JPS61215227A - 単一モ−ド光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
単一モ−ド光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS61215227A JPS61215227A JP5759285A JP5759285A JPS61215227A JP S61215227 A JPS61215227 A JP S61215227A JP 5759285 A JP5759285 A JP 5759285A JP 5759285 A JP5759285 A JP 5759285A JP S61215227 A JPS61215227 A JP S61215227A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/22—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with deuterium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は単一モード光ファイバ母材の製造方法に関する
。
。
１従来の技術」
通信、非通信の分野において各種の光ファイバが用いら
れているが、広帯域、低損失を満足させる単一モート（
Ｓに型）光ファイバについては、一般通信、海底用など
に大きく貢献できるとして注目されている。
れているが、広帯域、低損失を満足させる単一モート（
Ｓに型）光ファイバについては、一般通信、海底用など
に大きく貢献できるとして注目されている。
一般的な単一モード光ファイバは、そのコアが
□Ｓ ＋ ０２−Ｇ ｅ０２（Δ’０．３％）からなり
、そのクラッドがＳ ｉｏ ２からなるが、レイリー散
乱係数を小さくし、より低損失のＳＮ型光ファイバを得
るためには、コアへのＧｅ添加量を少なくするのがよく
、こうした観点からコアをＳｉＯ２とし、クラッドをＳ
ｉＯ２−Ｆとする９Ｍ型光ファイバがすでに提案されて
いる。
□Ｓ ＋ ０２−Ｇ ｅ０２（Δ’０．３％）からなり
、そのクラッドがＳ ｉｏ ２からなるが、レイリー散
乱係数を小さくし、より低損失のＳＮ型光ファイバを得
るためには、コアへのＧｅ添加量を少なくするのがよく
、こうした観点からコアをＳｉＯ２とし、クラッドをＳ
ｉＯ２−Ｆとする９Ｍ型光ファイバがすでに提案されて
いる。
一方、上記ＳＮ型光ファイバの母材をＶＡＤ法により作
製する技術に関して、昭和５８年度電子通信学会光拳電
波部門全国大会の文献には、コア用多孔質ガラス層を密
度２．０〜２．２ｇ／ａｍ″程度と固く形成し、その外
周に密度０．３ｇ／ｃｍ″のクラッド用多孔質ガラス層
を形成した後１、これら多孔質ガラス層からなる多孔質
母材の透明ガラス化時にクラッド用多孔質ガラス層への
フッ素ドープを行なうことが開示されている。
製する技術に関して、昭和５８年度電子通信学会光拳電
波部門全国大会の文献には、コア用多孔質ガラス層を密
度２．０〜２．２ｇ／ａｍ″程度と固く形成し、その外
周に密度０．３ｇ／ｃｍ″のクラッド用多孔質ガラス層
を形成した後１、これら多孔質ガラス層からなる多孔質
母材の透明ガラス化時にクラッド用多孔質ガラス層への
フッ素ドープを行なうことが開示されている。
この方法によるとき、コア用多孔質ガラス層の密度が大
きく、該多孔質ガラス層にフッ素が浸透しないため、完
全なＳｌ型分布を呈するＳＮ型光ファイバ用の光フアイ
バ母材が得られる。
きく、該多孔質ガラス層にフッ素が浸透しないため、完
全なＳｌ型分布を呈するＳＮ型光ファイバ用の光フアイ
バ母材が得られる。
「発明が解決しようとする問題点ｊ
しかし上述した母材作製手段の場合、コア用多孔質ガラ
ス層の密度が大きいことによる弊害も生じる。
ス層の密度が大きいことによる弊害も生じる。
すなわち、コア用多孔質ガラス層の密度が大きいため、
脱水処理に際して該多孔質ガラス層から０Ｈ基を除去す
