JPS61215526A - 液晶表示装置用電極板 - Google Patents
液晶表示装置用電極板Info
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- JPS61215526A JPS61215526A JP60057176A JP5717685A JPS61215526A JP S61215526 A JPS61215526 A JP S61215526A JP 60057176 A JP60057176 A JP 60057176A JP 5717685 A JP5717685 A JP 5717685A JP S61215526 A JPS61215526 A JP S61215526A
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- transparent electrode
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- liquid crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、フルカラー液晶ディスプレイ用のカラーフィ
ルターに用いられる液晶表示装置用電極板に関する。
ルターに用いられる液晶表示装置用電極板に関する。
〈従来の技術〉
従来の技術を、−従来例とその模式断面図を示す第３°
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
フロート青板と呼ばれる厚さ１〜１．１晒のガラス板（
１）上に（本図では下方に）、透明電極（２）と。
１）上に（本図では下方に）、透明電極（２）と。
赤（旬、緑（Ｇ）、青（Ｂｌの各色のカラーフィルター
バタンを有したカラーフィルター（以下「ＣＦ」と略称
する。）が順に実装されている。これらと液晶（５）゛
を挾んで透明電極（２）が前記の透明電極（２）と互い
に直交に配列されている。このとき、各々の交点の時分
割方式で電圧をかげて液晶（５）を駆動し、透過タイプ
のカラー表示を行う。
バタンを有したカラーフィルター（以下「ＣＦ」と略称
する。）が順に実装されている。これらと液晶（５）゛
を挾んで透明電極（２）が前記の透明電極（２）と互い
に直交に配列されている。このとき、各々の交点の時分
割方式で電圧をかげて液晶（５）を駆動し、透過タイプ
のカラー表示を行う。
〈発明が解決しようとする問題点〉
通常のモノクロのドツトマトリクス液晶ディスプレイは
駆動条件と光の透過率の点から、液晶（５）の厚みが８
μｍ前後に適正化されている。しかし、第１図に示した
。内面にＣＦ（（資）、 （Ｇ）、（Ｂｌを有したカラ
ー液晶の構成では、絶縁体でもあるＣＦ（（資）、（Ｇ
）。
駆動条件と光の透過率の点から、液晶（５）の厚みが８
μｍ前後に適正化されている。しかし、第１図に示した
。内面にＣＦ（（資）、 （Ｇ）、（Ｂｌを有したカラ
ー液晶の構成では、絶縁体でもあるＣＦ（（資）、（Ｇ
）。
（Ｂｌ自身が上下電極間にかかる実効電圧を下げる介在
物となるとともに、液晶（５）の厚みの誤差が太き（な
る要因ともなり、適正厚みの設定を困難にしていた。こ
の透明電極をＣＦ上に重畳させれば実効電圧も下らず、
液晶（５）の厚さの設定誤差も小さくなり理想的である
。しかしＣＦの上の透明電極の形成は極めて困難である
。その理由を以下説明する。
物となるとともに、液晶（５）の厚みの誤差が太き（な
る要因ともなり、適正厚みの設定を困難にしていた。こ
の透明電極をＣＦ上に重畳させれば実効電圧も下らず、
液晶（５）の厚さの設定誤差も小さくなり理想的である
。しかしＣＦの上の透明電極の形成は極めて困難である
。その理由を以下説明する。
実用化されているＣＦの材料はゼラチンやグリユー等の
樹脂である。またＲ−Ｇ−Ｂの各色は染料によって着色
するため樹脂・染料とも２００℃を超えるような耐熱性
を保持させかつ、目的とする発色効果を持たせることは
困難である。
樹脂である。またＲ−Ｇ−Ｂの各色は染料によって着色
するため樹脂・染料とも２００℃を超えるような耐熱性
を保持させかつ、目的とする発色効果を持たせることは
困難である。
一方、ＩＴＯやネサ膜と呼ばれる透明電極は成透明電極
を形成することは困難であった。
を形成することは困難であった。
