JPS61224315A - 半導体のエピタキシヤル成長方法 - Google Patents
半導体のエピタキシヤル成長方法Info
- Publication number
- JPS61224315A JPS61224315A JP6367885A JP6367885A JPS61224315A JP S61224315 A JPS61224315 A JP S61224315A JP 6367885 A JP6367885 A JP 6367885A JP 6367885 A JP6367885 A JP 6367885A JP S61224315 A JPS61224315 A JP S61224315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- gas
- wafer
- nozzle
- wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体のエピタキシャル方法及び装置 ゛に係
り、特に多数枚の基板ウェハに均一でかつ高品質のエピ
タキシャル層を形成する方法及び装置に関する。
り、特に多数枚の基板ウェハに均一でかつ高品質のエピ
タキシャル層を形成する方法及び装置に関する。
反応容器内に半導体基体ウェハを収納し、高温に加熱し
ながら原料ガスを供給し、ウェハ表面に気相反応により
エピタキシャル成長層を形成し、エピタキシャルウェハ
を得るエピタキシャル成長プロセスはＢｉｐ、ＬＳＩ等
半導体デバイス製造プロセスに広く適用されている。近
年、ＭＯ５／ＬＳＩへのエピタキシャルウェハ適用が検
討されつつあり、よりプロセスコストの廉価なエピタキ
シャル成長方法の開発が望まれている。エビ成長のプロ
セスコストを大幅に低減するには一回の成長工程におけ
るウェハ処理数を増大する方法が最も効果的である。こ
のような方法として１例えば特開昭５０−９１２５５号
公報に示されるようないわゆるホットウォールを用いる
エピタキシャル成長方法がある。この方法は通常の不純
物拡散の場合と同様にウェハを立てて並べることによっ
て反応管単位長さ当りのウェハ収納数を増やし、管状の
抵抗加熱炉内で加熱することでウェハの均一な加熱を実
現したもので１反応管壁は文字通すホットウオール状態
となる。しかしながら、この方法はエピタキシャル層の
膜厚均一性で難点があり実用化が遅れている。膜厚不均
一は主として、原料ガスを長さのある筒状反応管の一方
側から導入し他方側から排出することから、高温の反応
管壁への析出による原料ガスの消耗が大きく、ガス下流
側での成長速度が小さくなるために生じる。このような
要因による膜厚不均一はガス上流側ウェハと下流側ウェ
ハの膜厚ばらつきとなって示される。
ながら原料ガスを供給し、ウェハ表面に気相反応により
エピタキシャル成長層を形成し、エピタキシャルウェハ
を得るエピタキシャル成長プロセスはＢｉｐ、ＬＳＩ等
半導体デバイス製造プロセスに広く適用されている。近
年、ＭＯ５／ＬＳＩへのエピタキシャルウェハ適用が検
討されつつあり、よりプロセスコストの廉価なエピタキ
シャル成長方法の開発が望まれている。エビ成長のプロ
セスコストを大幅に低減するには一回の成長工程におけ
るウェハ処理数を増大する方法が最も効果的である。こ
のような方法として１例えば特開昭５０−９１２５５号
公報に示されるようないわゆるホットウォールを用いる
エピタキシャル成長方法がある。この方法は通常の不純
物拡散の場合と同様にウェハを立てて並べることによっ
て反応管単位長さ当りのウェハ収納数を増やし、管状の
抵抗加熱炉内で加熱することでウェハの均一な加熱を実
現したもので１反応管壁は文字通すホットウオール状態
となる。しかしながら、この方法はエピタキシャル層の
膜厚均一性で難点があり実用化が遅れている。膜厚不均
一は主として、原料ガスを長さのある筒状反応管の一方
側から導入し他方側から排出することから、高温の反応
管壁への析出による原料ガスの消耗が大きく、ガス下流
側での成長速度が小さくなるために生じる。このような
要因による膜厚不均一はガス上流側ウェハと下流側ウェ
ハの膜厚ばらつきとなって示される。
ホットウォールを用いるエピタキシャル成長方法のもう
一つの膜厚不均一としてウェハ熱のばらつきがある。ウ
ェハ収納数を増やす目的でウェハを立て１開隔を小さく
して反応管内に収納することから原料ガスがウェハ中央
部まで均一に供給されず、ウェハ周辺が厚く、中心が薄
い膜厚分布を生じる。
一つの膜厚不均一としてウェハ熱のばらつきがある。ウ