るのが困難となり、波長１．３ ｐ、 ｔａ、１．５５
ＪＬｍでのロスを十分に下げることができなくなる。
脱水処理に際して該多孔質ガラス層から０Ｈ基を除去す
るのが困難となり、波長１．３ ｐ、 ｔａ、１．５５
ＪＬｍでのロスを十分に下げることができなくなる。
本発明は上記の問題点に鑑み、５Ｉ０２コアおよび５ｉ
Ｏ７−ＦクラッドをもつＳＮ型光ファイバの母材を作製
するとき、波長１．３ｇｍ 、 １．５５１Ｌ鵬等のロ
スを極小とすることのできる単一モード光ファイバ母材
の製造方法を提供しようとするものである。
Ｏ７−ＦクラッドをもつＳＮ型光ファイバの母材を作製
するとき、波長１．３ｇｍ 、 １．５５１Ｌ鵬等のロ
スを極小とすることのできる単一モード光ファイバ母材
の製造方法を提供しようとするものである。
ｒ問題点を解決するための手段Ｊ
本発明に係る単一モード光ファイバ母材の製造方法はＤ
２−０２炎によるＳ ｉＣｌ ４の火炎加水分解反応に
より生成したＳ ｒ ０２微粒子を棒状に堆積して、密
度２ 、０ｇ／ｃｒｒｆ以上のコア用多孔質ガラス層を
形成する手段と、Ｈ２−０２炎またはＤ ２−０２炎に
よるＳ ｉ Ｃｌ ａの火炎加水分解反応により生成し
たＳ ｒ ０２微粒子を上記コア用多孔質ガラス層の外
周に堆積して、該コア用多孔質ガラス層の外周に密度０
．２〜０．３ｇ／ａｍ”のクラッド用多孔質ガラス層を
形成する手段と、これら両多孔質ガラス層からなる多孔
質母材を、フッ化物を含む雰囲気中にて透明ガラス化す
る手段とを備えていることを特徴としている。
２−０２炎によるＳ ｉＣｌ ４の火炎加水分解反応に
より生成したＳ ｒ ０２微粒子を棒状に堆積して、密
度２ 、０ｇ／ｃｒｒｆ以上のコア用多孔質ガラス層を
形成する手段と、Ｈ２−０２炎またはＤ ２−０２炎に
よるＳ ｉ Ｃｌ ａの火炎加水分解反応により生成し
たＳ ｒ ０２微粒子を上記コア用多孔質ガラス層の外
周に堆積して、該コア用多孔質ガラス層の外周に密度０
．２〜０．３ｇ／ａｍ”のクラッド用多孔質ガラス層を
形成する手段と、これら両多孔質ガラス層からなる多孔
質母材を、フッ化物を含む雰囲気中にて透明ガラス化す
る手段とを備えていることを特徴としている。
「作用Ｊ
本発明方法においてコア用多孔質ガラス層を形成すると
き、重水素と酸素とによるＤ２−０２炎を用い、当該火
炎により気相原料Ｓ ｉ Ｃ１、ｉを火炎加水分解反応
して５ｉＯ２微粒子を生成するとともに該Ｓ ＋ ０２
微粒子をターゲットに向けて噴射かつ堆積して。
き、重水素と酸素とによるＤ２−０２炎を用い、当該火
炎により気相原料Ｓ ｉ Ｃ１、ｉを火炎加水分解反応
して５ｉＯ２微粒子を生成するとともに該Ｓ ＋ ０２
微粒子をターゲットに向けて噴射かつ堆積して。
棒状のコア用多孔質ガラス層を形成するが、この際、コ
ア用多孔質ガラス層の密度が２．０ｇ／ｃｒｎ”以上と
なるように該層を固く形成する。
ア用多孔質ガラス層の密度が２．０ｇ／ｃｒｎ”以上と
なるように該層を固く形成する。
上記コア用多孔質ガラス層の外周には、）１２−０２炎
によるＳ ｒ ＣＩ ４の火炎加水分解反応により生成
したＳ ＋ ０２微粒子を堆積して、該コア用多孔質ガ
ラス層の外周に密度０．２〜０．３ｇ／ｃｒｎ’のクラ
ッド用多孔質ガラス層を形成する。
によるＳ ｒ ＣＩ ４の火炎加水分解反応により生成
したＳ ＋ ０２微粒子を堆積して、該コア用多孔質ガ
ラス層の外周に密度０．２〜０．３ｇ／ｃｒｎ’のクラ
ッド用多孔質ガラス層を形成する。
その後、これらコア用多孔質ガラス層、クラッド用多孔
質ガラス層からなる多孔質母材を、フッ化物を含む雰囲
気中にて透明ガラス化する。
質ガラス層からなる多孔質母材を、フッ化物を含む雰囲
気中にて透明ガラス化する。
こうして多孔質母材を透明ガラス化するとき。
低密度（０，２〜０．３ｇ／ｃｒｎ３）のクラッド用多
孔質ガラス層にはフッ素がドープされるが、コア用多孔
質ガラス層の場合はこれが高密度（２，０ｇ／ａｍ″）
