JPH0650345B2

JPH0650345B2 - 電気の流れを制御するための装置

Info

Publication number: JPH0650345B2
Application number: JP61063830A
Authority: JP
Inventors: ウイルバーメイルドナルド
Original assignee: バールテクノロジースインコーポレイテツド
Priority date: 1985-03-21
Filing date: 1986-03-20
Publication date: 1994-06-29
Anticipated expiration: 2009-06-29
Also published as: KR860007574A; CA1240762A; JPS61219887A; KR900001031B1; US4618770A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕この発明は赤外光検出器により作動する電気的制御装
置、特に、赤外線の変化を検出する制御装置のための回
路に関するものである。

〔発明の背景〕

赤外線検出器は光や電気機器の制御に用いられている。
この検出器はある領域内における赤外線（熱）レベルの
変化を検出して、例えば、照明用ライトや侵入警報器の
ような電気機器をターンオンする。これらの機器は所定
の時間ターンオン状態に維持され、赤外線レベルにそれ
以上の変化がなければ、その後ターンオフされる。

このような装置は赤外線の比較的小さな変化にも応答で
きることが望ましい。このような装置には、検出された
赤外線が上側の閾値を越えるか、又は下側の閾値以下に
低下すると出力を発生する窓弁別器（ウインドー弁別
器）が用いられている。米国特許第４，１７９，６９１
号に示されているように、この種の弁別器の１つは２つ
の比較器を備えている。一方の比較器はその反転入力に
基準電圧が加えられており、他方の比較器は非反転入力
に上記よりも低い基準電圧が加えられている。これらの
基準電圧は例えば１つの分圧器から得ることが出来る。
各比較器の他方の入力には赤外線検出器からの出力が供
給される。

窓弁別器の感度、従つて、装置全体の感度は窓の狭さ、
即ち、２つの基準電圧間の差に依存する。上述した弁別
器の典型例には、これらの基準電圧をいかに近接して設
定し得るかという実用上の限界がある。分圧器に用いら
れる抵抗の許容誤差のために窓が上方あるいは下方に移
動する可能性がある。また、赤外線検出器からの電圧入
力もその回路構成中の許容誤差範囲によつて変動するで
あろう。従つて、この窓は、回路素子の変動による電圧
変動を許容するに充分な高さを持たせる必要がある。

〔発明の概要〕

この発明による電気の流れを調整するための制御装置
は、ある与えられた領域内における赤外線を検出する検
出器を備えている。この検出器の出力は第１の比較器の
反転入力と第２の比較器の非反転入力とに接続されてい
る。１つの分圧器によつて３つの異なるバイアス電位が
供給される。この中の最も高い電位は第１の比較器の非
反転入力に供給され、一方、最も低い電位は第２の比較
器の反転入力に供給されている。更に、中間の電位は第
１の比較器の反転入力と第２の比較の非反転入力の双方
に供給されている。これらの比較器の出力は、電気の流
れを制御するための別の回路に接続されている。

〔実施例の説明〕

図を参照すると、赤外線に応じて作動する装置のスイツ
チ１００は、１２０Ｖの交流が供給される第１と第２の
電力端子１０１と１０２を備えている。第１の電力端子
１０１には第１の装置端子１０４が接続されている。第
２の装置端子１０６は装置の基準電位点（この実施例で
は接地電位点とは異なる）に接続されている。電気装
置、例えば、照明器具１０８が装置端子１０４と１０６
の間に接続されている。以下、この発明を装置のスイツ
チについて説明するが、例えば、警報システムの侵入検
出器のような他のものにも用いることが可能であること
は言うまでもない。

