JPH022715B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH022715B2
JPH022715B2 JP59191163A JP19116384A JPH022715B2 JP H022715 B2 JPH022715 B2 JP H022715B2 JP 59191163 A JP59191163 A JP 59191163A JP 19116384 A JP19116384 A JP 19116384A JP H022715 B2 JPH022715 B2 JP H022715B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
recording medium
substituted
recording
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59191163A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6168294A (en
Inventor
Yoshihiro Oguchi
Kazuharu Katagiri
Yoshio Takasu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59191163A priority Critical patent/JPS6168294A/en
Priority to US06/753,873 priority patent/US4738908A/en
Publication of JPS6168294A publication Critical patent/JPS6168294A/en
Publication of JPH022715B2 publication Critical patent/JPH022715B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B56/00Azo dyes containing other chromophoric systems
    • C09B56/16Methine- or polymethine-azo dyes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B23/00Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/0066Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain being part of a carbocyclic ring,(e.g. benzene, naphtalene, cyclohexene, cyclobutenene-quadratic acid)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B23/00Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/0091Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes having only one heterocyclic ring at one end of the methine chain, e.g. hemicyamines, hemioxonol
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B23/00Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/02Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups
    • C09B23/04Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups one >CH- group, e.g. cyanines, isocyanines, pseudocyanines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B23/00Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/02Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups
    • C09B23/06Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups three >CH- groups, e.g. carbocyanines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B23/00Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/02Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups
    • C09B23/08Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups more than three >CH- groups, e.g. polycarbocyanines
    • C09B23/083Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups more than three >CH- groups, e.g. polycarbocyanines five >CH- groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B23/00Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/10The polymethine chain containing an even number of >CH- groups
    • C09B23/107The polymethine chain containing an even number of >CH- groups four >CH- groups

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、レーザ等により光熱変換効果を利用
して、情報を高密度に記録し、これを再生する光
熱変換記録媒体に関し、詳しくは可視および、近
赤外域の波長の光を効果的に吸収し、熱的エネル
ギーに変換し且つ、レーザ等により、高密度の記
録および光学的再生が可能な光熱変換記録媒体に
関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a photothermal conversion recording medium that records and reproduces information at high density by utilizing the photothermal conversion effect of a laser or the like. The present invention relates to a photothermal conversion recording medium that effectively absorbs light, converts it into thermal energy, and enables high-density recording and optical reproduction using a laser or the like.

光デイスク技術で用いる光熱変換記録媒体は、
基体上に設けた薄い光熱変換記録層に形成された
光学的に検出可能な小さな(例えば約1μ)ピツ
トをらせん状又は円形のトラツク形態にして、高
密度情報を記録することができる。この様なデイ
スクに情報を書き込むには、レーザ感応層の表面
に集束したレーザを走査し、このレーザ光線が照
射された表面のみがピツトを形成し、このピツト
をらせん状又は円形トラツクの形態で形成する。
レーザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収して
光学的に検出可能なピツトを形成できる。例え
ば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層に
照射されたレーザ・エネルギーを吸収し、熱的エ
ネルギーに変換され、その個所に蒸発または変形
により小さな凹部(ピツト)を形成できるか、あ
るいは、その個所に光学的に検出可能な化学変化
によつて生じる酸化度差、反射率差、または濃度
差を有するピツトを形成できる。
The photothermal conversion recording medium used in optical disk technology is
High-density information can be recorded by optically detectable small (eg, about 1 micron) pits formed in a thin photothermal recording layer on a substrate in the form of spiral or circular tracks. To write information on such a disk, a focused laser is scanned over the surface of the laser-sensitive layer, and only the surface irradiated by the laser beam forms a pit, which is then shaped into a spiral or circular track. Form.
The laser sensitive layer can absorb laser energy to form optically detectable pits. For example, in the heat mode recording method, the laser energy irradiated to the laser sensitive layer is absorbed and converted into thermal energy, and a small pit can be formed at that location by evaporation or deformation. It is possible to form pits having oxidation degree differences, reflectance differences, or density differences caused by optically detectable chemical changes.

この光デイスクに記録された情報は、レーザを
トラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された部
分とピツトが形成されていない部分の光学的変化
を読み取ることによつて検出される。例えば、レ
ーザがトラツクによつて走査され、デイスクによ
り反射されたエネルギーがフオトデイテクターに
よつてモニターされる。ピツトが形成されていな
い時、フオトデイテクターの出力は低下し、一方
ピツトが形成されてる時はレーザ光線は下層の反
射面によつて充分に反射されたフオトデイテクタ
ーの出力は大きくなる。
The information recorded on this optical disk is detected by scanning a laser along the track and reading the optical changes in the pitted and non-pitted areas. For example, a laser is scanned by a track and the energy reflected by the disk is monitored by a photodetector. When no pits are formed, the output of the photodetector decreases, while when pits are formed, the laser beam is sufficiently reflected by the underlying reflective surface and the output of the photodetector increases.

この様な光デイスクに用いる記録媒体として、
これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビ
スマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたもの
が提案されている。
As a recording medium used for such optical discs,
So far, methods have been proposed that mainly use inorganic materials such as metal thin films such as aluminum vapor-deposited films, bismuth thin films, tellurium oxide thin films, and chalcogenite amorphous glass films.

一方、光熱変換記録方式を用いうる液晶素子
は、レーザ等から生じた光信号に対応した光学像
を形成することができる。従来、2枚のガラス基
板の間に負の誘電異方性をもつネマチツク結晶と
コレステリツク結晶との混合液晶あるいは正の誘
電異方性をもつスメクチツク液晶を配置した液晶
素子を用意し、この液晶素子にレーザ等を照射す
ると、その個所が局部的に熱的エネルギーを生
じ、イソトロピツク相まで加熱される。その後、
急激な冷却により初期の一様な配向状態と異なつ
たランダムな配向状態の液晶相が形成される。そ
の結果、レーザ光が照射された個所では光散乱を
生じ、一様な配向状態にある背景域の液晶層とで
光学的特性に相違が生じることになる。
On the other hand, a liquid crystal element that can use a photothermal conversion recording method can form an optical image corresponding to an optical signal generated from a laser or the like. Conventionally, a liquid crystal element is prepared in which a mixed liquid crystal of a nematic crystal and a cholesteric crystal with negative dielectric anisotropy or a smectic liquid crystal with positive dielectric anisotropy is arranged between two glass substrates, and this liquid crystal element When a laser beam or the like is irradiated onto the area, thermal energy is generated locally at that area, and the area is heated to the isotropic phase. after that,
Rapid cooling forms a liquid crystal phase with a random orientation different from the initial uniform orientation. As a result, light scattering occurs at the location where the laser beam is irradiated, resulting in a difference in optical characteristics between the liquid crystal layer in the background region and the uniformly aligned liquid crystal layer.

この種の液晶素子は前述の如き方法でレーザ書
き込みにより形成された光学像を消去することも
可能である。すなわち、液晶素子を構成している
2枚の基板にそれぞれ電極を設け、レーザ光と別
の熱源(例えばヒーター)で液晶素子の全体に亘
つて加熱することにより、液晶相をイソトロピツ
ク相まで加熱し、例えばスメクチツク液晶の場合
ではホメオトロピツク組織、あるいはコレステリ
ツクネマチツク液晶の場合ではグランジユラン組
織が形成されるまで冷却することによつて、先に
書き込みにより形成していた光学像を消去するこ
とができる。
This type of liquid crystal element can also erase an optical image formed by laser writing using the method described above. That is, by providing electrodes on each of the two substrates that make up the liquid crystal element, and heating the entire liquid crystal element with a laser beam and another heat source (for example, a heater), the liquid crystal phase is heated to the isotropic phase. For example, the optical image previously formed by writing can be erased by cooling until a homeotropic structure is formed in the case of a smectic liquid crystal, or a grunge structure in the case of a cholesteric nematic liquid crystal. can.

このような光熱学的記録方式を用いた液晶素子
は画素を形成するマトリクス電極構造を必要とせ
ず、単に電気信号から変換された光信号の走査に
よつて画像パターンを形成することができ、しか
もそれを大画面で得られる点に利点を有してい
る。しかし、レーザ光を用いた場合レーザ光を吸
収し熱エネルギーに変換する効率が十分なもので
なく、光信号を走査させても十分な書き込みが行
なえない欠点を有している。そのため従来では、
例えば“Society of Information Display
International Symposium,Digest of
Technical Oaper”P.P34−49,172−187,238
−253(1982)に開示されている様にスメクチツク
液晶に黒色の色素を混入したゲストーホスタイプ
の光熱学的記録方式の液晶素子が提案されてい
る。
A liquid crystal device using such a photothermal recording method does not require a matrix electrode structure to form pixels, and can form an image pattern simply by scanning optical signals converted from electrical signals. The advantage is that it can be displayed on a large screen. However, when a laser beam is used, the efficiency of absorbing the laser beam and converting it into thermal energy is not sufficient, and even if an optical signal is scanned, sufficient writing cannot be performed. Therefore, conventionally,
For example, “Society of Information Display
International Symposium, Digest of
Technical Oaper”P.P34-49, 172-187, 238
253 (1982), a guest-phos type photothermal recording type liquid crystal element in which a black dye is mixed into a smectic liquid crystal has been proposed.

ところで、近年レーザとして小型でしかも低コ
ストの上、直線変調が可能な半導体レーザが開発
されているが、このレーザの発振波長が700nm以
上の波長を有していることが多く、また、一般に
アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザなどの
ガスレーザに較べレーザ光パワーが小さい。従つ
て、この様な導導体レーザを用いて光熱変換記録
を行なう場合には、レーザ感応層の吸収特性は長
波長側に吸収ピーク(一般に700mm〜850mmの領
域)を有することが有効である。
By the way, semiconductor lasers that are small, low cost, and capable of linear modulation have been developed in recent years, but the oscillation wavelength of these lasers often has a wavelength of 700 nm or more, and in general, argon Laser light power is smaller than gas lasers such as lasers and helium-neon lasers. Therefore, when performing photothermal conversion recording using such a conductor laser, it is effective for the absorption characteristics of the laser sensitive layer to have an absorption peak on the long wavelength side (generally in the region of 700 mm to 850 mm).

しかし、従来の光熱変換記録媒体は、レーザ光
を吸収し、熱エネルギーに変換する効率が十分な
ものでなく、例えば光デイスクの場合、前記のよ
うな無機物質を主成分として形成した光熱変換記
録層は、レーザ光に対する反射率が高いため、レ
ーザの利用率が低くなり高感度特性が得られない
欠点を有しており、しあも感応波長域を700mm以
上とすることはレーザ感応層の層構成を複雑化す
る欠点を有している。この様なことから、近年比
較的長波長域の光エネルギーで物質変化可能な有
機化合物の研究がなされている。例えば、米国特
許第4315983号「Reseach Disclosure」20517
(1981.5)に開示のピリリウム染料や、「J.Vac.
Scl.Technol.,18(1),Jan./Feb.1981,P105〜
P109に開示のスクエアリリウム染料を含有した
有機化合物が700nm以上のレーザに対して感応性
があることが知られている。
However, conventional photothermal conversion recording media do not have sufficient efficiency in absorbing laser light and converting it into thermal energy. Since the layer has a high reflectance to laser light, it has the disadvantage that the laser utilization rate is low and high sensitivity characteristics cannot be obtained. This has the disadvantage of complicating the layer structure. For this reason, in recent years, research has been carried out on organic compounds whose substances can be changed by light energy in a relatively long wavelength range. For example, US Pat. No. 4,315,983 “Reseach Disclosure” 20517
(1981.5) and the pyrylium dye disclosed in J.Vac.
Scl.Technol., 18(1), Jan./Feb.1981, P105~
It is known that the organic compound containing the squarerium dye disclosed in P109 is sensitive to a laser of 700 nm or more.