であることによりフッ素が浸透せず、かくて高屈折率の
コア用透明ガラス層、低屈折率のクラッド用透明ガラス
層をもつ透明ガラス母材が得られる。
孔質ガラス層にはフッ素がドープされるが、コア用多孔
質ガラス層の場合はこれが高密度（２，０ｇ／ａｍ″）
であることによりフッ素が浸透せず、かくて高屈折率の
コア用透明ガラス層、低屈折率のクラッド用透明ガラス
層をもつ透明ガラス母材が得られる。
しかも上記透明ガラス化時、クラッド用多孔質ガラス層
からは、これが低密度であることによりＯＨ基がほとん
ど抜け、一方、コア用多孔質ガラス層の場合は、 ０
．−０２炎によるＳ ｒ Ｃｌ ４の火炎加水分解反応
にてＳ ｉｏ ２微粒子を生成するので、ＯＨ基の問題
が当初からなく、ゆえに上記透明ガラス母材を主体にし
て製造された単一モード光ファイバの場合は、ＯＨ基に
起因した波長１．３１Ｊ、層、 １．５５１Ｌｍ等のロ
スがきわめて小さくなる。
からは、これが低密度であることによりＯＨ基がほとん
ど抜け、一方、コア用多孔質ガラス層の場合は、 ０
．−０２炎によるＳ ｒ Ｃｌ ４の火炎加水分解反応
にてＳ ｉｏ ２微粒子を生成するので、ＯＨ基の問題
が当初からなく、ゆえに上記透明ガラス母材を主体にし
て製造された単一モード光ファイバの場合は、ＯＨ基に
起因した波長１．３１Ｊ、層、 １．５５１Ｌｍ等のロ
スがきわめて小さくなる。
なお、Ｄ２−０２炎を用いて形成されるコア用多孔質ガ
ラス層の場合、これの透明ガラス化に際してＤＯ基がほ
とんど抜けることがないため、透明ガラス化後において
もＤＯ基が多量に残存し、これによる吸収ピークがあら
れれるが、このＤＯ基による吸収ピークは既知のごと（
１，８７ｇｍへ移動するので１．３ＪＬｍ 、 １．５
５ＪＬｍ ヘはとんど影響することがなく、したがって
１．３１Ｌｍ 、 １゜５５ル団における低損失が確保
できる。
ラス層の場合、これの透明ガラス化に際してＤＯ基がほ
とんど抜けることがないため、透明ガラス化後において
もＤＯ基が多量に残存し、これによる吸収ピークがあら
れれるが、このＤＯ基による吸収ピークは既知のごと（
１，８７ｇｍへ移動するので１．３ＪＬｍ 、 １．５
５ＪＬｍ ヘはとんど影響することがなく、したがって
１．３１Ｌｍ 、 １゜５５ル団における低損失が確保
できる。
１実 施 例１
以下本発明方法の実施例につき、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図に示すＶＡＤ法おいて、同心円の四重管構造から
なる反応バーナ１０を介してコア用多孔質ガラスＭｌａ
を形成するとき、反応バーナ１０の第一流路（最外側）
には０２を、第二流路にはＡｒを、第三流路にはＤ２（
重水素）をそれぞれ供給するとともに該反応バーナ１０
の第四流路（中心）にはＡｒによりバブリングしたＳ
ｉ ＣＩ ４を供給し、これら各ガスの火炎加水分解反
応により生成したＳ ＋ ０２微粒子をターゲット１１
に向けて噴射かつ堆積させる。
なる反応バーナ１０を介してコア用多孔質ガラスＭｌａ
を形成するとき、反応バーナ１０の第一流路（最外側）
には０２を、第二流路にはＡｒを、第三流路にはＤ２（
重水素）をそれぞれ供給するとともに該反応バーナ１０
の第四流路（中心）にはＡｒによりバブリングしたＳ
ｉ ＣＩ ４を供給し、これら各ガスの火炎加水分解反
応により生成したＳ ＋ ０２微粒子をターゲット１１
に向けて噴射かつ堆積させる。
こうしてコア用多孔質ガラス層１ａを形成するとき、−
例としてその密度が２．０〜２．２ｇ／ａｍ″となるよ
うに前記各ガスの流量を調整し、該コア用多孔質ガラス
層１ａの直径を８〜１２＋ｕ＋程度とする。
例としてその密度が２．０〜２．２ｇ／ａｍ″となるよ
うに前記各ガスの流量を調整し、該コア用多孔質ガラス
層１ａの直径を８〜１２＋ｕ＋程度とする。
かかるコア用多孔質ガラス層１ａの場合、少々の衝撃で
は割れることがない。
は割れることがない。
つぎに、上記コア用多孔質ガラス層１ａの外周には第２