キヤパシタＣ８が装置基準電位点と第２の電力端子１０
２との間に接続されている。ＲＦフイルタのインダクタ
Ｌ１の第１の端子が上記第２の電力端子０２に接続さ
れ、さらに、第２の端子がヒートシンク（図示せず）上
などに取付けられているようなサーマル（熱的）サーキ
ツトブレーカＨ１の一方のリードに接続されている。サ
ーキツトブレーカＨ１の他方のリードは回路点１３６に
おいてキヤパシタＣ７のリードに接続されている。抵抗
Ｒ２７がキヤパシタＣ７の他方のリードとツエナーダイ
オードＺ１の陰極との間に接続されている。ツエナーダ
イオードＺ１の陽極は装置基準電位点に接続されてい
る。ツエナーダイオードＺ１の陰極にはダイオードＤ９
の陽極が接続されており、ダイオードＤ９の陰極は電圧
調整器１０９の入力端子に接続されている。キヤパシタ
Ｃ９が電圧調整器１０９の入力端子と装置基準電位点と
の間に接続されている。電圧調整器の出力端子１１１は
装置スイツチ１００に対して正の電圧源、この場合は＋
８．２Ｖ電源となる。

電界効果型の赤外線フオトトランジスタＶ１のソース・
ドレン導電路が抵抗Ｒ２９と直列に装置基準電位点と上
述の正電圧源との間に接続されている。トランジスタＶ
１、この場合はＮチヤンネル装置、のゲートは装置基準
電位点に直接接続されている。トランジスタＶ１と抵抗
Ｒ２９との間の回路点１３０に抵抗Ｒ１の一方の端子が
接続されている。抵抗Ｒ１の他方の端子は、一方の端子
が演算増幅器（ｏｐａｍｐ）１１０の非反転入力に接
続されているキヤパシタＣ２の他方のリードに接続され
ている。抵抗Ｒ１の他方の端子と装置基準電位点との間
にキヤパシタＣ１が接続されている。演算増幅器１１０
の反転入力端子は抵抗Ｒ４を通して回路点１１２に接続
されている。また、回路点１１２と演算増幅器１１０の
非反転入力端子との間に抵抗Ｒ２が接続されている。抵
抗Ｒ６が回路点１１２を正電圧源に接続している。ま
た、装置基準電位点と回路点１１２との間には抵抗Ｒ８
が接続されている。さらに、演算増幅器１１０の出力と
反転入力端子との間に抵抗Ｒ３とキヤパシタＣ１３の並
列接続体が接続されている。

演算増幅器１１０の出力端子と第１の比較器１１４の反
転入力端子及び第２の比較器１１６の非反転入力端子の
双方との間に結合キヤパシタＣ３が接続されている。こ
のキヤパシタＣ３は演算増幅器１１０と２つの比較器１
１４、１１６との間を交流的に結合するが、演算増幅器
１１０からの直流は阻止する。比較器１１４と１１６が
窓弁別器を構成する。抵抗Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２及び
Ｒ１３が直列に接続されて、正の電圧源と装置基準電位
点との間で単一の分圧器を形成している。抵抗Ｒ１０と
Ｒ１１の間の回路点は第１の比較器１１４の非反転入力
端子に接続されて、この入力端子を第１の電位にバイア
スしている。抵抗Ｒ１４が抵抗Ｒ１１とＲ１２の間の回
路点を第１の比較器１１４の反転入力端子と第２の比較
器１１６の非反転入力端子とに結合して、これらの入力
端子を上記第１の電位よりも低い第２の電位にバイアス
している。比較器１１６の反転入力端子は抵抗Ｒ１２と
Ｒ１３の間の回路点に直接接続されており、上記第１と
第２の電位よりも低い第３のバイアス電位が与えられて
いる。抵抗Ｒ１０〜Ｒ１４の値は、無入力状態で（即
ち、演算増幅器１１０の出力がキヤパシタＣ３を通過し
ない時）、比較器１１４と１１６の各々の２つの入力端
子間に約６０ｍＶの電位差が存在するように選ばれてい
る。Ｒ１４の値を、例えば、分圧器中の他の抵抗Ｒ１０
〜Ｒ１３の値よりも数桁大きくして、演算増幅器１１０
の出力によつて分圧器の電位が影響を受けることがない
ようにすることが出来る。このように、比較器の全ての
入力を単一の分圧器によつてバイアスできるので、分圧
器中の抵抗Ｒ１０〜Ｒ１３の許容誤差のバラツキが比較
器の全入力に共通して影響することになり、その結果、
相対的なバイアス電位差へのこれらのバラツキの影響が
相殺される。この構成により、窓弁別器に非常に小さな
電位差を用いることが可能となり、従つて、非常に感度
の良い回路が得られる。

