JPS6071596A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6071596A JPS6071596A JP17852883A JP17852883A JPS6071596A JP S6071596 A JPS6071596 A JP S6071596A JP 17852883 A JP17852883 A JP 17852883A JP 17852883 A JP17852883 A JP 17852883A JP S6071596 A JPS6071596 A JP S6071596A
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- JP
- Japan
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- wall
- organic compound
- crystal growth
- raw material
- case
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は化合物半導体等を基板上に薄膜上に結晶成長す
る場合に用いる気相結晶成長装置に関するものである。
る場合に用いる気相結晶成長装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、有機化合物、特に■族あるいは１族有機金属化合
物や■族有機化合物等を用いる気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）が、大面積エピタキシャル。
物や■族有機化合物等を用いる気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）が、大面積エピタキシャル。
量産性、膜厚や組成の制御性等の点から注目を集め、各
所で研究開発が活発に行なわれている。
所で研究開発が活発に行なわれている。
以下に従来の有機化合物を用いる気相成長装置について
説明する。
説明する。
第１図は従来の有機化合物を用いる気相成長装置の結晶
成長□室である。１は石英製炉芯管、２、は石英製炉芯
管壁冷却用水導入部、３は結晶成長室入口フランジ部、
４は結晶成長案出ロフランジ部。
成長□室である。１は石英製炉芯管、２、は石英製炉芯
管壁冷却用水導入部、３は結晶成長室入口フランジ部、
４は結晶成長案出ロフランジ部。
′５は高周波コイル、６はＶ族あるいは■族水素化物ガ
ス導入管、７はＩ族あるいは］族有機化合物導入管、８
は排出口、９は基板、１０はカーボン製サセプター、１
１は石英製サセプター支持台。
ス導入管、７はＩ族あるいは］族有機化合物導入管、８
は排出口、９は基板、１０はカーボン製サセプター、１
１は石英製サセプター支持台。
１２は熱電対である。第１図に示すように従来の有機化
合物を用いる気相成長装置では、各原料ガスの混合を基
板表面付近で行なわせるために、有機金属化合物導入管
７は、基板表面のごく近傍まで延びていた。
合物を用いる気相成長装置では、各原料ガスの混合を基
板表面付近で行なわせるために、有機金属化合物導入管
７は、基板表面のごく近傍まで延びていた。
しかしながら上記のような構造では、有機化合物導入管
７が結晶成長時には成長温度にあるカーボンサセプター
からの輻射熱および結晶成長室が縦型の場合に顕著であ
る結晶成長室下部からの対流等によって熱せられ、その
結果、有機化合物がその導入管７を通過中すなわち基板
表面到達前に。
７が結晶成長時には成長温度にあるカーボンサセプター
からの輻射熱および結晶成長室が縦型の場合に顕著であ
る結晶成長室下部からの対流等によって熱せられ、その
結果、有機化合物がその導入管７を通過中すなわち基板
表面到達前に。
その・、４入管Ｔ内で熱分）竹してし捷い、導入管７の
内壁に付着してしまうという問題点を有していた。
内壁に付着してしまうという問題点を有していた。
また１種々の有機化合物が同一の導入管７を通過するこ
とになシ、室温では液体であるため、導入管７を通過す
る際、その内壁にその一部が吸着されるという性質を有
する有機化合物は−それぞれが混合された状態で吸着し
てしまう。そして例えば、ある特定の有機化合物しかそ
の供給を必要としない場合においても、上記したように
結晶成長時には導入管７が熱せられるため、導入管７の
内壁に吸着しいた有機化合物が、導入管７内壁から再蒸
発して必要とする有機化合物と共に基板９上へ導かれ、
所望の成長結晶が得られないという問題点を有していた
。これらの問題点は特に混晶成長の場合の組成制御、不
純物ドーピングの場合の不純物濃度制御、多層薄膜構造
作成の場合の界面急峻性の制御等を非常に困難々ものに
していた。
とになシ、室温では液体であるため、導入管７を通過す
る際、その内壁にその一部が吸着されるという性質を有
