JPS61214813A - Voltage comparing circuit with hysteresis - Google Patents

Voltage comparing circuit with hysteresis

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JPS61214813A
JPS61214813A JP60056501A JP5650185A JPS61214813A JP S61214813 A JPS61214813 A JP S61214813A JP 60056501 A JP60056501 A JP 60056501A JP 5650185 A JP5650185 A JP 5650185A JP S61214813 A JPS61214813 A JP S61214813A
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transistors
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Abstract

PURPOSE:To reduce the number of circuit elements and set freely a hysteresis width by combining two differential pairs of transistors TRs and a current mirror circuit. CONSTITUTION:A current mirror CM is connected as a load to TRs Q1 and Q2 forming a differential pair. A TR Q7 is connected to the collector of a TR 4 out of TRs Q3 and Q4 forming another differential pair. A TR Q8 whose base the output potential of the TR Q7 is given to is provided between the earth and the connection point between emitters of TRs Q3 and Q4. An input voltage is given to a terminal 5 and reference voltages are given to bases of TRS Q2 and Q4 independently of each other to perform the voltage comparing operation where the hysteresis width is determined by two reference voltages. Thus, the number of circuit elements is reduced, and the hysteresis width is set freely.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、アナログ入力信号をパルス信号化するノ4ル
ス化回路などに使用されるヒステリシス付き電圧比較回
路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a voltage comparator circuit with hysteresis used in a pulse conversion circuit that converts an analog input signal into a pulse signal.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

従来、ヒステリシス付き電圧比較回路の2つの閾値電圧
(入力電圧上昇方向の閾値電圧vTIIおよび入力電圧
低下方向の閾値電圧VTL)を独立に選択設定する必要
がある場合には、第4図に示すような回路構成が採用さ
れている。即ち、入力電圧vinは第1の電圧比較器5
1の非反転入力端(ト)および第2の電圧比較器52の
反転入力端(へ)に印加される。上記第1の電圧比較器
51の(へ)入力端には第1の基準電圧(前記vTHに
相当する)が印加され、この出力端はR8型フリッグフ
ロッ7’(FF)回路53のセット入力端Sに接続され
ている。また、前記第2の電圧比較器52の(ト)入力
端には第2の基準電圧(前記VTLに相当する)が印加
され、この出力端は前記FF回路53のリセット入力端
Rに接続されている。
Conventionally, when it is necessary to independently select and set the two threshold voltages (threshold voltage vTII in the input voltage increasing direction and threshold voltage VTL in the input voltage decreasing direction) of a voltage comparator circuit with hysteresis, it is necessary to select and set them independently as shown in FIG. A circuit configuration is adopted. That is, the input voltage vin is the first voltage comparator 5
It is applied to the non-inverting input terminal (G) of the second voltage comparator 52 and the inverting input terminal (G) of the second voltage comparator 52. A first reference voltage (corresponding to vTH) is applied to the input terminal of the first voltage comparator 51, and this output terminal is the set input terminal of the R8 type flip-flop 7' (FF) circuit 53. Connected to S. Further, a second reference voltage (corresponding to the VTL) is applied to the (g) input terminal of the second voltage comparator 52, and this output terminal is connected to the reset input terminal R of the FF circuit 53. ing.