しかしながら、特許公告昭和５６年第４０４５０号公報
にみられるイオンブレーティング法や、その他スパッタ
リングやプラズマＣＶ、Ｄ法等のプラズマアシストの手
法によって低温（本例では室温付近から２００℃付近ま
での温度を指す）でのＩＴＯ（酸化インジウムと酸化ス
ズによる金属酸化物）成膜を設は得る事が確認されるよ
うになってきた。ところがこうした低温形成による工Ｔ
Ｏ膜は経時変化や経熱変化が太き（、カラー液晶用の透
明電極として信頼性がなく実用化されていなかった。こ
のような欠点を補う為従来のＩＴＯ膜に対してＣ’ Ｆ
上にＩＴＯを設ける方法を実用化する考えもあったが、
この方法も問題点があったので、以下説明する。
にみられるイオンブレーティング法や、その他スパッタ
リングやプラズマＣＶ、Ｄ法等のプラズマアシストの手
法によって低温（本例では室温付近から２００℃付近ま
での温度を指す）でのＩＴＯ（酸化インジウムと酸化ス
ズによる金属酸化物）成膜を設は得る事が確認されるよ
うになってきた。ところがこうした低温形成による工Ｔ
Ｏ膜は経時変化や経熱変化が太き（、カラー液晶用の透
明電極として信頼性がなく実用化されていなかった。こ
のような欠点を補う為従来のＩＴＯ膜に対してＣ’ Ｆ
上にＩＴＯを設ける方法を実用化する考えもあったが、
この方法も問題点があったので、以下説明する。
ひとつには、カラー液晶のＣＲＴ（カラーテレビ）並の
表示を得ろためにはドントサイズの微細化とこれに伴う
Ｘ、Ｙの透明電極のピッチの微細化の必要があり、特に
１００μｍ〜３００μｍ ピッチでの端子の接続は従来
技術では対応が困難であった。また端子部がＩＴＯ等の
透明電極はハンダ付けやワイヤボンディングには接着力
が低いため端子接続に不向きである。加えてＣＦは赤色
（Ｒ１，緑色（Ｇ）、青色（Ｂｌ必要に応じて黒（Ｂｌ
ａｃｋ）のパターンの色の位置合わせ用の見当マークが
不可欠であり、端子へのコネクター接続に関しても同様
に位置合わせ用のマークが必要であった。
表示を得ろためにはドントサイズの微細化とこれに伴う
Ｘ、Ｙの透明電極のピッチの微細化の必要があり、特に
１００μｍ〜３００μｍ ピッチでの端子の接続は従来
技術では対応が困難であった。また端子部がＩＴＯ等の
透明電極はハンダ付けやワイヤボンディングには接着力
が低いため端子接続に不向きである。加えてＣＦは赤色
（Ｒ１，緑色（Ｇ）、青色（Ｂｌ必要に応じて黒（Ｂｌ
ａｃｋ）のパターンの色の位置合わせ用の見当マークが
不可欠であり、端子へのコネクター接続に関しても同様
に位置合わせ用のマークが必要であった。
また、カラー液晶ディスプレイで表示の情報密度を上げ
るには先述したようにパターンの微細化が必要であるが
、こうした微細化は走査線数を増やし高デユーテイ駆動
をとることになるが、ＣＦを用いたカラー液晶ディスプ
レイでは場合によっては１〜２μｍの厚みのあるＣＦ自
身の凹凸や段差により表示ムラや液晶の寿命の低下を招
（ことがあった。このためより高度の表示品質を得る事
も困難であった。
るには先述したようにパターンの微細化が必要であるが
、こうした微細化は走査線数を増やし高デユーテイ駆動
をとることになるが、ＣＦを用いたカラー液晶ディスプ
レイでは場合によっては１〜２μｍの厚みのあるＣＦ自
身の凹凸や段差により表示ムラや液晶の寿命の低下を招
（ことがあった。このためより高度の表示品質を得る事
も困難であった。
〈問題を解決する為の手段〉
液晶表示装置用電極板を透明な基板上に少なぐとも金属
薄膜パターン及びカラーフィルターパターンと、該カラ
ーフィルターパターンのほぼ上面を環５オーバーコート
パターンと、該オーバーコートパターン上と前記金属薄
膜パターンの端部に重畳する透明電極と、透明電極が重
畳していない前記金属薄膜パターンの一部に金、ハンダ
合金のうち何れかもしくはその合金による電着金属が形
成された液晶表示装置用電極板とする。また透明電極が
酸素不足の導電性金属酸化物の薄膜であるものとしても
よい。
薄膜パターン及びカラーフィルターパターンと、該カラ
ーフィルターパターンのほぼ上面を環５オーバーコート
パターンと、該オーバーコートパターン上と前記金属薄
膜パターンの端部に重畳する透明電極と、透明電極が重
畳していない前記金属薄膜パターンの一部に金、ハンダ
合金のうち何れかもしくはその合金による電着金属が形
成された液晶表示装置用電極板とする。また透明電極が