する有機化合物は−それぞれが混合された状態で吸着し
てしまう。そして例えば、ある特定の有機化合物しかそ
の供給を必要としない場合においても、上記したように
結晶成長時には導入管７が熱せられるため、導入管７の
内壁に吸着しいた有機化合物が、導入管７内壁から再蒸
発して必要とする有機化合物と共に基板９上へ導かれ、
所望の成長結晶が得られないという問題点を有していた
。これらの問題点は特に混晶成長の場合の組成制御、不
純物ドーピングの場合の不純物濃度制御、多層薄膜構造
作成の場合の界面急峻性の制御等を非常に困難々ものに
していた。
発明の目的
本発明は一上記従来の問題点を解消するもので。
結晶成長時に必要とする有機化合物だけが、所望の量だ
け２！Ｉ！：板上に供給され、不必要な有機化合物は一
切混入することが彦＜、所望の結晶を再現性よく成長で
きる有機化合物を用いる気相成長装置を提供することを
目的とする。
け２！Ｉ！：板上に供給され、不必要な有機化合物は一
切混入することが彦＜、所望の結晶を再現性よく成長で
きる有機化合物を用いる気相成長装置を提供することを
目的とする。
発明の構成
本発明にかかる有機化合物を用いる化合物半導体結晶の
気相成長装置は、結晶成長室内の有機化合物導入管の外
壁に冷却装置を備えたものである。
気相成長装置は、結晶成長室内の有機化合物導入管の外
壁に冷却装置を備えたものである。
従って結晶成長時に有機化合物導入管が熱せられること
がないので、その導入管通過中に有機化合物が熱分解さ
れることがなく−また−その導入管内壁に付着している
不必要な有機化合物も一切ＴｉＪ蒸発することがない。
がないので、その導入管通過中に有機化合物が熱分解さ
れることがなく−また−その導入管内壁に付着している
不必要な有機化合物も一切ＴｉＪ蒸発することがない。
従って結晶成長時には必要とする有機化合物だけが所望
の量だけ基板上に供給することができて、混晶成長の場
合の組成、不純物ドーピングの場合の不純物濃度−多層
薄膜構造作成の場合の界面急峻性等を再現性よく容易に
制御することのできるものである。
の量だけ基板上に供給することができて、混晶成長の場
合の組成、不純物ドーピングの場合の不純物濃度−多層
薄膜構造作成の場合の界面急峻性等を再現性よく容易に
制御することのできるものである。
実施例の説明
実施例１
本発明による有機化合物に用いる化合物半導体の気相成
長装置の具体的な結晶成長室を第２図に示す。第２図に
おいて、第１図と同一部分には同一番号を付す。図に示
すように、この場合は結晶成長室内の有機化合物導入管
７の外壁に、冷却水がその外壁全体を覆うように循環す
る部分１３を備えた。なおこの外壁冷却機構を備えた有
機化合物導入管のみの斜視図を第３図に示す。また他の
部分は従来の有機化合物を用いる気相成長装置と同じ構
造である。
長装置の具体的な結晶成長室を第２図に示す。第２図に
おいて、第１図と同一部分には同一番号を付す。図に示
すように、この場合は結晶成長室内の有機化合物導入管
７の外壁に、冷却水がその外壁全体を覆うように循環す
る部分１３を備えた。なおこの外壁冷却機構を備えた有
機化合物導入管のみの斜視図を第３図に示す。また他の
部分は従来の有機化合物を用いる気相成長装置と同じ構
造である。
この本発明による気相成長装置を用いて、１．３μｍ帯
半導体レーザーの一構造である− ＺｎドープＩｎＰ
／ ＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰ ／ ＩｎＰ基鈑トイ
うダブルへテロ構造作成の場合について以下に述べる。
半導体レーザーの一構造である− ＺｎドープＩｎＰ
／ ＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰ ／ ＩｎＰ基鈑トイ
うダブルへテロ構造作成の場合について以下に述べる。
この場合有機化合物には、釦のソース材料であるＩｎ（
Ｃ２Ｈｓ）３． Ｇａのソース材料であるＧａ（Ｃ２Ｈ
５）３． Ｐ型不純物のソース材料であるＺｎ（Ｃ：２
Ｈｓ）２を用いた。またＰのソース材料としてｐＨ３，
ＡＳのソース材料としてＡｓＨ３を、上記した各ソース
材料を結晶成長室まで運ぶキャリアーガスとしてＨ２を
用いた。最初、結晶成長室内のカーボン製サセプター１
０上に設置されたＩｎＰ基板９の温度を高周波加熱によ
り成長温度６００゛Ｃまで上昇させる。なおこの際Ｉｎ
Ｐ基板表面のサーマルダメージを防ぐために−ＰＨ５を
４ＣＣ／ｍ工ｎ供給した。そしてその抜工の表に示す成
長条件により順次成長を行なった。
Ｃ２Ｈｓ）３． Ｇａのソース材料であるＧａ（Ｃ２Ｈ
５）３． Ｐ型不純物のソース材料であるＺｎ（Ｃ：２
Ｈｓ）２を用いた。またＰのソース材料としてｐＨ３，
ＡＳのソース材料としてＡｓＨ３を、上記した各ソース
材料を結晶成長室まで運ぶキャリアーガスとしてＨ２を
用いた。最初、結晶成長室内のカーボン製サセプター１
