JPS61219887A

JPS61219887A - 電気の流れを制御するための装置

Info

Publication number: JPS61219887A
Application number: JP61063830A
Authority: JP
Inventors: ドナルド　ウイルバー　メイル
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1985-03-21
Filing date: 1986-03-20
Publication date: 1986-09-30
Anticipated expiration: 2009-06-29
Also published as: US4618770A; JPH0650345B2; KR900001031B1; KR860007574A; CA1240762A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕この発明は赤外光検出器により作動する電気的制御装置
、特に、赤外線の変化を検出する制御装置のための回路
に関するものである。

〔発明の背景〕

赤外線検出器は光や電気機器の制御に用いられている。

この検出器はある領域内における赤外線（熱）レベμの
変化を検出して、例えば、侵入警報器のような光や電気
機器をターンオンする。これらの機器は所定の時間ター
ンオン状態に維持され、赤外線レベルにそれ以上の変化
がなければ、その後ターンオフされる。

このような装置は赤外線の比較的小さな変化にも応答で
きることが望ましい。このような装置には、検出された
赤外線が上側の閾値を越えるか、又は下側の閾値以下に
低下すると出力を発生する窓弁別器（ウィンドー弁別器
）が用いられている。

米国特許第４　、１７９　、６９１号に示されているよ
うに、この種の弁別器の１つは２つの比較器を備えてい
る。一方の比較器はその反転入力に基準電圧が加えられ
ており、他方の比較器は非反転入力に上記よシも低い基
準電圧が加えられている。これらの基準電圧は例えば１
つの分圧器から得ることが出来る。各比較器の他方の入
力には赤外線検出器からの出力が供給される。

窓弁別器の感度、従って、装置全体の感度は窓の狭さ、
即ち、２つの基準電圧間の差に依存する。

上述した弁別器の典型例には、これらの基準電圧をいか
に近接して設定し得るかという実用上の限界がある。分
圧器に用いられる抵抗の許容誤差のために窓が上方ある
いは下方に移動する可能性がある。また、赤外線検出器
からの電圧入力もその回路構成中の許容誤差範囲によっ
て変動するであろう。従って、この窓は、回路素子の変
動による電圧変動を許容するに充分な高さを持たせる必
要がある。

〔発明の概要〕

この発明による電気の流れを調整するための制御装置は
、ある与えられた領域内における赤外線を検出する検出
器を備えている。この検出器の出力は第１の比較器の反
転入力と第２の比較器の非反転入力とに接続されている
。１つの分圧器によって３つの異なるバイアス電位が供
給される。この中の最も高い電位は第１の比較器の非反
転入力に供給され、一方、最も低い電位は第２の比較器
の反転入力に供給されている。更に、中間の電位は第１
の比較器の反転入力と第２の比較器の非反転入力の双方
に供給されている。これらの比較器の出力は、電気の流
れを制御するための別の回路に接続されている。

〔実施例の説明〕

図を参照すると、赤外線に応じて作動する装置のスイッ
チ１００は、１２０　Ｖの交流が供給される第１と第２
の電力端子１０１と１０２を備えている。第１の電力端
子１０１には第１の装置端子１０４が接続されている。

第２の装置端子１０６は装置の基準電位点（この実施例
では接地電位点とは異なる）に接続されている。！気装
置、例えば、照明器具１０８が装置端子１０４と１０６
の間に接続されている。以下、この発明を装置のスイッ
チについて説明するが、例えば、警報システムの侵入検
出器のような他のものにも用いることが可能であること
は言うまでもない。

キャパシタＣ８が装置基準電位点と第２の電力端子１０
２との間に接続されている。ＲＦ”フイμりのインダク
タＬ１の第１の端子が上記第２の電力端子１０２に接続
され、さらに、第２の端子がヒートシンク（図示せず）
上などに取付けられているようなサーマ／Ｉ／（熱的）
サーキットブレーカＨ１の一方のリードに接続されてい
る。サーキットブレーカＨ１の他方のリードは回路点１
３６においてキャパシタＣ７のリードに接続されている
。・抵抗Ｒ２７がキャパシタＣ７の他方のリードとツェ
ナーダイオードＺ１の陰極との間に接続されている。