上記電圧比較回路においては、第5図に示すように正弦
波入力の電圧レベルが前記■□よシ大きい期間には第1
の電圧比較器51の出力が″1”レベルになシ、上記入
力電圧レベルが前記v、rLよシ小さい期間には第2の
電圧比較器52の出力が@1”レベルになる。したがっ
て、FF回路53は、上記入力電圧レベルが前記Vオよ
シ大きくなったときにセットされ、入力電圧レベルが前
記VTLよシ小さくなったときにリセットされることに
よって、その出力端Qには図示のようなパルス電圧が現
われる@ 〔背景技術の問題点〕 上記した従来の回路では、電圧比較器が2個、FF回路
が1個使用されておシ、これらの電圧比較器およびFF
回路は逸常の回路構成では7〜lO素子必要であるので
、回路全体の素子数が21〜30程度の多くを必要とす
る欠点があった。
In the above voltage comparator circuit, as shown in FIG.
The output of the second voltage comparator 51 is at the "1" level, and the output of the second voltage comparator 52 is at the "1" level during the period when the input voltage level is smaller than the v and rL. Therefore, The FF circuit 53 is set when the input voltage level becomes higher than the VTL, and reset when the input voltage level becomes lower than the VTL, so that the output terminal Q has the voltage shown in the figure. A pulse voltage such as
Since the circuit requires 7 to 10 elements in a normal circuit configuration, there is a drawback that the entire circuit requires a large number of elements, about 21 to 30.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、使用回路
素子を著しく減少でき、ヒステリシス幅の両端電圧を独
立に設定でき、ヒステリシス幅を自由に設定し得るヒス
テリシス付き電圧比較回路を提供するものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a voltage comparison circuit with hysteresis that can significantly reduce the number of circuit elements used, can independently set the voltage at both ends of the hysteresis width, and can freely set the hysteresis width. It is.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

即ち、本発明のヒステリシス付き電圧比較回路は、第阜
の差動対トランジスタおよびta2の差動対トランジス
タに共通の負荷としてカレントミラー回路を接続し、第
2の差動対トランジスタの一方のトランジスタのコレク
タ電位を入力とする出力バッファ回路を設け、とのパ、
7ア回路の出力電位がベース入力として与えられるトラ
ンジスタを前記第2の差動対トランジスタのエミッタ相
互接続点と接地端との間に接続してなシ、前記第1の差
動対および第2の差動対の各一方のトランジスタのベー
スそれぞれに同じ電圧を印加し、各他方のトランジスタ
のベースそれぞれに相異なるレベルの電圧を印加するよ
うにしてなることを特徴とするものである。
That is, in the voltage comparator circuit with hysteresis of the present invention, a current mirror circuit is connected as a common load to the differential pair transistors of the second differential pair transistor and the differential pair transistor of ta2, and the current mirror circuit is connected as a common load to the differential pair transistor of the second differential pair transistor. An output buffer circuit that takes the collector potential as input is provided,
A transistor to which the output potential of the 7A circuit is applied as a base input is connected between the emitter interconnection point of the second differential pair transistor and the ground terminal, and the first differential pair and the second The same voltage is applied to the base of each one transistor of the differential pair, and voltages of different levels are applied to the bases of each other transistor.

これによって、前記同じ電圧としてたとえば入力電圧を
、また前記相異なるレベルの電圧として第1.第2の基
準電圧を独立に印加することによって、この2つの基準
電圧でヒステリシス幅が定まる電圧比較動作が行なわれ
るようになシ、使用回路素子数が極めて少なく、回路構
成は簡素なものとなる。
As a result, for example, the input voltage can be used as the same voltage, and the first . By applying the second reference voltage independently, a voltage comparison operation is performed in which the hysteresis width is determined by these two reference voltages, and the number of circuit elements used is extremely small, resulting in a simple circuit configuration. .