図に示すＯＶＤ法を介してクラッド用多孔質ガラス層２
ａを形成する。
図に示すＯＶＤ法を介してクラッド用多孔質ガラス層２
ａを形成する。
これに際しては、同心円の四重管構造からなる反応バー
ナ１３の第一流路に０２を、その第二流路にＡｒを、そ
の第三流路にＩ（２をそれぞれ供給するとともに該反応
バーナ１３の第四流路にはＡｒによりバブリングしたＳ
ｒ ＣＩ 、ｉを供給し、これら各ガスの火炎加水分
解反応により生成したＳ ｒ ０２微粒子をコア用ガラ
ス層１ａの外周に堆積させてクラッド用多孔質ガラス層
２ａを形成する。
ナ１３の第一流路に０２を、その第二流路にＡｒを、そ
の第三流路にＩ（２をそれぞれ供給するとともに該反応
バーナ１３の第四流路にはＡｒによりバブリングしたＳ
ｒ ＣＩ 、ｉを供給し、これら各ガスの火炎加水分
解反応により生成したＳ ｒ ０２微粒子をコア用ガラ
ス層１ａの外周に堆積させてクラッド用多孔質ガラス層
２ａを形成する。
こうしてクラッド用多孔質ガラス層２ａを形成するとき
、その密度が０．２〜０．３ｇ／ａｍ″となるように前
記各ガスの流量を調整し、該コア用多孔質ガラス層２ａ
の直径は一例としてこれが８０■−程度となるように仕
上げる。
、その密度が０．２〜０．３ｇ／ａｍ″となるように前
記各ガスの流量を調整し、該コア用多孔質ガラス層２ａ
の直径は一例としてこれが８０■−程度となるように仕
上げる。
その後、上記コア用多孔質ガラス層１ａ、クラッド用多
孔質ガラス層２ａからなる多孔質母材３ａを第３図の電
気炉１４により透明ガラス化する。
孔質ガラス層２ａからなる多孔質母材３ａを第３図の電
気炉１４により透明ガラス化する。
これに際しては、電気炉１４の炉心管１５内に１０１／
ｍａｉｎのＨｅと、 ２４１／ｗｉｎのＳＦ６ と、０
２によりバブリングしたＩＪＬ／ｗｉｎの５ＯＣＩ２と
を供給するとともに炉内の最高温度部が１４５０℃とな
るよう炉心管内部を ヒータ１６により加熱保持し、該
炉心管１５内に１２０＋ａｍ／ｈｒの速度で多孔質母材
３ａを挿入する。
ｍａｉｎのＨｅと、 ２４１／ｗｉｎのＳＦ６ と、０
２によりバブリングしたＩＪＬ／ｗｉｎの５ＯＣＩ２と
を供給するとともに炉内の最高温度部が１４５０℃とな
るよう炉心管内部を ヒータ１６により加熱保持し、該
炉心管１５内に１２０＋ａｍ／ｈｒの速度で多孔質母材
３ａを挿入する。
上記透明ガラス化処理により、コア用多孔質ガラス層１
ａがコア用透明ガラス層１ｂとなり、クラッド用多孔質
ガラス層２ａがクラッド用透明ガラス層２ｂとなる透明
ガラス母材３ｂが得られる。
ａがコア用透明ガラス層１ｂとなり、クラッド用多孔質
ガラス層２ａがクラッド用透明ガラス層２ｂとなる透明
ガラス母材３ｂが得られる。
該透明ガラス母材３ｂは、前述した多孔質母材３ａのコ
ア用多孔質ガラス層１ａ、クラフト用多孔質ガラス層２
ａがそれぞれ直径８〜１２■膳程度、 ８０ｍ腸程度の
ものであるとき、直径約３５層履程度に仕上がる。
ア用多孔質ガラス層１ａ、クラフト用多孔質ガラス層２
ａがそれぞれ直径８〜１２■膳程度、 ８０ｍ腸程度の
ものであるとき、直径約３５層履程度に仕上がる。
当該透明ガラス母材３ｂの組成を非破壊的に測定したと
ころ、クラッド用透明ガラス層２ｂにはフッ素がΔ−＝
０．３１％ ドープされていたが、そのコア用多孔質ガ
ラス層１ｂにはフッ素が全くドープされていない。
ころ、クラッド用透明ガラス層２ｂにはフッ素がΔ−＝
０．３１％ ドープされていたが、そのコア用多孔質ガ
ラス層１ｂにはフッ素が全くドープされていない。
かくして得られた透明ガラス母材３ｂを−たん加熱延伸
手段により直径約１０ｍｍに減径し、ついで第２図のガ
ラス微粒子堆積手段、第３図の透明ガラス化手段より上
記母材のクラッド厚を所定寸法に増大し、その後の母材
を紡糸することによりコア径／クラッド径−１／１２．
２のディプレストクラッド型単一モード光ファイバを得
た。
手段により直径約１０ｍｍに減径し、ついで第２図のガ
ラス微粒子堆積手段、第３図の透明ガラス化手段より上