しかし一般に有機化合物は吸収特性が長波長領
域になるほど不安定で、わずかの温度上昇によつ
て分解されやすいなどの問題を有している。
However, organic compounds generally have problems such as their absorption characteristics becoming more unstable in the longer wavelength region and being more easily decomposed by a slight temperature rise.

一方、ゲスト−ホストタイプの光熱変換記録方
式の液晶素子も、前記のような半導体レーザを用
いた場合、低パワーのため、レーザ光を吸収し、
熱エネルギーに変換する効率が十分なものでな
く、高パワー又は低スピードの光信号走査を必要
とする欠点がある。また、前記の黒色の色素を用
いた液晶素子では黒色背景の中に白色の画像パタ
ーンが形成されているため、人間工学上良好な表
示とはならない欠点がある。
On the other hand, when a guest-host type photothermal conversion recording method liquid crystal element uses the semiconductor laser described above, it absorbs laser light due to its low power.
The drawback is that the conversion efficiency into thermal energy is not sufficient and that high power or low speed optical signal scanning is required. Further, in the liquid crystal element using the above-mentioned black dye, a white image pattern is formed on a black background, which has the disadvantage that it does not provide a good display from an ergonomic point of view.

以上のように、光デイスクおよび液晶素子とし
て用いられる光熱変換記録媒体で要求される各種
の特性を満足する必要があるため、必ずしも実用
性の点で十分に満足できる光熱変換記録媒体が開
発されているとは言えないのが現状である。
As mentioned above, it is necessary to satisfy various characteristics required of photothermal conversion recording media used as optical disks and liquid crystal elements, so it is not always possible to develop photothermal conversion recording media that are fully satisfactory in terms of practicality. The current situation is that we cannot say that there are.

従つて本発明の第1の目的は、新規かつ有用な
光熱変換記録媒体を提供することにある。
Accordingly, a first object of the present invention is to provide a new and useful photothermal conversion recording medium.

本発明の第2の目的、可視域および近赤外域の
波長に吸収特性をもち、光を効果的に吸収し、熱
的エネルギーに変換しかつ高密度の記録および光
学的再生が可能な光熱変換記録媒体を提供するこ
とにある。
The second object of the present invention is photothermal conversion, which has absorption characteristics in the visible and near-infrared wavelengths, effectively absorbs light, converts it into thermal energy, and enables high-density recording and optical reproduction. The goal is to provide recording media.

本発明の第3の目的は、前述の欠点を解消した
熱的に安定な光熱変換記録媒体を提供することに
ある。
A third object of the present invention is to provide a thermally stable photothermal conversion recording medium that eliminates the above-mentioned drawbacks.

本発明の第4の目的は新規な光デイスク用光熱
変換記録媒体を提供することにある。
A fourth object of the present invention is to provide a novel photothermal conversion recording medium for optical discs.

本発明の第5の目的は、可視域および近赤外域
の波長で高感度であり、しかも十分なS/N比を
有する光デイスク用光熱変換記録媒体を提供する
ことにある。
A fifth object of the present invention is to provide a photothermal conversion recording medium for optical disks that is highly sensitive at wavelengths in the visible and near infrared regions and has a sufficient S/N ratio.

本発明の第6の目的は、新規な光熱変換記録方
式を用いうる液晶素子を提供することにある。
A sixth object of the present invention is to provide a liquid crystal element that can use a novel photothermal conversion recording method.

本発明の第7の目的は、レーザ発振器を用いた
光信号発振器から光信号走査に応じて光学像のパ
ターンを形成することができる光熱変換記録方式
を用いた液晶素子を提供することにある。
A seventh object of the present invention is to provide a liquid crystal element using a photothermal conversion recording method that can form an optical image pattern according to optical signal scanning from an optical signal oscillator using a laser oscillator.

本発明のかかる目的は、下記一般式〔〕,
〔〕および〔〕で表わされるアズレニウム塩
化合物を含有する光熱変換記録媒体によつて達成
される。
Such an object of the present invention is the following general formula [],
This is achieved by a photothermal conversion recording medium containing an azulenium salt compound represented by [ ] and [ ].

一般式 一般式〔〕,〔〕および〔〕において、
R1〜R5は水素原子、ハロゲン原子(塩素原子、
臭素原子、沃素原子)又は1価の有機残基を表わ
し、Xか置換若しくは未置換の5員、6員又は7
員の芳香族環を形成するに必要な原子群を表わ
す。1価の有機残基としては、広範なものから選
択することができるが、特にアルキル基(メチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−
ブチル、t−ブチル、n−アミル、n−ヘキシ
ル、n−オクチル、2−エチルヘキシル、t−オ
クチルなど)、アルコキシ基(メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシなど)、置換若しくは
未置換のアリール基(フエニル、トリル、キシリ
ル、エチルフエニル、メトキシフエニル、エチキ
シフエニル、クロロフエニル、ニトロフエニル、
ジメチルアミノフエニル、α−ナフチル、β−ナ
フチルなど)、置換もしくは未置換の複素環基
(ピリジル、キノリル、カルバゾリル、フリル、
チエニル、ピラゾリルなど)、置換若しくは未置
換のアラルキル基(ベンジル、2−フエニルエチ
ル、2−フエニル−1−メチルエチル、プロモベ
ンジル、2−プロモフエニルエチル、メチルベン
ジル、メトキシベンジル、ニトロベンジル)、ア
シル基(アセトチル、プワピオニル、ブチリル、
バレリル、ベンゾイル、トリオイル、ナフトイ
ル、フタロイル、フロイルなど)、置換若しくは
未置換アミノ基(アミノ、ジメチルアミノ、ジエ
チルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミ
ノ、ベンゾイルアミノなど)、置換若しくはスチ
リル基(スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジ
エチルアミノ、ジプロピルアミノスチリル、メト
キシスチリル、エトキシスチリル、メチルスチリ
ルなど)、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト
基、チオーエテル基、カルボキシル基、カルボン
酸エステル、カルボン酸アミド、シアノ基、は未
置換アリールアゾ基(フエニルアゾ、α−ナフチ
ルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノフエ
ニルアゾ、クロロフエニルアゾ、ニトロフエニル
アゾ、メトキシフエニルアゾ、トリルアゾなど)
挙げることがでる。又、R1とXによつて形成さ
れる芳香族環、Xによつて形成される芳香族環と
R2、R2とR3、R3とR4、およびR4とR5の組合せの
うち、少なくとも1つの組合せで置換若しくは未
置換の芳香族環(ベンゼン、ナフタレン、クロロ
ベンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼンな
ど)、複素環(フラン、ベンゾフラン、ピロール、
チオフエン、ピリジン、キノリンなど)又は脂肪
族鎖(ジメチレン、トリメチレン、テトラメチレ
ンなど)による環を形成してもよい。Aは2重結
合によつて結合した2価の有機残基を表わす。か
かるAを含む本発明の具体的な例を下記一般式(1)
〜(11)で表わされるものを挙げることができる。但
し、式中のQ は下記のアズレニウム骨格を示
し、式中のQ を除く右辺がAを示している。
general formula In the general formulas [], [] and [],
R 1 to R 5 are hydrogen atoms, halogen atoms (chlorine atoms,
bromine atom, iodine atom) or a monovalent organic residue, and X represents a substituted or unsubstituted 5-, 6-, or 7-membered
Represents a group of atoms necessary to form a member aromatic ring. Monovalent organic residues can be selected from a wide variety of groups, but especially alkyl groups (methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-
butyl, t-butyl, n-amyl, n-hexyl, n-octyl, 2-ethylhexyl, t-octyl, etc.), alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.), substituted or unsubstituted aryl groups (phenyl , tolyl, xylyl, ethyl phenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, chlorophenyl, nitrophenyl,
dimethylaminophenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, etc.), substituted or unsubstituted heterocyclic groups (pyridyl, quinolyl, carbazolyl, furyl,
thienyl, pyrazolyl, etc.), substituted or unsubstituted aralkyl groups (benzyl, 2-phenylethyl, 2-phenyl-1-methylethyl, promobenzyl, 2-promophenylethyl, methylbenzyl, methoxybenzyl, nitrobenzyl), acyl groups (acetyl, puwapionyl, butyryl,
valeryl, benzoyl, trioyl, naphthoyl, phthaloyl, furoyl, etc.), substituted or unsubstituted amino groups (amino, dimethylamino, diethylamino, dipropylamino, acetylamino, benzoylamino, etc.), substituted or styryl groups (styryl, dimethylaminostyryl) , diethylamino, dipropylaminostyryl, methoxystyryl, ethoxystyryl, methylstyryl, etc.), nitro group, hydroxy group, mercapto group, thioether group, carboxyl group, carboxylic acid ester, carboxylic acid amide, cyano group, unsubstituted arylazo group (phenylazo, α-naphthylazo, β-naphthylazo, dimethylaminophenylazo, chlorophenylazo, nitrophenylazo, methoxyphenylazo, tolylazo, etc.)
I can list some. In addition, an aromatic ring formed by R 1 and X, an aromatic ring formed by
Aromatic rings substituted or unsubstituted with at least one combination of R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , and R 4 and R 5 (benzene, naphthalene, chlorobenzene, ethylbenzene, methoxybenzene) ), heterocycles (furan, benzofuran, pyrrole,
thiophene, pyridine, quinoline, etc.) or aliphatic chains (dimethylene, trimethylene, tetramethylene, etc.) may form a ring. A represents a divalent organic residue bonded via a double bond. A specific example of the present invention containing such A is represented by the following general formula (1).
-(11) can be mentioned. However, Q in the formula represents the azulenium skeleton shown below, and the right side excluding Q in the formula represents A.

アズレニウム骨格(Q ) 一般式 式中、R1〜R5およびXは前記で定義したもの
と同一定義を有する。
Azulenium skeleton (Q) general formula In the formula, R 1 to R 5 and X have the same definitions as defined above.

式中、R1〜R5およびXは前記で定義したもの
と同一定義を有する。
In the formula, R 1 to R 5 and X have the same definitions as defined above.