０上に設置されたＩｎＰ基板９の温度を高周波加熱によ
り成長温度６００゛Ｃまで上昇させる。なおこの際Ｉｎ
Ｐ基板表面のサーマルダメージを防ぐために−ＰＨ５を
４ＣＣ／ｍ工ｎ供給した。そしてその抜工の表に示す成
長条件により順次成長を行なった。
以下余白
なお上記した表中のＩｎ（Ｃ２Ｈｓ）３ 、 Ｇａ（Ｃ
２Ｈ５）３ 。
２Ｈ５）３ 。
Ｚｎ（Ｃ２Ｈｓ）２ の供給量については、それぞれ４
６℃に保温した釦（Ｃ２Ｈｓ）ｘ バブラーに供給する
Ｈ２の流量−ｏ’ｃに保温したＧａ（Ｃ２Ｈｓ）＋ バ
ブラーに供給するＨ２ノ流量、０℃に保温しｆｃ Ｚｎ
（０２Ｈ５）２バブラーに供給するＨ２の流計を表わし
ている。
６℃に保温した釦（Ｃ２Ｈｓ）ｘ バブラーに供給する
Ｈ２の流量−ｏ’ｃに保温したＧａ（Ｃ２Ｈｓ）＋ バ
ブラーに供給するＨ２ノ流量、０℃に保温しｆｃ Ｚｎ
（０２Ｈ５）２バブラーに供給するＨ２の流計を表わし
ている。
また全流量としては６ ｊｌ／ｍｉｎ −成長時の結晶
成長内圧としては７６０〜１ｏ ｍｍＨｇである。そし
て有機化合物導入管７の外壁を冷却するために。
成長内圧としては７６０〜１ｏ ｍｍＨｇである。そし
て有機化合物導入管７の外壁を冷却するために。
約２ｏ℃の冷却水を１〜５ Ｖｍｌｎ 冷却水導入部１
３に基板温度昇温開始時点から供給した。また石英製炉
芯管壁冷却用水導入部２にも、約２０’Ｃ。
３に基板温度昇温開始時点から供給した。また石英製炉
芯管壁冷却用水導入部２にも、約２０’Ｃ。
の冷却水を５ Ａ／ｍｉｎ 供給した。
以上のように本実施例によれば一結晶成長室内の有機化
合物導入管７内の温度が上昇することはなく、その中を
通過するＩｎ（０２Ｈ５）３ 、 Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）ｓ
Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２ が熱分解して管内壁に付着するこ
ともなかった。
合物導入管７内の温度が上昇することはなく、その中を
通過するＩｎ（０２Ｈ５）３ 、 Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）ｓ
Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２ が熱分解して管内壁に付着するこ
ともなかった。
従って−Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３とＧａ（Ｃ２Ｈ５）３の供
給量比を精密に制御しなければならないＩｙｌＧａＡＳ
Ｐ四六混晶成長の場合には、有機化合物導入管７内での
熱分解によるＩｎ（Ｃ２Ｈ５）３ トＧａ（０２Ｈ５）
３の損失がないために、それぞれの供給量比に比例した
組成の四穴混晶が再現性よく得られた。またＺｎ（Ｃ２
Ｈ５）２の供給量を精密に制御しなければならないｚｎ
ドープＩｎＰ成長の場合にも同様に、その供給量に比１
９１ＪシたＺｎ不純物濃度のＩｎＰ結晶を再現性よく得
ることができた。また、有機化合物導入管７の内壁に吸
着している不必要な有機化合物や不純物も再蒸発して、
ＩｎＰ基板上に運ばれることもないため−特にｚｎド
ープＩｎＰ成長の場合にその前のＩｎＧａＡｓＰ 成長
時に供給されティたＧａ（Ｃ２Ｈｓ）ｘの混入は−切な
（−ＺｎドープＩｎＰ結晶中からはＧａ は検出されな
かった。
給量比を精密に制御しなければならないＩｙｌＧａＡＳ
Ｐ四六混晶成長の場合には、有機化合物導入管７内での
熱分解によるＩｎ（Ｃ２Ｈ５）３ トＧａ（０２Ｈ５）
３の損失がないために、それぞれの供給量比に比例した
組成の四穴混晶が再現性よく得られた。またＺｎ（Ｃ２
Ｈ５）２の供給量を精密に制御しなければならないｚｎ
ドープＩｎＰ成長の場合にも同様に、その供給量に比１
９１ＪシたＺｎ不純物濃度のＩｎＰ結晶を再現性よく得
ることができた。また、有機化合物導入管７の内壁に吸
着している不必要な有機化合物や不純物も再蒸発して、
ＩｎＰ基板上に運ばれることもないため−特にｚｎド
ープＩｎＰ成長の場合にその前のＩｎＧａＡｓＰ 成長
時に供給されティたＧａ（Ｃ２Ｈｓ）ｘの混入は−切な
（−ＺｎドープＩｎＰ結晶中からはＧａ は検出されな
かった。
実施例２
次に本発明による有機化合物を用いる気相成畏装箇にお
いて、結晶成長室が横型の場合の具体的な結晶成長室を
第４図に示す。なお第４図において第１図と同一部分に
は同一番号を付す。この場合、カーボン製サセプター９
の形状および石英製サセプター支持台１１の形状のみが
実施例１の場合と異なるだけで一他の部分の構造につい
ては同様である。
いて、結晶成長室が横型の場合の具体的な結晶成長室を
第４図に示す。なお第４図において第１図と同一部分に
は同一番号を付す。この場合、カーボン製サセプター９
の形状および石英製サセプター支持台１１の形状のみが
