned azulenium salt compound in a suitable solvent. can be formed. When forming a film by coating, the azulenium salt compound described above may be contained in a solvent in a dispersed state or in an amorphous state. In addition, a resin can be included as a binder in the coating solution,
Suitable binders can be selected from a wide variety of resins. Specifically, cellulose esters such as nitrocellulose, cellulose phosphate, cellulose sulfate, cellulose acetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose myristate, cellulose palmitate, cellulose acetate/propionate, cellulose acetate/butyrate, methyl cellulose, Cellulose ethers such as ethyl cellulose, propyl cellulose, butyl cellulose, vinyl resins such as polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyvinyl butyral, polyvinyl acetal, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, styrene-butadiene copolymer, styrene-acrylonitrile copolymer , copolymer resins such as styrene-butadiene-acrylonitrile copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, acrylic resins such as polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polybutyl acrylate, polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polyacrylamide, polyacrylonitrile, etc. polyesters such as polyethylene terephthalate, poly(4,
4'-isopropylidenediphenylene-co-1,
4,0 cyclohexylene dimethylene carbonate), poly(ethylenedioxy-3,3'-phenylene thiocarbonate), poly(4,4'-isopropylidene diphenylene carbonate-co-terephthalate), poly(4, 4'-isopropylidene diphenylene carbonate), poly(4,4'-sec
-butylidene diphenylene carbonate), polyarylate resins such as poly(4,4'-isopropylidene diphenylene carbonate-block oxyethylene), or polyamides, polyimides, epoxy resins, phenolic resins,
Polyolefins such as polyethylene, polypropylene, and chlorinated polyethylene can be used.

塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダー
の種類や前述の化合物をバインダー中に含有させ
る際、分散状態とするか、あるいは非晶質状態と
するかによつて異なつてくるが、一般には、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類、
あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロ
イン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンな
どの芳香族類などを用いることができる。
The organic solvent that can be used during coating varies depending on the type of binder and whether the above-mentioned compound is contained in the binder in a dispersed or amorphous state, but in general, , alcohols such as methanol, ethanol and isopropanol, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, amides such as N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide, sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, tetrahydrofuran, dioxane, Ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, aliphatic halogenated hydrocarbons such as chloroform, methylene chloride, dichloroethylene, carbon tetrachloride, trichloroethylene,
Alternatively, aromatics such as benzene, toluene, xylene, ligroin, monochlorobenzene, dichlorobenzene, etc. can be used.

塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行うことができる。
Coating can be performed using a coating method such as a dip coating method, a spray coating method, a spinner coating method, a bead coating method, a Meyer bar coating method, a blade coating method, a roller coating method, a curtain coating method, or the like.

バインダーとともに薄膜2を形成する際、前述
のアズレニウム塩化合物の含有量は、薄膜2中に
おいて0.1〜99重量%、好ましくは40〜90重量%
である。また、薄膜2の乾燥膜厚あるいは蒸着膜
厚は10ミクロン以下、好ましくは2ミクロン以下
である。
When forming the thin film 2 together with the binder, the content of the azulenium salt compound in the thin film 2 is 0.1 to 99% by weight, preferably 40 to 90% by weight.
It is. Further, the dry film thickness or vapor deposited film thickness of the thin film 2 is 10 microns or less, preferably 2 microns or less.

基体1としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チツク、ガラスあるいは金属類などを用いること
ができる。
As the substrate 1, plastics such as polyester, acrylic resin, polyolefin resin, phenolic resin, epoxy resin, polyamide, polyimide, glass, metals, etc. can be used.

本発明の光熱変換記録媒体は、支持体として用
いる基体1の上に前述の薄膜2(電磁放射線感応
層)を形成することによつて得られるが、各種補
助層を設けることができる。例えば、基体1の表
面に熱定数を調整する目的で無機あるいは有機物
質からなる表面被膜を有する基体を用いることが
できる。又、薄膜2の上に透明な材質からなる保
護層を設けることができ、この保護層は機械的損
傷の防止に対して有効となる上に、適当な厚さで
形成することにより、反射防止膜とすることがで
きるので、感度の向上にも有効である。又、第2
図に示す様に薄膜2と基体1の間に反射層3を設
けることができる。この反射層3は、アルミニウ
ム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又はラ
ミネート層とすることができる。
The photothermal conversion recording medium of the present invention is obtained by forming the aforementioned thin film 2 (electromagnetic radiation sensitive layer) on the substrate 1 used as a support, but various auxiliary layers can be provided. For example, it is possible to use a substrate having a surface coating made of an inorganic or organic substance on the surface of the substrate 1 for the purpose of adjusting the thermal constant. Further, a protective layer made of a transparent material can be provided on the thin film 2, and this protective layer is effective in preventing mechanical damage and, by forming it with an appropriate thickness, can prevent reflection. Since it can be formed into a film, it is also effective in improving sensitivity. Also, the second
As shown in the figure, a reflective layer 3 can be provided between the thin film 2 and the substrate 1. This reflective layer 3 can be a vapor deposited layer or a laminate layer of a reflective metal such as aluminum, silver, or chromium.

又、本発明の光熱変換記録媒体には特願昭57−
72374号明細書に記載のトラツク案内溝や番地指
定溝などの機能をもつプレグルーブを形成するこ
とができる。
Furthermore, the photothermal conversion recording medium of the present invention has
It is possible to form a pregroove having a function such as a track guide groove or an address designation groove as described in the specification of No. 72374.