式中、R′1〜R′5は、水素原子、ハロゲン原子
(塩素原子、臭素原子、沃素原子)又は1価の有
機残基を表わし、Xは置換若しくは未置換の5
員、6員又は7員の芳香族環を形成する。1価の
有機残基としては、広範なものから選択すること
ができるが、特にアルキル基(メチル、エチル、
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−
ブチル、n−アミル、n−ヘキシル、n−オクチ
ル、2−エチルヘキシル、t−オクチルなど)、
アルコキシ基(メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、ブトキシなど)、置換もしくは未置換のアリ
ール基(フエニル、トリル、キシリル、エチルフ
エニル、メトキシフエニル、エトキシフエニル、
クロロフエニル、ニトロフエニル、ジメチルアミ
ノフエニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど)、
置換もしくは未置換の複素環基(ピリジル、キノ
リル、カルバゾリル、フリル、チエニル、ピラゾ
リルなど)、置換もしくは未置換のアラルキル基
(ベンジル、2−フエニルエチル、2−フエニル
−1−メチルエチル、プロモベンジル、2−プロ
モフエニルエチル、メチルベンジル、メトキシベ
ンジル、ニトロベンジル)、アシル基(アセトチ
ル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾ
イル、トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フ
ロイルなど)、置換若しくは未置換アミノ基(ア
ミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロ
ピルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ
など)、置換若しくは未置換スチリル基(スチリ
ル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミノス
チリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシス
チリル、エトキシスチリル、メチルスチリルな
ど)、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、
チオーエーテル基、カルボキシル、カルボン酸エ
ステル、カルボン酸アミド、シアノ基、置換若し
くは未置換アリールアゾ基(フエニルアゾ、α−
ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミ
ノフエニルアゾ、クロロフエニルアゾ、ニトロフ
エニルアゾ、メトキシフエニルアゾ、トリルアゾ
など)挙げることができる。又、R′1とX′の芳香
族環、X′の芳香族環とR′2、R′2とR′3、R′3とR′4

およびR′4とR′5の組合せのうち、少なくとも1つ
の組合せで置換若しくは未置換の芳香族環(ベン
ゼン、ナフタレン、クロロベンゼン、エチルベン
ゼン、メトキシベンゼンなど)、複素環(フラン、
ベンゾフラン、ピロール、チオフエン、ピリジ
ン、キノリンなど)又は脂肪族鎖(ジメチレン、
トリメチレン、テトラメチレンなど)による環を
形成してもよい。
In the formula, R' 1 to R' 5 represent a hydrogen atom, a halogen atom (chlorine atom, bromine atom, iodine atom) or a monovalent organic residue, and X represents a substituted or unsubstituted 5
6-membered, 6-membered or 7-membered aromatic ring. Monovalent organic residues can be selected from a wide range of options, but especially alkyl groups (methyl, ethyl,
n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-
butyl, n-amyl, n-hexyl, n-octyl, 2-ethylhexyl, t-octyl, etc.),
Alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.), substituted or unsubstituted aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, ethyl phenyl, methoxy phenyl, ethoxy phenyl,
chlorophenyl, nitrophenyl, dimethylaminophenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, etc.),
Substituted or unsubstituted heterocyclic groups (pyridyl, quinolyl, carbazolyl, furyl, thienyl, pyrazolyl, etc.), substituted or unsubstituted aralkyl groups (benzyl, 2-phenylethyl, 2-phenyl-1-methylethyl, promobenzyl, 2 -promophenylethyl, methylbenzyl, methoxybenzyl, nitrobenzyl), acyl groups (acetyl, propionyl, butyryl, valeryl, benzoyl, triooyl, naphthoyl, phthaloyl, furoyl, etc.), substituted or unsubstituted amino groups (amino, dimethylamino) , diethylamino, dipropylamino, acetylamino, benzoylamino, etc.), substituted or unsubstituted styryl groups (styryl, dimethylaminostyryl, diethylaminostyryl, dipropylaminostyryl, methoxystyryl, ethoxystyryl, methylstyryl, etc.), nitro group, hydroxy group, mercapto group,
Thioether group, carboxyl, carboxylic acid ester, carboxylic acid amide, cyano group, substituted or unsubstituted arylazo group (phenylazo, α-
naphthylazo, β-naphthylazo, dimethylaminophenylazo, chlorophenylazo, nitrophenylazo, methoxyphenylazo, tolylazo, etc.). Also, the aromatic ring of R′ 1 and X′, the aromatic ring of X′ and R′ 2 , R′ 2 and R′ 3 , R′ 3 and R′ 4
,
and aromatic rings (benzene , naphthalene , chlorobenzene, ethylbenzene, methoxybenzene, etc.), heterocycles (furan,
benzofuran, pyrrole, thiophene, pyridine, quinoline, etc.) or aliphatic chains (dimethylene,
(trimethylene, tetramethylene, etc.) may form a ring.

又、Q で示すアズレニウム骨格とは対称であ
つてもよく又は非対称であつてもよい。Z は、
アニオン残基を表わす。R6は、水素原子、ニト
ロ基、シアノ基、アルルキ基(メチル、エチル、
プロピル、プチルなど)又はアリール基(フエニ
ル、トリル、キシリルなど)を表わし、nは0,
1又は2を表わす。
Further, the azulenium skeleton represented by Q may be symmetrical or asymmetrical. Z is
Represents an anionic residue. R 6 is a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group (methyl, ethyl,
propyl, butyl, etc.) or an aryl group (phenyl, tolyl, xylyl, etc.), where n is 0,
Represents 1 or 2.

式中、R1〜R5,XおよびZ は前記で定義し
たものと同一の定義を有する。
In the formula, R 1 to R 5 , X and Z have the same definitions as defined above.

式中、R1〜R5、XおよびZ は前記で定義し
たものと同一の定義を有する。R″1〜R″6は、水
素原子、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、沃
素原子)又は1価の有機残基を表す。1価の有機
残基としては、広範なものから選択することがで
きるが、特にアルキル基(メチル、エチル、n−
プロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチ
ル、n−アミル、n−ヘキシル、n−オクチル、
2−エチルヘキシル、t−オクチルなど)、アル
コキシ基(メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブ
トキシなど)、置換もしくは未置換のアリール基
(フエニル、トリル、キシリル、エチルフエニル、
メトキシフエニル、エチキシフエニル、クロロフ
エニル、ニトロフエニル、ジメチルアミノフエニ
ル、α−ナフチル、β−ナフチルなど)、置換も
しくは未置換の複素環基(ピリジル、キノリル、
カルバゾリル、フリル、チエニル、ピラゾリルな
ど)、置換もしくは未置換のアラルキル基(ベン
ジル、2−フエニルエチル、2−フエニル−1−
メチルエチル、ブロモベンジル、2−プロモフエ
ニルエチル、メチルベンジル、メトキシベンジ
ル、ニトロベンジル)、アシル基(アセトチル、
プワピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイ
ル、トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロ
イルなど)、置換若しくは未置換アミノ基(アミ
ノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピ
ルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノな
ど)、置換若しくはスチリル基(スチリル、ジメ
チルアミノスチリル、ジエチルアミノスチリル、
ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチリル、
エトキシスチリル、メチルスチリルなど)、ニト
ロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオーエー
テル基、カルボキシル、カルボン酸エステル、カ
ルボン酸アミド、シアノ基、置換若しくは未置換
アリールアゾ基(フエニルアゾ、α−ナフチルア
ゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノフエニル
アゾ、クロロフエニルアゾ、ニトロフエニルア
ゾ、メトキシフエニルアゾ、トリルアゾなど)挙
げることができる。又、R″2とR″3、R″3とR″4
R″4とR″5およびR″5とR″6の組合せのうち、少な
くとも1つの組合せで置換若しくは未置換の芳香
族環(ベンゼン、ナフタレン、クロロベンゼン、
エチルベンゼン、メトキシベンゼンなど)、複素
環(フラン、ベンゾフラン、ピロール、チオフエ
ン、ピリジン、キノリンなど)又は脂肪族鎖(ジ
メチレン、トリメチレン、テトラメチレンなど)
による環を形成してもよい。
In the formula, R 1 to R 5 , X and Z have the same definitions as defined above. R″ 1 to R″ 6 represent a hydrogen atom, a halogen atom (chlorine atom, bromine atom, iodine atom) or a monovalent organic residue. Monovalent organic residues can be selected from a wide variety of groups, but especially alkyl groups (methyl, ethyl, n-
Propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, n-amyl, n-hexyl, n-octyl,
2-ethylhexyl, t-octyl, etc.), alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.), substituted or unsubstituted aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, ethyl phenyl,
methoxyphenyl, ethoxyphenyl, chlorophenyl, nitrophenyl, dimethylaminophenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, etc.), substituted or unsubstituted heterocyclic groups (pyridyl, quinolyl,
carbazolyl, furyl, thienyl, pyrazolyl, etc.), substituted or unsubstituted aralkyl groups (benzyl, 2-phenylethyl, 2-phenyl-1-
Methyl ethyl, bromobenzyl, 2-promophenylethyl, methylbenzyl, methoxybenzyl, nitrobenzyl), acyl group (acetyl,
substituted or unsubstituted amino groups (amino, dimethylamino, diethylamino, dipropylamino, acetylamino, benzoylamino, etc.), substituted or styryl groups (styryl), butyryl, valeryl, benzoyl, triooyl, naphthoyl, phthaloyl, furoyl, etc. , dimethylaminostyryl, diethylaminostyryl,
dipropylaminostyryl, methoxystyryl,
ethoxystyryl, methylstyryl, etc.), nitro group, hydroxy group, mercapto group, thioether group, carboxyl, carboxylic acid ester, carboxylic acid amide, cyano group, substituted or unsubstituted arylazo group (phenylazo, α-naphthylazo, β-naphthylazo, dimethylaminophenylazo, chlorophenylazo, nitrophenylazo, methoxyphenylazo, tolylazo, etc.). Also, R″ 2 and R″ 3 , R″ 3 and R″ 4 ,
Aromatic rings (benzene , naphthalene , chlorobenzene ,
ethylbenzene, methoxybenzene, etc.), heterocycles (furan, benzofuran, pyrrole, thiophene, pyridine, quinoline, etc.) or aliphatic chains (dimethylene, trimethylene, tetramethylene, etc.)
A ring may be formed by

式中、X1はピリジン、チアゾール、ベンゾチ
アゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾールナ
フトオキサゾール、イミダゾール、ベンズイミダ
ゾール、ナフトイミダゾール、2−キノリン、4
−キノリン、イソキノリン又はインドールなどの
含窒素複素環を完成するに必要な非金属原子群を
表し、かかる複素環には、ハロゲン原子(塩素原
子、臭素原子、沃素原子)、アルキル基(メチル、
エチル、プロピル、プチルなど)、アリール基
(フエニル、トリル、キシリルなど)などによつ
て置換されてもよい。R7はアルキル基(メチル、
エチル、プロピル、ブチルなど)、置換アルキル
基(2−ヒドロキシエチル、2−メトキシエチ
ル、2−ヒドロキシエチル、3−ヒドロキシプロ
ピル、3−メトキシプロピル、3−エトキシプロ
ピル、3−クロロプロピル、3−プロモプロピ
ル、3−カルボキシプロピルなど)、環式アルキ
ル基(シクロヘキシル、シクロプロピル)、アリ
ル、アラルキル基(ベンジル、2−フエニルエチ
ル、3−フエニルプロピル、4−フエニルブチ
ル、α−ナフチルメチル、β−ナフチルメチル)、
置換アラルキル基(メチルベンジル、エチルベン
ジル、ジメチルベンジル、トリメチルベンジル、
クロロベンジル、ブロモベンジルなど)、アリー
ル基(フエニル、トリル、キシリル、α−ナフチ
ル、β−ナフチル)又は置換アリール基(クロロ
フエニル、ジクロロフエニル、トリクロロフエニ
ル、エチルフエニル、メトキシフエニル、ジメト
キシフエニル、アミノフエニル、ニトロフエニ
ル、ヒドロキシフエニルなど)を表す。mは0又
は1を表し、Z は前記で定義したものと同一の
定義を有する。
In the formula ,
- Represents a group of nonmetallic atoms necessary to complete a nitrogen-containing heterocycle such as quinoline, isoquinoline, or indole; such a heterocycle includes halogen atoms (chlorine, bromine, iodine), alkyl groups (methyl,
(ethyl, propyl, butyl, etc.), aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, etc.), and the like. R 7 is an alkyl group (methyl,
ethyl, propyl, butyl), substituted alkyl groups (2-hydroxyethyl, 2-methoxyethyl, 2-hydroxyethyl, 3-hydroxypropyl, 3-methoxypropyl, 3-ethoxypropyl, 3-chloropropyl, 3-promo) propyl, 3-carboxypropyl, etc.), cyclic alkyl groups (cyclohexyl, cyclopropyl), allyl, aralkyl groups (benzyl, 2-phenylethyl, 3-phenylpropyl, 4-phenylbutyl, α-naphthylmethyl, β-naphthylmethyl ),
Substituted aralkyl groups (methylbenzyl, ethylbenzyl, dimethylbenzyl, trimethylbenzyl,
chlorobenzyl, bromobenzyl, etc.), aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, α-naphthyl, β-naphthyl) or substituted aryl groups (chlorophenyl, dichlorophenyl, trichlorophenyl, ethyl phenyl, methoxyphenyl, dimethoxyphenyl, (aminophenyl, nitrophenyl, hydroxyphenyl, etc.). m represents 0 or 1 and Z has the same definition as defined above.