ェハ収納数を増やす目的でウェハを立て１開隔を小さく
して反応管内に収納することから原料ガスがウェハ中央
部まで均一に供給されず、ウェハ周辺が厚く、中心が薄
い膜厚分布を生じる。
膜厚分布不均一の問題点を解消する方法の一つとして１
反応管内圧力を減圧とする方法等が提案され実施されて
いるが完全な実用炉としては未だ完成していない。
反応管内圧力を減圧とする方法等が提案され実施されて
いるが完全な実用炉としては未だ完成していない。
また、特開昭５５−２４４２４号公報に示されるように
示さ孔るように、ＩＭ料ガスをノズルを用いてできるだ
けウェハ近傍まで導き反応管壁における材耗を小さくし
、ウェハ間膜厚ばらつきを低減する方法も提案されてい
る。この場合、ノズル自身が加熱を受け、ノズル壁への
Ｓｉ析出が問題となるがノズルを二重管構造としてノズ
ル壁を冷却する工夫がなされている。しかしながら、こ
の方法は噴出孔は１つの単孔ノズルで、前述したウェハ
中央の原料ガス供給不均一は改善されない。また、原料
ガスの流れ方向と冷却ガスの流れ方向とが同一であり、
高温となるノズル孔側はど冷却効果は低下する。孔部を
含むノズル全体での析出を防止するには多量の冷却ガス
を必要とし、冷却ガスを反応系内排出する場合にはウェ
ハの温度不均一やガス濃度の低下を招き、結局ウェハ間
の膜厚分布を不均一にする。
示さ孔るように、ＩＭ料ガスをノズルを用いてできるだ
けウェハ近傍まで導き反応管壁における材耗を小さくし
、ウェハ間膜厚ばらつきを低減する方法も提案されてい
る。この場合、ノズル自身が加熱を受け、ノズル壁への
Ｓｉ析出が問題となるがノズルを二重管構造としてノズ
ル壁を冷却する工夫がなされている。しかしながら、こ
の方法は噴出孔は１つの単孔ノズルで、前述したウェハ
中央の原料ガス供給不均一は改善されない。また、原料
ガスの流れ方向と冷却ガスの流れ方向とが同一であり、
高温となるノズル孔側はど冷却効果は低下する。孔部を
含むノズル全体での析出を防止するには多量の冷却ガス
を必要とし、冷却ガスを反応系内排出する場合にはウェ
ハの温度不均一やガス濃度の低下を招き、結局ウェハ間
の膜厚分布を不均一にする。
本発明の目的は、多数枚の半導体層に均一なエピタキシ
ャル層を形成することができる半導体のエピタキシャル
成長方法を提供するにある。
ャル層を形成することができる半導体のエピタキシャル
成長方法を提供するにある。
本発明者等はホットウォールを用いたエピタキシャル成
長方法における膜厚不均一の主因が各ウェハに対する原
料供給の不均一にある点と考え、ノズルによる均一ガス
供給法について種々検討した。ノズルにより原料ガスを
供給する場合の最大の問題点は、前述したようにノズル
内壁への析出であり、種々の形状のノズルについて冷却
効果を調べ本発明に至った。
長方法における膜厚不均一の主因が各ウェハに対する原
料供給の不均一にある点と考え、ノズルによる均一ガス
供給法について種々検討した。ノズルにより原料ガスを
供給する場合の最大の問題点は、前述したようにノズル
内壁への析出であり、種々の形状のノズルについて冷却
効果を調べ本発明に至った。
本発明の特徴とするところは、各々のウェハに対応する
位置に多数の噴出孔または、スリットを配した二重管ノ
ズルにより各ウェハに均一に原料ガスを供給し、かつ原
料ガスの流れ方向と逆向きの冷却ガスによって効率良く
ノズル全体を冷却しノズル壁への析出を防ぐにある。
位置に多数の噴出孔または、スリットを配した二重管ノ
ズルにより各ウェハに均一に原料ガスを供給し、かつ原
料ガスの流れ方向と逆向きの冷却ガスによって効率良く
ノズル全体を冷却しノズル壁への析出を防ぐにある。
以下、シリコンのエピタキシャル成長を例として第１図
に従って詳細に説明する。
に従って詳細に説明する。
第１図において、１は石英ボート（図示していない）上
に多数立党てて並べられたシリコン単結晶ウェハで、反
応管２の中央に収納され環状抵抗加熱炉３で約１１００
℃に加熱されている。これらの構成は従来のホットウォ
ールを用いたエピタキシャル成長方法と同一である。４
は本発明のガス供給ノズルで、第２図に拡大して示すよ
うに、炉内で加熱を受ける部分は内管４１を原料ガスが
、外管４２を冷却ガスが通る二重管構造となっている。
に多数立党てて並べられたシリコン単結晶ウェハで、反
応管２の中央に収納され環状抵抗加熱炉３で約１１００
℃に加熱されている。これらの構成は従来のホットウォ
ールを用いたエピタキシャル成長方法と同一である。４
は本発明のガス供給ノズルで、第２図に拡大して示すよ