本発明の光熱変換記録媒体は、第3図に示す様
に薄膜2に電磁放射線4、例えばガリウム−ヒ素
−アルミニウム半導体レーザ(発振波長:820n
m)、アルゴンガスレーザ(発振波長:488.515n
m)、ヘリウム−ネオンガスレーザ(発振波長:
632.8nm)その他可視領域から赤外領域に発振波
長を有するレーザやキセノンフラツシユランプな
どの各種短パルス発光ランプあるいは赤外線ラン
プ光やヒータを照射あるいは接触させることによ
つてピツト5を形成することができる。このピツ
ト形成部は、ピツト未形成部の反射率と異なつて
おり、従つて、例えば電子放射線をトラツクに沿
つて走査することによつてピツトを形成し、この
ピツト形成部とピツト未形成部に前述のトラツク
に沿つて低出力レーザを走査し、その反射率差を
フオトデイテクターによつて読み取ることができ
る。
The photothermal conversion recording medium of the present invention, as shown in FIG.
m), argon gas laser (oscillation wavelength: 488.515n)
m), helium-neon gas laser (oscillation wavelength:
632.8 nm) In addition, the pits 5 can be formed by irradiating or contacting with various short pulse light emitting lamps such as a laser having an oscillation wavelength from the visible region to the infrared region, a xenon flash lamp, infrared lamp light, or a heater. can. The pit-formed portion has a reflectance different from that of the non-pitted portion. Therefore, by scanning an electron beam along a track, for example, a pit is formed, and the pit-formed portion and the pit-free portion are separated. A low power laser is scanned along the aforementioned track and the difference in reflectance can be read by a photodetector.

本発明の別の具体例では、光熱変換記録方式の
液晶素子として適用することができる。例えば、
第4図に本発明の光熱変換記録媒体の1例である
液晶素子の断面図を示す様に、液晶組成物108
としては、前述の一般式[]で表わされるアズ
レニウム塩化合物を溶解した液晶が用いられる。
本発明の光熱変換記録媒体に適用される液晶素子
に用いる液晶はスメクチツク液晶が適しており、
特に正の誘電異方性をもつスメクチツク液晶のA
相又はC相が適している。かかるスメクチツク液
晶は、レーザビームで局部的に加熱されるまでは
ホメオトロピツク組織のスメクチツク相に配列さ
れており、温度上昇に伴ないホメオトロピツク組
織のスメクチツク相→ネマチツク相→イソトロピ
ツク相と相変化することができる。次いで、イソ
トロピツク相から急冷状態でスメクチツク相へ相
変化させると光散乱特性をもつフオーカルコニツ
ク組織のスメクチツク相が形成されることにな
る。従つて、レーザビームを照射して液晶素子中
のスメクチツク相を局部的にイソトロピツク相ま
で加熱し、その後急冷するとその個所がフオーカ
ルコニツク組織のスメクチツク相となり、この状
態が光散乱性をもつているので、前記のレーザビ
ームによる光信号操作によつて静止画像のパター
ンを形成することができる。
In another specific example of the present invention, it can be applied as a liquid crystal element using a photothermal conversion recording method. for example,
As shown in FIG. 4, a cross-sectional view of a liquid crystal element which is an example of the photothermal conversion recording medium of the present invention, the liquid crystal composition 108
As the liquid crystal, a liquid crystal in which an azulenium salt compound represented by the above-mentioned general formula [] is dissolved is used.
Smectic liquid crystal is suitable for the liquid crystal used in the liquid crystal element applied to the photothermal conversion recording medium of the present invention.
In particular, the A of smectic liquid crystals with positive dielectric anisotropy
Phase or C phase is suitable. Such smectic liquid crystals are arranged in the smectic phase of a homeotropic structure until they are locally heated by a laser beam, and can undergo a phase change from the smectic phase of the homeotropic structure to the nematic phase to the isotropic phase as the temperature rises. . Next, when the phase is changed from the isotropic phase to the smectic phase under rapid cooling, a smectic phase with a focal conic structure having light scattering properties is formed. Therefore, when the smectic phase in a liquid crystal element is locally heated to an isotropic phase by irradiation with a laser beam, and then rapidly cooled, the area becomes a smectic phase of a focal conic structure, and this state has light scattering properties. Therefore, a still image pattern can be formed by optical signal manipulation using the laser beam.

本発明の液晶素子で用いる正の誘電異方性をも
つスメクチツク相を形成しうる化合物としては、
例えば特開昭56−150030号公報、特開昭57−
40429号公報、特開昭57−51779号公報などに記載
された化合物を用いることができる。
Compounds capable of forming a smectic phase with positive dielectric anisotropy used in the liquid crystal element of the present invention include:
For example, JP-A-56-150030, JP-A-57-
Compounds described in JP-A-40429, JP-A-57-51779, etc. can be used.

前述の一般式[]で表わされるアズレニウム
塩化合物は、液晶に対して0.1重量%以上、好ま
しくは1重量%〜3重量%の範囲で液晶組成物1
08中に含有することができる。
The azulenium salt compound represented by the general formula [] is added to the liquid crystal composition 1 in an amount of 0.1% by weight or more, preferably in the range of 1% to 3% by weight based on the liquid crystal.
08.