ツェナーダイオードＺ１の陽極は装置基準電位点に接続
されている。ツェナーダイオードｚ１の陰極にはダイオ
ードＤ９の陽極が接続されておシ、ダイオードＤ９の陰
極は電圧調整器１０９の入力端子に接続されている。キ
ャパシタＣ９が電圧調整器１０９の入力端子と装置基準
電位点との間に接続されている。電圧調整器の出力端子
１１１は装置スイッチ１００に対して正の電圧源、この
場合は＋８．２■電源となる。

電界効果型の赤外線フオ））ランジスタ■１のソース・
ドレン導電路が抵抗Ｒ２９と直列に装置基準電位点と上
述の正電圧源との間に接続されている。トランジスタ■
１、この場合はＮチャンネル装置、のゲートは装置基準
電位点に直接接続されている。トランジスタ■１と抵抗
Ｒ２９との間の回路点１３０に抵抗Ｒ１の一方の端子が
接続されている。抵抗Ｒ１の他方の端子は、一方の端子
が演算増幅器（Ｏｐ　ａｍｐ　）　１１０の非反転入力
に接続されているキャパシタＣ２の他方のリードに接続
されている。抵抗Ｒ１の他方の端子と装置基準電位点と
の間にキャパシタＣ１が接続されている。演算増幅器１
１０の反転入力端子は抵抗Ｒ４を通して回路点１１２に
接続されている。また、回路点１１２と演算増幅器１１
０の非反転入力端子との間に抵抗Ｒ２が接続されている
。抵抗Ｒ６が回路点１１２を正電圧源に接続している。

また、装置基準電位点と回路点１１２との間には抵抗Ｒ
８が接続されている。

さらに、演算増幅器１１０の出力と反転入力端子との間
に抵抗Ｒ３とキャパシタＣ３の並列接続体が接続されて
いる。

演算増幅器１１０の出力端子と第１の比較器１１４０反
転入力端子及び第２の比較器１１６の非反転入力端子の
双方との間に結合キャパシタＣ３が接続されている。こ
のキャパシタＣ３は演算増幅１ｊ３ｕ。

と２つの比較器１１４．１１６との間を交流的に結合す
るが、演算増幅器１１０からの直流は阻止する。

比較器１１４と１１６が窓弁別器を構成する。抵抗ＲＩ
Ｏ１Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３が直列に接続されて、正
の電圧源と装置基準電位点との間で単一の分圧器を形成
している。抵抗ＲＩＯとＲｘ１の間の回路点は第１の比
較器１１４の非反転入力端子に接続されて、この入力端
子を第１の電位にバイアスしている。抵抗Ｒ１４が抵抗
Ｒ１１とＲ１２の間の回路点を第１の比較器１１４の反
転入力端子と第２の比較器１１６の非反転入力端子とに
結合して、これらの入力端子を上記第１の電位よりも小
さな第２の電位にバイアスしている。比較器１１６の反
転入力端子は抵抗′Ｒ１２トＲ１３の間の回路点に直接
接続されており、上記第１と第２の電位よシも低い第３
のバイアス電位が与えられている。抵抗ＲＩＯ−Ｒ１４
の値は、無人力状態で（即ち、演算増幅器１１０の出力
がキャパシタＣ３を通過しない時）、比較器１１４と１
１６の各々の２つの入力端子間に約６０ｍＶの電位差が
存在するように選ばれている。Ｒ１４の値を、例えば、
分圧器中の他の抵抗ＲＩＯ−Ｒ１４の値よりも数桁大き
くして、演算増幅ｌｉｄ　１１０の出力にょって分圧器
の電位が影響を受けることがないようにすることが出来
る。このように、比較器の全ての入力を単一の分圧器に
よってバイアスできるので、分圧器中の抵抗ＲＩＯ−Ｒ
１３の許容誤差のバラツキが比較器の全入力に共通して
影響することになり、その結果、相対的なバイアス電位
差へのこれらのバラツキの影響が相殺される。この構成
により、窓弁別器に非常に小さな電位差を用いることが
可能となシ、従って、非常に感度の良い回路が得られる
。