うに、炉内で加熱を受ける部分は内管４１を原料ガスが
、外管４２を冷却ガスが通る二重管構造となっている。
ノズル４には各ウェハに対応して小孔５が設けてあり、
この小孔５から各ウェハ１に対し一様な濃度の原料ガス
が均一に供給される。この時本発明により冷却ガスと原
料ガスは互いにその流れが逆向きとなる方向に導入する
ことによって、成長領域におけるノズル壁の温度はほぼ
一様に冷却される。
この小孔５から各ウェハ１に対し一様な濃度の原料ガス
が均一に供給される。この時本発明により冷却ガスと原
料ガスは互いにその流れが逆向きとなる方向に導入する
ことによって、成長領域におけるノズル壁の温度はほぼ
一様に冷却される。
次に実際のシリコンエピタキシャル成長について説明す
る。先ず反応管２の一端のフランジ６を開放し１石英ボ
ートに直径４インチのシリコン単結晶ウェハ１をその表
面側を外にし２枚ずつ重ね合せ、１ａ１１の間隔で２５
列、５０枚立てて並べ反応管２中夫に収納する。次いで
ノズル４に設けられウェハの間隔に対応した２５＋１ケ
の孔５よりＮ２ ガスを約３０９ ／ｆｆｌ１ｎで５分
間供給し炉内の空気を排気ロアより排出する。Ｎ２ ガ
スを止め、反応のキャリヤガスとするＮ２ガスを３０Ω
／ａｋｉｎ流しながら抵抗加熱炉３に通電しウェハ１を
１１００℃まで昇温する。ノズル５には冷却ガスとして
Ｈ。
る。先ず反応管２の一端のフランジ６を開放し１石英ボ
ートに直径４インチのシリコン単結晶ウェハ１をその表
面側を外にし２枚ずつ重ね合せ、１ａ１１の間隔で２５
列、５０枚立てて並べ反応管２中夫に収納する。次いで
ノズル４に設けられウェハの間隔に対応した２５＋１ケ
の孔５よりＮ２ ガスを約３０９ ／ｆｆｌ１ｎで５分
間供給し炉内の空気を排気ロアより排出する。Ｎ２ ガ
スを止め、反応のキャリヤガスとするＮ２ガスを３０Ω
／ａｋｉｎ流しながら抵抗加熱炉３に通電しウェハ１を
１１００℃まで昇温する。ノズル５には冷却ガスとして
Ｈ。
ガスを反応ガスの流れ方向と逆向きとなる方向から約５
０１２ ／ｌ１ｌｉｎ流し、ノズル壁を冷却する。
０１２ ／ｌ１ｌｉｎ流し、ノズル壁を冷却する。
１１００℃にウェハ温度の保持を終えたら、キャリヤガ
ス中にシリコン原料の例えば四塩化ケイ素（ＳｉＣβ４
）を約１ｍｏ １％混入しエピタキシャル成長を開始す
る。反応ガスの流れ方向と冷却ガス流れ方向が互いに逆
向きであることから、高温の反応領域を通過しガス温度
が順次高くなる傾向がほぼ相殺し、ノズル壁は一様に冷
却を受はノズル４内でのＳｉ析出を防ぐことができる。
ス中にシリコン原料の例えば四塩化ケイ素（ＳｉＣβ４
）を約１ｍｏ １％混入しエピタキシャル成長を開始す
る。反応ガスの流れ方向と冷却ガス流れ方向が互いに逆
向きであることから、高温の反応領域を通過しガス温度
が順次高くなる傾向がほぼ相殺し、ノズル壁は一様に冷
却を受はノズル４内でのＳｉ析出を防ぐことができる。
また。
噴出孔５から噴出する原料ガス温度は全ての噴出孔５に
おいてほぼ同一となり、ウェハ１間の温度不均一は生じ
ない。更にまた、各ウェハ１には均一の濃度で均一温度
の原料ガスが小孔５よりウェハ１中央まで均一に供給さ
れる６ 所望の時間の成長を終えた後Ｓ ｉ ＣＱ４ガスとＨＣ
Ｑガスの供給を止め抵抗加熱炉３の温度を除徐に下げウ
ェハ１を冷却する。反応管２内をＮ２ガスに置換した後
フランジ６の一端を開放しウェハ１を取り出す。
おいてほぼ同一となり、ウェハ１間の温度不均一は生じ
ない。更にまた、各ウェハ１には均一の濃度で均一温度
の原料ガスが小孔５よりウェハ１中央まで均一に供給さ
れる６ 所望の時間の成長を終えた後Ｓ ｉ ＣＱ４ガスとＨＣ
Ｑガスの供給を止め抵抗加熱炉３の温度を除徐に下げウ
ェハ１を冷却する。反応管２内をＮ２ガスに置換した後
フランジ６の一端を開放しウェハ１を取り出す。
以上の実施例によればエピタキシャル膜厚のウェハ内、
ウェハ間ｉｔらつきを大幅に低減できる。
ウェハ間ｉｔらつきを大幅に低減できる。
次に本発明の別な実施例について第３図に従って説明す
る。１はシリコンウェハで１石英ホルダー８に主面を水
平にし積層状態で保持することにより収納数を増やす工
夫がなされている。２は反応容器である。３はＳｉＣが
コートしたカーボン加熱体で反応容器２外に設けた加熱
手段（例えば高周波誘導コイル）９によって１１００℃
以上に加熱され、ウェハ１を成長温度まで輻射加熱する
。
る。１はシリコンウェハで１石英ホルダー８に主面を水
平にし積層状態で保持することにより収納数を増やす工
夫がなされている。２は反応容器である。３はＳｉＣが
