JPS61220378A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS61220378A JPS61220378A JP60060523A JP6052385A JPS61220378A JP S61220378 A JPS61220378 A JP S61220378A JP 60060523 A JP60060523 A JP 60060523A JP 6052385 A JP6052385 A JP 6052385A JP S61220378 A JPS61220378 A JP S61220378A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L31/02—Details
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- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アモルファスシリコンを用いた太陽電池に関
するものである。
するものである。
従来の技術
従来のアモルファスシリコン太陽電池は、ガラス基板上
に形成された透明導電膜上にモノシランガス(5iHa
)のグロー放電分解法により作成されるアモルファス
シリコン膜のP、I、N層を順次積層し、裏面電極とし
てアモルミニウム、チタン等の金属を真空蒸着法やスパ
ッタリング法等で形成して作られていた。
に形成された透明導電膜上にモノシランガス(5iHa
)のグロー放電分解法により作成されるアモルファス
シリコン膜のP、I、N層を順次積層し、裏面電極とし
てアモルミニウム、チタン等の金属を真空蒸着法やスパ
ッタリング法等で形成して作られていた。
発明が解決しよつ左する問題点
前述のようにして裏面電極を形成することは非常に面倒
である。
である。
また、裏面電極材料として社、その他に形成が極めて容
易な導電性樹脂も試みられていたが、このような材料を
用いて裏面電極を形成した場合、アモルファスシリコン
膜と導電性樹脂間に存在する接触抵抗が単位面積当りI
KΩ以上と大きく、これが、アモルファスシリコン太陽
電池の裏面電極材料として導電性樹脂を用いる際の障害
となっていた。
易な導電性樹脂も試みられていたが、このような材料を
用いて裏面電極を形成した場合、アモルファスシリコン
膜と導電性樹脂間に存在する接触抵抗が単位面積当りI
KΩ以上と大きく、これが、アモルファスシリコン太陽
電池の裏面電極材料として導電性樹脂を用いる際の障害
となっていた。
問題点を解決するための手段及び作用
アモルファスシリコンN層と微結晶シリコンN層を多層
重ね【、導電性樹脂を裏面電極として用いた際に裏面電
極との接触抵抗を減らして性能を向上できるようにした
ものである。
重ね【、導電性樹脂を裏面電極として用いた際に裏面電
極との接触抵抗を減らして性能を向上できるようにした
ものである。
実施例
第1図に示すように、ガラス基板1上に透明導電膜2、
アモルファスシリコンP層3、I層4、N層5より成る
アモルファスシリコン膜6、裏面電極となる導電性樹脂
7を順次積層すると共に、アモルファスシリコン膜6の
アモルファスシリコンN層5と導電性樹脂70間に通常
のアモルファスシリコンN層より2桁以上比抵抗の小さ
い微結晶シリコンN層8を形成する。この微結晶シリコ
ン膜はアモルファスシリコン膜と同様、モノシランガス
のグロー放電分解法によって得られるが、通常のアモル
ファスシリコン膜の形成条件より、ガス分解のための放
電パワーを5倍以上大きくする。こうして得られる膜に
は粒径100〜200A程度の微結晶が含まれており形
成される膜の比抵抗は通常のものより2桁以上小さい。
アモルファスシリコンP層3、I層4、N層5より成る
アモルファスシリコン膜6、裏面電極となる導電性樹脂
7を順次積層すると共に、アモルファスシリコン膜6の
アモルファスシリコンN層5と導電性樹脂70間に通常
のアモルファスシリコンN層より2桁以上比抵抗の小さ
い微結晶シリコンN層8を形成する。この微結晶シリコ
ン膜はアモルファスシリコン膜と同様、モノシランガス
のグロー放電分解法によって得られるが、通常のアモル
ファスシリコン膜の形成条件より、ガス分解のための放
電パワーを5倍以上大きくする。こうして得られる膜に
は粒径100〜200A程度の微結晶が含まれており形
成される膜の比抵抗は通常のものより2桁以上小さい。
このような微結晶シリコンN層を、従来のアモルファス
シリコンN層と導電性樹脂の間に100OA’程度形成
すると接触抵抗を単位面積当り10Ω以下にすることが
できる。その原理について説明すると第2図に示すよう
に、太陽電池内部で発生した電流(を子、正孔)は、ア
モルファスシリコンN層5及び微結晶シリコンN層gを
通って電流の取出口である裏面電極となる導電性樹脂7
に向うが裏面電極である導電性樹脂7は、バインダーと
なる樹脂7a中に数ミクロンのAt t )h−1−な
との金属粒子7bを含んでいる。このため微結晶シリコ
ンN層8と金属粒子7bは点で接触した形となっており
微結晶シリコンN層8中を流れる電流は轟然のことなが
ら点接触部に向って横方向に流れることになる。
シリコンN層と導電性樹脂の間に100OA’程度形成
すると接触抵抗を単位面積当り10Ω以下にすることが
できる。その原理について説明すると第2図に示すよう
に、太陽電池内部で発生した電流(を子、正孔)は、ア
モルファスシリコンN層5及び微結晶シリコンN層gを
通って電流の取出口である裏面電極となる導電性樹脂7
に向うが裏面電極である導電性樹脂7は、バインダーと
なる樹脂7a中に数ミクロンのAt t )h−1−な
との金属粒子7bを含んでいる。このため微結晶シリコ
ンN層8と金属粒子7bは点で接触した形となっており