図の左側に示した可視光依存抵抗（ＬＤＲ）Ｒ５がその
一端を正の電圧源に接続されており、他端が抵抗Ｒ３１
に接続されている。光依存抵抗の抵抗値は、それに入射
する光の強度に反比例する。抵抗Ｒ３１の他方の端子は
可変抵抗Ｒ７を通して装置基準電位点へ接続されてお
り、更に、第３の比較器１２２の反転入力端子に接続さ
れている。

第３の比較器１２２の非反転入力端子は抵抗Ｒ１２とＲ
１３との間の回路点に接続された抵抗Ｒ３５によりバイ
アスされている。帰還抵抗Ｒ９が第３の比較器１２２の
出力をその非反転入力端子に結合している。第３の比較
器１２２の出力と装置基準電位点との間には抵抗Ｒ３６
が接続されている。更に、第３の比較器１２２の出力は
ダイオードＤ３の陽極が接続されており、その陰極は回
路点１２４に接続されている。抵抗Ｒ１７が回路点１２
４を装置基準電位点に、又、抵抗Ｒ１５が回路点１２４
を第２の２入力ＮＡＮＤゲート１２０の一方の入力端子
を接続している。比較器１１４と１１６の各出力は第１
の２入力ＮＡＮＤゲート１１８の別々の入力端子に接続
され、このＮＡＮＤゲート１１８の出力は第２のＮＡＮ
Ｄゲート１２０の他方の入力端子に接続されている。

抵抗Ｒ３２が第２のＮＡＮＤゲート１２０の出力をダイ
オードＤ２の陰極に接続している。ダイオードＤ２の陽
極は第３の２入力ＮＡＮＤゲート１２６の一方の入力端
子１３８に接続されている。キヤパシタＣ４が正電圧源
とＮＡＮＤゲート１２６の上記一方の入力端子１３８と
の間に接続されている。ＮＡＮＤゲート１２６の他方の
入力端子は抵抗Ｒ３９を介して正電圧源に接続されてい
る。キヤパシタＣ１４が装置基準電位点とＮＡＮＤゲー
ト１２６の上記他方の入力端子との間に接続されてい
る。ＮＡＮＤゲート１２６の出力は抵抗Ｒ１８を通して
第４のＮＡＮＤゲート１２８の一方の入力端子１３４に
接続されている。さらに、第３のＮＡＮＤゲート１２６
の出力にダイオードＤ４の陽極が接続されており、その
陰極は回路点１２４に接続されている。第３のＮＡＮＤ
ゲート１２６の出力と第２のＮＡＮＤゲート１２０の入
力端子１２５との間には、抵抗Ｒ３７とキヤパシタＣ５
の直列接続体が接続されている。

トライアツクＱ１の一方の導通端子（主端子）が回路点
１３６に、他方の導通端子が装置基準電位点にそれぞれ
接続されている。トライアツクＱ１はサーキツトブレー
カＨ１と同じヒートシンク（図示せず）上に取付けられ
ている。このヒートシンクの大きさは、トライアツクの
最大定格電流以上の電流が流れる前にサーキツトブレー
カＨ１が開くように選択されている。直列抵抗Ｒ３０と
Ｒ３３が回路点１３６と１４０の間に接続されている。
抵抗Ｒ２８が回路点１４０とダイオードＤ７の陽極との
間に接続されている。ダイオードＤ７の陰極は第４のＮ
ＡＮＤゲート１２８の他方の入力端子１３２に接続され
ている。さらに、ＮＡＮＤゲート１２８のこの入力端子
１３２はキヤパシタＣ６を通して装置基準電位点に結合
されている。