又、本発明の液晶素子は、正の誘電異方性をも
つスメクチツク液晶とコレステリツク液晶の混合
液晶を用いることも可能である。コレステリツク
液晶は液晶組成物108中に0.5重量%〜15重量
%の範囲、好ましくは1重量%〜5重量%の範囲
で含有することが適している。
Further, the liquid crystal element of the present invention can also use a mixed liquid crystal of a smectic liquid crystal and a cholesteric liquid crystal having positive dielectric anisotropy. The cholesteric liquid crystal is suitably contained in the liquid crystal composition 108 in an amount of 0.5% to 15% by weight, preferably 1% to 5% by weight.

本発明で用いうるコレステリツク液晶として
は、コレステリルクロライド、コレステリルブロ
マイド、コレステリルヨーダイド、コレステリル
ニトレート、コレステリルクロロデカノエート、
コレステリルブチレート、コレステリルカプレー
ト、コレステリルオレート、コレステリルリノレ
ート、コレステリルラウレート、コレステリルミ
リステート、コレステリルヘプチルカルバメー
ト、コレステリルデシルエーテル、コレステリル
ラウリルエーテル、コレステリルオレイルエーテ
ルなどのコレステリル化合物が挙げられる。
Cholesteric liquid crystals that can be used in the present invention include cholesteryl chloride, cholesteryl bromide, cholesteryl iodide, cholesteryl nitrate, cholesteryl chlorodecanoate,
Examples include cholesteryl compounds such as cholesteryl butyrate, cholesteryl caprate, cholesteryl oleate, cholesteryl linoleate, cholesteryl laurate, cholesteryl myristate, cholesteryl heptyl carbamate, cholesteryl decyl ether, cholesteryl lauryl ether, and cholesteryl oleyl ether.

かかる混合液晶を用いた液晶素子は、レーザビ
ームの局部的な加熱によりホメオトロピツクのス
メクチツク相からイソトロピツク相へ相変化を生
じ、これを急冷すると前述と同様にフオーカルコ
ニツク組織のスメクチツク相を形成することがで
きる。
A liquid crystal element using such a mixed liquid crystal undergoes a phase change from a homeotropic smectic phase to an isotropic phase by local heating with a laser beam, and when this is rapidly cooled, a focal conic structure smectic phase is formed as described above. Can be done.

前述の如き方式で記録された液晶素子は、液晶
組成物108を全面に例えばヒータにより加熱し
てイソトロピツク相へ相変化させた後に、液晶素
子を構成している基板101と102(例えば、
透明ガラス板やアクリル板などのプラスチツク
板)に設けた電極103と104の間に適当な直
流又は交を印加するとともに徐冷することによつ
て、イソトロピツク相→ネマチツク相→スメクチ
ツク相へ相変化を生じることができる。この際、
ネマチツク相で液晶が正の誘電異方性を有してい
るために電界方向にネマチツク液晶が配列し、さ
らに冷却するとホメオトロピツク組織のスメクチ
ツクA相又はC相が形成されて、書き込み画像パ
ターンが消去される。電極103と104は、一
般的に酸化インジウム、酸化錫あるいはITO
(Indium Tin Oxide)の透明導電膜によつて得
られ、又必要に応じてアルミニウム、クロム、鉄
やニツケルなどの金属導電膜によつて得られる。
この電極103と104は、基板101と102
の全面に亘つて被膜されていることが望ましく、
必ずしも所定のパターン形状あるいはマトリツク
ス電極構造とする必要がない。しかし、所望に応
じて所定のパターン形状あるいはマトリツクス電
極構造に設計することも可能である。
A liquid crystal element recorded by the above-mentioned method is produced by heating the entire surface of the liquid crystal composition 108 using, for example, a heater to change the phase to an isotropic phase, and then applying the liquid crystal composition 108 to the substrates 101 and 102 (for example,
By applying an appropriate direct current or alternating current between electrodes 103 and 104 provided on a plastic plate (such as a transparent glass plate or an acrylic plate) and slow cooling, the phase changes from an isotropic phase to a nematic phase to a smectic phase. can occur. On this occasion,
Since the liquid crystal has a positive dielectric anisotropy in the nematic phase, the nematic liquid crystal is aligned in the direction of the electric field, and when it is further cooled, a smectic A phase or C phase with a homeotropic structure is formed, and the written image pattern is erased. Ru. Electrodes 103 and 104 are typically made of indium oxide, tin oxide or ITO.
(Indium Tin Oxide) or, if necessary, a metal conductive film such as aluminum, chromium, iron, or nickel.
These electrodes 103 and 104 are connected to the substrates 101 and 102.
It is desirable that the coating be applied to the entire surface of the
It is not necessarily necessary to have a predetermined pattern shape or matrix electrode structure. However, it is also possible to design a predetermined pattern shape or matrix electrode structure as desired.