図の左側に示した可視光依存抵抗（ＬＤＲ）　Ｒ５がそ
の一端を正の電圧源に接続されておシ、他端が抵抗Ｒ３
１に接続されている。光依存抵抗の抵抗値は、それに入
射する光の強度に反比例する。抵抗Ｒ３１の他方の端子
は可変抵抗Ｒ７を通して装置基準電位点へ接続されてお
シ、更に、第３の比較器１２２の反転入力端子に接続さ
れている。

第３の比較器１２２の非反転入力端子は抵抗Ｒ１２りとＲ１３との間の回路点に接続された抵抗Ｒ３５によ八バイアスされている。帰還抵抗Ｒ９が第３の比較器１２
２の出力をその非反転入力端子に結合している。第３の
比較器１２２の出力と装置基準電位点との間には抵抗Ｒ
３６が接続されている。φ→更に、第３の比較器１２２
の出力にはダイオードＤ３の陽極が接続されておシ、そ
の陰極は回路点１２４に接続されている。抵抗Ｒ１７が
回路点１２４を装置基準電位点に、又、抵抗Ｒ１５が回
路点１２４を第２の２人力ＮＡＮＤゲート１２０の一方
の入力端子を接続している。比較器１１４と１１６の各
出力は第１の２人力ＮＡＮＤケ−）　１１８の別々の入
力端子に接続され、このＮＡＮＤゲート１１８の出力、
は第２のＮＡＮＤゲート１２０の他方の入力端子に接続
されている。

抵抗Ｒ３２が第２のＮＡＮＤゲー）　１２０の出力をダ
イオードＤ２の陰極に接続している。ダイオードＤ２の
陽極は第３の２人力ＮＡＮＤゲート１２６の一方の入力
端子１３８に接続されている。キャパシタｃ４が正電圧
源とＮＡＮＤゲート１２６の上記一方の入力端子１３８
との間に接続されている。ＮＡＮＤゲート１２６の他方
の入力端子は抵抗Ｒ３９を介して正電圧源に接続されて
いる。キャパシタＣ１４が装置基準電位点とＮＡＮＤゲ
ー）　１２６の上記他方の入力端子との間に接続されて
いる。ＮＡＮＤゲー）　１２６の出力は低部１８を通し
て第４のＮＡＮＤゲート１２８の一方の入力端子１３４
に接続されているうさらに、第３のＮＡＮＤゲート１２
６の出力にダイオードＤ４の陽極が接続されており、そ
の陰極は回路点１２４に接続されている。

第３のＮＡＮＤゲート１２６の出力と第２のＮＡＮＤゲ
ート１２０の入力端子１２５との間には、抵抗Ｒ３７と
キャパシタＣ５の直列接続体が接続されている。

トライアックＱ１の一方の導通端子（主端子）が回路４
．１３６に、他方の導通端子が装置基準電位点にそれぞ
れ接続されている。トライアックＱ１はサーキットブレ
ーカＨ１と同じヒートシンク（図示せず）上に取付けら
れている。このヒートシンクの大きさは、トライアック
の最大定格電流以上の電流が流れる前にサーキットブレ
ーカＨ１が開くように選択されている。直列抵抗Ｒ３０
とＲ３３が回路慨１３６と１４０の間に接続されている
。抵抗Ｒ２８が回路点１４０とダイオードＤ７の陽極と
の間に接続されている。ダイオードＤ７の陰極は第４の
ＮＡＮＤゲート１２８の他方の入力端子１３２に接続さ
れている。さらに、ＮＡＮＤゲート１２８のこの入力端
子１３２はキャパシタＣ６を通して装置基準電位点に結
合されている。