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図において、PNP形の第1のトランジスタQ1お
よび第2のトランジスタQ2はエミッタ相互が接続され
て第1の差動対をなしてi?、6、このエミッタ接続点
とvcc電源との間には定電施工1を流すための第1の
定電流源1が接続されている。そして、上記第1のトラ
ンジスタQ!のベースには入力電圧Winが印加され、
第2のトランジスタQ2のベースには第1の基準電圧v
THが印加される。また、PNP形の第2のトランジス
タQ3および第4のトランジスタQ4はエミッタ相互が
接続されて第2の差動対をなしておシ、このエミッタ接
続点とVaC電源との間には定電流!鵞を流すための第
2の定電流源2が接続されている。そして、上記第3の
トランジスタQsのベースには前記入力電圧vinが印
加され、第4のトランジスタQ4のベースには第2の基
準電圧v?Lが印加される。−方、NPN形の第5のト
ランジスタQs と第6のトランジスタQ6とは、ベー
ス相互が接続され、それぞれのエミッタが接地され、第
5のトランジスタQ5のコレクタ・ベース相互が接続さ
れておシ、これらはカレントミラー回路CMを形成して
いる。このカレントミラー回路CMは、前記第1の差動
対トランジスタQ1#Q!および第2の差動対トランジ
スタQs=Qaに対して共通の負荷とまうておシ、その
−次側の第5のトランジスタQsのコレクタは前記第1
のトランジスタQ1および第3のトランジスタQsの各
コレクタに接続されてお)、二次側の第6のトランジス
タQ6のコレクタは前記第2のトランジスタQ2および
第4のトランジスタQ4の各コレクタに接続されている
。そして、上記トランジスタQ4のコレクタに出カバ、
7ア回路、たとえばNPN形の第7のトランジスタQ7
のベースが接続され、このトランジスタQtのエミッタ
は接地され、コレクタとvec電源との間には定電流I
3を流すための第3の定電流源3が接続されておシ、こ
のコレクタは出力端子4に接続されている。また、この
コレクタは抵抗R1ヲ介してNPN形の第8のトランジ
スタQs (Dベースに接続され、このトランジスタQ
8のエミッタは接地され、コレクタは前記第2の差動対
トランジスタQs  、Qaのエミッタ接続点に接続さ
れている。
In FIG. 1, the emitters of a PNP-type first transistor Q1 and a second transistor Q2 are connected to each other to form a first differential pair. , 6. A first constant current source 1 for supplying constant current 1 is connected between this emitter connection point and the VCC power source. And the first transistor Q! An input voltage Win is applied to the base of
A first reference voltage v is applied to the base of the second transistor Q2.
TH is applied. Furthermore, the emitters of the PNP type second transistor Q3 and fourth transistor Q4 are connected to each other to form a second differential pair, and a constant current is applied between the emitter connection point and the VaC power supply. A second constant current source 2 is connected for flowing the goose. The input voltage vin is applied to the base of the third transistor Qs, and the second reference voltage v? is applied to the base of the fourth transistor Q4. L is applied. - On the other hand, the NPN type fifth transistor Qs and the sixth transistor Q6 have their bases connected to each other, their respective emitters are grounded, and the collector and base of the fifth transistor Q5 are connected to each other. These form a current mirror circuit CM. This current mirror circuit CM includes the first differential pair of transistors Q1#Q! and a common load for the second differential pair transistor Qs=Qa, and the collector of the fifth transistor Qs on the next side is connected to the first
The collector of the sixth transistor Q6 on the secondary side is connected to the collectors of the second transistor Q2 and the fourth transistor Q4. There is. Then, a cover is output to the collector of the transistor Q4,
7A circuit, for example, a seventh transistor Q7 of NPN type
The base of this transistor Qt is connected, the emitter of this transistor Qt is grounded, and a constant current I is connected between the collector and the vec power supply.
A third constant current source 3 for supplying 3 is connected, and the collector of the third constant current source 3 is connected to the output terminal 4. Further, this collector is connected to the NPN type eighth transistor Qs (D base) via the resistor R1, and this transistor Qs
The emitter of transistor No. 8 is grounded, and the collector thereof is connected to the emitter connection point of the second differential pair transistors Qs and Qa.

上記回路において、第2の差動対をなすトランジスタQ
s=Qaのエミツタ面積比は1:n(たとえば1:2)
に設定されておシ、第1の差動対用の定電流源1の定電
流■1と第2の差動対用の定電流源2の定電流!意との
比はl:n+1(本例では1:3)っまJ)Is=3I
tに設定されている。
In the above circuit, the transistor Q forming the second differential pair
The emitter area ratio of s=Qa is 1:n (for example, 1:2)
The constant current of the constant current source 1 for the first differential pair 1 and the constant current of the constant current source 2 for the second differential pair! The ratio is l:n+1 (1:3 in this example).Is=3I
It is set to t.