本発明の液晶素子は、それぞれの電極103と
104の上に絶縁性物質の被膜からなる配向制御
膜106と107を設けることができる。この配
向制御膜106と107は、これらの臨界面で接
する液晶組成物108の配列方向を所望の状態に
制御することができる表面構造を有している。
又、この配向制御膜106と107は液晶組成物
108を通して流れる電流の発生を防止すること
ができる絶縁膜としても機能する。この種の配向
制御膜106と107は、例えば一酸化珪素、二
酸化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フツ
化マグネシウム、酸化セリウム、フツ化セリウ
ム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒
化物、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラキ
シレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ
ビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミ
ド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂、オルガノシロキ
サン、ポリフツ化エチレンなどの絶縁性物質を蒸
着法、浸漬塗布法、スピンナー塗布法あるいはス
プレー塗布法により被膜形成することによつて得
られる。
In the liquid crystal element of the present invention, alignment control films 106 and 107 made of insulating material films can be provided on the electrodes 103 and 104, respectively. The alignment control films 106 and 107 have a surface structure capable of controlling the alignment direction of the liquid crystal composition 108 that is in contact with these critical surfaces to a desired state.
The alignment control films 106 and 107 also function as insulating films that can prevent the generation of current flowing through the liquid crystal composition 108. This type of alignment control films 106 and 107 are made of, for example, silicon monoxide, silicon dioxide, aluminum oxide, zirconia, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide. , polyamideimide, polyesterimide, polyparaxylene, polyester, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin, organosiloxane, polyethylene fluoride, and other insulating materials. It can be obtained by forming a film by vapor deposition, dip coating, spinner coating, or spray coating.

配向制御膜106と107は、所定の書き込み
方式に応じて、その表面を布、紙やビロードなど
によりラビングするか、あるいは被膜形成時に斜
め蒸着法を用いることによつて、液晶組成物10
8をホモジニアス配向させる表面構造をもつこと
ができ、あるいはその表面を例えば特開昭50−
36150号公報に記載されたパーフルオロアルキル
基をもつシラン化合物、特開昭50−50947号公報
に記載されたアルキルトリアルコキシシラン、特
開昭50−63955号公報に記載されたテトラアルコ
キシシランなどの化合物により処理することによ
つて、液晶組成物108をホメオトロピツク配向
させる表面構造をもつことができる。
The alignment control films 106 and 107 are coated with the liquid crystal composition 10 by rubbing the surface with cloth, paper, velvet, etc., or by using an oblique vapor deposition method when forming the film, depending on a predetermined writing method.
It is possible to have a surface structure that homogeneously aligns 8, or the surface can be
Silane compounds having a perfluoroalkyl group described in JP-A No. 36150, alkyltrialkoxysilanes described in JP-A-50-50947, tetraalkoxysilanes described in JP-A-50-63955, etc. By treating with a compound, the liquid crystal composition 108 can have a surface structure that provides homeotropic alignment.

配向制御膜106と107は、使用した絶縁性
物質の種類によつて、その最適な膜厚が異なる
が、一般的に100Å〜1μの範囲、好ましくは500
Å〜2000Åの範囲に定めることが適しており、さ
らにこの配向制御膜106と107が反射防止膜
としても作用する様な膜厚に設定しておくことが
望ましい。
The optimum film thickness of the alignment control films 106 and 107 varies depending on the type of insulating material used, but is generally in the range of 100 Å to 1 μ, preferably 500 Å to 1 μ.
It is suitable to set the thickness in the range of Å to 2000 Å, and it is also desirable to set the thickness so that the alignment control films 106 and 107 also function as antireflection films.

又、本発明の液晶素子は図示する如く背面方向
からレーザビーム110を照射することによつて
前述の静止画像を形成し、正面方向から自然光、
ハロゲンランプ光、キセノンランプ光、蛍光灯光
などの観察光109を素子中に入射させて、この
光線をコールドミラー105からの反射光とし
て、前述の静止画像を観察することができる。こ
のコールドミラー105は、一般に可視光に対し
ては十分に高い反射率を有し、600nm以上の長
波長光に対しては高い透過率特性を有している。
具体的には、Ge/MgF2(1/4λ)/CeO2(1/4
λ)/MgF2(1/4λ)/CeO2(1/4λ)からなる多
層膜が知られている。しかし、本発明ではコール
ドミラー105の使用を省略することもできる。
又、本発明の素子はコールドフイルター(図示せ
ず)を電極103と配向制御膜106の間に設け
ることもできる。このコールドフイルターは、可
視光に対しては十分に高い透過率を有し、又長波
長光に対しては十分に高い反射率特性を有してい
る。
Further, the liquid crystal element of the present invention forms the above-mentioned still image by irradiating the laser beam 110 from the rear direction as shown in the figure, and receives natural light and light from the front direction.
The above-mentioned still image can be observed by making observation light 109 such as halogen lamp light, xenon lamp light, or fluorescent lamp light enter the element and using this light beam as reflected light from the cold mirror 105. This cold mirror 105 generally has sufficiently high reflectance for visible light and high transmittance for long wavelength light of 600 nm or more.
Specifically, Ge/MgF 2 (1/4λ)/CeO 2 (1/4
A multilayer film consisting of λ)/MgF 2 (1/4λ)/CeO 2 (1/4λ) is known. However, in the present invention, the use of cold mirror 105 can also be omitted.
Further, in the element of the present invention, a cold filter (not shown) can be provided between the electrode 103 and the alignment control film 106. This cold filter has a sufficiently high transmittance for visible light and a sufficiently high reflectance for long wavelength light.

[実施例] 以下、本発明を実施例に従つて詳細に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。
[Examples] Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.