コートしたカーボン加熱体で反応容器２外に設けた加熱
手段（例えば高周波誘導コイル）９によって１１００℃
以上に加熱され、ウェハ１を成長温度まで輻射加熱する
。
１０はウェハの均一加熱を保つための保温バッファであ
る。１１はホルダー８に回転を与える回転軸、１２は廃
ガスの排気ノズルである。４は本発明になる二重管ノズ
ルである。以上の構成のエピタキシャル成長装置によれ
ばウェハ１に回転が与えられることによりウェハ内膜厚
分布を一層均一にすることが可能となる。更にまた。ホ
ットウォールとなる反応壁をＳｉＣとすることにより、
昇降温時の析出Ｓｉの剥離を低減でき（石英とＳｉは膨
張係数の差が大きい）、ダストに起因する結晶欠陥も大
幅に減少できる。
る。１１はホルダー８に回転を与える回転軸、１２は廃
ガスの排気ノズルである。４は本発明になる二重管ノズ
ルである。以上の構成のエピタキシャル成長装置によれ
ばウェハ１に回転が与えられることによりウェハ内膜厚
分布を一層均一にすることが可能となる。更にまた。ホ
ットウォールとなる反応壁をＳｉＣとすることにより、
昇降温時の析出Ｓｉの剥離を低減でき（石英とＳｉは膨
張係数の差が大きい）、ダストに起因する結晶欠陥も大
幅に減少できる。
次に、原料ガス中にハロゲン化水素を混入し成長に選択
性を与え、ノズルへのＳｉ析出を防止する方法において
、本発明のノズル冷却法を適用する実施例について説明
する。第４図は選択成長の原理を説明するための実験デ
ータである。この図はある一定の５ｉＣＱ、濃度に対し
、ノズルと同材質の石英ウェハとシリコンウェハを用い
成長し、原料ガス中に混入するＨＣｌ２濃度、及びシリ
コン析出状態の関係を示す。領域Ａは石英にもシリコン
ウェハにも析出しない、Ｂはシリコンウェハのみに析出
し石英に析出しない、Ｃはシリコンウェハにも石英にも
析出する領域を示す。このように。
性を与え、ノズルへのＳｉ析出を防止する方法において
、本発明のノズル冷却法を適用する実施例について説明
する。第４図は選択成長の原理を説明するための実験デ
ータである。この図はある一定の５ｉＣＱ、濃度に対し
、ノズルと同材質の石英ウェハとシリコンウェハを用い
成長し、原料ガス中に混入するＨＣｌ２濃度、及びシリ
コン析出状態の関係を示す。領域Ａは石英にもシリコン
ウェハにも析出しない、Ｂはシリコンウェハのみに析出
し石英に析出しない、Ｃはシリコンウェハにも石英にも
析出する領域を示す。このように。
ＨＣＱを混入することによりシリコンウェハと石英で選
択性を生じる。今、１１００”ｃでＨＣＱを３ ｍｏ１
％混入すると石英ノズルを冷却しなくても析出は生じず
シリコンウェハ上にエピタキシャル成長が可能である。
択性を生じる。今、１１００”ｃでＨＣＱを３ ｍｏ１
％混入すると石英ノズルを冷却しなくても析出は生じず
シリコンウェハ上にエピタキシャル成長が可能である。
しかしながら、この場合のエピタキシャル層の成長速度
はエツチングガスであるＨＣＱの混入により約１７３に
低下し実用的でない、また、−択成長領域Ｂも非常に狭
く不安定と考えられる。ＨＣΩ濃度を１ ｍ ｏ １％
に下げ実用的成長速度を確保すると共に、冷却ガスによ
ってノズル温度を約１００℃程度下げればノズルへのシ
リコン析出を防止できることは図から容易に理解できる
。このような選択成長によってノズルの全領域でのＳｉ
析出を防ぐにはノズル温度の一様な冷却がキーポイント
となる６本発明による冷却方法を適用すれば前述したよ
うにノズルの均一な冷却が可能で少量のＨＣＱ添加によ
ってより効果的にノズル全領域のＳｉ析出を防ぐことが
可能である。
はエツチングガスであるＨＣＱの混入により約１７３に
低下し実用的でない、また、−択成長領域Ｂも非常に狭
く不安定と考えられる。ＨＣΩ濃度を１ ｍ ｏ １％
に下げ実用的成長速度を確保すると共に、冷却ガスによ
ってノズル温度を約１００℃程度下げればノズルへのシ
リコン析出を防止できることは図から容易に理解できる
。このような選択成長によってノズルの全領域でのＳｉ
析出を防ぐにはノズル温度の一様な冷却がキーポイント
となる６本発明による冷却方法を適用すれば前述したよ
うにノズルの均一な冷却が可能で少量のＨＣＱ添加によ
ってより効果的にノズル全領域のＳｉ析出を防ぐことが
可能である。
本実施例の二重管ノズルでは多数の孔を有する構造であ
るが、多数の孔の代りにスリットとしても同様の効果を
得ることは当然である。また、本実施例においては反応
圧力に関して特に触れなかったが常圧、減圧いずれの場
合に対しても適用可能である。また、本説明では冷却ガ