酸素不足の導電性金属酸化物の薄膜であるものとしても
よい。
く作用〉
従来のカラー液晶用ＣＦの構成では第３図に示したよう
に透明電極（２）が、約１〜２μｍ厚みのＣＦと０．０
５〜０．１μｍ程度の配向膜（４）とを中間に介して液
晶（５）に電圧がかかるようになっていたのに対し本発
明では第１図に提示しであるように薄い配向膜（２４１
のみを介しているためほとんど直接に透明電極（２２１
が液晶（２つに接する構成となる。
に透明電極（２）が、約１〜２μｍ厚みのＣＦと０．０
５〜０．１μｍ程度の配向膜（４）とを中間に介して液
晶（５）に電圧がかかるようになっていたのに対し本発
明では第１図に提示しであるように薄い配向膜（２４１
のみを介しているためほとんど直接に透明電極（２２１
が液晶（２つに接する構成となる。
従って液晶にかかる。実効電圧がモノクロの場合と同一
となり効率が向上し、同時に表示品質も従来のＣＦを用
いたものより改善できた。
となり効率が向上し、同時に表示品質も従来のＣＦを用
いたものより改善できた。
〈発明の詳細な
説明を第１図及び第２図を用いて詳細に説明する。まず
第２図にＣＦ用見当合せマーク（４υ、（４ｚ。
第２図にＣＦ用見当合せマーク（４υ、（４ｚ。
（４３及びコネクター用位置合わせマーク（４４） 、
また導通をとるための端子部（４５）を例えばニッケル
等によりバタンニングした金属導体と、ＣＦ膜パターン
匂、（Ｇ）、 （Ｂｌ各々を模式的に示した。ただし透
明な基板（４Ｇ）であるガラス基板上には最初にニッケ
ル等をバタンニングして金属薄膜パターンとし、その後
。
また導通をとるための端子部（４５）を例えばニッケル
等によりバタンニングした金属導体と、ＣＦ膜パターン
匂、（Ｇ）、 （Ｂｌ各々を模式的に示した。ただし透
明な基板（４Ｇ）であるガラス基板上には最初にニッケ
ル等をバタンニングして金属薄膜パターンとし、その後
。
ＣＦ用合わせマーク（４１）、 ／４２． （４３を用
いて順次Ｒパターン、Ｇパターン、Ｂパターンとバタン
ニングするものである。コネクター用位置合わせマーク
（４４）はカラー液晶ディスプレイの最終工程に相当す
るＦＰＣ’ （フレキシブルなプリントサーキットコネ
クター）やＰＣボード等との接続の際の位置合わせに用
いるものである。ニソケルパタンニング時に以上の合わ
せマーク以外に、封入用のシール部印刷のための見当マ
ーク、液晶封入の前の表示側（ＣＦ側）と走査側との２
枚の基板の合わせマークや商品ナンバー識別のための数
字や記号等同時にバタンニングしても良い。また、ガラ
ス透明基板と金属薄膜との接着強度を増すために透明な
基板の上に二酸化ケイ素のアンダーコートを、必要に応
じて設け、その上に金属薄膜バタン、ＣＦ等を形成して
もよい。さらに、ガラス基板との接着力をもたせるため
クロムやアルミニウムをニッケル形成の前にアンダーコ
ートしておくことは望ましい。加えて、これら金属導体
パターンを、表示コントラストをあげろためのブラック
ストライプとして利用することもできる利点がある。ま
た。
いて順次Ｒパターン、Ｇパターン、Ｂパターンとバタン
ニングするものである。コネクター用位置合わせマーク
（４４）はカラー液晶ディスプレイの最終工程に相当す
るＦＰＣ’ （フレキシブルなプリントサーキットコネ
クター）やＰＣボード等との接続の際の位置合わせに用
いるものである。ニソケルパタンニング時に以上の合わ
せマーク以外に、封入用のシール部印刷のための見当マ
ーク、液晶封入の前の表示側（ＣＦ側）と走査側との２
枚の基板の合わせマークや商品ナンバー識別のための数
字や記号等同時にバタンニングしても良い。また、ガラ
ス透明基板と金属薄膜との接着強度を増すために透明な
基板の上に二酸化ケイ素のアンダーコートを、必要に応
じて設け、その上に金属薄膜バタン、ＣＦ等を形成して
もよい。さらに、ガラス基板との接着力をもたせるため
クロムやアルミニウムをニッケル形成の前にアンダーコ
ートしておくことは望ましい。加えて、これら金属導体
パターンを、表示コントラストをあげろためのブラック
ストライプとして利用することもできる利点がある。ま
た。
透明電極のみでは十分に低い抵抗値が得られない場合に
補助的な導体としてこれを利用できるメリットも生じる
。しかし、上記のマークや記号等は第２図に示したもの
に限定する理由はな（、また。
補助的な導体としてこれを利用できるメリットも生じる