(7) Q =CH−R8 Z 式中、R8は置換又は未置換のアリール基(フ
エニル、トリル、キシリル、ビフエニル、α−ナ
フチル、β−ナフチル、アントラリル、ピレニ
ル、メトキシフエニル、ジメトキシフエニル、ト
リメトキシフエニル、エトキシフエニル、ジエト
キシフエニル、クロロフエニル、トリクロロフエ
ニル、ブロモフエニル、ジブロモフエニル、トリ
ブロモフエニル、エチルフエニル、ジエチルフエ
ニル、ニトロフエニル、アミノフエニル、ジメチ
ルアミノフエニネ、ジエチルアミノフエニル、ジ
ベンジルアミノフエニル、ジプロピルアミノフエ
ニル、モルホリノフエニル、ピペリジニルフエニ
ル、ピペラジノフエニル、ジフエニルアミノフエ
ニル、アセチルアミノフエニル、ベンゾイルアミ
ノフエニル、アセチルフエニル、ベンゾイルフエ
ニル、シアノフエニルなど)を表わし、Z は前
記で定義したものと同一定義を有する。
(7) Q = CH-R 8 Z In the formula, R 8 is a substituted or unsubstituted aryl group (phenyl, tolyl, xylyl, biphenyl, α-naphthyl, β-naphthyl, anthralyl, pyrenyl, methoxyphenyl, dimethoxyphenyl) enyl, trimethoxyphenyl, ethoxyphenyl, diethoxyphenyl, chlorophenyl, trichlorophenyl, bromophenyl, dibromophenyl, tribromophenyl, ethyl phenyl, diethylphenyl, nitrophenyl, aminophenyl, dimethylaminophenine, diethylaminofenyl enyl, dibenzylaminophenyl, dipropylaminophenyl, morpholinophenyl, piperidinyl phenyl, piperazinophenyl, diphenylaminophenyl, acetylaminophenyl, benzoylaminophenyl, acetylphenyl, benzoylphenyl (enyl, cyanophenyl, etc.), and Z has the same definition as defined above.

(8) Q =CH−R9 Z 式中、R9はフラン、チオフエン、ベンゾフラ
ン、チオナフテン、ジベンゾフラン、カルバゾー
ル、フエノチアジン、フエノキサジン、ピリジン
などの複素環から誘導された1価の複素環基を表
わし、Z 前記で定義したものと同一の定義を有
する。
(8) Q = CH-R 9 Z where R 9 represents a monovalent heterocyclic group derived from a heterocycle such as furan, thiophene, benzofuran, thionaphthene, dibenzofuran, carbazole, phenothiazine, phenoxazine, pyridine, etc. Z has the same definition as defined above.

式中、R10は水素原子、アルキル基(メチル、
エチル、プロピル、ブチルなど)又は置換もしく
は未置換のアリール基(フエニル、トリル、キシ
リル、ビフエニル、エチルフエニル、クロフエニ
ル、メトキシフエニル、エトキシフエニル、ニト
ロフエニル、アミノフエニル、ジメチルアミノフ
エニル、α−ナフチル、β−ナフチル、アントラ
リル、ピレニルなど)を表わす。R8およびZ
は、前記で定義したものと同一の定義を有する。
In the formula, R 10 is a hydrogen atom, an alkyl group (methyl,
ethyl, propyl, butyl) or substituted or unsubstituted aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, biphenyl, ethyl phenyl, clophenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, nitrophenyl, aminophenyl, dimethylaminophenyl, α-naphthyl, β - Naphthyl, anthralyl, pyrenyl, etc.). R8 and Z
has the same definition as defined above.

(10) Q =CH−C−C−R8 Z 式中、R8およびZ は前記で定義したものと
同一の定義を有する。
(10) Q = CH-C-C-R 8 Z where R 8 and Z have the same definitions as defined above.

式中、X2は置換されてもよいピラン、チアピ
ラン、セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチア
ピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナ
フトチアピラン又はナフトセレナピランを完成す
るに必要な原子群を示す。lは、0又は1であ
る。Yは、硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を
表わす。R11およびR12は、水素原子(メチル、
エチル、プロピル、ブチルなど)、アルコキシ基
(メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシな
ど)、置換若しくは未置換のアリール基(フエニ
ル、トリル、キシリル、クロロフエニル、ビフエ
ニル、メトキシフエニルなど)、置換若しくは未
置換のスチリル基(スチリル、p−メチルスチリ
ル、o−クロロスチリル、p−メトキシスチリル
など)、置換若しくは未置換の4−フエニル1、
3−ブタジエニル基(4−フエニル1、3−ブタ
ジニエル、4−(p−メチルフエニル)1、3−
ブタジエニルなど)又は置換若しくは未置換の複
素環基(キノリル、ピリジル、カルバゾリル、フ
リルなど)を表わす。Z はアニオン残基であ
る。
In the formula, X 2 represents an atomic group necessary to complete pyran, thiapyran, selenapyran, benzopyran, benzothiapyran, benzoselenapyran, naphthopyran, naphthothiapyran or naphthoselenapyran, which may be substituted. l is 0 or 1. Y represents a sulfur atom, an oxygen atom or a selenium atom. R 11 and R 12 are hydrogen atoms (methyl,
ethyl, propyl, butyl, etc.), alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, etc.), substituted or unsubstituted aryl groups (phenyl, tolyl, xylyl, chlorophenyl, biphenyl, methoxyphenyl, etc.), substituted or unsubstituted styryl group (styryl, p-methylstyryl, o-chlorostyryl, p-methoxystyryl, etc.), substituted or unsubstituted 4-phenyl 1,
3-butadienyl group (4-phenyl 1,3-butadienyl, 4-(p-methylphenyl) 1,3-
butadienyl, etc.) or a substituted or unsubstituted heterocyclic group (quinolyl, pyridyl, carbazolyl, furyl, etc.). Z is an anionic residue.

又、前記一般式(1)〜(11)におけるZ の具体例と
しては、パークロレート、フルオロボレート、ス
ルフオアセテート、アイオダイド、クロライド、
ブロマイド、p−トルエンスルホネート、アルキ
ルスルホネート、アルキルジスルホネート、ベン
ゼンジスルホネート、ハロスルホネート、ピクラ
ート、テトラシアノエチレンアニオン、テトラシ
アンキノジメタンアニオンなどのアニオン残基を
表わす。
Specific examples of Z in the general formulas (1) to (11) include perchlorate, fluoroborate, sulfoacetate, iodide, chloride,
Represents anionic residues such as bromide, p-toluenesulfonate, alkylsulfonate, alkyldisulfonate, benzenedisulfonate, halosulfonate, picrate, tetracyanoethylene anion, tetracyanoquinodimethane anion, and the like.

以下、本発明で用いるアズレニウム塩化合物の
具体例を下記に列挙する。
Specific examples of the azulenium salt compounds used in the present invention are listed below.

前記一般式(1)で表わされる化合物の例 前記一般式(2)で表わされる化合物の例 前記一般式(3)で表わされる化合物の例 前記一般式(4)で表わされる化合物の例 前記一般式(5)で表わされる化合物の例 前記一般式(6)で表わされる化合物の例 前記一般式(7)で表わされる化合物の例 前記一般式(8)で表わされる化合物の例 前記一般式(9)で表わされる化合物の例 前記一般式(10)で表わされる化合物の例 前記一般式(11)で表わされる化合物の例 一般式(1)および(2)で表わされる化合物は、
Angewandte chemie78巻,No.20、P.937(1966
年)に記載されている様にアズレン化合物とスク
ワリツク酸又はクロコン酸と適当な溶媒中で反応
させることによつて容易に得ることが出来る。一
般式(3)で表わされる化合物において、n=0の化
合物はJournal of the chemical Society,P.501
(1960年)に記載されている1−フオルミル−ア
ズレン化合物とアズレン化合物とを強酸存在下適
当な溶媒中で加熱することによるかまたは、
Journal of the chemical Society,P.1724〜
P.1730(1961年)記載の様に1−エトキシメチレ
ンアズレニウム塩化合物とアズレン化合物とを適
当な溶媒中で混合することによるか、あるいは、
Journal of the chemical Society,P.359(1961
年)記載の様に2−ヒドロキシメチレンシクロヘ
キサノンとアズレン化合物とを強酸存在下適当な
溶媒中で加熱することによつて得られる。一般式
(3)において、n=1及びn=2の化合物は、
Journal of the chemical Society,P.3591〜
P.3592(1961年)に記載されている様にアズレン
化合物とフロンジアルデヒド類又はグルタコンジ
アルデヒド類とを強酸存在下適当な溶媒中で混合
することよつて得られる。
Examples of compounds represented by the above general formula (1) Examples of compounds represented by the above general formula (2) Examples of compounds represented by the above general formula (3) Examples of compounds represented by the above general formula (4) Examples of compounds represented by the above general formula (5) Examples of compounds represented by the above general formula (6) Examples of compounds represented by the above general formula (7) Examples of compounds represented by the above general formula (8) Examples of compounds represented by the above general formula (9) Examples of compounds represented by the above general formula (10) Examples of compounds represented by the above general formula (11) Compounds represented by general formulas (1) and (2) are
Angewandte chemie Volume 78, No. 20, P. 937 (1966
It can be easily obtained by reacting an azulene compound with squaric acid or croconic acid in an appropriate solvent as described in 2006). Among the compounds represented by general formula (3), the compound where n=0 is Journal of the chemical Society, P.501
(1960) by heating the 1-formyl-azulene compound and the azulene compound in a suitable solvent in the presence of a strong acid, or
Journal of the chemical Society, P.1724~
By mixing a 1-ethoxymethylene azulenium salt compound and an azulene compound in a suitable solvent as described in P.1730 (1961), or
Journal of the chemical Society, P.359 (1961
It can be obtained by heating 2-hydroxymethylenecyclohexanone and an azulene compound in a suitable solvent in the presence of a strong acid as described in 2010). general formula
In (3), the compounds where n=1 and n=2 are:
Journal of the chemical Society, P.3591~
As described in P. 3592 (1961), it can be obtained by mixing an azulene compound and frondialdehydes or glutacondialdehydes in a suitable solvent in the presence of a strong acid.

一般式(4)で表わされる化合物は、Journal of
the chemical Society,P.3588(1961年)に記載
されている様に強酸存在下アズレン化合物とゲリ
オキザールとを適当な溶媒中で加熱することによ
つて容易に得られる。
The compound represented by general formula (4) is published in the Journal of
It can be easily obtained by heating an azulene compound and geryoxal in a suitable solvent in the presence of a strong acid as described in The Chemical Society, P. 3588 (1961).

一般式(5)で表わされる化合物は、Journal of
the chemical Society,P.501(1960年)に記載さ
れている様に強酸存在下1,3−ジフオルミルア
ズレン化合物とアズレン化合物とを適当な溶媒中
で加熱することにより得られる。
The compound represented by general formula (5) is published in the Journal of
It can be obtained by heating a 1,3-diformyl azulene compound and an azulene compound in a suitable solvent in the presence of a strong acid as described in the Chemical Society, P. 501 (1960).

一般式(6)で表わされる化合物は、Journal of
the chemical Society,P.163〜P.167(1961年)
に記載されている様に1−フオルミルアズレン化
合物と活性メチル基を有する複素環4級アンモニ
ウム塩化合物とを適当な溶媒中で加熱することに
より得られる。
The compound represented by general formula (6) is published in the Journal of
the chemical Society, P.163-P.167 (1961)
It can be obtained by heating a 1-formyl azulene compound and a heterocyclic quaternary ammonium salt compound having an active methyl group in a suitable solvent as described in .