回路点１４０は抵抗Ｒ３４を介してＮＰＮトランジスタ
Ｑ３のベースに接続されており、このトランジスタＱ３
のエミツタは装置基準電位点に接続されている。更に、
このトランジスタＱ３のベースはバイアス抵抗Ｒ２６を
介して正電圧源に接続されており、そのコレクタは同じ
く抵抗Ｒ２３を介して正電圧源に接続されている。ダイ
オードＤ５の陽極がトランジスタＱ３のコレクタに接続
されている。ダイオードＤ５の陰極は、可変抵抗Ｒ１９
と抵抗Ｒ１６の直列回路を通して第３のＮＡＮＤゲート
１２６の入力端子１３８に結合されている。トランジス
タＱ３のコレクタと第４のＮＡＮＤゲート１２８の端子
１３２との間に抵抗Ｒ２４が接続されている。

第４のＮＡＮＤゲート１２８の出力は抵抗Ｒ２１を介し
てＰＮＰトランジスタＱ２のベースに接続されている。
トランジスタＱ２のエミツタは正電圧源に、コレクタは
抵抗Ｒ２２とＲ２５の直列接続体を介して装置基準電位
点に接続されている。抵抗Ｒ２２とＲ２５の接続点はト
ライアツクＱ１のゲートに接続されている。

中央に「オート（自動）」位置を持つ単極双投スイツチ
ＳＷ１のアームが正電圧源に接続されている。スイツチ
ＳＷ１のオフ端子はトランジスタＱ２のベースに直接接
続されており、オン端子はＮＡＮＤゲート１２８の端子
１３４に直接接続されている。

この発明を用いる装置は、例えば、機器、即ち、図に示
すように、電気照明器具１０８の制御などに用いること
ができる。制御スイツチ１００が所定の領域内における
赤外線レベルまたは熱レベルの変化を検出し、熱の変
化、即ち温度上昇あるいは低下が生じると、機器を付勢
する。この回路は、太陽熱などによる遅い熱変化より、
むしろ、比較的速い熱変化、例えば、人間が上記領域内
に侵入した時などの変化に反応するように設計されてい
る。使用する検出器によつては、検出領域内での熱源の
動きも検出することができる。更に、周囲可視光のレベ
ルを検出して、領域内の可視光線がある調整可能なレベ
ル以下になつた時のみスイツチが働くようにすることが
できる。

図を参照すると、検出領域内の赤外線が増大すると、赤
外線検出器Ｖ１が応答して回路点１３０の電圧を増大さ
せる。逆に、赤外線が低下すると、回路点１３０の電圧
が低下する。この電圧変化は高利得の演算増幅器１１０
によつて増幅され、その出力信号は比較器１１４と１１
６とに供給される。増幅された電圧変化は第１の比較器
１１４の反転入力端子と第２の比較器１１６の非反転入
力端子とにキヤパシタＣ３を通して供給される。これら
２つの比較器は、熱変化が検出されない赤外線スイツチ
１００の零入力状態で、第２の比較器１１６の非反転入
力端子の電圧がその反転入力端子に与えられる電圧より
も高くなるようにバイアスが与えられている。スイツチ
の感度を良好にするには、この電圧差は例えば、約６０
ｍＶ程度とすることができる。第１の比較器１１４はそ
の反転入力端子の電圧が非反転入力端子の電圧よりも低
い。この零入力状態では、これらの比較器の出力は双方
とも高出力レベルで、これが第１のＮＡＮＤゲート１１
８に供給されると、低出力が生成される。この低い出力
は第２のＮＡＮＤゲート１２０の出力状態を変えること
はできない。

