JPS61222138A - 混成集積回路 - Google Patents

混成集積回路

Info

Publication number
JPS61222138A
JPS61222138A JP6295185A JP6295185A JPS61222138A JP S61222138 A JPS61222138 A JP S61222138A JP 6295185 A JP6295185 A JP 6295185A JP 6295185 A JP6295185 A JP 6295185A JP S61222138 A JPS61222138 A JP S61222138A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
protective film
hybrid integrated
integrated circuit
conductor
printed conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6295185A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Nakao
中尾 悟至
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP6295185A priority Critical patent/JPS61222138A/ja
Publication of JPS61222138A publication Critical patent/JPS61222138A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/27011Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
    • H01L2224/27013Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83009Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
    • H01L2224/83051Forming additional members, e.g. dam structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は銅(Cu )等の印刷導体表面に金属部品を半
田付けする混成集積回路の構造に関する。
〔発明の技術的背景〕
混成集積回路、特に厚膜混成集積回路において印刷導体
の一部にポンディングパッド等の金属部品を半田付けす
る場合には、その半田付は部分のパターンは一般に第4
図に示すような構造となっている。
通常、基板3上に形成されたCu等の印刷導体1の表面
は、厚膜基板の表面を保護するための薄いガラスコート
による保護膜2により被覆されている。そこでこの印刷
導体1の半田付番プじたい部分にだけ半田付は可能なよ
うに、保護膜2を取り除いて導体表面を露出させる。こ
の露出部分にポンディングパッド等の金属部品4を半田
5を用いて接着させる。
第5図はこのようにして露出部分3に金属部品4を半田
付けした状態を示す断面図である。厚膜混成集積回路の
場合には、印刷導体1が印刷される基板3としてセラミ
ック等が使用される場合が多い。
〔背景技術の問題点〕
このような従来の厚PIA混成集積回路において、温度
が上昇した場合を考えると、基板3を構成するセラミッ
クは熱膨張率が小さく、また金属部品4、半田5および
印刷導体1@の金属は熱rN服率が大きい。このため温
度の上昇によって第6図に矢印で示すように変位が発生
する。ここで、図中に点線で示した部分が熱膨張により
変位した状態である。
この熱膨張時の応力は、金属部品4の最も端の部分Aに
おいて最も大きくなる。従って温度の上昇および下降が
繰り返されると、A部の印刷導体1が疲労しついにはオ
ーブン(断線)してしまうことがある。これを避けるた
め従来は、応力を緩和するための措置として、第7図お
よび第8図に示すように保護膜2と金属部品4との距離
りを長くし、半田5の裾7が長くなるようにしていた。
また、第9図に示すように金avA品4の形状を円形と
することにより、実質的に保護膜2と金属部品4との距
離が大きくなるような工夫をこらしていた。
しかしながら、上記のいずれの方法も単に応力が緩和さ
れるだけであるため寿命が多少のびるだけでムリ、いず
れは印刷導体1が劣化して断線してしまう。また、半田
5の裾7を長くするためのスペースが余分に必要となり
、従って集積度が上がらないという欠点がある。さらに
、距離りを大きくすると、第8図に示すように金属部品
4が4′の位置までずれて半田付番プされてしまうとい
う危険性もあった。
(発明の目的) 本発明は上述した従来技術の欠点を改善するためになさ
れたもので、金属部品の半田付けに際して余分なスペー
スを必要とせず、しかも位置ずれをおこずことなく、さ
らに熱膨張による劣化に伴なう印刷導体の1li1a等
をおこすことのない混成集積回路を提供することを目的
とする。
(発明の概要) 上記の目的を達成するため本発明は、印刷導体表面に被
覆された保護膜を所定゛の部分だけ取り除いて導体表面
を露出さゼ、この露出部分に金jI部品を半田付する混
成集積回路であって、保r!1膜の一部が金属部品と導
体表面との間に介在するように、保l!膜を金属部品の
外側の被覆部分から延在させた混成集積回路を提供する
ものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明のいくつかの実施例を添付図面の第1図乃
至第3図を参照して説明する。
第1図は一実施例を示す混成集積回路の平面図および断
面図であり、(a)は平面図を、(b)は図中のb−b
’翰にそって切断した断面、図を、(C)は図中のc−
c’線にそって切断した断面図をそれぞれ示している。
また、第2図は第1図(a)のb−b’線断面の斜視図
である。
保1III12の一部を図中に記@10で示すごとく、
金R部品4と印刷導体1との間に介在させるように延長
する。温度の上FJFMによって発生する応力は、金属
部品4の周辺部すなわち第1図(a)−にジグザグ線で
示した部分へにおいて最大となり、中心部すなわち第1
図(a)の部分Bでは最少になる。このことは、第4図
の従来装置においても、第1図の本発明装置においても
同様である。
従って第1図(a)にジグザグ線で示した周辺部Aの部
分においては、応力により印刷導体1が劣化し断線する
ことがある。しかしながらその中心部Bの部分では応力
がほとんど発生しないため、劣化がおこらず従って断線
も発生しない。言い換えれば、金属部品4の下に延びる
保rfilI2の下の印81導体1は断線することなく
、金属部品4の中心部の直下にまで延びている。このよ
うに保1[2の一部を金R’PII品4の下面に延在せ
しめた状態で金属部品4の半田付けを施ずことにより、
その延在せしめた保護wA2の下側および周辺部分での
印刷導体の断線を防止することができる。
第3図(a)および第3図(b)はこの発明の他の実施
例を示したものである。そして、第3図(a)では保護
膜2の延在部分10を金属部品が搭載される印刷導体1
のコーナ部分から形成した場合を示している。この実施
例の場合においても、図中のB部では応力の発生が無い
ため断線が発生しない。
第3図(b)は延在部分10’、10″を2カ所設けた
実施例である。この場合、保護11A2の2つの延在部
分10′を中心部において互いに接続してもよいし、延
在部分10″のように互いに離しておいてらよい。いず
れにしても、金属部品4の中心部分においては応力の発
生が少ないため、この部分での断線は発生しない。
なお、延在部分の形状は特にこの実施例に限定されるも
のではなく、その延在部分が金属部品の搭載部の中央ま
で到達するように形成されていればよく、その本数も何
本であってもかまわない。
ただし、余り多くの延在部分Bを設けると金!&部品と
印刷導体1との半田付は面積が小ざくなってしまうため
、適当な本数にするのが望ましい。
また、金属部品には半田メッキ銅や半田メッキ鉄が用い
られるが、これに限らずどのような金属であってもよい
。さらに、そのサイズ、形状は、リード線を接続するた
めの直径2履程度の円形のものや、パワートランジスタ
をマウントするための1辺8履程度の方形のものなど、
種々のものがある。
(発明の効果) 以上の如く本発明では、保護膜の一部を金属部品と印刷
導体との接触部分の界面に介在させるように延長して金
属部品を半田付けするようにしたので、熱膨1瓜によっ
て生じる応力が起因する印刷導体の断線を防ぐことがで
きる。また、余分なスペースを必要としないため、集積
度の古い混成集積回路を実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す平面図および断面図、
第2図はその断面を示す斜視図、第3図は本発明の他の
実施例を示す平面図、第4図および第5図は従来の混成
集積回路の半田付は部分の構造を示す平面図および断面
図、第6図は従来の混成集積回路による劣化モードを説
明するための混成集積回路の半田付は部分の断面図、第
7図乃至第9図は従来の混成集積回路による応力緩和を
図るための手段を説明する断面図および平面図である。 1・・・印刷導体、2・・・保護膜、3・・・基板(セ
ラミック板)、4・・・金属部品、5・・・半田、10
゜10’、10″・・・保護膜の延在部分。 出願人代理人  猪  股     清ろ2 図 も3図(0)    ら4図 朽3 図(b)      も5 図 66 図 ル 67 図 ら8 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  印刷導体表面に被覆された保護膜を所定の部分だけ取
    り除いて前記導体表面を露出させ、この露出部分に金属
    部品を半田付けする混成集積回路において、前記保護膜
    の一部が前記金属部品と前記導体表面との間に介在する
    ように、前記保護膜を前記金属部品の外側の被覆部分か
    ら延在せしめたことを特徴とする混成集積回路。
JP6295185A 1985-03-27 1985-03-27 混成集積回路 Pending JPS61222138A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6295185A JPS61222138A (ja) 1985-03-27 1985-03-27 混成集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6295185A JPS61222138A (ja) 1985-03-27 1985-03-27 混成集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61222138A true JPS61222138A (ja) 1986-10-02