。しかし、上記のマークや記号等は第２図に示したもの
に限定する理由はな（、また。
ＣＦのパターンもストライプ状でも、あるいは開孔率を
上げるために六角形、コントラストをあげるため丸形で
もかまわなく・本発明はＣＦ形状をと（に定めるもので
ない。
上げるために六角形、コントラストをあげるため丸形で
もかまわなく・本発明はＣＦ形状をと（に定めるもので
ない。
本発明は以上のように肉眼で識別しやすい金属で合わせ
マーク等をバタンニングするため以後の工程の作業効率
が向上するメリットがあり、また、自動化を進める場合
にも位置制御を光学的に処理するときにＩＴＯ（透明電
極）より信号レベルがとれるためノイズが少（なり有利
である。
マーク等をバタンニングするため以後の工程の作業効率
が向上するメリットがあり、また、自動化を進める場合
にも位置制御を光学的に処理するときにＩＴＯ（透明電
極）より信号レベルがとれるためノイズが少（なり有利
である。
本発明は第１図に示すようにＣＦの形成後にＣＦ上及び
端子部の一部に重なるように透明電極（２２１を形成す
るものである。透明電極（２２５はＣＦ上に直接形成で
きるが、ドツトピッチが６００μｍ以下のファインピッ
チになるとＣＦ上にいったんオーバー゛コートパターン
（２ηによって平滑化することが望ましい。このオーバ
ーコートにより表示ムラや液晶の寿命低下を防止する事
が出来る。通常。
端子部の一部に重なるように透明電極（２２１を形成す
るものである。透明電極（２２５はＣＦ上に直接形成で
きるが、ドツトピッチが６００μｍ以下のファインピッ
チになるとＣＦ上にいったんオーバー゛コートパターン
（２ηによって平滑化することが望ましい。このオーバ
ーコートにより表示ムラや液晶の寿命低下を防止する事
が出来る。通常。
ＣＦは染色法や印刷法にて各色ごとにバタンニングする
ため染色法においては０．５〜２μｍの段差。
ため染色法においては０．５〜２μｍの段差。
印刷では最大５μｍ程度の凹凸が生じるため、ＩＴＯ等
の透明電極を積層するためには０．２〜２μｍ程度のオ
ーバーコート層を設は表面を平滑化した方が透明電極の
抵抗値のバラツキを少くなり、液晶駆動にも有利である
。
の透明電極を積層するためには０．２〜２μｍ程度のオ
ーバーコート層を設は表面を平滑化した方が透明電極の
抵抗値のバラツキを少くなり、液晶駆動にも有利である
。
ただし１本発明においては、後の工程（特に配向膜の形
成と、シール（封入）処理）にて加えられる熱処理条件
を考慮して、あらかじめこれら熱処理後に最高の特性と
なるよ５ ＩＴＯ膜を還元側即ちやや酸素不足の状態に
してお（ことが必要である。このときのやや酸素不足の
膜とは、ＩＴＯ膜厚が８００〜３ｏｏｏＸ程度の範囲で
は透過率でおよそ８３〜６０％（測定波長５５Ｑ＋ａ＋
でレファレンスを空気とした場合）の範囲にある膜を指
し、この膜は１００〜２５０℃の成膜後の熱処理により
透過率は９０〜７８憾と向上し１面積抵抗値も向上する
膜である。本発明による透明電極の成膜時の膜特性は配
向膜の硬膜時の熱処理条件（温度と時）と同様に液晶封
入のためのエポキシ樹脂等の硬化条件によって種々の完
成品の仕様に応じて調整する必要があるが、後工程の熱
処理によって特性の向上する膜であればよい。ただし。
成と、シール（封入）処理）にて加えられる熱処理条件
を考慮して、あらかじめこれら熱処理後に最高の特性と
なるよ５ ＩＴＯ膜を還元側即ちやや酸素不足の状態に
してお（ことが必要である。このときのやや酸素不足の
膜とは、ＩＴＯ膜厚が８００〜３ｏｏｏＸ程度の範囲で
は透過率でおよそ８３〜６０％（測定波長５５Ｑ＋ａ＋
でレファレンスを空気とした場合）の範囲にある膜を指
し、この膜は１００〜２５０℃の成膜後の熱処理により
透過率は９０〜７８憾と向上し１面積抵抗値も向上する
膜である。本発明による透明電極の成膜時の膜特性は配
向膜の硬膜時の熱処理条件（温度と時）と同様に液晶封
入のためのエポキシ樹脂等の硬化条件によって種々の完
成品の仕様に応じて調整する必要があるが、後工程の熱
処理によって特性の向上する膜であればよい。ただし。
後の実施例で説明する様に透明電極の成膜装置内の雰囲
気（特に酸素分圧）を調整することにより目的特性をも
つ膜を十分に安定に、して成膜することは可能である。
気（特に酸素分圧）を調整することにより目的特性をも