しかし、赤外線検出器Ｖ１が感知領域内での赤外線（即
ち、熱）のレベル変化を検出すると、演算増幅器１１０
の出力電圧は変化する。この出力電圧の変化はキヤパシ
タＣ３を通して比較器１１４と１１６の共通接続された
入力に供給される。(1)もし、より多くの熱が検出され
たとすると、比較器の共通入力の電圧が増加する。第１
の比較器１１４の反転入力の電圧がその非反転入力バイ
アス電圧を越えると、比較器１１４は低出力レベルを発
生し、この低出力レベルによつて第１のＮＡＮＤゲート
１１８をトリガして高出力レベルを発生させる。(2)も
し、検出領域内での熱のレベルが低くなったことが検出
されると、比較器１１４と１１６の共通入力の電圧が低
下する。第２の比較器１１６の非反転入力の電圧がその
反転入力のバイアス電圧以下に低下すると、この比較器
１１６は低出力を発生し、この低出力が第１のＮＡＮＤ
ゲート１１８から高出力を発生させる。

この窓弁別器の比較器１１４と１１６の両入力をバイア
スするために単一の分圧回路を用いることにより、入力
間の電位差を小さくすることができ、従つて、装置１０
０の感度を大きくできる。比較器の共通入力を基準入力
と同じ分圧器によりバイアスするので、演算増幅器１１
０の出力はバイアス源として用いられない。演算増幅器
出力の変化のみがバイアスレベルに影響する。従つて、
検出器や演算増幅器における、例えば、成分素子の公差
などによる、バラツキによつて、比較器の共通接続され
た入力のバイアスが変わることはない。更には、分圧器
の個々の抵抗Ｒ１０〜Ｒ１３の公差のバラツキは装置の
動作に大きな影響を与えることはない。というのは、抵
抗の正規の値からの変動により、すべてのバイアス電位
がそれぞれに相当する変化を示すからである。

周囲の可視光強度は光依存抵抗Ｒ５によつて検出され
る。抵抗Ｒ５、Ｒ３１及びＲ７によつて形成される分圧
器が第３の比較器１２２の反転入力端子をバイアスして
いる。可変抵抗Ｒ７の値が明るさ閾値を設定する。可視
外光がこの閾値レベル以下になると、第３の比較器１２
２の反転入力端子の電圧は、他方の入力端子の電圧より
も低くなり、従つて、高出力が比較器１２２から生成さ
れる。この高出力はダイオードＤ３と抵抗Ｒ１５を通じ
てＮＡＮＤゲート１２０の他方の入力端子に供給され
る。あるいは、第３の比較器１２２へのを逆にして、可
視光が所定閾値を越えた時に高出力が生成されるように
してもよい。このように、種々の外光条件に応じたスイ
ツチを作るために、異なる装置を用いることができる。

機器スイツチ１００が作動する（即ち、機器をターンオ
ンする）ためには、第２のＮＡＮＤゲート１２０への両
入力が高くなければならない。即ち、光依存抵抗Ｒ５に
よつて検出された可視光が閾値以下で、赤外線検出器Ｖ
１が赤外線レベルの変化を検出しなければならない。こ
の２つの条件が両方共満足されると（即ち、ＮＡＮＤゲ
ート１２０への入力が共に高となると）、この第２のＮ
ＡＮＤゲート１２０は低出力を発生し、これがキヤパシ
タＣ４を充電しかつ第３のＮＡＮＤゲート１２６から高
出力を生じさせる。ＮＡＮＤゲート１２６からの高出力
は抵抗Ｒ１８を通して第４のＮＡＮＤゲート１２８の入
力１３４に供給される。

当業者には、ある種の応用分野においては、検出論理を
反転して、ＮＡＮＤゲート１２６から高出力によつて、
通常はターンオンしている機器を輻射線の変化が検出さ
れた時にターンオフするようにしてもよいことは明らか
であろう。