次忙、上記構成によるヒステリシス付き電圧比較回路忙
たとえば正弦波の入力電圧V1nが印加された場合の動
作を第2図を参照して説明する。入力電圧レベルが第1
の基準電圧vT!Iよシ大きい期間Aにおいては、Ia
lの差動対トランジスタQs−Qsは各対応してオフ、
オン状態になシ、第2のトランジスタQz K定電流工
!が流れる。また、上記A期間になったとき、第2の差
動対トランジスタQ!=94は後述する期間りにおける
それぞれオフ状態のままである。
Next, the operation of the voltage comparison circuit with hysteresis constructed as described above when, for example, a sinusoidal input voltage V1n is applied will be described with reference to FIG. The input voltage level is the first
The reference voltage vT! In period A, which is larger than I, Ia
l differential pair transistors Qs-Qs are each correspondingly turned off,
If not in the on state, the second transistor Qz K constant current! flows. Also, when the above-mentioned period A begins, the second differential pair transistor Q! =94 remain in the off state for a period to be described later.

し九がって、期間Aになったとき、カレントミラー回路
CMの一次側のトランジスタQsには電流が流れず、二
次側のトランジスタQ6にも電流が流れず、前記第2の
トランジスタQ8からの電流■1によシ第7のトランジ
スタQ7がオン駆動され、出力端子4は接地電位(“0
#レベル)になる。これによって、第8のトランジスタ
Qsはオフ状態になシ、前記第4のトランジスタQ4が
オンになjD、#E2の定電流源2からの定電流I3が
流れる。
Then, when period A begins, no current flows through the transistor Qs on the primary side of the current mirror circuit CM, no current flows through the transistor Q6 on the secondary side, and no current flows from the second transistor Q8. The seventh transistor Q7 is turned on by the current ■1, and the output terminal 4 is set to the ground potential (“0
#level). As a result, the eighth transistor Qs is turned off, the fourth transistor Q4 is turned on, and a constant current I3 from the constant current source 2 of jD and #E2 flows.

次に、入力電圧レベルが低下して前記第1の基準電圧V
THと第2の基準電圧v?Lとの中間になる期間Bにお
いては、第1の差動対トランジスタQtpQ*は各対応
してオン、オフ状態になシ、第1のトランジスタQ1に
定電流Ilが流れる。これに対して、第2の差動対ト2
ンゾスj’Qj # Qaは各対応してオフ、オン状態
のままであり、カレントミラー回路CMの一次側のトラ
ンジスタQs Kは前記第1のトランジスタQ1からの
電流Ilが流れ、二次側のトランジスタQs Kも電流
!!が流れる。したがって、第4のトランジスタQ4に
流れる電流I * (=31t)のうち前記カレントミ
ラー回路CMの二次側トランジスタQ・に流れる電流1
1以外の電流2ftkよシ第7のトランジスタQtはオ
ン駆動されたままであり、これKよって第8のトランジ
スタQaはオフ状態のitである。
Next, the input voltage level decreases and the first reference voltage V
TH and second reference voltage v? During period B, which is midway between the first differential pair transistor QtpQ* and the first differential pair transistor QtpQ*, the first differential pair transistor QtpQ* is neither on nor off, and a constant current Il flows through the first transistor Q1. On the other hand, the second differential pair
The current mirror circuit CM's primary side transistor QsK flows through the current Il from the first transistor Q1, and the secondary side transistor Qs K is also a current! ! flows. Therefore, among the current I * (=31t) flowing through the fourth transistor Q4, the current 1 flowing through the secondary side transistor Q of the current mirror circuit CM
Since the current 2ftk is different from 1, the seventh transistor Qt remains turned on, so that the eighth transistor Qa is in the off state.