回路点１４０は抵抗Ｒ３４を介してＮＰＮ　）ランジス
タＱ３のベースに接続されており、このトランジスタＱ
３のエミッタは装置基準電位点に接続されている。更に
、このトランジスタＱ３のベースはバイアス抵抗Ｒ２６
を介して正電圧源に接続されており、そのコレクタは同
じく抵抗Ｒ２３を介して正電圧源に接続されている。ダ
イオードＤ５の陽極がトランジスタＱ３のコレクタに接
続されている。

ダイオードＤ５の陰極は、可変抵抗Ｒ１９と抵抗Ｒ１６
の直列回路を通して第３のＮＡＮＤゲート１２６の入力
端子１３８に結合されている。トランジスタＱ３のコレ
クタと第４のＮＡＮＤゲート１２８の端子１３２　ト１
７）間に抵抗Ｒ２４が接続されている。

第４のＮＡＮＤゲート１２８の出力は抵抗Ｒ２１を介し
てＰＮＰ　）ランジスタＱ、２のベースに接続されてい
る。トランジスタＱ、２のエミッタは正電圧源に、コレ
クタは抵抗Ｒ２２とＲ２５の直列接続体を介して装置基
準電位点に接続されている。抵抗Ｒ２２とＲ２５の接続
点はトライブックＱ１のゲートに接続すれている。

中央に「オート（自動）」位置を持つ単画双投スイッチ
ＳＷＩのアームが正電圧源に接続されている。スイッチ
Ｓｗ１のオフ端子はトランジスタＱ、２のベースに直接
接続されておシ、オン端子はＮＡＮＤゲート１２８の入
力端子１３４に直接接続されている。

この発明を用いる装置は、例えば、機器、即ち、図に示
すように、電気照明器具１０８の制御などに用いること
ができる。制御スイッチ１００が所定の領域内における
赤外線レベルは熱レベルの変化を検出し、熱の変化、即
ち温度上昇あるいは低下が生じると、機器を付勢する。

この回路は、太陽熱などによる遅い熱変化より、むしろ
、比較的速い熱変化、例えば、人間が上記領域内に侵入
した時などの変化に反応するように設計されている。使
用する検出器によっては、検出領域内での熱源の動きを
も検出することができる。更に、周囲可視光のレベルを
検出して、領域内の可視光線がある調整可能なレベル以
下になった時のみスイッチが働くようにすることができ
る。

図を参照すると、検出領域内の赤外線が増大すると、赤
外線検出器ｖ１が応答して回路点１３０の電圧を増大さ
せる。逆に、赤外線が低下すると、回路点１３０の電圧
が低下する。この電圧変化は高利得の演算増幅器１１０
によって増幅され、その出力信号は比較器１１４と１１
６とに供給される。増幅された電圧変化は第１の比較器
１１４の反転入力端子と第２の比較器１１６の俳反転入
力端子とにキャパシタＣ３を通して供給される。これら
２つの比較器は、熱変化が検出されない赤外線スイッチ
１００の零入力状態で、第２の比較ｉ　１１６の非反転
入力端子の電圧がその反転入力端子に与えられる電圧よ
りも高くなるようにバイアスが与えられている。

スイッチの感度を良好にするには、この電圧差は例えば
、約６　ｏｍＶ程度とすることができる。第１の比較器
１１４はその反転入力端子の電圧が非反転入力端子の電
圧よシも低い。この零入力状態では、これらの比較器の
出力は双方とも高出力レベルで、これが第１のＮＡＮＤ
ゲート１１８に供給されると、低出力が生成される。こ
の低い出力は第２のＮＡＮＤゲート１２０の出力状態を
変えることはできない。