実施例 1 ニトロセルロース溶液(ダイセル化学工業(株)
製;オーハーレスラツカー:ニトロセルロース25
重量%のメチルエチルケトン溶液)12重量部、前
述の化合物No.(1)の化合物3重量部およびメチルエ
チルケトン70重量部をボールミルで十分に混合し
た。この混合した溶液を直径30cmのデイスク状ア
ルミ蒸着ガラス板上にスピンナーコーテイング法
により塗布した後、乾燥して0.6g/m2の記録層
を得た。
Example 1 Nitrocellulose solution (Daicel Chemical Industries, Ltd.)
Manufactured by Ohares Latzker: Nitrocellulose 25
12 parts by weight of methyl ethyl ketone solution), 3 parts by weight of the aforementioned compound No. (1), and 70 parts by weight of methyl ethyl ketone were thoroughly mixed in a ball mill. This mixed solution was coated on a disk-shaped aluminized glass plate with a diameter of 30 cm by a spinner coating method, and then dried to obtain a recording layer of 0.6 g/m 2 .

こうして作成した光デイスク記録体をターンテ
ーブル上に取り付け、ターンテーブルをモータで
1000rpmの回転を与えながら、スポツトサイズ
1.0ミクロンに集束した出力5mWおよびパルス
幅8MHzのガリウム−アルミニウム−ヒ素半導体
レーザ(発振波長780nm)を記録層面にトラツ
ク状で走査して記録を行なつた。
The optical disk recording medium created in this way is mounted on a turntable, and the turntable is driven by a motor.
Spot size while giving 1000rpm rotation
Recording was carried out by scanning a gallium-aluminum-arsenic semiconductor laser (oscillation wavelength: 780 nm) on the surface of the recording layer in a track shape with an output of 5 mW and a pulse width of 8 MHz, which was focused to 1.0 microns.

この記録された光デイスクの表面を走査型電子
顕微鏡で観察したところ、鮮明なピツトが認めら
れた。また、この光デイスクに低出力のガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反
射光の検知を行なつたところ、十分なS/N比を
有する波形が得られた。
When the recorded surface of the optical disc was observed using a scanning electron microscope, clear pits were observed. Furthermore, when a low-output gallium-aluminum-arsenic semiconductor laser was incident on this optical disk and reflected light was detected, a waveform with a sufficient S/N ratio was obtained.

また、記録後、経時における耐久安定性を測定
するために、前述の記録された記録媒体を温度35
℃および相対湿度95%の強制環境下に240時間放
置した後、記録された記録媒体の表面を前述と同
様に顕微鏡で観察したが、耐久テスト前に観察し
た時と同様のピツトが認められた。また、この記
録され且つ耐久テストされた記録媒体に低出力の
ガリウム−ヒ素−アルミニウム半導体レーザを入
射し、反射光の検出を行なつたところ、十分に高
いS/N比を有する波形が得られた。
In addition, in order to measure the durability stability over time after recording, the recorded recording medium was heated to 35°C.
After being left in a forced environment at ℃ and 95% relative humidity for 240 hours, the surface of the recorded recording medium was observed under a microscope in the same manner as described above, and pits similar to those observed before the durability test were observed. . Furthermore, when a low-power gallium-arsenic-aluminum semiconductor laser was incident on this recorded and durability-tested recording medium and the reflected light was detected, a waveform with a sufficiently high S/N ratio was obtained. Ta.

実施例 2 前述の化合物No.(3)の化合物を実施例1と同様の
方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラス板
の上にスピンナーコーテイング法により塗工して
0.6g/m2の記録層を有する光デイスク記録体を
作成した。
Example 2 The above compound No. (3) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using the spinner coating method in the same manner as in Example 1.
An optical disc recording medium having a recording layer of 0.6 g/m 2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比をを有する波形が認められた。又情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、この記録後の耐久テストを実施例1と
同様の方法で測定したが、同様の結果が得られ
た。
When information was recorded on this optical disc recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after this recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 3 前述の化合物No.(10)の化合物を実施例1と同様の
方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラス板
の上にスピンナーコーテイング法により塗工して
0.6g/m2の記録層を有する光デイスク記録体を
作成した。
Example 3 The above compound No. (10) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using the spinner coating method in the same manner as in Example 1.
An optical disc recording medium having a recording layer of 0.6 g/m 2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
S/N比をを有する波形が認められた。又情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが同様の結果が得られた。
When information was stored on this optical disc recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 4 前述の化合物No.(18)の化合物を実施例1と同
様の方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラ
ス板の上にスピンナーコーテイング法により塗工
して0.8g/m2の記録層を有する光デイスク記録
体を作成した。
Example 4 The above-mentioned compound No. (18) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm by spinner coating method in the same manner as in Example 1 to form a recording layer of 0.8 g/m 2 . An optical disc recording body having the following was created.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
S/N比をを有する波形が認められた。又情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、この記録後の耐久テストを実施例1と
同様の方法で測定したが、同様の結果が得られ
た。
When information was stored on this optical disc recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after this recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 5 前述の化合物No.(24)の化合物を実施例1と同
様の方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラ
ス板の上にスピンナーコーテイング法により塗工
して0.6g/m2の記録層を有する光デイスク記録
体を作成した。
Example 5 The above-mentioned compound No. (24) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm by spinner coating method in the same manner as in Example 1 to form a recording layer of 0.6 g/m 2 . An optical disc recording body having the following was created.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、この記録後の耐久テストを実施例1と
同様の方法で測定したが、同様の結果が得られ
た。
When information was stored on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after this recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 6 前述の化合物No.(4)の化合物500mgを蒸着用モリ
ブテンボートに入れ、1×10-6mmHg以下に排気
した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中
は真空室内の圧力が10-5mmHg以上に上昇しない
様にヒーターを制御しながら、0.2ミクロンの蒸
着膜を形成させた。
Example 6 500 mg of the above compound No. (4) was placed in a molybdenum boat for vapor deposition, and after evacuated to 1×10 -6 mmHg or less, it was vapor deposited on an aluminum vapor-deposited glass plate. During the deposition, a 0.2 micron deposited film was formed while controlling the heater so that the pressure in the vacuum chamber did not rise above 10 -5 mmHg.