Family

ID=13215133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6295185A Pending JPS61222138A (ja) 1985-03-27 1985-03-27 混成集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61222138A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63197334U (ja) * 1987-06-10 1988-12-19
JPH02137069U (ja) * 1989-04-15 1990-11-15

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63197334U (ja) * 1987-06-10 1988-12-19
JPH02137069U (ja) * 1989-04-15 1990-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6339260B1 (en) Wire arrayed chip size package
JPH06295939A (ja) 半導体装置
JPH11354680A (ja) プリント配線基板とこれを用いた半導体パッケージ
JPH09260436A (ja) 半導体装置
JP2568748B2 (ja) 半導体装置
JPH07147347A (ja) 集積回路装置
US6833512B2 (en) Substrate board structure
JPH04233244A (ja) 集積回路アセンブリ
JPS61222138A (ja) 混成集積回路
JPS6114666B2 (ja)
US5256903A (en) Plastic encapsulated semiconductor device
JP2001118951A (ja) 半導体装置
JPH10150065A (ja) チップサイズパッケージ
JPH0410429A (ja) 半導体装置
JPH0666351B2 (ja) 半導体集積回路
JP2786047B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3589941B2 (ja) 半導体装置
JPH05326814A (ja) 電子回路素子搭載用リードフレーム
KR100427541B1 (ko) 패턴 필름 제조 방법 및 이를 이용한 칩 모듈
JP2822446B2 (ja) 混成集積回路装置
JPH05206622A (ja) プリント配線板
JPH05190586A (ja) 半導体装置
JPH04352463A (ja) リードフレームおよびこれを用いた半導体装置
JPH0380599A (ja) 電子回路モジュール
JPH02139880A (ja) 集積回路接続器