しかし、赤外線検出器■１が感知領域内での赤外線（即
ち、熱）のレベル変化を検出すると、演算増幅器１１０
の出力電圧は変化する。この出力電圧の変化はキャパシ
タＣ３を通して比較器１１４と１１６の共通接続された
入力に供給される。（１）もし、より多くの熱が検出さ
れたとすると、比較器の共通入力の電圧が増加する。第
１の比較器１１４の反転入力の電圧がその非反転入力バ
イアス電圧を越えると、比較器１１４は低出力レベルを
発生し、この低出力レベルによって第１のＮＡＮＤゲー
ト１１８をトリガして高出力レベルを発生させる。（２
）もし、検出領域内での熱のレベルが低くなったことが
検出されると、比較器１１４と１１６の共通入力の電圧
が低下する。第２の比較器１１６の非反転入力の電圧が
その反転入力のバイアス電圧以下に低下すると、この比
較器１１６は低出力を発生し、この低出力が第１のＮＡ
ＮＤゲー）　１１８から高出力を発生させる。

この窓弁別器の比較器１１４と１１６の両人力をバイア
スするために単一の分圧回路を用いることにより、入力
間の電位差を小さくすることができ、従って、装置１０
０の感度を大きくできる。比較器の共通入力を基準入力
と同じ分圧器によシバイアスするので、演算増幅器１１
０の出力はバイアス源として用いられない。演算増幅器
出力の変化のみがバイアスレベルに影響する。従って、
検出器や演算増幅器における、例えば、成分素子の公差
などによる、バラツキによって、比較器の共通接続され
た入力のバイアスが変わることはない。更には、分圧器
の個々の抵抗ＲＩＯ〜Ｒ１３の公差のバフツキは装置の
動作に大きな影響を与えることはない。というのは、抵
抗の正規の値からの変動により、すべてのバイアス電位
がそれに相当する変化を示すからである。

周囲の可視光強度は光依存抵抗Ｒ５によって検出される
。抵抗Ｒ５、Ｒ３１及びＲ７によって形成される分圧器
が第３の比較器１２２の反転入力端子をバイアスしてい
る。可変抵抗Ｒ７の値が明るさ閾値を設定する。可視外
光がこの閾値レベル以下になると、第３の比較器１２２
の反転入力端子の電圧は、他方の入力端子の電圧よりも
低くなシ、従って、高出力が比較器１２２から生成され
る。この高出力はダイオードＤ３と抵抗Ｒ１５を通じて
ＮＡＮＤゲート１２０の他方の入力端子に供給される。

あるいは、第３の比較器１２２への入力を逆にして、可
視光が所定閾値を越えた時に高出力が生成されるように
してもよい。このように、種々の外光条件に応じたスイ
ッチを作るために、異なる装置を用いることができる。

機器スイッチ１００が作動する（即ち、機器をターンオ
ンする）ためには、第２のＮＡＮＤゲート１２０への両
人力が高くなければならない。即ち、光依存抵抗Ｒ５に
よって検出された可視光が閾値以下で、赤外線検出Ｍｖ
ｘが赤外線レベルの変化を検出しなければならない。こ
の２つの条件が両方共満足されると（即ち、ＮＡＮＤゲ
ート１２０への入力が共に高となると）、この第２のＮ
ＡＮＤゲー）　１２０は低出力を発生し、これがキャパ
シタＣ４を充電しかつ第３のＮＡＮＤゲート１２６から
高出力を生じさせる。ＮＡＮＤゲート１２６からの高出
力は抵抗Ｒ１８を通して第４のＮＡＮＤゲート１２８の
入力１３４に供給される。

当業者には、ある種の応用分野においては、検出論理を
反転して、ＮＡＮＤゲート１２６からの高出力によって
、通常はターンオンしている機器を輻射線の変化が検出
された時にターンオフするようにしてもよいことは明ら
かであろう。