一般式(7),(8),(9)および(10)で表わされる化合物
は、Journal of the chemical Society,P.1110
〜P.1117(1958年)、Journal of the chemical
Society,P.494〜P.501(1960年)及びJournal of
the chemical Society,P.3579〜P.3593(1961年)
に記載されている様にアズレン化合物と対応する
アルデヒド化合物とを強酸の存在下適当な溶媒中
で混合すことによつて得られる。
Compounds represented by general formulas (7), (8), (9) and (10) are shown in Journal of the chemical Society, P.1110
~P.1117 (1958), Journal of the chemical
Society, P.494-P.501 (1960) and Journal of
the chemical Society, P.3579-P.3593 (1961)
It can be obtained by mixing an azulene compound and a corresponding aldehyde compound in a suitable solvent in the presence of a strong acid as described in .

一般式(11)で表わされる化合物は、1−フオルミ
ル−アズレン化合物と一般式(12)で表わされる化合
物とを溶媒中で反応させることにより得られる。
The compound represented by the general formula (11) can be obtained by reacting a 1-formyl-azulene compound with a compound represented by the general formula (12) in a solvent.

式中X2,Y,R11,R12,Z 及びlは前記で
定義したものと同一の定義を有する。
In the formula, X 2 , Y, R 11 , R 12 , Z and l have the same definitions as defined above.

用いられる反応溶媒としては、エタノール、ブ
タノール、ベンジルアルコールなどのアルコール
類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニト
リル類、酢酸などの有機カルボン酸類、無水酢酸
などの酸無水物、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ンなどの脂環式エーテル類、などが用いられる。
また、ブタノール、ベンジルアルコールなどにベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素を混合することもで
きる。反応中の温度は室温〜沸点の範囲から選択
できる。
Reaction solvents used include alcohols such as ethanol, butanol and benzyl alcohol, nitriles such as acetonitrile and propionitrile, organic carboxylic acids such as acetic acid, acid anhydrides such as acetic anhydride, and alicyclics such as dioxane and tetrahydrofuran. Formula ethers, etc. are used.
Furthermore, aromatic hydrocarbons such as benzene can be mixed with butanol, benzyl alcohol, and the like. The temperature during the reaction can be selected from the range of room temperature to boiling point.

本発明の光熱変換記録媒体は、光デイスク記録
に用いることができる。例えば第1図に示す様な
基板1の上に前述の有機化合物を含有する薄膜2
を形成したものとすることができる。かかる薄膜
2は、前述の一般式〔〕,〔〕および〔〕で
示される化合物を真空蒸着によつて形成でき、ま
たバインダー中に前述の有機化合物を含有させた
塗工液を塗布することによつても形成することが
できる。塗工によつて被膜を形成する際、前述の
有機化合物はバインダー中に分散状態で含有され
ていてもよく、あるいは非晶質状態で含有されて
いてもよい。好適なバインダーとしては、広範な
樹脂から選択することができる。具体的にはニト
ロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロー
ス、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、
酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロース、パル
ミチン酸セルロース、酢酸・プロピオン酸セルロ
ース、酢酸・酪酸セルロースなどのセルロースエ
ステル類、メチルセルロース、エチルセルロー
ス、プロピルセルロース、ブチルセルロースなど
のセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルヒロリドンなどのビニル樹脂類、
スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−ア
クリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジエ
ン−アクリルニトリルコポリマー、塩化ビニル−
酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリ
メチルメタクリレート、ポリメチルアクリレー
ト、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、
ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリア
クリルニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチ
レンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリ
(4,4′−イソプロピリデンジフエニレン−コ−
1,4−シクロヘキシレンジメチレンカーボネー
ト)、ポリ(エチレンジオキシ−3,3′−フエニ
レンチオカーボネート)、ポリ(4,4′−イソプ
ロピリデンジフエニレンカーボネート−コ−テレ
フタレート)、ポリ(4,4′−イソプロピリデン
ジフエニレンカーボネート)、ポリ(4,4′−sec
−ブチリデンジフエニレンカーボネート)、ポリ
(4,4′−イソプロピリデンジフエニレンカーボ
ネート−ブロツク−オキシエチレン)、などのポ
リアリレート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポ
リイミド類、エポキシ樹脂類、フエノール樹脂
類、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリ
エチレンなどのポリオレフイン類などを用いるこ
とができる。
The photothermal conversion recording medium of the present invention can be used for optical disc recording. For example, a thin film 2 containing the above-mentioned organic compound is placed on a substrate 1 as shown in FIG.
can be assumed to have been formed. Such a thin film 2 can be formed by vacuum deposition of the compounds represented by the above-mentioned general formulas [], [] and [], and can also be formed by applying a coating liquid containing the above-mentioned organic compound in a binder. It can be formed even if it is twisted. When forming a film by coating, the above-mentioned organic compound may be contained in the binder in a dispersed state or in an amorphous state. Suitable binders can be selected from a wide variety of resins. Specifically, nitrocellulose, cellulose phosphate, cellulose sulfate, cellulose acetate, cellulose propionate,
Cellulose esters such as cellulose butyrate, cellulose myristate, cellulose palmitate, cellulose acetate/propionate, cellulose acetate/butyrate, cellulose ethers such as methyl cellulose, ethyl cellulose, propyl cellulose, butyl cellulose, polystyrene, polyvinyl chloride, polyacetic acid Vinyl resins such as vinyl, polyvinyl butyral, polyvinyl acetal, polyvinyl alcohol, polyvinyl hyloridone,
Styrene-butadiene copolymer, styrene-acrylonitrile copolymer, styrene-butadiene-acrylonitrile copolymer, vinyl chloride
Copolymer resins such as vinyl acetate copolymers, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polybutyl acrylate, polyacrylic acid,
Acrylic resins such as polymethacrylic acid, polyacrylamide, and polyacrylonitrile, polyesters such as polyethylene terephthalate, poly(4,4'-isopropylidene diphenylene-co-
1,4-cyclohexylene dimethylene carbonate), poly(ethylene dioxy-3,3'-phenylene thiocarbonate), poly(4,4'-isopropylidene diphenylene carbonate-co-terephthalate), poly(4 , 4'-isopropylidene diphenylene carbonate), poly(4,4'-sec
-butylidene diphenylene carbonate), polyarylate resins such as poly(4,4'-isopropylidene diphenylene carbonate-block oxyethylene), or polyamides, polyimides, epoxy resins, phenolic resins, Polyolefins such as polyethylene, polypropylene, and chlorinated polyethylene can be used.

塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダー
の種類や前述の化合物をバインダー中に含有させ
る際、分散状態とするか、あるいは非晶質状態と
するかによつて異なつてくるが、一般には、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサンなどのケトン類、N,N−ジメチル
ホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドな
どのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスル
ホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエ
ーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル
などのエステル類、クロロホルム、塩化メチレ
ン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロル
エチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類ある
いはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなど
の芳香族類などを用いることができる。
The organic solvent that can be used during coating varies depending on the type of binder and whether the above-mentioned compound is contained in the binder in a dispersed or amorphous state, but in general, , alcohols such as methanol, ethanol and isopropanol, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexane, amides such as N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide, sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, tetrahydrofuran, dioxane,
Ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, aliphatic halogenated hydrocarbons such as chloroform, methylene chloride, dichloroethylene, carbon tetrachloride, trichloroethylene, or benzene, toluene. , xylene, ligroin, monochlorobenzene, dichlorobenzene, and other aromatic compounds can be used.

塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。
Coating can be carried out using coating methods such as dip coating, spray coating, spinner coating, bead coating, Meyer bar coating, blade coating, roller coating, and curtain coating.

バインダーとともに薄膜2を形成する際、前述
の有機化合物の含有量は、薄膜2中において1〜
90重量%、好ましくは20〜70重量%である。ま
た、薄膜2の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は10ミク
ロン以下、好ましくは2ミクロン以下である。
When forming the thin film 2 together with the binder, the content of the above-mentioned organic compound in the thin film 2 is 1 to 1.
90% by weight, preferably 20-70% by weight. Further, the dry film thickness or vapor deposited film thickness of the thin film 2 is 10 microns or less, preferably 2 microns or less.

基体1としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チツク、ガラスあるいは金属類などを用いること
ができる。
As the substrate 1, plastics such as polyester, acrylic resin, polyolefin resin, phenolic resin, epoxy resin, polyamide, polyimide, glass, metals, etc. can be used.

本発明の光熱変換記録媒体は支持体として用い
る基体1の上に前述の薄膜2(電磁放射線感応
層)を形成することによつて得られるが、各種補
助層を設けることができる。例えば、基体1の表
面に熱定数を調整する目的で無機あるいは有機物
質からなる表面被膜を有する基体を用いることが
できる。又、電磁放射線感応層2の上に透明な材
質からなる保護層を設けることができ、この保護
層は機械的損傷の防止に対して有効となる上に、
適当な厚さで形成することにより、反射防止膜と
することができるので、感度の向上にも有効であ
る。又、第2図に示す様に電磁放射線感応層2と
基体1の間に反射層3を設けることができる。こ
の反射層3は、アルミニウム、銀、クロムなどの
反射性金属の蒸着層又はラミネート層とすること
ができる。
The photothermal conversion recording medium of the present invention is obtained by forming the aforementioned thin film 2 (electromagnetic radiation sensitive layer) on the substrate 1 used as a support, but various auxiliary layers can be provided. For example, it is possible to use a substrate having a surface coating made of an inorganic or organic substance on the surface of the substrate 1 for the purpose of adjusting the thermal constant. Further, a protective layer made of a transparent material can be provided on the electromagnetic radiation sensitive layer 2, and this protective layer is effective in preventing mechanical damage, and
By forming the film to an appropriate thickness, it can be used as an antireflection film, which is also effective in improving sensitivity. Further, as shown in FIG. 2, a reflective layer 3 can be provided between the electromagnetic radiation sensitive layer 2 and the substrate 1. This reflective layer 3 can be a vapor deposited layer or a laminate layer of a reflective metal such as aluminum, silver, or chromium.

又、本発明の光学記録媒体には特願昭57−
72374号明細書に記載のトラツク案内溝や番地指
定溝などの機能をもつプレグループを形成するこ
とができる。
Furthermore, the optical recording medium of the present invention has a patent application filed in 1983-
It is possible to form a pregroup having functions such as a track guide groove and an address designation groove as described in the specification of No. 72374.

本発明の光熱変換記録媒体は、第3図に示す様
に薄膜2に電磁放射線4、例えばガリウム−ヒ素
−アルミニウム半導体レーザ(発振波長:
820nm)、アルゴンガスレーザ(発振波長:488,
515nm)、ヘリウム−ネオンガスレーザ(発振波
長:632.8nm)その他可視領域から赤外領域に発
振波長を有するレーザやキセノンフラツシユラン
プなどの各種短パルス発光ランプあるいは赤外線
ランプ光やヒータを照射あるいは接触させること
によつてピツト5を形成することができる。この
ピツト形成部は、ピツト未形成部の反射率と異な
つており、従つて、例えば電磁放射線をトラツク
に沿つて走査することによつてピツトを形成し、
このピツト形成部とピツト未形成部に前述のトラ
ツクに沿つて低出力レーザを走査し、その反射率
差をフオトデイテクターによつて読み取ることが
できる。
The photothermal conversion recording medium of the present invention, as shown in FIG.
820nm), argon gas laser (oscillation wavelength: 488,
515nm), helium-neon gas laser (oscillation wavelength: 632.8nm), other lasers with oscillation wavelengths from the visible region to the infrared region, various short pulse emitting lamps such as xenon flash lamps, infrared lamp light, or heaters. In this way, a pit 5 can be formed. The pitted area has a different reflectance than the unpitted area and therefore the pits are formed, for example by scanning electromagnetic radiation along the track,
A low-power laser is scanned along the above-mentioned track over the pit-formed portion and the pit-unformed portion, and the difference in reflectance can be read by a photodetector.