さらに、入力電圧レベルが低下して前記第2の基準電圧
VTLよシ小さくなる期間Cにおいては、第10差動対
トランゾスタQttQ*は各対応してオン、オフ状態の
ままであり、第2の差動対におけるトランジスタQsが
オン状態になシ、この第3のトランジスタQ3には第2
の定電流源2からの電流I z (=3It )のうち
11が流れる。したがって、カレントミラー回路CMの
一次側トランジスタQgには第1のトランシスタQ1か
らの電流11および第3のトランジスタQ3からの電流
■!が流れるようになシ、二次側トランジスタQ6には
第4のトランジスタQ4からの電流2工が流れ、第7の
トランジスタQ7はオン駆動に必要なベース電流が流れ
ないのでオフ状態になシ、出力端子4はvcc電位(@
1#レベル)になる。これによって、定電m I sに
よシ第8のトランジスタQ8がオン駆動され、このトラ
ンジスタQ8は第2の定電流源2からの電施工2が流れ
てオン状態になシ、トランジスタQs=Q4はそれぞれ
オフ状態になる・なお、上記期間Cになったとき、第3
のトランジスタQ3と第4のトランジスタQ4にはそれ
ぞれのエミッタ面積比1:2に対応してItt211の
電流が流れ、それぞれのベース・エミッタ間電圧が等し
くなっているので、入力電圧Vinと第2の基準電圧V
TLとの比較精度が良い。
Furthermore, during the period C when the input voltage level decreases and becomes smaller than the second reference voltage VTL, the tenth differential pair transistor QttQ* remains in the on and off states, respectively, and the second Transistor Qs in the differential pair is in the on state, and this third transistor Q3 has a second
11 of the current I z (=3It) from the constant current source 2 flows. Therefore, the current 11 from the first transistor Q1 and the current ■! from the third transistor Q3 flow to the primary side transistor Qg of the current mirror circuit CM. , the current from the fourth transistor Q4 flows through the secondary side transistor Q6, and the seventh transistor Q7 is turned off because the base current necessary for turning it on does not flow. Output terminal 4 is at vcc potential (@
1# level). As a result, the eighth transistor Q8 is turned on by the constant current m I s, and this transistor Q8 is turned on as the electric current 2 from the second constant current source 2 flows, and the transistor Qs=Q4.・When the above period C comes, the third
The current Itt211 flows through the transistor Q3 and the fourth transistor Q4 corresponding to the emitter area ratio of 1:2, and the base-emitter voltages are equal, so the input voltage Vin and the second Reference voltage V
Good comparison accuracy with TL.

次に、入力電圧レベルが上昇して前記第2の基準電圧V
TLと第1の基準電圧vTI!との中間になる期間りに
おいては、第2の差動対トランジスタQs=Qaはそれ
ぞれオフ状態のままであり、第1の差動対トランジスタ
QseQsはオン、オフ状態のままである。したがって
、カレントミラー回路CMの一次側トランジスタQs 
には第1のトランジスタQ1からの電施工1が流れるが
、二次側トランジスタQ6には電流が流れず、第7のト
ランジスタQ7もオン駆動に必要なベース電流が流れな
いのでオフ状態のままであり、第8のトランジスタQ8
は定電施工3によジオン駆動されてオン状態のままであ
り、第3.第4のトランジスタQs  、Qaはそれぞ
れオフ状態のままである。
Next, the input voltage level increases to the second reference voltage V
TL and the first reference voltage vTI! During the intermediate period between , the second differential pair transistors Qs=Qa each remain in the off state, and the first differential pair transistor QseQs remains in the on and off states. Therefore, the primary side transistor Qs of the current mirror circuit CM
The electric current 1 from the first transistor Q1 flows through the transistor Q1, but no current flows through the secondary side transistor Q6, and the base current necessary for turning on the seventh transistor Q7 does not flow, so it remains in the off state. Yes, eighth transistor Q8
is driven by the constant current construction 3 and remains in the on state, and the 3rd. The fourth transistors Qs and Qa each remain in the off state.

即ち、上記ヒステリシス付き電圧比較回路においては、
第1の基準電圧VTHと第2の基準電圧VTLとの差に
相当するヒステリシス幅を有する電圧比較が可能であり
、上記各基準電圧VTH。
That is, in the voltage comparator circuit with hysteresis,
It is possible to compare voltages having a hysteresis width corresponding to the difference between the first reference voltage VTH and the second reference voltage VTL, and each of the reference voltages VTH mentioned above.

VTLを独立に自由に設定することが可能である。It is possible to freely set the VTL independently.

また、上記回路においては、基準電圧vT1i、vHL
を印加する端子(第2.第4のトランジスタQ2゜Q4
のベース)の入力インピーダンスが高いので、入力イン
ピーダンスの高い基準電圧源を用いることができ、基準
電圧vTH1VTLとして設定可能な電圧範囲が広い。
In addition, in the above circuit, the reference voltages vT1i, vHL
(the second and fourth transistors Q2゜Q4
Since the input impedance of the reference voltage source (base) is high, a reference voltage source with high input impedance can be used, and the voltage range that can be set as the reference voltage vTH1VTL is wide.