ＮＡＮＤゲート１２８の他方の入力１３２には、２つの
信号源からの信号が与えられる。一方の信号源は抵抗Ｒ
３３、Ｒ３０及びＲ２８とダイオードＤ７とを介してＡ
Ｃ線路から与えられる。上記抵抗及びダイオードの値に
よつて、入力１３２は、端子１０１と１０２の間の入力
線路電圧がある正の値、例えば、７０Ｖ以上になつた
時、その閾値に達する。この時、ＮＡＮＤゲート１２８
の出力は低くなり、トランジスタＱ２をターンオンさ
せ、それによつて、トライアツクＱ１がターンオンし
て、照明器具１０８に対してＡＣ線路電圧の正の半サイ
クルの残りが供給される。

ＮＡＮＤゲート１２８への他方の入力信号源はトランジ
スタＱ３のコレクタから与えられる。このコレクタは、
ベースをバイアスしトランジスタＱ３を飽和させる抵抗
Ｒ２６を流れる電流のために、通常にほぼＯＶにある。
ＡＣ線路電圧が負の閾値、例えば、６５Ｖに達すると、
ベース電流がトランジスタＱ３から取除かれて、コレク
タが正の電圧になる。コレクタ信号は抵抗Ｒ２４とキヤ
パシタＣ６とによる時間遅延回路を通してＮＡＮＤゲー
ト１２８の端子１３に供給される。このコレクタ信号遅
延のために、端子１３２はトランジスタＱ３のコレクタ
が正になつた後、約５０μ秒でその閾値に達する。この
時、ＮＡＮＤゲート１２８の出力は低となつて、トラン
ジスタＱ２、従つてトライアクＱ１をターンオンさせ
て、ＡＣ線路電圧の負の半サイクルの残りが照明器具１
０８に供給される。

赤外線検出器Ｖ１によつて照明器具１０８が付勢された
後、感知領域内の赤外線レベルの変化がなくなる、即
ち、一定になると、第２のＮＡＮＤゲート１２０の出力
が高となる。しかし、第３のＮＡＮＤゲート１２６の入
力１３８は、ＮＡＮＤゲート１２０からの高出力が逆バ
イアスされたダイオードＤ２によつて阻止されているの
で、直ちに高とならない。ＡＣ線路電圧の各負サイクル
中、トランジスタＱ３がターンオフする時にこのトラン
ジスタのコレクタに正のパルスが生成される。この正の
パルスは、ＮＡＮＤゲート１２０の出力が高（即ち、Ｄ
２が非導通）であれば、ダイオードＤ５と抵抗Ｒ１９及
びＲ１６とを通してキヤパシタＣ４の電荷の一部を放電
させる。この正のパルスは約５０μ秒の持続時間を有
し、ＡＣ線路電圧の負の半サイクルによつてトランジス
タＱ３がカツトオフされる時点からトライアツクＱ１が
ターンオンする迄持続する。このパルスは１６，６６７
μ秒毎に１回発生するので、抵抗Ｒ１６とＲ１９及びキ
ヤパシタＣ４とによつて形成されるＲＣ回路に適当な大
きさの素子を用いて長い放電時間を得ることができる。
ＲＣ回路の時定数は抵抗Ｒ１９によつて調節できる。第
３のＮＡＮＤゲート１２６の入力１３８において、信号
がある正の電圧レベル閾値を越えると、ゲート１２６の
出力が低となつて照明器具１０８がターンオフされる。
従つて、照明器具はＲＣ時定数によつて設定される時間
だけオン状態にとどまる。その時点で、もし、感知領域
内でそれ以上の熱の変化がなければ、照明器具はオフの
まゝとどまる。この後、赤外線レベルが変化すると、照
明具は再び付勢される。遅延期間中に、ＮＡＮＤゲート
１２０の出力が再び低になると、キヤパシタＣ４が再び
放電され、ＲＣ回路のタイミングサイクルがリセツトさ
れる。