本発明による効果を列挙すると下記のとおりで
ある。
The effects of the present invention are listed below.

本発明の光熱変換記録媒体は、電磁放射線感応
層が電磁放射線に対して吸収効率が大きく、低い
エネルギー密度のヘリウム−ネオンガスレーザや
キセノンフラツシユランプによる記録が可能で、
しかも長波長側に発振波長をもつ半導体レーザに
よる記録にも有効である。又、S/N比が高く、
再生効率が良好である。さらに、本発明で用いる
化合物は、熱に対して極めて安定している利点を
有している。
In the photothermal conversion recording medium of the present invention, the electromagnetic radiation sensitive layer has a high absorption efficiency for electromagnetic radiation, and recording can be performed using a low energy density helium-neon gas laser or xenon flash lamp.
Moreover, it is also effective for recording using a semiconductor laser having an oscillation wavelength on the long wavelength side. Also, the S/N ratio is high,
Good regeneration efficiency. Furthermore, the compound used in the present invention has the advantage of being extremely stable against heat.

本発明の別の具体例では、光熱変換記録方式の
液晶素子として適用することができる。例えば、
第4図に本発明の液晶素子の断面図を示す様に、
液晶組成物108としては、前述の一般式〔〕,
〔〕および〔〕で表わされる化合物を溶解し
た液晶が用いられる。本発明の素子で用いる液晶
は、スメクチツク液晶が適しており、特に正の誘
電異方性をもつスメクチツク液晶のA相又はC相
が適している。かかるスメクテイツク液晶は、レ
ーザビームで局部的に加熱されるまではホメオト
ロピツク組織のスメクチツク相に配列されてお
り、温度上昇に伴ないホメオトロピツク組織のス
メクチツク相→ネマチツク相→イソトロピツク相
と相変化することができる。次いで、イソトロピ
ツク相から急冷状態でスメクチツク相へ相変化さ
せると光散乱特性をもつフオーカルコニツク組織
のスメチツク相が形成されることになる。従つ
て、レーザビームを照射して液晶素子中のスメク
チツク相を局部的にイソトロピツク相まで加熱
し、その後急冷するとその個所がフオーカルコニ
ツク組織のスメクチツク相となり、この状態が光
散乱特性をもつているので、前述のレーザビーム
による光信号走査によつて静止画像のパターンを
形成することができる。
In another specific example of the present invention, it can be applied as a liquid crystal element using a photothermal conversion recording method. for example,
As shown in FIG. 4, a cross-sectional view of the liquid crystal element of the present invention,
The liquid crystal composition 108 has the above-mentioned general formula [],
A liquid crystal in which compounds represented by [] and [] are dissolved is used. A suitable liquid crystal for use in the device of the present invention is a smectic liquid crystal, and particularly a phase A or C phase of a smectic liquid crystal having positive dielectric anisotropy is suitable. Such smectic liquid crystals are arranged in the smectic phase of a homeotropic structure until they are locally heated by a laser beam, and can undergo a phase change from the smectic phase of the homeotropic structure to the nematic phase to the isotropic phase as the temperature rises. . Next, when the phase is changed from the isotropic phase to the smectic phase under rapid cooling, a smectic phase with a focal conic structure having light scattering properties is formed. Therefore, when the smectic phase in a liquid crystal element is locally heated to an isotropic phase by irradiation with a laser beam, and then rapidly cooled, the area becomes a smectic phase of a focal conic structure, and this state has light scattering properties. Therefore, a still image pattern can be formed by scanning the optical signal using the laser beam described above.

本発明の液晶素子で用いる正の誘電異方性をも
つスメクチツク相を形成しうる化合物としては、
例えば特開昭56−150030号公報、特開昭57−
40429号公報、特開昭57−51779号公報などに記載
された化合物を用いることができる。
Compounds capable of forming a smectic phase with positive dielectric anisotropy used in the liquid crystal element of the present invention include:
For example, JP-A-56-150030, JP-A-57-
Compounds described in JP-A-40429, JP-A-57-51779, etc. can be used.

前述の一般式〔〕,〔〕および〔〕で表わ
される化合物は、液晶に対して0.1重量%以上、
好ましくは1重量%〜3重量%の範囲で液晶組成
物108中に含有することができる。
The compounds represented by the above-mentioned general formulas [], [] and [] should be present in an amount of 0.1% by weight or more based on the liquid crystal.
It can be contained in the liquid crystal composition 108 preferably in a range of 1% by weight to 3% by weight.

又、本発明の液晶素子は、正の誘電異方性をも
つスメクチツク液晶とコレステリツク液晶の混合
液晶を用いることも可能である。コレステリツク
液晶は、液晶組成物108中に0.5重量%〜15重
量%の範囲、好ましくは1重量%〜5重量%の範
囲で含有することが適している。
Further, the liquid crystal element of the present invention can also use a mixed liquid crystal of a smectic liquid crystal and a cholesteric liquid crystal having positive dielectric anisotropy. The cholesteric liquid crystal is suitably contained in the liquid crystal composition 108 in an amount of 0.5% to 15% by weight, preferably 1% to 5% by weight.

本発明で用いうるコレステリツク液晶として
は、コレステリルクロライド、コレステリルブロ
マイド、コレステリルヨーダイド、コレステリル
ニトレート、コレステリルクロロデカノエート、
コレステリルブチレート、コレステリルカプレー
ト、コレステリルオレート、コレステリルリノレ
ート、コレステリルウラレート、コレステリルミ
リステート、コレステリルヘプチカルバメート、
コレステリルデシルエーテル、コレステリルラウ
リルエーテル、コレステリルオレイルエーテルな
どのコレステリル化合物が挙げられる。
Cholesteric liquid crystals that can be used in the present invention include cholesteryl chloride, cholesteryl bromide, cholesteryl iodide, cholesteryl nitrate, cholesteryl chlorodecanoate,
Cholesteryl butyrate, cholesteryl caprate, cholesteryl oleate, cholesteryl linoleate, cholesteryl urarate, cholesteryl myristate, cholesteryl heptycarbamate,
Examples include cholesteryl compounds such as cholesteryl decyl ether, cholesteryl lauryl ether, and cholesteryl oleyl ether.

かかる混合液晶を用いた液晶素子は、レーザビ
ームの局部的な加熱によりホメオトロピツクのス
メクチツク相からイソトロピツク相へ相変化を生
じ、これを急冷すると前述と同様にフオーカルコ
ニツク組織のスメクチツク相を形成することがで
きる。
A liquid crystal element using such a mixed liquid crystal undergoes a phase change from a homeotropic smectic phase to an isotropic phase by local heating with a laser beam, and when this is rapidly cooled, a focal conic structure smectic phase is formed as described above. Can be done.

前述の如き方式で記録された液晶素子は、液晶
組成物108を全面に例えばヒータにより加熱し
てイソトロピツク相へ相変化させた後に、液晶素
子を構成している基板101と102(例えば、
透明ガラス板やアクリル板などのプラスチツク
板)に設けた電極103と104の間に適当な直
流又は交流を印加するとともに徐冷することによ
つて、イソトロピツク相→ネマチツク相→スメク
チツク相へ相変化を生じることができる。この
際、スメクチツク相で液晶が正の誘電異方性を有
しているために電界方向にネマチツク液晶が配列
し、さらに冷却するホメオトロピツク組織のスメ
クチツクA相又はC相が形成されて、書き込み画
像パターンが消去される。電極103と104
は、一般的に酸化インジウム、酸化錫あるいは
ITO(Indium Tin Oxide)の透明導電膜によつ
て得られ、又必要に応じてアルミニウム、クロ
ム、金やニツケルなどの金属導電膜によつて得ら
れる。この電極103と104は、基板101と
102の全面に亘つて被膜されていることが望ま
しく、必ずしも所定のパターン形状あるいはマト
リクス電極構造とする必要がない。しかし、所望
に応じて所定のパターン形状あるいはマトリクス
電極構造に設計することも可能である。
A liquid crystal element recorded by the above-mentioned method is produced by heating the entire surface of the liquid crystal composition 108 using, for example, a heater to change the phase to an isotropic phase, and then applying the liquid crystal composition 108 to the substrates 101 and 102 (for example,
By applying an appropriate direct current or alternating current between the electrodes 103 and 104 provided on a plastic plate (such as a transparent glass plate or an acrylic plate) and slowly cooling it, a phase change occurs from an isotropic phase to a nematic phase to a smectic phase. can occur. At this time, since the liquid crystal in the smectic phase has positive dielectric anisotropy, the nematic liquid crystal is aligned in the direction of the electric field, and the smectic A phase or C phase of the homeotropic structure is further cooled, forming the written image pattern. will be deleted. Electrodes 103 and 104
is generally indium oxide, tin oxide or
It can be obtained with a transparent conductive film of ITO (Indium Tin Oxide), and if necessary, with a conductive film of metal such as aluminum, chromium, gold, or nickel. The electrodes 103 and 104 are desirably coated over the entire surfaces of the substrates 101 and 102, and do not necessarily have to have a predetermined pattern shape or matrix electrode structure. However, it is also possible to design a predetermined pattern shape or matrix electrode structure as desired.

本発明の液晶素子は、それぞれの電極103と
104の上に絶縁性物質の被膜からなる配向制御
膜106と107を設けることができる。この配
向制御膜106と107は、これらの臨界面で接
する液晶組成物108の配列方向を所望の状態に
制御することができる表面構造を有している。
又、この配向制御膜106と107は液晶組成物
108を通して流れる電流の発生を防止すること
ができる絶縁膜としても機能する。この種の配向
制御膜106と107は、例えば一酸化珪素、二
酸化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニウム、フ
ツ化マグネシウム、酸化セリウム、フツ化セリウ
ム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒
化物、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラキ
シレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
ビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミ
ド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂、オルガノシロキ
サン、ポリフツ化エチレンなどの絶縁性物質を蒸
着法、浸漬塗布法、スピンナー塗布法あるいはス
プレー塗布法により被膜形成することによつて得
られる。
In the liquid crystal element of the present invention, alignment control films 106 and 107 made of insulating material coatings can be provided on the electrodes 103 and 104, respectively. The alignment control films 106 and 107 have a surface structure capable of controlling the alignment direction of the liquid crystal composition 108 that is in contact with these critical surfaces to a desired state.
The alignment control films 106 and 107 also function as insulating films that can prevent the generation of current flowing through the liquid crystal composition 108. This type of alignment control films 106 and 107 can be made of, for example, silicon monoxide, silicon dioxide, aluminum oxide, zirconium, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide. , polyamideimide, polyesterimide, polyparaxylyline, polyester, polycarbonate, povinyl acetal, polyvinyl chloride, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin, organosiloxane, polyethylene fluoride, etc. It can be obtained by forming a film using a substance by vapor deposition, dip coating, spinner coating, or spray coating.

配向制御膜106と107は、所定の書き込み
方式に応じて、その表面を布、紙やビロードなど
によりラビングするか、あるいは被膜形成時に斜
め蒸着法を用いることによつて、液晶組成物10
8をホモジニアス配向させる表面構造をもつこと
ができ、あるいはその表面を例えば特開昭50−
36150号公報に記載されたパーフルオロフルキル
基をもつシラン化合物、特開昭50−50947号公報
に記載されたアルキルトリアルコキシシラン、特
開昭50−63955号公報に記載されたテトラアルコ
キシシランなどの化合物により処理することによ
つて、液晶組成物を108をホメオトロピツク配
向させる表面構造をもつことができる。
The alignment control films 106 and 107 are coated with the liquid crystal composition 10 by rubbing the surface with cloth, paper, velvet, etc., or by using an oblique vapor deposition method when forming the film, depending on a predetermined writing method.
It is possible to have a surface structure that homogeneously aligns 8, or the surface can be
Silane compounds having a perfluorofurkyl group described in JP-A No. 36150, alkyltrialkoxysilanes described in JP-A-50-50947, tetraalkoxysilanes described in JP-A-50-63955, etc. By treating the liquid crystal composition with the compound described above, the liquid crystal composition can have a surface structure that allows 108 to be homeotropically aligned.