つ膜を十分に安定に、して成膜することは可能である。
従って本発明による透明電極を有したＣＦは、最終的に
所望とする特性を得ることができ、かつ液晶駆動時の電
圧降下も少いために極めて良好な表示品質を得るもので
ある。
所望とする特性を得ることができ、かつ液晶駆動時の電
圧降下も少いために極めて良好な表示品質を得るもので
ある。
本発明はさらに金属薄膜パターンの一部に金もしくはハ
ンダ合金を電気メッキにより形成しておくため、液晶、
駆動のためのＩ Ｃチップのボンディングや、ファイン
ピッチでのコネクターの接続がきわめて容易になる。ポ
ンディングの際の金の拡散を避けるにはパラジウムやニ
ッケル等を金属薄膜パターンの上層とすれば良い。透明
な基板がガラス板であるときはガラス面側に接着力の良
いクロムやアルミニウムを形成してお（ことが望ましい
が、ニッケルや銅を直接でもスパッタリングやイオンブ
レーティングの成膜方法を用いると実用強度を有するの
でニッケルないし銅を直接に形成することもできる。Ｆ
ＰＣとよばれるフレキシブルなポリイミドのフィルム上
に銅箔でバタンニングしピッチが微細なリードを並べた
ようなコネクターとの接続には、ハンダ付けが有利であ
る。
ンダ合金を電気メッキにより形成しておくため、液晶、
駆動のためのＩ Ｃチップのボンディングや、ファイン
ピッチでのコネクターの接続がきわめて容易になる。ポ
ンディングの際の金の拡散を避けるにはパラジウムやニ
ッケル等を金属薄膜パターンの上層とすれば良い。透明
な基板がガラス板であるときはガラス面側に接着力の良
いクロムやアルミニウムを形成してお（ことが望ましい
が、ニッケルや銅を直接でもスパッタリングやイオンブ
レーティングの成膜方法を用いると実用強度を有するの
でニッケルないし銅を直接に形成することもできる。Ｆ
ＰＣとよばれるフレキシブルなポリイミドのフィルム上
に銅箔でバタンニングしピッチが微細なリードを並べた
ようなコネクターとの接続には、ハンダ付けが有利であ
る。
通常、このようなハンダ付けはリフローソルダリングと
よばれ、接続する物の両方、あるいは片方にハンダメッ
キし、多少の加圧とともに加熱して両者をハンダ付けす
るものである。ファインピッチでの端子をハンダ付げす
る場Ｓｔｔハンダメッキの厚みを１０μｍ以下にしハン
ダ付は時に隣の端子とショートさせないことが必要であ
る。金属薄膜パターンがニッケルや銅で構成されるとき
には表面の酸化を避けるために、ＣＦを有しているガラ
ス板側の金属薄膜パターン上にハンダメッキを施してお
（方が良い。特に２００μｍ以下のファインピッチの場
合には、ハンダ量が不足気味となるので基板側とＦＰＣ
両者に５μｍ以下のハンダメッキを予め形成しておく事
によりコネクションをスムーズにするものである。
よばれ、接続する物の両方、あるいは片方にハンダメッ
キし、多少の加圧とともに加熱して両者をハンダ付けす
るものである。ファインピッチでの端子をハンダ付げす
る場Ｓｔｔハンダメッキの厚みを１０μｍ以下にしハン
ダ付は時に隣の端子とショートさせないことが必要であ
る。金属薄膜パターンがニッケルや銅で構成されるとき
には表面の酸化を避けるために、ＣＦを有しているガラ
ス板側の金属薄膜パターン上にハンダメッキを施してお
（方が良い。特に２００μｍ以下のファインピッチの場
合には、ハンダ量が不足気味となるので基板側とＦＰＣ
両者に５μｍ以下のハンダメッキを予め形成しておく事
によりコネクションをスムーズにするものである。
〔実施例１〕
大きさ２５０ｗＸ ２００ｒＩＩ１１厚さ１．１間のフ
ロートガラス板上に真空蒸着にてクロムを５０ＯＡ、ニ
ッケルを４００ＯＡ膜付けし、膜付後公知のフォトリソ
によるレジストバタンニングとエツチングを行い、金属
薄膜パターンを形成した。
ロートガラス板上に真空蒸着にてクロムを５０ＯＡ、ニ
ッケルを４００ＯＡ膜付けし、膜付後公知のフォトリソ
によるレジストバタンニングとエツチングを行い、金属
薄膜パターンを形成した。
次に２９０１μ１ｍ線巾で３００μｍピッチのストライ
プパターンのＲ，Ｇ、 ＢのＣＦをトータルでＸ電極方
向に７２０本バタンニングした。また、ＣＦはグリユー
を材料とし、公知の方法で形成したものである。次に当
ＣＦ基板上に透明電極を９９９９係のインジウム及び、
スズを用いて２元蒸着方式で基板温度を室温、酸素分圧
４ Ｘ １０ ’ｔｏｒｒ 、高周波電圧３ ｋＶにし