記母材のクラッド厚を所定寸法に増大し、その後の母材
を紡糸することによりコア径／クラッド径−１／１２．
２のディプレストクラッド型単一モード光ファイバを得
た。
この光ファイバの伝送特性を測定したところ、クラッド
のＯＨ基がほとんど抜けていたため、１．３８％ｆｆｉ
のＯＨ吸収ピークは約１ｄＢ／ｋｍであった。
のＯＨ基がほとんど抜けていたため、１．３８％ｆｆｉ
のＯＨ吸収ピークは約１ｄＢ／ｋｍであった。
一方、コアの叩基はほとんど抜けておらず、そのＯＤ基
による吸収ピークが約３０ｄＢ／ｋｍと高い値を示した
が、この００吸収ピークの場合、前述の通り１．８７Ｊ
Ａ１１に移動するので、１．３ ｐ、ｔａ 、 １．５
５ｇｍにはほとんど影響せず、その結果、１．３ ｐ、
ｔａにおける伝送特性が０．３２ｄＢ／に謬、 １．５
５ｐ鵬における伝送特性が０．１５ｄＢ八腸ときわめて
低損失であった。
による吸収ピークが約３０ｄＢ／ｋｍと高い値を示した
が、この００吸収ピークの場合、前述の通り１．８７Ｊ
Ａ１１に移動するので、１．３ ｐ、ｔａ 、 １．５
５ｇｍにはほとんど影響せず、その結果、１．３ ｐ、
ｔａにおける伝送特性が０．３２ｄＢ／に謬、 １．５
５ｐ鵬における伝送特性が０．１５ｄＢ八腸ときわめて
低損失であった。
なお、第１図の手段で密度２ｇ／ｓｉｎ程度の多孔質ガ
ラス層１ａを形成するとき、その多孔質ガラス層１ａの
外周面に面する焼結バーナを用いて該層１ａを所望の密
度に仕上げてもよい。
ラス層１ａを形成するとき、その多孔質ガラス層１ａの
外周面に面する焼結バーナを用いて該層１ａを所望の密
度に仕上げてもよい。
また、第１図の手段で形成された多孔質ガラス層１ａを
電気炉内で焼結処理し、該層１ａを所望の密度に仕上げ
てもよい。
電気炉内で焼結処理し、該層１ａを所望の密度に仕上げ
てもよい。
第１図において、多孔質ガラス層１ａが所望の密度に仕
上るとき、クラッド合成用の反応バーナを該層１ａの外
周部に配置してコア用多孔質ガラス層！ａとクラッド用
多孔質ガラス層２ａとを同時形成してもよい。
上るとき、クラッド合成用の反応バーナを該層１ａの外
周部に配置してコア用多孔質ガラス層！ａとクラッド用
多孔質ガラス層２ａとを同時形成してもよい。
クラッド用多孔質ガラス層２ａを形成する際の火炎加水
分解反応時、Ｄ２−０２炎を用いてもよいが。
分解反応時、Ｄ２−０２炎を用いてもよいが。
この場合、高価なり２よりも安価なＨ２を使用する方が
コスト面で有利である。
コスト面で有利である。
ｒ発明の効果Ｊ
以上説明した通り１本発明方法によれば、Ｓ ｉ Ｏ２
コア、 ５ｉＯ２−Ｆクラッド有する単一モード光ファ
イバにつき、これを低損失にすることのできる母材が製
造できる。
コア、 ５ｉＯ２−Ｆクラッド有する単一モード光ファ
イバにつき、これを低損失にすることのできる母材が製
造できる。
第１図は本発明方法におけるコア用多孔質ガラス層の形
成手段を略示した説明図、第２図は同上におけるクラッ
ド用多孔質ガラス層の形成手段を略示した説明図、第３
図は同上における多孔質母材の透明ガラス化手段を略示
した説明図である。 ｌａ・・・コア用多孔質ガラス層 １ｂ＋１１１１１コア用透明ガラス層 ２ａ・・・クラッド用多孔質ガラス層 ２ｂ・・・クラッド用透明ガラス層 ３ａ・・・多孔質母材 ３ｂ・・・透明ガラス母材 ｌＯ・・・反応バーナ １３・・・反応バーナ １４・・・透明ガラス化用電気炉 代理人 弁理士 斎 藤 義 離 溶１図 第２図 １１３１！！
成手段を略示した説明図、第２図は同上におけるクラッ
ド用多孔質ガラス層の形成手段を略示した説明図、第３
図は同上における多孔質母材の透明ガラス化手段を略示
した説明図である。 ｌａ・・・コア用多孔質ガラス層 １ｂ＋１１１１１コア用透明ガラス層 ２ａ・・・クラッド用多孔質ガラス層 ２ｂ・・・クラッド用透明ガラス層 ３ａ・・・多孔質母材 ３ｂ・・・透明ガラス母材 ｌＯ・・・反応バーナ １３・・・反応バーナ １４・・・透明ガラス化用電気炉 代理人 弁理士 斎 藤 義 離 溶１図 第２図 １１３１！！