こうして作成した光デイスク記録体に実施例1
と同様の方法で情報を記憶させたところ、実施例
1と同様の鮮明なピツトが認められ、また実施例
1と同様な方法で再生したが、この際十分なS/
N比を有する波形が認められた。
Example 1
When information was stored in the same manner as in Example 1, clear pits similar to those in Example 1 were observed.Also, information was reproduced in the same manner as in Example 1, but at this time sufficient S/
A waveform with an N ratio was observed.

実施例 7 本発明の液晶素子を用いて表示パターンを形成
した実施例を第5図に示す。
Example 7 FIG. 5 shows an example in which a display pattern was formed using the liquid crystal element of the present invention.

前述の一般式[]で表わされる化合物のう
ち、化合物No.(1)の化合物をスメクチツク液晶
(4,4′−シアノオクチルビフエニル;正の誘電
異方性をもつ)に対して2重量%の割合となる様
に溶解した。この際、液晶組成物をイソトロピツ
ク相となるまで加熱してから、前述の化合物を添
加し、この液を内壁面がホメオトロピツク配向処
理されたセル中に注入し、その後徐冷することに
よつてホメオトロピツク組織をもつスメクチツク
相の液晶を形成させた。
Among the compounds represented by the above general formula [], compound No. (1) was added in an amount of 2% by weight based on the smectic liquid crystal (4,4'-cyanooctylbiphenyl; has positive dielectric anisotropy). It was dissolved in a proportion of . At this time, the liquid crystal composition is heated until it becomes an isotropic phase, the above-mentioned compound is added, and this liquid is injected into a cell whose inner wall surface has been subjected to a homeotropic alignment treatment. A structured smectic phase liquid crystal was formed.

液晶セル201に画像を書き込むために使用す
るレーザビームを発射するレーザ発振器202
は、液晶中に含有させた前述の化合物の吸収効率
に対応した波長のものから選択することができる
が、特にヘリウム−ネオンレーザ、半導体レーザ
あるいはYAGレーザより発射された長波長のレ
ーザビームあるいはアルゴンレーザより発射され
た短波長のレーザビームを用いることができる。
レーザ発振器202より発射したレーザビーム
は、変調器203、スリツト204、Y軸偏向器
205、X軸偏向器206を通過して変調と偏向
されてから、書き込みレンズ208により集光さ
れ、ダイクロイツクミラー209を介して液晶素
子201の背面から照射される。前述の変調器2
03、Y軸偏向器205、X軸偏向器206は、
駆動用増幅器210を介して信号源211と接続
されており、これによつてレーザビームが制御さ
れて、信号源211からのデジタル電気信号を光
信号に変換する。この光信号によつて液晶素子2
01に画像パターンが書き込まれる。しかる後
に、液晶素子201の周辺部に取り付けたペルチ
エ素子212を電源213により作動させて、急
冷状態となして、液晶素子201を冷却し、フオ
ーカルコニツク組織のスメクチツク相を形成さ
せ、光信号の照射された個所が光散乱状態となつ
た画像パターンが形成された。この際、ベルチエ
素子212は温度コントロール器214により温
度コントロールされる。
A laser oscillator 202 that emits a laser beam used to write an image on the liquid crystal cell 201
can be selected from those with wavelengths corresponding to the absorption efficiency of the above-mentioned compounds contained in the liquid crystal, but in particular long-wavelength laser beams emitted from helium-neon lasers, semiconductor lasers, or YAG lasers, or argon A short wavelength laser beam emitted by a laser can be used.
A laser beam emitted from a laser oscillator 202 passes through a modulator 203, a slit 204, a Y-axis deflector 205, and an X-axis deflector 206, is modulated and deflected, is focused by a writing lens 208, and is focused by a dichroic mirror. The light is irradiated from the back side of the liquid crystal element 201 via the light source 209 . The aforementioned modulator 2
03, Y-axis deflector 205, X-axis deflector 206,
It is connected to a signal source 211 via a driving amplifier 210, which controls the laser beam and converts the digital electrical signal from the signal source 211 into an optical signal. This optical signal causes the liquid crystal element 2 to
An image pattern is written in 01. Thereafter, the Peltier element 212 attached to the periphery of the liquid crystal element 201 is activated by the power supply 213 to bring it into a rapid cooling state, thereby cooling the liquid crystal element 201 and forming a smectic phase of the focal conic structure, thereby generating an optical signal. An image pattern was formed in which the irradiated areas were in a light scattering state. At this time, the temperature of the Bertier element 212 is controlled by the temperature controller 214.