て膜厚１１００Ａ、透過率８１係１面積抵抗値６５Ｑ／
口のＩＴＯ膜を成膜した。
プパターンのＲ，Ｇ、 ＢのＣＦをトータルでＸ電極方
向に７２０本バタンニングした。また、ＣＦはグリユー
を材料とし、公知の方法で形成したものである。次に当
ＣＦ基板上に透明電極を９９９９係のインジウム及び、
スズを用いて２元蒸着方式で基板温度を室温、酸素分圧
４ Ｘ １０ ’ｔｏｒｒ 、高周波電圧３ ｋＶにし
て膜厚１１００Ａ、透過率８１係１面積抵抗値６５Ｑ／
口のＩＴＯ膜を成膜した。
この様にして成膜されたＩＴＯ膜中の酸化スズはおよそ
１０モル係であった。次に２７０μｍの線巾で３００μ
ｍピンチでＣＦ上にストライプにてＩＴＯをバタンニン
グした。また、エツチングは上記と同じフォ） ＩＪソ
法を用い、５係塩酸水溶液にて３分間実施した。
１０モル係であった。次に２７０μｍの線巾で３００μ
ｍピンチでＣＦ上にストライプにてＩＴＯをバタンニン
グした。また、エツチングは上記と同じフォ） ＩＪソ
法を用い、５係塩酸水溶液にて３分間実施した。
次にニッケルの端子とＩＴＯストライプは０．５端面ば
ニッケルそのままの表面とした。基板乾燥後、日立化成
工業■のポリイミド配向膜材料ＨＬ−１１００をニッケ
ル端子部とシール部粉除いて塗布し１５０°Ｃ１ｈｒ乾
燥し６００Ａの配向膜を形成した。さらに、ハンダメッ
キを行うニッケル端子部を除いてほぼ全面を東洋インキ
製すムーバブルスクリーインキにて印刷し、マスクパタ
ーンを形成したあと、３μｍ厚みのハンダメッキを行う
た。またハンダメッキは公知技術であるフッ化浴にて行
った。マスクパターンの剥膜後、さらに。
ニッケルそのままの表面とした。基板乾燥後、日立化成
工業■のポリイミド配向膜材料ＨＬ−１１００をニッケ
ル端子部とシール部粉除いて塗布し１５０°Ｃ１ｈｒ乾
燥し６００Ａの配向膜を形成した。さらに、ハンダメッ
キを行うニッケル端子部を除いてほぼ全面を東洋インキ
製すムーバブルスクリーインキにて印刷し、マスクパタ
ーンを形成したあと、３μｍ厚みのハンダメッキを行う
た。またハンダメッキは公知技術であるフッ化浴にて行
った。マスクパターンの剥膜後、さらに。
エポキシ樹脂によるシールを想定して１８０℃１ｈｒの
熱処理を行った。熱処理後の工Ｔ○膜の面積抵抗値は３
２Ｑ／口で、透過率は配向膜の形成されていない部分で
８６係であり、良好な特性を示した。次にニッケル端子
と同じピッチでポリイミドフィルム上にバタンニングし
た銅箔２５μｍに５μｍのハンダメッキをしたＦＰＣを
用意し。
熱処理を行った。熱処理後の工Ｔ○膜の面積抵抗値は３
２Ｑ／口で、透過率は配向膜の形成されていない部分で
８６係であり、良好な特性を示した。次にニッケル端子
と同じピッチでポリイミドフィルム上にバタンニングし
た銅箔２５μｍに５μｍのハンダメッキをしたＦＰＣを
用意し。
先端温度２２０℃のホントプレスにて１０秒加圧すると
ＣＦ基板上のニッケル端子とＦＰＣはハンダを介して接
続できた。
ＣＦ基板上のニッケル端子とＦＰＣはハンダを介して接
続できた。
〔実施例２〕
大きさ５インチ角、厚さ１．１ｆｌのフロートガラス板
上にスパッタリングにて５ｉｄ２ （酸化硅素）を５０
０Ａ−ニッケルを３００ＯＡ膜付けし、実施例１と同様
にニッケルをバタンニングし金属薄膜パターンを形成し
た。さらに金メッキを行うニッケル端子端部を除いてほ
ぼ全面にフォトレジストでバタンニングし、マスクパタ
ンを形成したあと。
上にスパッタリングにて５ｉｄ２ （酸化硅素）を５０
０Ａ−ニッケルを３００ＯＡ膜付けし、実施例１と同様
にニッケルをバタンニングし金属薄膜パターンを形成し
た。さらに金メッキを行うニッケル端子端部を除いてほ
ぼ全面にフォトレジストでバタンニングし、マスクパタ
ンを形成したあと。
４０００Ａ厚みの金メッキを行った。金メッキは公知技
術であるシアン化金浴にて行った。マスクパターンをア
ルカリで溶解除去したあと、実施例１と同じ材料でドツ
トサイズ１９０μｍＸ５９０μｍのＣＦをＸ方向（１９
０μｍの方向）に２００μｍピッチでＲ，Ｇ、 Ｂ交互
に４８０ケ、Ｙ方向に６００μｍピッチで１２８ケ並べ
てＣＦ膜パターンした。
術であるシアン化金浴にて行った。マスクパターンをア
ルカリで溶解除去したあと、実施例１と同じ材料でドツ
トサイズ１９０μｍＸ５９０μｍのＣＦをＸ方向（１９
