JPS61212849A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS61212849A JPS61212849A JP5230385A JP5230385A JPS61212849A JP S61212849 A JPS61212849 A JP S61212849A JP 5230385 A JP5230385 A JP 5230385A JP 5230385 A JP5230385 A JP 5230385A JP S61212849 A JPS61212849 A JP S61212849A
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- conductive
- photoreceptor
- electrodes
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子写真プロセスに用いる電子写真感光体、
特に、導′直性部材を接触させて帯電せし１うるのに適
した電子写真感光体に関する。
特に、導′直性部材を接触させて帯電せし１うるのに適
した電子写真感光体に関する。
従来、複写機やレーザビームプＩノンタ等に用いられて
いる電子写真プロセス、即ち、計屯し、画像露光を行っ
て感光体上に静市像金形成し、この静電像に現像剤であ
る黒色微粒子を付着させ１１視化を行い、更にこの像を
紙に転写させて記録画像を得るプロセスに用いられる電
子写真感光体（以丁、感光体とする）の構成は、一般に
導電性金属支持体上に光導電層が形成されているもので
ろる。
いる電子写真プロセス、即ち、計屯し、画像露光を行っ
て感光体上に静市像金形成し、この静電像に現像剤であ
る黒色微粒子を付着させ１１視化を行い、更にこの像を
紙に転写させて記録画像を得るプロセスに用いられる電
子写真感光体（以丁、感光体とする）の構成は、一般に
導電性金属支持体上に光導電層が形成されているもので
ろる。
光導電層の材料としては、アモルファスＳｅやＣｄＳ、
ＺｎＯ等を有機バインダー中に分散させた複合材料やポ
リＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）トリフェニルアミ
ン等の有機物が用いられている。
ＺｎＯ等を有機バインダー中に分散させた複合材料やポ
リＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）トリフェニルアミ
ン等の有機物が用いられている。
一般に、上述した電子写真プロセスでは感光体を帯電さ
せるには、文献〔ジＵえば、昭和５２年９月１５日、共
立出版発行、１％、 Ｍ、 ５ｃｂａｆｆｅｒｔ著、「
電子写真Ｊ（？／Ｊ版３刷）第１６４頁〕で示されてい
るようなコロナ放電を利用している。コロナ放電は、導
電性金属からなるシールドケースの中央付近にタングス
テン等からなるコロナワイヤ線（、直径４０〜ｔｏｏμ
ｍ）をはり、シールド−ケース全アースに接続した状態
でコロナワイヤ線に数ＫＶの高電圧を印加することによ
ｐ発生する。
せるには、文献〔ジＵえば、昭和５２年９月１５日、共
立出版発行、１％、 Ｍ、 ５ｃｂａｆｆｅｒｔ著、「
電子写真Ｊ（？／Ｊ版３刷）第１６４頁〕で示されてい
るようなコロナ放電を利用している。コロナ放電は、導
電性金属からなるシールドケースの中央付近にタングス
テン等からなるコロナワイヤ線（、直径４０〜ｔｏｏμ
ｍ）をはり、シールド−ケース全アースに接続した状態
でコロナワイヤ線に数ＫＶの高電圧を印加することによ
ｐ発生する。
このコロナ放電により、電離したイオンがシールドケー
スの開口部から放出され、感光体表面上に付着して感光
体は所定の電位まで帯電させることができる。
スの開口部から放出され、感光体表面上に付着して感光
体は所定の電位まで帯電させることができる。
上記のようにコロナ放電を利用する帯電方法は、コロナ
ワイヤやシールドケース、更に数ＫＶを発生させるため
の高電圧電源が必要で、装置のコンパクト化に困難をき
たすほか、放電を利用するため、周辺の電子機器に誤動
作を与える原因にもなっている。
ワイヤやシールドケース、更に数ＫＶを発生させるため