この画像パターンは、液晶素子201の前面に
配置した照明源215を点灯することによつて、
観察することができる。
This image pattern is created by lighting the illumination source 215 placed in front of the liquid crystal element 201.
can be observed.

次いで、前述の画像パターンを消去するには、
液晶素子201に設けた透明ヒータ216(例え
ば、酸化インジウム膜、酸化錫膜、ITO膜)を温
度コントロール器217を介したヒータ用電源2
18により加熱し、液晶相からイソトロピツク相
へ相変化を生じさせる。しかる後、液晶素子20
1に設けた電源219と220の間に交流電源2
21より電圧を印加しながら、液晶素子201を
徐冷して、ホメオトロピツク組織のスメクチツク
相を形成させた。この結果、書き込まれた画像パ
ターンが消去された。
Then, to erase the aforementioned image pattern,
A transparent heater 216 (for example, an indium oxide film, a tin oxide film, an ITO film) provided on the liquid crystal element 201 is connected to a heater power source 2 via a temperature controller 217.
18 to cause a phase change from a liquid crystal phase to an isotropic phase. After that, the liquid crystal element 20
AC power supply 2 between power supplies 219 and 220 provided in 1
The liquid crystal element 201 was slowly cooled while applying a voltage from 21 to form a smectic phase having a homeotropic structure. As a result, the written image pattern was erased.

[発明の効果] 本発明による効果を列挙すると下記のとおりで
ある。
[Effects of the Invention] The effects of the present invention are listed below.

本発明の光熱変換記録媒体は、溌膜の電磁放射
線感応層が電磁放射線に対して吸収効率が大き
く、低いエネルギー密度のヘリウム−ネオンガス
レーザやキセノンフラツシユランプによる記録が
可能で、しかも長波長側に発振波長をもつ半導体
レーザによる記録にも有効である。又、S/N比
が高く、再生効率が良好である。さらに、本発明
の、アズレン環と環構造の置換基を有するビラン
環をメチン鎖で結んだアズレニウム塩化合物は、
新規であり且つ従来知られている、例えばアズレ
ン環とビラン環をメチン鎖で結んだアズレニウム
塩化合物に比較して優れた熱安定性を有する。
The photothermal conversion recording medium of the present invention has a permeable electromagnetic radiation-sensitive layer that has a high absorption efficiency for electromagnetic radiation, and enables recording with a low energy density helium-neon gas laser or xenon flash lamp, and moreover, in the long wavelength range. It is also effective for recording using a semiconductor laser with an oscillation wavelength of . Furthermore, the S/N ratio is high and the regeneration efficiency is good. Furthermore, the azulenium salt compound of the present invention in which an azulene ring and a bilane ring having a substituent in the ring structure are connected by a methine chain,
It is novel and has superior thermal stability compared to conventionally known azulenium salt compounds, for example, in which an azulene ring and a bilane ring are linked by a methine chain.