０μｍの方向）に２００μｍピッチでＲ，Ｇ、 Ｂ交互
に４８０ケ、Ｙ方向に６００μｍピッチで１２８ケ並べ
てＣＦ膜パターンした。
同じ材料で０，５μｍ厚みとなるようコートし、ニッケ
ル端子部とシール部を除いてＣＦ上をほぼ覆うように露
光・現像しオーバーコートパターンとした。
ル端子部とシール部を除いてＣＦ上をほぼ覆うように露
光・現像しオーバーコートパターンとした。
次にスパッタ装置、５重量係酸化スズを含む酸化インジ
ウムターゲットを用い、アルゴン流量８０ＳＣＣＭ、高
周波実効電力ｓｏｏｗ、酸素分圧ｌＸ１０ ｔｏｒ
ｒ にてスパッタリングし膜厚１２００ＡのＩＴＯ膜
を成膜した。このときの基板温度は室温である。これで
成膜されたＩＴＯ膜の透過率は８３％、抵抗値は４２Ω
／口であった。
ウムターゲットを用い、アルゴン流量８０ＳＣＣＭ、高
周波実効電力ｓｏｏｗ、酸素分圧ｌＸ１０ ｔｏｒ
ｒ にてスパッタリングし膜厚１２００ＡのＩＴＯ膜
を成膜した。このときの基板温度は室温である。これで
成膜されたＩＴＯ膜の透過率は８３％、抵抗値は４２Ω
／口であった。
次に実施例１と同じフォトリソ法で線巾１７０μｍ、ピ
ッチ２００μｍのＩＴＯストライプをバタンニングし、
透明電極パターンとした。ただし。
ッチ２００μｍのＩＴＯストライプをバタンニングし、
透明電極パターンとした。ただし。
ストライブは中央部で上下に分割したパターンとした。
以下、実施例１と同様手順で熱処理後、ＩＴＯ膜の特性
は透過率で８８％１面積抵抗値で２７Ｑ／口とカラー液
晶用の透明電極としては良好な特性を示した。
は透過率で８８％１面積抵抗値で２７Ｑ／口とカラー液
晶用の透明電極としては良好な特性を示した。
（発明の効果〉
以上のように本発明は、金属薄膜パターンを形成してお
（ため透明電極パターンを先に形成する従来の工程より
、次工程以降が目視しやすい状態で進め得るという作業
上の大きなメリットがあるとともに、従来の液晶表示装
置の構成と比較して。
（ため透明電極パターンを先に形成する従来の工程より
、次工程以降が目視しやすい状態で進め得るという作業
上の大きなメリットがあるとともに、従来の液晶表示装
置の構成と比較して。
透明電極がより液晶に近い位置機構となるため液晶駆動
により有利な液晶表示装置用電極板を提供し得るもので
ある。
により有利な液晶表示装置用電極板を提供し得るもので
ある。
さらに、ＩＣチップのボンディングの場合やピッチの微
細化したときのコネクターを用いた電気的接続を行なう
場合に容易に工程をこなすことができる様になる。
細化したときのコネクターを用いた電気的接続を行なう
場合に容易に工程をこなすことができる様になる。
第１図は１本発明による液晶表示装置用電極板を用いた
液晶表示装置を模式的に示す模式断面図であり、第２図
は、第１図の液晶表示装置用電極板を含む液晶表示装置
の製造途中に於ける平面的位置関係を示す模式平面図で
ある。 第５図は、従来の液晶表示装置用電極板を用いた液晶表
示装置を模式的に示す模式断面図である。 ＋１１．（２Ｄ、（４０・・・透明基板＋３１．Ｌ２３
）・・・透明電極 ＋４＋、（２４１・・・配向膜 （４つ・・・金属薄膜パターン ＋５１．（２５１・・・液晶 Ｃ印・・・電着金属
液晶表示装置を模式的に示す模式断面図であり、第２図
は、第１図の液晶表示装置用電極板を含む液晶表示装置
の製造途中に於ける平面的位置関係を示す模式平面図で
ある。 第５図は、従来の液晶表示装置用電極板を用いた液晶表
示装置を模式的に示す模式断面図である。 ＋１１．（２Ｄ、（４０・・・透明基板＋３１．Ｌ２３
）・・・透明電極 ＋４＋、（２４１・・・配向膜 （４つ・・・金属薄膜パターン ＋５１．（２５１・・・液晶 Ｃ印・・・電着金属
Claims (2)
- （１）透明な基板上に少なくとも金属薄膜パターン及び
カラーフィルターパターンと、該カラーフィルターパタ
ーンのほぼ上面を覆うオーバーコートパターンと、該オ
ーバーコートパターン上と前記金属薄膜パターンの端部
に重畳する透明電極と、透明電極が重畳していない前記
金属薄膜パターンの一部に金、ハンダ合金のうち何れか
もしくはその合金による電着金属が形成された事を特徴
とする液晶表示装置用電極板。 - （２）透明電極が酸素不足の導電性金属酸化物の薄膜で
ある事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表
示装置用電極板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60057176A JPS61215526A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 液晶表示装置用電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60057176A JPS61215526A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 液晶表示装置用電極板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61215526A true JPS61215526A (ja) | 1986-09-25 |
Family
ID=13048218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60057176A Pending JPS61215526A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 液晶表示装置用電極板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61215526A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62163017A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Kyodo Printing Co Ltd | カラ−表示装置 |
| JPS6341540U (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-18 | ||
| US5386309A (en) * | 1990-12-20 | 1995-01-31 | Goldstar Co., Ltd. | Liquid crystal display module with positioning marks on circuit substrate and heat seal |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608889A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示素子用電極基板 |
| JPS61143724A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネル |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60057176A patent/JPS61215526A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608889A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示素子用電極基板 |
| JPS61143724A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネル |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62163017A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Kyodo Printing Co Ltd | カラ−表示装置 |
| JPS6341540U (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-18 | ||
| US5386309A (en) * | 1990-12-20 | 1995-01-31 | Goldstar Co., Ltd. | Liquid crystal display module with positioning marks on circuit substrate and heat seal |
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