スを反応管外に直接排出する方法について述べたが、冷
却ガスによる原料ガス濃度の希釈を考慮し成長条件を決
めれば反応管内へ排出した後反応廃ガスと共に管外に排
出しても良い。更にまた、冷却ガスにはＮ２ガス、不活
性ガス等の使用も可能である。
るが、多数の孔の代りにスリットとしても同様の効果を
得ることは当然である。また、本実施例においては反応
圧力に関して特に触れなかったが常圧、減圧いずれの場
合に対しても適用可能である。また、本説明では冷却ガ
スを反応管外に直接排出する方法について述べたが、冷
却ガスによる原料ガス濃度の希釈を考慮し成長条件を決
めれば反応管内へ排出した後反応廃ガスと共に管外に排
出しても良い。更にまた、冷却ガスにはＮ２ガス、不活
性ガス等の使用も可能である。
本発明のエピタキシャル成長方法によって４インチ径の
シリコンウェハ５ｏ枚に厚さ１０μｍのエピタキシャル
層を形成した結果、膜厚のウェハ間ばらつき±５％、ウ
ェハ内ばらつき±３％を得。
シリコンウェハ５ｏ枚に厚さ１０μｍのエピタキシャル
層を形成した結果、膜厚のウェハ間ばらつき±５％、ウ
ェハ内ばらつき±３％を得。
従来法に比べばらつき幅は１／２以下に低減できた。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は本発
明に使用するノズル断面図、第３図は他の実施例を示す
図、第４図は本発明の他の実施例を説明するための参考
図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・反応管、３・・・加熱
炉、４・・・ガス供給ノズル、５・・・小孔。
明に使用するノズル断面図、第３図は他の実施例を示す
図、第４図は本発明の他の実施例を説明するための参考
図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・反応管、３・・・加熱
炉、４・・・ガス供給ノズル、５・・・小孔。
Claims (1)
- １、反応管内に多数枚の半導体ウェハを、前記半導体、
ウェハ全体を包含し高温に加熱しつつノズルから前記ウ
ェハに原料ガスを供給しエピタキシャル層を形成する半
導体のエピタキシャル成長方法において、原料ガスを供
給する多数の孔、またはスリットを有し、かつ、内管の
原料ガスの流れ方向と外管の原料ガスの流れ方向が互い
に逆向きとなる二重管ノズルを用いてエピタキシャル層
を形成する半導体のエピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6367885A JPS61224315A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体のエピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6367885A JPS61224315A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体のエピタキシヤル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224315A true JPS61224315A (ja) | 1986-10-06 |
| JPH0544823B2 JPH0544823B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=13236259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6367885A Granted JPS61224315A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体のエピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61224315A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008244443A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN110648899A (zh) * | 2019-09-06 | 2020-01-03 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 通过原子层沉积工艺沉积氮化硅的方法及半导体晶圆 