微結晶シリコンN層8中を流れる電流は轟然のことなが
ら点接触部に向って横方向に流れることになる。
この際電流が横方向に流れても微結晶シリコンN層δの
比抵抗が小さいため抵抗によるジュール熱損失はアモル
ファスシリコンN層に比べて2桁以上小さく、これが導
電性樹脂7とアモルファスシリコン6のN層との接触抵
抗を小さくできる理由である。
比抵抗が小さいため抵抗によるジュール熱損失はアモル
ファスシリコンN層に比べて2桁以上小さく、これが導
電性樹脂7とアモルファスシリコン6のN層との接触抵
抗を小さくできる理由である。
第3図に、裏面電極として導電性樹脂を用いたアモルフ
ァスシリコン太陽電池において微結晶シリコンN層を設
けた場合と設けない場合との出力特性を示す。
ァスシリコン太陽電池において微結晶シリコンN層を設
けた場合と設けない場合との出力特性を示す。
(イ)が設けた場合の出力特性で、←)が設けない場合
の出力特性を示し、この結果からも微結晶シリコンN層
を設けた場合の出力特性が優れていることが判る・ 発明の効果 本発明は、アモルファスシリコン膜6ON層流れる電流
の横方向の流れに注目し、比抵抗の小さい微結晶シリコ
ンN層8を用いたので、導電性樹脂7をアモルファスシ
リコン太陽電池の裏面電極として適用しても、その両者
間の接触抵抗を低減して十分なる出力特性を得ることが
できる。
の出力特性を示し、この結果からも微結晶シリコンN層
を設けた場合の出力特性が優れていることが判る・ 発明の効果 本発明は、アモルファスシリコン膜6ON層流れる電流
の横方向の流れに注目し、比抵抗の小さい微結晶シリコ
ンN層8を用いたので、導電性樹脂7をアモルファスシ
リコン太陽電池の裏面電極として適用しても、その両者
間の接触抵抗を低減して十分なる出力特性を得ることが
できる。
したがって、裏面電極として導電性樹脂を用いて、その
形成を簡単にできるから全体の製造工程を簡略化できる
と共に、裏面電極をノくターニングしたい場合には導電
性樹脂をスクリーンプリントで形成すれば容易にノくタ
ーニングが可、能であり金属電極の場合のような蒸着形
成後のエツチング工程やあるいは形成時のマスク位置合
せ等の手間のかかる工程を大幅に省くことが可能である
。
形成を簡単にできるから全体の製造工程を簡略化できる
と共に、裏面電極をノくターニングしたい場合には導電
性樹脂をスクリーンプリントで形成すれば容易にノくタ
ーニングが可、能であり金属電極の場合のような蒸着形
成後のエツチング工程やあるいは形成時のマスク位置合
せ等の手間のかかる工程を大幅に省くことが可能である
。
第1図は本発明の実施例を示す断面図、第2図は原理説
明図、第3図はアモルファスシリコン太陽電池の出力特
性を示す表口である。 1はガラス基板、2は透明導電膜、3 、4 、5はア
モルファスシリコンP層、1層、N層、6はアモルファ
スシリコン膜、7は導電性樹脂、8位微結晶シリコンN
層。
明図、第3図はアモルファスシリコン太陽電池の出力特
性を示す表口である。 1はガラス基板、2は透明導電膜、3 、4 、5はア
モルファスシリコンP層、1層、N層、6はアモルファ
スシリコン膜、7は導電性樹脂、8位微結晶シリコンN
層。
Claims (1)
- ガラス基板1上に透明導電膜2、アモルファスシリコン
P層3、I膜4、N層5より成るアモルファスシリコン
膜6、裏面電極となる導電性樹脂7を積層したものにお
いて、前記アモルファスシリコンN層5と導電性樹脂7
との間に微結晶シリコン層8を介在させたことを特徴と
するアモルファスシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60060523A JPS61220378A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60060523A JPS61220378A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61220378A true JPS61220378A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13144752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60060523A Pending JPS61220378A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61220378A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4790883A (en) * | 1987-12-18 | 1988-12-13 | Porponth Sichanugrist | Low light level solar cell |
JPH01280365A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子 |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60060523A patent/JPS61220378A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4790883A (en) * | 1987-12-18 | 1988-12-13 | Porponth Sichanugrist | Low light level solar cell |
JPH01280365A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子 |
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