また、第1の定電流源1と第2の定電流源2との電流比
および第2の差動対トランジスタQ3=Q4のエミツタ
面積比を適切に設定することによりて、第2の基準電圧
VTLと入力電圧Vinとの比較精度が良くなる。しか
も、上記電圧比較回路は、各電流源をそれぞれ1個のト
ランジスタで実現するものとすれば、トランジスタの使
用数は11個、抵抗の使用数は1個であり、使用回路素
子の合計は12個であって従来例に比べて極めて簡単化
されている。
In addition, by appropriately setting the current ratio between the first constant current source 1 and the second constant current source 2 and the emitter area ratio of the second differential pair transistor Q3=Q4, the second reference voltage can be adjusted. The accuracy of comparison between VTL and input voltage Vin is improved. Moreover, in the above voltage comparison circuit, if each current source is realized by one transistor, the number of transistors used is 11, the number of resistors used is 1, and the total number of circuit elements used is 12. This is extremely simplified compared to the conventional example.

第3図は、上記第1図の回路の変形例を示しておシ、第
1図の回路に比べて異なるのは、(1)入力端子5と接
地端との間に抵抗R,t R8sR4を直列に接続し、
抵抗R1pR3の接続点を第1のトランジスタQ1のベ
ースに接続し、抵抗R3tR4の接続点を第3のトラン
ジスタQ3のベースに接続している点、(2)第2のト
ランジスタQ意と第4のトランジスタQ4のベース相互
を共通接続し、ここに基準電圧v8を印加している点、
(3)出カバ、ファ回路として、第7のトランジスタQ
7のコレクタにNPN形の第9のトランジスタQ9のベ
ースを接続し、このトランジスタQ―のエミッタを接地
し、コレクタとvce電源端子との間に定電流I4を流
すための第4の定電流源6を接続し、上記コレクタを前
記抵抗R1の一端に接続するように変更した点である。
FIG. 3 shows a modification of the circuit shown in FIG. 1. The differences from the circuit shown in FIG. 1 are (1) a resistor R, t R8sR4 between the input terminal 5 and the ground are connected in series,
(2) The connection point of the resistor R1pR3 is connected to the base of the first transistor Q1, and the connection point of the resistor R3tR4 is connected to the base of the third transistor Q3. The bases of the transistors Q4 are commonly connected and the reference voltage v8 is applied thereto;
(3) Seventh transistor Q as output cover and F circuit
A fourth constant current source connects the base of an NPN type ninth transistor Q9 to the collector of 7, grounds the emitter of this transistor Q-, and flows a constant current I4 between the collector and the VCE power supply terminal. 6 is connected, and the collector is connected to one end of the resistor R1.

その他は第1図と同じであるので、第1図中と同一部分
には同一符号を付している。
Since the other parts are the same as in FIG. 1, the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals.

上記回路においては、入力端子5の入力電圧Vlnが第
1の基準電圧v?Hよシ大きい期間にトランジスタQl
 −Qsがそれぞれオフ状態になるものとすれば、上記
vT1には で表わされる。また、入力端子60入力電圧Vinが第
2の基準電圧VTLよシ小さい期間にトランジスタQx
yQsがそれぞれオン状態になるものとすれば、上記v
?Lは で表わされる。
In the above circuit, the input voltage Vln of the input terminal 5 is the first reference voltage v? Transistor Ql during a period larger than H
-Qs are each turned off, then vT1 is expressed as follows. Also, during a period when the input voltage Vin at the input terminal 60 is smaller than the second reference voltage VTL, the transistor Qx
If yQs are each turned on, the above v
? L is represented by .