又、本発明の光熱変換記録媒体に係わる液晶素
子は、大画面デイスプレイとして応用することが
可能であり、又所定の情報を含む光信号をトラツ
クに沿つて走査してピツトを形成する記録方式の
光デイスクシステムにも応用することができる。
Further, the liquid crystal element related to the photothermal conversion recording medium of the present invention can be applied as a large screen display, and can also be used in a recording method in which optical signals containing predetermined information are scanned along a track to form pits. It can also be applied to optical disk systems.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図は各々本発明の光デイスク
用光熱変換記録媒体の断面図である。第3図は、
光熱変換記録媒体の実施態様を示す説明図であ
る。第4図は、本発明の光熱変換記録媒体の1例
を示す液晶素子の断面図である。第5図は、本発
明の液晶素子を用いた表示方式の1例を表わす説
明図である。 1:基体、2:薄膜、3:反射層、4:電磁放
射線、5:ピツト、101,102:基板、10
3,104:電極、105:コールドミラー、1
06,107:配向制御膜、108:液晶組成
物、109:観察光、110:レーザビーム。
1 and 2 are sectional views of the photothermal conversion recording medium for optical disks of the present invention, respectively. Figure 3 shows
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an embodiment of a photothermal conversion recording medium. FIG. 4 is a cross-sectional view of a liquid crystal element showing an example of the photothermal conversion recording medium of the present invention. FIG. 5 is an explanatory diagram showing one example of a display method using the liquid crystal element of the present invention. 1: Substrate, 2: Thin film, 3: Reflective layer, 4: Electromagnetic radiation, 5: Pit, 101, 102: Substrate, 10
3,104: Electrode, 105: Cold mirror, 1
06,107: Orientation control film, 108: Liquid crystal composition, 109: Observation light, 110: Laser beam.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 下記一般式[]で表わされるアズレニウム
塩化合物を含有することを特徴とする光熱変換記
録媒体。 一般式[] [但し、一般式[]において、R1、R2、R3
R4、R5、R6およびR7は水素原子、ハロゲン原子
又は1価の有機残基のいずれか一種、又はR1
R2、R2とR3、R3とR4、R4とR5、R5とR6および
R6とR7の組合せのうち、少なくとも1つの組合
せで形成された置換又は未置換の縮合環を表わ
す。R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14および
R15は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ヒドロキシ基、置換又は未置換のア
リール基、置換又は未置換のアラルキル基、およ
びニトロ基のいずれか一種、又はR8とR9、R9
R10、R10とR11、R12とR13、R13とR14およびR14
とR15の組合せのうち、少なくとも1つの組合せ
で形成された置換又は未置換の芳香族環を表わ
す。Xは酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を表
わす。R16は水素原子、ニトロ基、シアノ基、ア
ルキル基又はアリール基を表わす。 Z はアニオン残基、nは0、1又は2の整数
を表わす。] 2 前記光熱変換記録媒体が基体上に下記一般式
[]で表わされるアズレニウム塩化合物を含有
する被膜を形成してなる特許請求の範囲第1項記
載の光熱変換記録媒体。 一般式[] [但し、一般式[]において、R1、R2、R3
R4、R5、R6およびR7は水素原子、ハロゲン原子
又は1価の有機残基のいずれか一種、又はR1
R2、R2とR3、R3とR4、R4とR5、R5とR6および
R6とR7の組合せのうち、少なくとも1つの組合
せで形成された置換又は未置換の縮合環を表わ
す。R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14および
R15は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ヒドロキシ基、置換又は未置換のア
リール基、置換又は未置換のアラルキル基、およ
びニトロ基のいずれか一種、又はR8とR9、R9
R10、R10とR11、R12とR13、R13とR14およびR14
とR15の組合せのうち、少なくとも1つの組合せ
で形成された置換又は未置換の芳香族環を表わ
す。Xは酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を表
わす。R16は水素原子、ニトロ基、シアノ基、ア
ルキル基又はアリール基を表わす。 Z はアニオン残基、nは0、1又は2の整数
を表わす。] 3 前記光熱変換記録媒体が下記一般式[]で
表わされるアズレニウム塩化合物を含有する液晶
組成物を有する液晶素子からなる特許請求の範囲
第1項記載の光熱変換記録媒体。 一般式[] [但し、一般式[]において、R1、R2、R3
R4、R5、R6およびR7は水素原子、ハロゲン原子
又は1価の有機残基のいずれか一種、又はR1
R2、R2とR3、R3とR4、R4とR5、R5とR6および
R6とR7の組合せのうち、少なくとも1つの組合
せで形成された置換又は未置換の縮合環を表わ
す。R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14および
R15は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ヒドロキシ基、置換又は未置換のア
リール基、置換又は未置換のアラルキル基、およ
びニトロ基のいずれか一種、又はR8とR9、R9
R10、R10とR11、R12とR13、R13とR14およびR14
とR15の組合せのうち、少なくとも1つの組合せ
で形成された置換又は未置換の芳香族環を表わ
す。Xは酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を表
わす。R16は水素原子、ニトロ基、シアノ基、ア
ルキル基又はアリール基を表わす。 Z はアニオン残基、nは0、1又は2の整数
を表わす。]
[Scope of Claims] 1. A photothermal conversion recording medium characterized by containing an azulenium salt compound represented by the following general formula []. General formula [] [However, in the general formula [], R 1 , R 2 , R 3 ,
R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are hydrogen atoms, halogen atoms, monovalent organic residues, or R 1 and
R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 and
Represents a substituted or unsubstituted condensed ring formed by at least one combination of R 6 and R 7 . R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 and
R 15 is any one of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, and a nitro group, or R 8 and R 9 , R 9 and
R 10 , R 10 and R 11 , R 12 and R 13 , R 13 and R 14 and R 14
represents a substituted or unsubstituted aromatic ring formed by at least one combination of and R15 . X represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom. R 16 represents a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group or an aryl group. Z represents an anion residue, and n represents an integer of 0, 1 or 2. 2. The photothermal conversion recording medium according to claim 1, wherein the photothermal conversion recording medium is formed by forming a coating containing an azulenium salt compound represented by the following general formula [] on a substrate. General formula [] [However, in the general formula [], R 1 , R 2 , R 3 ,
R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are hydrogen atoms, halogen atoms, monovalent organic residues, or R 1 and
R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 and
Represents a substituted or unsubstituted condensed ring formed by at least one combination of R 6 and R 7 . R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 and
R 15 is any one of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, and a nitro group, or R 8 and R 9 , R 9 and
R 10 , R 10 and R 11 , R 12 and R 13 , R 13 and R 14 and R 14
represents a substituted or unsubstituted aromatic ring formed by at least one combination of and R15 . X represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom. R 16 represents a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group or an aryl group. Z represents an anion residue, and n represents an integer of 0, 1 or 2. 3. The photothermal conversion recording medium according to claim 1, wherein the photothermal conversion recording medium comprises a liquid crystal element having a liquid crystal composition containing an azulenium salt compound represented by the following general formula []. General formula [] [However, in the general formula [], R 1 , R 2 , R 3 ,
R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are hydrogen atoms, halogen atoms, monovalent organic residues, or R 1 and
R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 and
Represents a substituted or unsubstituted condensed ring formed by at least one combination of R 6 and R 7 . R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 and
R 15 is any one of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, and a nitro group, or R 8 and R 9 , R 9 and
R 10 , R 10 and R 11 , R 12 and R 13 , R 13 and R 14 and R 14
represents a substituted or unsubstituted aromatic ring formed by at least one combination of and R15 . X represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom. R 16 represents a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group or an aryl group. Z represents an anion residue, and n represents an integer of 0, 1 or 2. ]
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