実施例１の場合と異なるだけで一他の部分の構造につい
ては同様である。
また実施例１の場合と同一の成長結晶を作成する場合、
用いるソース材料、成長条件、および。
用いるソース材料、成長条件、および。
有機化合物導入管７と石英炉芯管１の各外壁部１３．２
に供給する冷却水の量も変わりはない。
に供給する冷却水の量も変わりはない。
この結果、得られた成長結晶の特性についても一実施例
１の場合と同様であった。
１の場合と同様であった。
以上述べた実施例においては、外壁部）Ｊ機構を備えた
有機化合物導入管の１構造のみを用いて説明したが一第
５図、第６図に示す冷却効率を高めた有機化合物導入管
を用いても本発明は実現可能である。すなわち第５図に
示す有機化合物導入管は、その外壁に石英管をらせん状
に巻いであるもので、その結果冷却水は必ず外壁全体を
常に循環で用いた有機化合物導入管の外壁冷却水循環部
分内部に中仕切板１４を備えたもので第５図に示す有機
化合物導入管と同様に、冷却水が外壁全体を’ｌ’：Ｊ
＋に循環することができて、その結果冷却効率が高する
。また以上述べた実施例では一有機化合物導入管の相性
として石英、冷却媒体として水を用いたが−それぞれス
テンレス等および穴以外の液体あるいは気体等を用いて
も本発明は実現可能である。
有機化合物導入管の１構造のみを用いて説明したが一第
５図、第６図に示す冷却効率を高めた有機化合物導入管
を用いても本発明は実現可能である。すなわち第５図に
示す有機化合物導入管は、その外壁に石英管をらせん状
に巻いであるもので、その結果冷却水は必ず外壁全体を
常に循環で用いた有機化合物導入管の外壁冷却水循環部
分内部に中仕切板１４を備えたもので第５図に示す有機
化合物導入管と同様に、冷却水が外壁全体を’ｌ’：Ｊ
＋に循環することができて、その結果冷却効率が高する
。また以上述べた実施例では一有機化合物導入管の相性
として石英、冷却媒体として水を用いたが−それぞれス
テンレス等および穴以外の液体あるいは気体等を用いて
も本発明は実現可能である。
寸た以上述べた実施例では−ＩｎＰ −ＩｎＧａＡｓＰ
系の結晶成長について説明したが１本発明による気相成
長装置はＧａＡｓ −ＡｇａＡｓ系、 ＧａＡＳ−Ａ７
ｊＧａＩｎＰ 系の他のＩ−Ｖ族半導体結晶の成長に用
いることができるばかりでなく一更にＺｎ５ｅ 。
系の結晶成長について説明したが１本発明による気相成
長装置はＧａＡｓ −ＡｇａＡｓ系、 ＧａＡＳ−Ａ７
ｊＧａＩｎＰ 系の他のＩ−Ｖ族半導体結晶の成長に用
いることができるばかりでなく一更にＺｎ５ｅ 。
ＺｎＳ等のｌＩ−’Ｖｌ族化合物半導体結晶、ｎ−■族
とｌ１ｌ−Ｖ族の混品半鋭体等の成長に用いることが可
能である。そして１以上述べた実施例は、有機化合物の
数が３ ｆ［ｉ！ｉｌでかつ釘族およびＩ族有機化合物
を用いた場合であったが、有機化合物の数１種類に制限
はなく−Ｖ族および■族有機化合物を用いることも可能
である。
とｌ１ｌ−Ｖ族の混品半鋭体等の成長に用いることが可
能である。そして１以上述べた実施例は、有機化合物の
数が３ ｆ［ｉ！ｉｌでかつ釘族およびＩ族有機化合物
を用いた場合であったが、有機化合物の数１種類に制限
はなく−Ｖ族および■族有機化合物を用いることも可能
である。
発明の効果
本発明にかかる有機化合物を用いた化合物半導体結晶の
気相成長装置は、結晶成長室内の有機化合物導入管の外
壁に、冷却水等を循環させるという簡単な冷却機構を備
えることにより、混晶成長の場合の組成制御、不純物ド
ーピングの場合の不純物濃度制御、多層薄膜構造作成の
場合の界面急峻性の制御等を精密に再現性よく行なうこ
とが可能となる。またこの結果１例えば超格子構造等の
作成が容易となって、非常にその実用的効果は大なるも
のである。
気相成長装置は、結晶成長室内の有機化合物導入管の外
壁に、冷却水等を循環させるという簡単な冷却機構を備
えることにより、混晶成長の場合の組成制御、不純物ド
ーピングの場合の不純物濃度制御、多層薄膜構造作成の
場合の界面急峻性の制御等を精密に再現性よく行なうこ
とが可能となる。またこの結果１例えば超格子構造等の
作成が容易となって、非常にその実用的効果は大なるも
のである。
第１図°は従来の有機化合物を用いる気相成長装置の結
晶成長室の模式断面図−第２図は本発明の実施例１にお
ける有機化合物を用いる気相成長装置の結晶成長室の模
式断面図、第３図は本発明の実施例１．２における外壁
冷却機構を備えた有機化合物導入管の斜視図、第４図は
本発明の実施例２における有機化合物を用いる気相成長
装置の結晶成長室の模式断面図−第６図、第６図は冷却
効率を増した外壁冷却機構を備えた有機化合物導入管の
構造図である。 １・・・・・石英製炉芯管、６・・・・・・■族あるい
はＶｌ族水素化物ガス導入管、７・・・・・・■族ある
いは四族有機化合物導入管、８・・・・・・排出口、９
・・・・・・基板、１３・・・・・有機化合物導入管外