上記第3図の回路の動作は前記実施例の動作に準じて行
表われるが、第9のトランジスタQ9を付加したことに
よってトランジスタQ7とQ8とが同じスイッチ状態に
なシ、出力電圧voutのレベルが前記実施例における
V。utとは逆相になる。
The operation of the circuit shown in FIG. 3 is performed in accordance with the operation of the previous embodiment, but by adding the ninth transistor Q9, transistors Q7 and Q8 are in the same switch state, and the level of the output voltage vout is is V in the above example. It is in reverse phase with ut.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述したように本発明のヒステリシス付き電圧比較回路
によれば、使用回路素子数を著しく減少でき、ヒステリ
シス幅の両端電圧を独立に設定でき、ヒステリシス幅を
自由に設定することができる。
As described above, according to the voltage comparison circuit with hysteresis of the present invention, the number of circuit elements used can be significantly reduced, the voltages at both ends of the hysteresis width can be set independently, and the hysteresis width can be set freely.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明のヒステリシス付き電圧比較回路の一実
施例を示す回路図、第2図は第1図の回路の動作説明を
するために示す信号波形図、第3図は本発明の他の実施
例を示す回路図、第4図は従来のヒステリシス付き電圧
比較回路を示すプロ、り図、第5図は第4図の回路動作
を示す信号波形図である。 1〜3,6・・・定電流源、4・・・出力端子、5・・
・入力端子、Q1〜Q9・・・トランジスタ、R1−R
4・・・抵抗、CM・・・カレントミラー回路。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the voltage comparison circuit with hysteresis of the present invention, FIG. 2 is a signal waveform diagram shown to explain the operation of the circuit of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional voltage comparison circuit with hysteresis, and FIG. 5 is a signal waveform diagram showing the circuit operation of FIG. 4. 1-3, 6...constant current source, 4...output terminal, 5...
・Input terminal, Q1-Q9...transistor, R1-R
4...Resistance, CM...Current mirror circuit.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)エミッタ相互が接続されて第1の差動対をなすト
ランジスタQ_1,Q_2と、エミッタ相互が接続され
て第2の差動対をなし、前記トランジスタQ_1、Q_
2に各対応してコレクタ相互が接続されたトランジスタ
Q_3、Q_4と、このトランジスタQ_3、Q_4の
コレクタに負荷として接続されたカレントミラー回路と
、前記トランジスタQ_4のコレクタ電位を入力とする
出力バッファ回路と、この出力バッファ回路の出力電位
がベース入力として与えられ前記第2の差動対トランジ
スタQ_3、Q_4のエミッタ相互接続点と所定電位端
との間に接続されたトランジスタQ_8とを具備し、前
記第1の差動対および第2の差動対の各一方のトランジ
スタのベースそれぞれには同じ電圧を印加し、各他方の
トランジスタのベースそれぞれには相異なるレベルの電
圧を印加するようにしてなることを特徴とするヒステリ
シス付き電圧比較回路。
(1) Transistors Q_1 and Q_2 whose emitters are connected together to form a first differential pair, and transistors Q_1 and Q_2 whose emitters are connected to each other to form a second differential pair.
2, a current mirror circuit connected as a load to the collectors of the transistors Q_3 and Q_4, and an output buffer circuit whose input is the collector potential of the transistor Q_4. , a transistor Q_8 to which the output potential of the output buffer circuit is applied as a base input and connected between the emitter interconnection point of the second differential pair transistors Q_3 and Q_4 and a predetermined potential end; The same voltage is applied to the bases of the transistors in each of the first differential pair and the second differential pair, and voltages at different levels are applied to the bases of the other transistors. A voltage comparator circuit with hysteresis.
(2)前記同じ電圧は入力電圧であり、前記相異なるレ
ベルの電圧は第1の基準電圧V_T_Hおよび第2の基
準電圧V_T_Lであることを特徴とする前記特許請求
の範囲第1項記載のヒステリシス付き電圧比較回路。
(2) Hysteresis according to claim 1, wherein the same voltage is an input voltage, and the voltages at different levels are a first reference voltage V_T_H and a second reference voltage V_T_L. voltage comparator circuit.
(3)前記同じ電圧は基準電圧V_sであり、前記相異
なるレベルの電圧は入力電圧を分圧して生成したもので
あることを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の
ヒステリシス付き電圧比較回路。
(3) The voltage comparison with hysteresis according to claim 1, wherein the same voltage is a reference voltage V_s, and the voltages at different levels are generated by dividing an input voltage. circuit.
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