配向制御膜106と107は、使用した絶縁性
物質の種類によつて、その最適な膜厚が異なる
が、一般的に100Å〜1μの範囲、好ましくは500
Å〜2000Åの範囲に定めることが適しており、さ
らにこの配向制御膜106と107が反射防止膜
としても作用する様な膜厚に設定したおくことが
望ましい。
The optimum film thickness of the alignment control films 106 and 107 varies depending on the type of insulating material used, but is generally in the range of 100 Å to 1 μ, preferably 500 Å to 1 μ.
It is suitable to set the thickness in the range of Å to 2000 Å, and it is also desirable to set the thickness so that the alignment control films 106 and 107 also function as anti-reflection films.

又、本発明の液晶素子は図示する如く背面方向
からレーザビーム110を照射することによつて
前述の静止画像を形成し、正面方向から自然光、
ハロゲンランプ光、キセノンランプ光、蛍光灯光
などの観察光109を素子中に入射させて、この
光線をコールドミラー105からの反射光とし
て、前述の静止画像を観察することができる。こ
のコールドミラー105は、一般に可視光に対し
ては十分に高い反射率を有し、600nm以上の長波
長光に対しては高い透過率特性を有している。具
体的には、Ge/MgF2(1/4λ)/CeO2(1/
4λ)/Mg2F2(1/4λ)/CeO2(1/4λ)からな
る多層膜が知られている。しかし、本発明ではコ
ールドミラー105の使用を省略することもでき
る。又、本発明の素子はコールドフイルター(図
示せず)を電極103と配向制御膜106の間に
設けることができる。このコールドフイルター
は、可視光に対しては十分に高い透過率を有し、
又長波長光に対しては十分に高い反射率特性を有
している。
Further, the liquid crystal element of the present invention forms the above-mentioned still image by irradiating the laser beam 110 from the rear direction as shown in the figure, and also receives natural light and light from the front direction.
The above-mentioned still image can be observed by making observation light 109 such as halogen lamp light, xenon lamp light, or fluorescent lamp light enter the element and using this light beam as reflected light from the cold mirror 105. This cold mirror 105 generally has sufficiently high reflectance for visible light and high transmittance for long wavelength light of 600 nm or more. Specifically, Ge/MgF 2 (1/4λ)/CeO 2 (1/4λ)
4λ)/Mg 2 F 2 (1/4λ)/CeO 2 (1/4λ) is known. However, in the present invention, the use of cold mirror 105 can also be omitted. Further, in the device of the present invention, a cold filter (not shown) can be provided between the electrode 103 and the alignment control film 106. This cold filter has sufficiently high transmittance for visible light,
It also has sufficiently high reflectance characteristics for long wavelength light.

以下、本発明を実施例に従つて詳細に説明する
こがこれに限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

実施例 1 ニトロセルロース溶液(ダイセル化学工業
(株))製;オーハーレスラツカー:ニトロセルロ
ース25重量%のメチルエチルケトン溶液12重量
部、前述の化合物No.(30)の化合物3重量部およ
びメチルエチルケトン70重量部をボールミルで十
分に混合した。この混合した液を直径30cmのデイ
スク状アルミ蒸着ガラス板上にスピンナーコーテ
イング法により塗布した後、乾燥して0.6g/m2
の記録層を得た。
Example 1 Nitrocellulose solution (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.); Ohareslucker: 12 parts by weight of a 25% by weight nitrocellulose solution in methyl ethyl ketone, 3 parts by weight of the aforementioned compound No. (30), and 70 parts by weight of methyl ethyl ketone. The parts were thoroughly mixed in a ball mill. This mixed solution was applied onto a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using a spinner coating method, and then dried to give a coating density of 0.6 g/m 2 .
A recording layer was obtained.

こうして作成した光デイスク記録体をターンテ
ーブル上に取り付け、ターンテーブルをモータで
1000rpmの回転を与えながら、スポツトサイズ
0.1ミクロンに集束した出力5mWおよびパルス幅
8MHzのガリウム−アルミニウム−ヒ素半導体レ
ーザ(発振波長780nm)の記録層面にトラツク状
で走査して記録を行なつた。
The optical disk recording medium created in this way is mounted on a turntable, and the turntable is driven by a motor.
Spot size while giving 1000rpm rotation
5mW power and pulse width focused to 0.1 micron
Recording was carried out by scanning the surface of the recording layer with an 8 MHz gallium-aluminum-arsenic semiconductor laser (oscillation wavelength: 780 nm) in the form of a track.

この記録された光デイスクの表面を走査型電子
顕微鏡で観察したところ、鮮明なピツトが認めら
れた。また、この光デイスクに低出力ガリウム−
アルミニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反射
光の検知を行なつたところ、十分なS/N比を有
する波形が得られた。
When the recorded surface of the optical disc was observed using a scanning electron microscope, clear pits were observed. In addition, this optical disk has low-power gallium
When an aluminum-arsenic semiconductor laser was applied and reflected light was detected, a waveform with a sufficient S/N ratio was obtained.

また、記録後の経時における耐久安定性を測定
するために、前述の記録された記録媒体を温度35
℃および相対湿度95%の強制環境下に240時間放
置した後、記録された記録媒体の表面を前述と同
様に顕微鏡で観察したが、耐久テスト前に観察し
た時と同様のピツトが認められた。また、この記
録され且つ耐久テストされた記録媒体に低出力の
ガリウム−ヒ素−アルミニウム半導体レーザを入
射し、反射光の検知を行なつたところ、十分に高
いS/N比を有する波形が得られた。
In addition, in order to measure the durability stability over time after recording, the recorded recording medium was heated to 35°C.
After being left in a forced environment at ℃ and 95% relative humidity for 240 hours, the surface of the recorded recording medium was observed under a microscope in the same manner as described above, and pits similar to those observed before the durability test were observed. . Furthermore, when a low-power gallium-arsenic-aluminum semiconductor laser was incident on this recorded and durability-tested recording medium and the reflected light was detected, a waveform with a sufficiently high S/N ratio was obtained. Ta.

実施例 2 前述の化合物No.(1)の化合物を実施例1と同様の
方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラス板
の上にスピンナーコーテイング法により塗工して
0.6g/m2の記録層を有する光デイスク記録体を
作成した。
Example 2 The above compound No. (1) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using the spinner coating method in the same manner as in Example 1.
An optical disc recording medium having a recording layer of 0.6 g/m 2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 3 前述の化合物No.(7)の化合物を実施例1と同様の
方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラス板
の上にスピンナーコーテイング法により塗工して
0.6g/m2の記録層を有する光デイスク記録体を
作成した。
Example 3 The above compound No. (7) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using the spinner coating method in the same manner as in Example 1.
An optical disc recording medium having a recording layer of 0.6 g/m 2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 4 前述の化合物No.(11)の化合物を実施例1と同様の
方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラス板
の上にスピンナーコーテイング法により塗工して
0.8g/m2の記録層を有する光デイスク記録体を
作成した。
Example 4 The above-mentioned compound No. (11) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using the spinner coating method in the same manner as in Example 1.
An optical disc recording medium having a recording layer of 0.8 g/m 2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 5 前述の化合物No.(12)の化合物を実施例1と同様の
方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラス板
の上にスピンナーコーテイング法により塗工して
0.6g/m2の記録層を有する光デイスク記録体を
作成した。
Example 5 The above compound No. (12) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using the spinner coating method in the same manner as in Example 1.
An optical disc recording medium having a recording layer of 0.6 g/m 2 was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 6 前述の化合物No.(16)の化合物を実施例1と同
様の方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラ
ス板の上にスピンナーコーテイング法により塗工
して0.8g/m2の記録層を有する光デイスク記録
体を作成した。
Example 6 The aforementioned compound No. (16) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm by spinner coating method in the same manner as in Example 1 to form a recording layer of 0.8 g/m 2 . An optical disc recording body having the following was created.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 7 前述の化合物No.(17)の化合物を実施例1と同
様の方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラ
ス板の上にスピンナーコーテイング法により塗工
して0.6g/m2の記録層を有する光デイスク記録
体を作成した。
Example 7 The above-mentioned compound No. (17) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm by spinner coating method in the same manner as in Example 1 to form a recording layer of 0.6 g/m 2 . An optical disc recording body having the following was created.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 8 前述の化合物No.(25)の化合物を実施例1と同
様の方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラ
ス板の上にスピンナーコーテイング法により塗工
して0.8g/m2の記録層を有する光デイスク記録
体を作成した。
Example 8 The above-mentioned compound No. (25) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm by spinner coating method in the same manner as in Example 1 to form a recording layer of 0.8 g/m 2 . An optical disc recording body having the following was created.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 9 前述の化合物No.(27)の化合物を実施例1と同
様の方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラ
ス板の上にスピンナーコーテイング法により塗工
して0.6g/m2の記録層を有する光デイスク記録
体を作成した。
Example 9 The above-mentioned compound No. (27) was coated on a disk-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm by spinner coating method in the same manner as in Example 1 to form a recording layer of 0.6 g/m 2 . An optical disc recording body having the following was created.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 10 前述の化合物No.(37)の化合物を実施例1と同
様の方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラ
ス板の上にスピンナーコーテイング法により塗工
して0.8g/m2の記録層を有する光デイスク記録
体を作成した。
Example 10 The above-mentioned compound No. (37) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using the spinner coating method in the same manner as in Example 1 to form a recording layer of 0.8 g/m 2 . An optical disc recording body having the following was created.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 11 前述の化合物No.(40)の化合物を実施例1と同
様の方法で直径30cmのデイスク状アルミ蒸着ガラ
ス板の上にスピンナーコーテイング法により塗工
して0.6g/m2の記録層を有する光デイスク記録
体を作成した。
Example 11 The above-mentioned compound No. (40) was coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 30 cm using the spinner coating method in the same manner as in Example 1 to form a recording layer of 0.6 g/m 2 . An optical disc recording body having the following was created.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。また、記録後の耐久テストを実施例1と同様
の方法で測定したが、同様の結果が得られた。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed. Further, a durability test after recording was carried out in the same manner as in Example 1, and similar results were obtained.

実施例 12 前述の化合物No.(1)の化合物500mgを蒸着用モリ
ブテンボートに入れ、1×10-6mmHg以下に排気
した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中
は真空室内の圧力が10-5mmHg以上に上昇しない
様にヒーターを制御しながら、0.2ミクロンの蒸
着膜を形成させた。
Example 12 500 mg of the above compound No. (1) was placed in a molybdenum boat for vapor deposition, and after evacuated to 1×10 -6 mmHg or less, it was vapor deposited on an aluminum vapor-deposited glass plate. During the deposition, a 0.2 micron deposited film was formed while controlling the heater so that the pressure in the vacuum chamber did not rise above 10 -5 mmHg.

こうして作成した光デイスク記録体に実施例1
と同様の方法で情報を記録させたところ、実施例
1と同様の鮮明なピツトが認められ、また、実施
例1と同様の方法で情報を再生したが、この際十
分なS/N比を有する波形が認められた。
Example 1
When information was recorded in the same manner as in Example 1, clear pits similar to those in Example 1 were observed, and information was also reproduced in the same manner as in Example 1, but at this time, sufficient S/N ratio was not maintained. A waveform with the following characteristics was observed.