壁の冷ｆｆ１ｌ水循環部分、１４・・・・冷却水循環部
分内の中仕切板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第５図 第６図 （α） ｒｂ）
晶成長室の模式断面図−第２図は本発明の実施例１にお
ける有機化合物を用いる気相成長装置の結晶成長室の模
式断面図、第３図は本発明の実施例１．２における外壁
冷却機構を備えた有機化合物導入管の斜視図、第４図は
本発明の実施例２における有機化合物を用いる気相成長
装置の結晶成長室の模式断面図−第６図、第６図は冷却
効率を増した外壁冷却機構を備えた有機化合物導入管の
構造図である。 １・・・・・石英製炉芯管、６・・・・・・■族あるい
はＶｌ族水素化物ガス導入管、７・・・・・・■族ある
いは四族有機化合物導入管、８・・・・・・排出口、９
・・・・・・基板、１３・・・・・有機化合物導入管外
壁の冷ｆｆ１ｌ水循環部分、１４・・・・冷却水循環部
分内の中仕切板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第５図 第６図 （α） ｒｂ）
Claims (1)
- 有機化合物を原料材料として用い、前記有機化合物を基
鈑付近まで導く結晶成長室内の有機化合物導入管に、前
記導入管を冷却する装置を備えたことを特徴とする気相
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17852883A JPS6071596A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17852883A JPS6071596A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6071596A true JPS6071596A (ja) | 1985-04-23 |
Family
ID=16050046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17852883A Pending JPS6071596A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6071596A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6090900A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体への不純物拡散方法 |
| JPS61248519A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長装置 |
| JPH04252022A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| WO2006125777A1 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Lpe Spa | Device for introducing reaction gases into a reaction chamber and epitaxial reactor which uses said device |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP17852883A patent/JPS6071596A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6090900A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体への不純物拡散方法 |
| JPH0232240B2 (ja) * | 1983-10-25 | 1990-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS61248519A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長装置 |
| JPH04252022A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| WO2006125777A1 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Lpe Spa | Device for introducing reaction gases into a reaction chamber and epitaxial reactor which uses said device |
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