ＮＡＮＤゲート１２８の他方の入力１３２には、２つの
信号源からの信号が与えられる。一方の信号源は抵抗Ｒ
３３、Ｒ３０及びＲ２８とダイオードＤ７とを介してＡ
Ｃ線路から与えられる。上記抵抗及びダイオードの値に
よって、入力１３２ケ、端子１０１と１０２の間の入力
線路電圧がある正の値、例えば、７０Ｖ以上になった時
、その閾値に達する。この時、ＮＡＮＤケ−）　１２８
の出力は低くなり、トランジスタＱ２をターンオンさせ
、それによって、トライアックＱ１がターンオンして、
照明器具１０８に対してＡＣ線路電圧の正の半サイクル
の残シが供給される。

ＮＡＮＤゲート１２８への他方の六方信号源はトランジ
スタＱ３のコレクタから与えられる。このコレクタは、
ベースをバイアスしトランジスタＱ、３を飽和させる抵
抗Ｒ２６を流れる電流のために、通常はほぼｏ■にある
。入力ＡＣ線路電圧が負の閾値、例えば、６５ｖに達す
ると、ベース電流がトランジスタＱ３から取除かれて、
コレクタが正の電圧になる。コレクタ信号は抵抗Ｒ２４
とキャパシタＣ６とによる時間遅延回路を通してＮＡＮ
Ｄゲート１２８の端子１３２に供給される。このコレク
タ信号遅延のたメｌｃ、端子１３２はトランジスタＱ、
３のコレクタが正になった後、約５０μ秒でその閾値に
達する。この時、ＮＡＮＤゲート１２８の出力は低とな
って、トランジスタＱ２、従ってトライアクＱ１をター
ンオンさせて、ＡＣ線路電圧の負の半サイクルの残りが
照明機具１０８に供給される。

赤外線検出器■１によって照明器具１０８が付勢された
後、感知領域内の赤外線レベルの変化がなくなる、即ち
、一定になると、第２のＮＡＮＤゲート１２０の出力が
高となる。しかし、第３のＮＡＮＤゲート１２６の入力
１３８は、ＮＡＮＤゲート１２０からの高出力が逆バイ
アスされたダイオードＤ２によって阻止されているので
、直ちに高とならない。ＡＣ線路電圧の各員の半サイク
ル中、トランジスタＱ、３がターンオフする時にこのト
ランジスタのコレクタに正のパルスが生成される。この
正のパルスは、ＮＡＮＤゲート１２０の出力が高（即ち
、Ｄ２が非導通）であれば、ダイオードＤ５と抵抗Ｒ１
９及びＲ１６とを通してキャパシタＣ４の電荷の一部を
放電させる。この正のパルスは約５０μ秒の持続時間を
有し、ＡＣ線路電圧の負の半サイクルによって１ランジ
ヌタＱ３がカットオフされる時点からトライアックＱ、
　ｌ　カターンオンする迄持続する。このパルスは１６
．６６７μ秒毎に１回発生するので、抵抗Ｒ１とＲ１９
及びキャパシタＣ４とによって形成されるＲＣ回路に適
当な大きさの素子を用いて長い放電時間を得ることがで
きる。ＲＣ回路の時定数は抵抗Ｒ１９によって調節でき
る。第３のＮＡＮＤゲート１２６の入力１３８において
、信号がある正の電圧レベル閾値を越えると、ゲート１
２６の出力が低となって照明器具１０８がターンオフさ
れる。従って、照明器具はＲＣ時定数によって設定され
る時間だけオン状態にとどまる。その時点で、もし、感
知領域内でそれ以上の熱の変化がなければ、照明器具は
オフのｔＳ、とどまる。この後、赤外線レベルが変化す
ると、照明具は再び付勢される。遅延期間中に、ＮＡＮ
Ｄゲート１２０の出力が再び低になると、キャパシタＣ
４が再び充電され、ＲＣ回路のタイミングサイクルがリ
セットされる。