実施例 13 前述の化合物No.(7)の化合物を実施例12と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、0.2
ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体を作
成した。
Example 13 The aforementioned compound No. (7) was vapor-deposited on an aluminum vapor-deposited glass plate in the same manner as in Example 12, and 0.2
An optical disc recording medium having a micron recording layer was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed.

実施例 14 前述の化合物No.(26)の化合物を実施例12と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、
0.2ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体
を作成した。
Example 14 The aforementioned compound No. (26) was deposited on an aluminum-deposited glass plate in the same manner as in Example 12, and
An optical disc recording medium having a recording layer of 0.2 microns was prepared.

この光デイスク記録体に実施例1と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
S/N比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。
When information was recorded on this optical disk recording medium in the same manner as in Example 1 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, when the surface of the recording layer after information was written was observed with a scanning electron microscope, clear pits were found to have been formed.

実施例 15 本発明の液晶素子を用いて表示パターンを形成
した実施例を第5図に示す。
Example 15 FIG. 5 shows an example in which a display pattern was formed using the liquid crystal element of the present invention.

前述の一般式〔〕,〔〕および〔〕で表わ
される化合物のうち、化合物No.30の化合物をスメ
クテイツク液晶(4,4′−シアノオクチルビフエ
ニル;正の誘電異方性をもつ)に対して2重量%
の割合となる様に溶解した。この際、液晶組成物
をイソトロピツク相となるまで加熱してから、前
述の化合物を添加し、この液の内壁面がホメオト
ロピツク配向処理されたセル中に注入し、その後
徐冷することによつてホメオトロピツク組織をも
つスメクチツク相の液晶を形成させた。
Among the compounds represented by the above general formulas [], [] and [], compound No. 30 was added to a smectate liquid crystal (4,4'-cyanooctylbiphenyl; has positive dielectric anisotropy). 2% by weight
It was dissolved in a proportion of . At this time, the liquid crystal composition is heated until it becomes an isotropic phase, the above-mentioned compound is added, the liquid is injected into a cell whose inner wall surface has been subjected to a homeotropic alignment treatment, and then slowly cooled to form a homeotropic phase. A structured smectic phase liquid crystal was formed.

液晶セル201に画像を書こ込むために使用す
るレーザビームを発射するレーザ発振器202
は、液晶中に含有させた前述の化合物の吸収効率
に対応した波長のものから選択することができる
が、特にヘルウム−ネオンレーザ、半導体レー
ザ、あるいはYAGレーザより発射された長波長
のレーザビームあるいはアルゴンレーザより発射
された短波長のレーザビームを用いることができ
る。レーザ発振器202より発射したレーザビー
ムは、変調器203、スリツト204、Y軸偏向
器205、X軸偏向器206を通過して変調と偏
向されてから、書き込みレンズ208により集光
され、ダイクロイツクミラー209を介して液晶
素子201の背面から照射される。前述の変調器
203、Y軸偏向器205、X軸偏向器206
は、駆動用増幅器210を介して信号源211と
接続されており、これによつてレーザビームが制
御されて、信号源211からのデジタル電気信号
を光信号に変換する。この光信号によつて液晶素
子201に画像パターンが書き込まれる。しかる
後、液晶素子201の周辺部に取り付けたペルチ
エ素子212を電源213により作動させて、急
冷状態となして、液晶素子201を冷却し、フオ
ーカルコニツク組織のスメクチツク相を形成さ
せ、光信号の照射された個所が光散乱状態となつ
た画像パターンが形成された。この際、ペエルチ
エ素子212は温度コントロール器214により
温度コントロールされる。
A laser oscillator 202 that emits a laser beam used to write an image on the liquid crystal cell 201
can be selected from wavelengths corresponding to the absorption efficiency of the above-mentioned compounds contained in the liquid crystal, but in particular long wavelength laser beams emitted from helium-neon lasers, semiconductor lasers, or YAG lasers or A short wavelength laser beam emitted by an argon laser can be used. A laser beam emitted from a laser oscillator 202 passes through a modulator 203, a slit 204, a Y-axis deflector 205, and an X-axis deflector 206, is modulated and deflected, is focused by a writing lens 208, and is focused by a dichroic mirror. The light is irradiated from the back side of the liquid crystal element 201 via the light source 209 . The aforementioned modulator 203, Y-axis deflector 205, and X-axis deflector 206
is connected to a signal source 211 via a driving amplifier 210, which controls the laser beam and converts the digital electrical signal from the signal source 211 into an optical signal. An image pattern is written on the liquid crystal element 201 by this optical signal. Thereafter, the Peltier element 212 attached to the periphery of the liquid crystal element 201 is activated by the power supply 213 to bring it into a rapid cooling state, thereby cooling the liquid crystal element 201 and forming a smectic phase of the focal conic structure, thereby generating an optical signal. An image pattern was formed in which the irradiated areas were in a light scattering state. At this time, the temperature of the Peltier element 212 is controlled by the temperature controller 214.

この画像パターンは、液晶素子201の前面に
配置した照明源215を点灯することによつて観
察することができる。
This image pattern can be observed by turning on the illumination source 215 placed in front of the liquid crystal element 201.

次いで、前述の画像パターンを消去するには、
液晶素子201に設けた透明ヒータ216(例え
ば、酸化インジウム膜、酸化錫膜、ITO膜)を温
度コントロール器217を介したヒータ用電源2
18により加熱し、液晶相からイソトロピツク相
へ相変化を生じさせる。しかる後、液晶素子20
1に設けた電源219と220の間に交流電源2
21より電圧を印加しながら、液晶素子201を
徐冷して、ホメオトロピツク組織のスメクチツク
相を形成させた。この結果、書き込まれた画像パ
ターンが消去された。
Then, to erase the aforementioned image pattern,
A transparent heater 216 (for example, an indium oxide film, a tin oxide film, an ITO film) provided on the liquid crystal element 201 is connected to a heater power source 2 via a temperature controller 217.
18 to cause a phase change from a liquid crystal phase to an isotropic phase. After that, the liquid crystal element 20
AC power supply 2 between power supplies 219 and 220 provided in 1
The liquid crystal element 201 was slowly cooled while applying a voltage from 21 to form a smectic phase having a homeotropic structure. As a result, the written image pattern was erased.

本発明の液晶素子は、大画面デイスプレイとし
て応用することが可能であり、又所定の情報を含
む光信号をトラツクに沿つて走査してピツトを形
成する記録方式の光デイスクシステムにも応用す
ることができる。
The liquid crystal element of the present invention can be applied to a large screen display, and can also be applied to an optical disk system using a recording method in which pits are formed by scanning an optical signal containing predetermined information along a track. Can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は、本発明の光デイスク用
光熱変換記録媒体の断面図である。第3図は、光
熱変換記録媒体の実施態様を示す説明図である。
第4図は、本発明の液晶素子の断面図である。第
5図は、本発明の液晶素子を用いた表示方式の1
例を表わす説明図である。 1:基体、2:薄膜、3:反射層、4:電磁放
射線、5:ピツト、101,102:基板、10
3,104:電極、105:コールドミラー、1
06,107:配向制御膜、108:液晶組成
物、109:観察光、110:レーザビーム。
1 and 2 are cross-sectional views of the photothermal conversion recording medium for optical disks of the present invention. FIG. 3 is an explanatory diagram showing an embodiment of the photothermal conversion recording medium.
FIG. 4 is a sectional view of the liquid crystal element of the present invention. FIG. 5 shows one of the display methods using the liquid crystal element of the present invention.
It is an explanatory diagram showing an example. 1: Substrate, 2: Thin film, 3: Reflective layer, 4: Electromagnetic radiation, 5: Pit, 101, 102: Substrate, 10
3,104: Electrode, 105: Cold mirror, 1
06,107: Orientation control film, 108: Liquid crystal composition, 109: Observation light, 110: Laser beam.

【特許請求の範囲】[Claims]

1 下記一般式[]で表わされるアズレニウム
塩化合物を含有することを特徴とする光熱変換記
1. A photothermal conversion record characterized by containing an azulenium salt compound represented by the following general formula []

Claims (1)

但し、一般式〔〕,〔〕および〔〕におい
て、R1,R2,R3,R4,およびR5は水素原子、ハ
ロゲン原子又は1価の有機残基を表わし、Xは置
換若しくは未置換の5員、6員又は7員の芳香族
環を形成するに必要な原子群を表わす。又、R1
とXによつて形成される芳香族環、Xによつて形
成される芳香族環とR2,R2とR3,R3とR4,およ
びR4とR5の組合せのうち、少なくとも1つの組
合せで置換若しくは未置換の芳香族環、複素環又
は脂肪族鎖による環を形成してもよい。Aは2重
結合によつて結合した2価の有機残基を表わす。
Zはアニオン残基を表わす。 2 前記アズレニウム塩化合物が基体上に形成さ
れた被膜中に含有されている特許請求の範囲第1
項記載の光熱変換記録媒体。 3 前記アズレニウム塩化合物が液晶中に含有さ
れている特許請求の範囲第1項記載の光熱変換記
録媒体。 4 前記液晶がスメクテイツク液晶である特許請
求の範囲第3項記載の光熱変換記録媒体。
However, in the general formulas [], [] and [], R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic residue, and X is substituted or unsubstituted. Represents a group of atoms necessary to form a substituted 5-, 6-, or 7-membered aromatic ring. Also, R 1
and an aromatic ring formed by X, a combination of an aromatic ring formed by X and R2 , R2 and R3 , R3 and R4 , and R4 and R5 , at least A single combination may form a ring of substituted or unsubstituted aromatic rings, heterocycles, or aliphatic chains. A represents a divalent organic residue bonded via a double bond.
Z represents an anionic residue. 2. Claim 1, wherein the azulenium salt compound is contained in a coating formed on a substrate.
The photothermal conversion recording medium described in . 3. The photothermal conversion recording medium according to claim 1, wherein the azulenium salt compound is contained in a liquid crystal. 4. The photothermal conversion recording medium according to claim 3, wherein the liquid crystal is a smectic liquid crystal.
JP59191163A 1984-07-18 1984-09-11 Photo-thermal conversion recording medium Granted JPS6168294A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59191163A JPS6168294A (en) 1984-09-11 1984-09-11 Photo-thermal conversion recording medium
US06/753,873 US4738908A (en) 1984-07-18 1985-07-11 Photothermal transducing type of recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59191163A JPS6168294A (en) 1984-09-11 1984-09-11 Photo-thermal conversion recording medium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6168294A JPS6168294A (en) 1986-04-08
JPH022715B2 true JPH022715B2 (en) 1990-01-19

Family

ID=16269946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59191163A Granted JPS6168294A (en) 1984-07-18 1984-09-11 Photo-thermal conversion recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6168294A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6168294A (en) 1986-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0126358B2 (en)
JPH0211140B2 (en)
US4738908A (en) Photothermal transducing type of recording medium
JPH025594B2 (en)
JP2947999B2 (en) Optical recording medium and its record regenerating methdo
JPH022715B2 (en)
JPS61179792A (en) Photo-thermal conversion recording medium
JPH0257030B2 (en)
JPH0257032B2 (en)
JPH0257033B2 (en)
JPH0257031B2 (en)
JP3199139B2 (en) Infrared absorbing compound and optical recording medium using the same
JPS61108591A (en) Photothermal conversion type recording medium
JPS61228988A (en) Photo-thermal conversion recording medium
JPH106645A (en) Optical recording medium
JPH0126879B2 (en)
JP3575053B2 (en) Phthalocyanine derivative and optical recording medium containing the derivative
JPS59129954A (en) Optical recording medium
JPS60104178A (en) Liquid crystal element
JPS63309497A (en) Optical recording medium
JPS60104183A (en) Liquid crystal element
JPS60104181A (en) Liquid crystal element
JPS62132686A (en) Information-recording medium
JPS5914150A (en) Optical recording medium
JPH0211138B2 (en)