Claims (3)
- （１）Ｄ＿２−Ｏ＿２炎によるＳｉＣｌ＿４の火炎加水
分解反応により生成したＳｉＯ＿２微粒子を棒状に堆積
して、密度２．０ｇ／ｃｍ＾２以上のコア用多孔質ガラ
ス層を形成する手段と、Ｈ＿２−Ｏ＿２炎またはＤ＿２
−Ｏ＿２炎によるＳｉＣｌ＿４の火炎加水分解反応によ
り生成したＳｉＯ＿２微粒子を上記コア用多孔質ガラス
層の外周に堆積して、該コア用多孔質ガラス層の外周に
密度０．２〜０．３ｇ／ｃｍ＾２のクラッド用多孔質ガ
ラス層を形成する手段と、これら両多孔質ガラス層から
なる多孔質母材を、フッ化物を含む雰囲気中にて透明ガ
ラス化する手段とを備えていることを特徴とする単一モ
ード光ファイバ母材の製造方法。 - （２）コア用多孔質ガラス層とクラッド用多孔質ガラス
層とを同時工程により形成する特許請求の範囲第１項記
載の単一モード光ファイバ母材の製造方法。 - （３）コア用多孔質ガラス層を形成する工程を先行して
行ない、クラッド用多孔質ガラス層を形成する工程を後
行して行なう特許請求の範囲第１項記載の単一モード光
ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5759285A JPS61215227A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 単一モ−ド光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5759285A JPS61215227A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 単一モ−ド光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61215227A true JPS61215227A (ja) | 1986-09-25 |
Family
ID=13060117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5759285A Pending JPS61215227A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 単一モ−ド光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61215227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2952485A4 (en) * | 2013-01-29 | 2016-08-31 | Furukawa Electric Co Ltd | PROCESS FOR PRODUCTION OF GLASS BASE AND OPTICAL FIBER |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP5759285A patent/JPS61215227A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2952485A4 (en) * | 2013-01-29 | 2016-08-31 | Furukawa Electric Co Ltd | PROCESS FOR PRODUCTION OF GLASS BASE AND OPTICAL FIBER |
| US9783450B2 (en) | 2013-01-29 | 2017-10-10 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of producing glass preform and optical fiber |
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