照明器具がオンの時、ダイオードＤ４が回路点１２４、
従ってこれに接続されたＮＡＮＤゲート１２０の入力１
２５を高レベルにクランプする。このクランプ動作によ
って、光依存抵抗Ｒ５が、照明器具１０８の照明が検出
された時に、赤外線レベルが変化しているにもかかわら
す１サイクル後に照明器具をターンオフしてしまうこと
が防止される。この照明器具による照明は可視光閾値を
越える可能性があシ、その結果、回路は、電気制御スイ
ッチ１００が動作するように設定されている明るさレベ
ル以上のレベルに自然外光強度が達したかのように反応
する。ダイオードＤ４は、照明器具１０８がオンの時に
ＮＡＮＤゲー）　１２０の状態に比較器１２２の出力が
影響を与えないようにするＮＡＮＤゲート１２６がらの
出力に対して、帰還路を提供する。

この帰還クランプ機能は抵抗Ｒ３７とキャパシタＣ５に
よって更に強められる。この種の赤外光スイッチに従来
見られた問題の１つは、照明器具１０８が赤外線検出器
■１の視、野内にある場合、照明器具がターンオフ後、
冷えるにつれて、それが熱の変化として検出されてしま
い、その結果、照明器具が再びスイッチオンされ、これ
が果しなく繰返されてしまうことである。キャパシタＣ
５と抵抗Ｒ１５及びＲ３７が、照明器具１０８のターン
オフ後、赤外線検出器■１によって検出された赤外線レ
ベルのいかなる変化にも回路が反応しない時間を決める
。各素子が次のような値を持っているとする。

抵抗Ｒ１５が９−ＩＭＱ、抵抗Ｒ３７がｌ０ＫＱ、キャ
パシタＣ５が０．１　ｕＦＯＮＡＮＤゲート１２６　ノ
出力が高（照明器具がオン）の時、キャパシタＣ５は約
０．６Ｖ　（ダイオードＤ４の両端間の電圧降下）まで
充電される。ＮＡＮＤゲート１２６が低となって、照明
が消えると、ＮＡＮＤゲート１２０の入力端子１２５が
キャパシタＣ５の電荷によって一〇、６ｖまで駆動され
る。

そこで、可視光が設定された閾値以下になると、端子１
２５の電圧は、比較器１２２からダイオードＤ３と抵抗
Ｒ１５とＲ３７を通して与えられる高電圧レベルによっ
てキャパシタＣ５が充電されるにつれて、約＋８■まで
ゆっくりと上昇する。入力端子１２５がその閾値電圧よ
り低い間は、ＮＡＮＤゲート１２０の他方の入力端子に
おけるいかなる変化もその出力に影響を与えない。従っ
て、赤外線検出回路のＮＡＮＤゲート１１８の出力が制
御スイッチ１００を付勢することが防止される。赤外線
制御が非作動のこの期間中に、端子１０４と１０６に接
続されている熱を発生する機器が冷えることが出来、次
に熱の変化が生じると、それが検出されてスイッチが制
御される。

【図面の簡単な説明】

図はこの発明を実施した電気機器スイッチの概略回路図
である。 ■１・・・赤外線検出語、ＲＩＯ〜Ｒ１３・・・分圧器
を構成する抵抗、１１４・・・第１の比較器、１１６・
・・第２の比較器、Ｒ］、４・・・中間電位回路点を比
較器に結合する手段、１１８・・・制御装置付勢手段の
一部であるＮＡＮＤゲート。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）与えられた領域内の赤外線を検出する手段と窓弁
別器とを含む電気の流れを制御するための装置であつて
、上記窓弁別器が、それぞれ相対的に高、中、低の３つの異なる電位を供給
する３つの回路点を備えた分圧器と、上記分圧器の高電
位を供給する回路点に接続された非反転入力端子と上記
赤外線検出手段の出力に結合された反転入力端子とを有
する第１の比較器と、上記分圧器の低電位を供給する回路点に接続された反転
入力端子と上記赤外線検出手段の出力に接続された非反
転入力端子とを有する第２の比較器と、上記分圧器の中間電位を供給する回路点を上記第１の比
較器の反転入力端子と第２の比較器の非反転入力端子の
双方に結合する手段と、これら比較器の出力に応答して電気の制御装置を付勢す
る手段、とを含むものである電気の流れを制御するための装置。