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS497992A (ja) * | 1972-05-13 | 1974-01-24 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6367885A patent/JPS61224315A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS497992A (ja) * | 1972-05-13 | 1974-01-24 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008244443A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN110648899A (zh) * | 2019-09-06 | 2020-01-03 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 通过原子层沉积工艺沉积氮化硅的方法及半导体晶圆 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544823B2 (ja) | 1993-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0502209B1 (en) | Method and apparatus for growing compound semiconductor crystals | |
| JPH0567571A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH03209817A (ja) | バッチ式熱処理装置 | |
| JP2010232624A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体の気相成長装置 | |
| JPS63316425A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS61224315A (ja) | 半導体のエピタキシヤル成長方法 | |
| JPS62263629A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0230119A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0316208A (ja) | シリコンエピタキシャル成長装置 | |
| JPH0940491A (ja) | 半導体結晶膜の成長方法 | |
| JPS61199629A (ja) | 半導体のエピタキシヤル成長装置 | |
| JPH01253229A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6168393A (ja) | ホツトウオ−ル形エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS62214614A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2000349030A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPS6114195A (ja) | 有機金属熱分解縦型気相成長装置 | |
| JPS6071596A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6010621A (ja) | 減圧エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH039609B2 (ja) | ||
| JPH0551294A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP4142450B2 (ja) | Ｃｖｄによって物をエピタキシャル成長させる装置 | |
| JPS6240720A (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH039608B2 (ja) | ||
| JPH116068A (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| JP2007180417A (ja) | 半導体基板製造方法 |