照明器具がオンの時、ダイオードＤ４が回路点１２４、
従つてこれに接続されたＮＡＮＤゲート１２０の１２５
を高レベルにクランプする。このクランプ動作によつ
て、光依存抵抗Ｒ５が、照明器具１０８の照明が検出さ
れた時に、赤外線レベルが変化しているにもかかわらず
１サイクル後に照明器具をターンオフしてしまうことが
防止される。この照明器具による照明は可視光閾値を越
える可能性があり、その結果、回路は、電気制御スイツ
チ１００が動作するように設定されている明るさレベル
以上のレベルに自然光強度が達したかのように反応す
る。ダイオードＤ４は、照明器具１０８がオンの時にＮ
ＡＮＤゲート１２０の状態に比較器１２２の出力が影響
を与えないようにするＮＡＮＤゲート１２６からの出力
に対して、帰還路を提供する。

この帰還クランプ機能は抵抗Ｒ３７とキヤパシタＣ５に
よつて更に強められる。この種の赤外光スイツチに従来
見られた問題の１つは、照明器具１０８が赤外線検出器
Ｖ１の視野内にある場合、照明器具がターンオフ後、冷
えるにつれて、それが熱の変化として検出されてしま
い、その結果、照明器具が再びスイツチオンされ、これ
が果しなく繰返されてしまうことである。キヤパシタＣ
５と抵抗Ｒ１５及びＲ３７が、照明器具１０８のターン
オフ後、赤外線検出器Ｖ１によつて検出された赤外線レ
ベルのいかなる変化にも回路が反応しない時間を決め
る。各素子が次のような値を持つているとする。抵抗Ｒ
１５が９．１ＭΩ、抵抗Ｒ３７が１０ＫΩ、キヤパシタ
Ｃ５が０．１μＦ。ＮＡＮＤゲート１２６の出力が高
（照明器具がオン）の時、キヤパシタＣ５は約０．６Ｖ
（ダイオードＤ４の両端間の電圧降下）まで充電され
る。ＮＡＮＤゲート１２６が低となつて、照明が消える
と、ＮＡＮＤゲート１２０の入力端子１２５がキヤパシ
タＣ５の電荷によつて−０．６Ｖまで駆動される。そこ
で、可視光が設定された閾値以下になると、端子１２５
の電圧は、比較器１２２からダイオードＤ３と抵抗Ｒ１
５とＲ３７を通して与えられる高電圧レベルによつてキ
ヤパシタＣ５が充電されるにつれて、約＋８Ｖまでゆつ
くりと上昇する。入力端子１２５がその閾値電圧より低
に間は、ＮＡＮＤゲート１２０の他方の入力端子におけ
るいかなる変化もその出力に影響を与えない。従つて、
赤外線検出回路のＮＡＮＤゲート１１８の出力が制御ス
イツチ１００を付勢することが防止される。赤外線制御
が非作動のこの期間中に、端子１０４と１０６に接続さ
れている熱を発生する機器が冷えることが出来、次に熱
の変化が生じると、それが検出されてスイツチが制御さ
れる。

【図面の簡単な説明】

図はこの発明を実施した電気機器スイツチの概略回路図
である。Ｖ１……赤外線検出器、Ｒ１０〜Ｒ１３……分圧器を構
成する抵抗、１１４……第１の比較器、１１６……第２
の比較器、Ｒ１４……中間電位回路点を比較器に結合す
る手段、１１８……制御装置付勢手段の一部であるＮＡ
ＮＤゲート。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】与えられた領域内の赤外線を検出する手段
と窓弁別器とを含む電気の流れを制御するための装置で
あって、上記窓弁別器が、それぞれ相対的に高、中、低の３つの異なる電位を供給
する３つの回路点を備えた分圧器と、上記分圧器の高電位を供給する回路点に接続された非反
転入力端子と上記赤外線検出手段の出力に結合された反
転入力端子とを有する第１の比較器と、上記分圧器の低電位を供給する回路点に接続された反転
入力端子と上記赤外線検出手段の出力に接続された非反
転入力端子とを有する第２の比較器と、上記分圧器の中間電位を供給する回路点を上記第１の比
較器の反転入力端子と第２の比較器の非反転入力端子の
双方に結合する手段と、これら比較器の出力に応答して電気の流れの制御を開始
する手段、とを含むものである電気の流れを制御するための装置。