の高電圧電源が必要で、装置のコンパクト化に困難をき
たすほか、放電を利用するため、周辺の電子機器に誤動
作を与える原因にもなっている。
そのため、上記のような数ＫＶＯ高電圧を用いることな
く、有効に感光体を帯電させる方法として、列えば特開
昭５７−６４７５４号公報や特開昭５８−４９９６０号
公報に開示されているような専区性ブラシ又は導電性ロ
ーラーを用いる方法がある。これらの方法は、導電性部
材に電圧を印加しながら・、その部材を感光体に接触さ
せ、感光体を所定の電位まで帯電させるもので、コロナ
放ｒＪｌ利用した方法に比べて低い電源電圧でよいため
、装置のコンパクト化が図れるほか、放電による種坤の
へい害をなくすことができる。
く、有効に感光体を帯電させる方法として、列えば特開
昭５７−６４７５４号公報や特開昭５８−４９９６０号
公報に開示されているような専区性ブラシ又は導電性ロ
ーラーを用いる方法がある。これらの方法は、導電性部
材に電圧を印加しながら・、その部材を感光体に接触さ
せ、感光体を所定の電位まで帯電させるもので、コロナ
放ｒＪｌ利用した方法に比べて低い電源電圧でよいため
、装置のコンパクト化が図れるほか、放電による種坤の
へい害をなくすことができる。
しかし、上記のような接触を利用した帯電法を通常の電
子写真プロセスに用いている感光体に適用すると、感光
体の表面抵抗率がｒｏ１２Ωから１０１４Ωと非常に高
いため、導電性部材からの電荷が感光体表向上に均一に
分布させることができなく、記録した画像にプラ乙シや
ローラーのこすシ後が縞状に出るという欠点がある。
子写真プロセスに用いている感光体に適用すると、感光
体の表面抵抗率がｒｏ１２Ωから１０１４Ωと非常に高
いため、導電性部材からの電荷が感光体表向上に均一に
分布させることができなく、記録した画像にプラ乙シや
ローラーのこすシ後が縞状に出るという欠点がある。
本発明は、上記した如き欠点を除去し、４心性ブラシや
導電性ローラー等の４電性部材を感光体に接触させて帯
電させるのに適している電子写真感光体を提供すること
が目的である。
導電性ローラー等の４電性部材を感光体に接触させて帯
電させるのに適している電子写真感光体を提供すること
が目的である。
本発明を概説すれば、本発明は感光体に関する発明であ
シ、アモルファスシリコン（以下、ａ −８ｉとする）
全光導電層と用い、その表面上にパターン状の透明孤立
電極を形成せしめ、この孤立電極とａ−’−，９ｉ層と
のｐｎ接合の伝導□型が整流型であることを特徴とする
電子写真感光体である。
シ、アモルファスシリコン（以下、ａ −８ｉとする）
全光導電層と用い、その表面上にパターン状の透明孤立
電極を形成せしめ、この孤立電極とａ−’−，９ｉ層と
のｐｎ接合の伝導□型が整流型であることを特徴とする
電子写真感光体である。
〔発明の実施例〕 □
導電性部材を感光体に接触して帯電：させる場合、種々
□の実験をした結果、□感光体上の帯電むらをなくすた
めには、表面抵抗率をｒ０３Ω以下にする必要があるこ
とがわかった。これを芙現するためには、感光体表面上
に抵抗率の□低い透明の膜を形成し電極として使うこと
が有効である。しかし□、感光体表面全体に抵抗率の低
い膜を形成すると電荷パターンの位置に対する保持性が
悪くなシ、パターンが広がってしまい記録画像がポケる
という問題が生じる。これを゛防ぐためには、上記透明
電極を島状に分離させる必要がある。更に、感光体の帯
電性及び電荷の時間に対する保持性を上げるためには、
光導電層と上記抵抗率の低い透明度との接合における伝
導型を整流型にする必要がある。
□の実験をした結果、□感光体上の帯電むらをなくすた
めには、表面抵抗率をｒ０３Ω以下にする必要があるこ
とがわかった。これを芙現するためには、感光体表面上
に抵抗率の□低い透明の膜を形成し電極として使うこと
が有効である。しかし□、感光体表面全体に抵抗率の低
い膜を形成すると電荷パターンの位置に対する保持性が
悪くなシ、パターンが広がってしまい記録画像がポケる
という問題が生じる。これを゛防ぐためには、上記透明
電極を島状に分離させる必要がある。更に、感光体の帯
電性及び電荷の時間に対する保持性を上げるためには、
光導電層と上記抵抗率の低い透明度との接合における伝
導型を整流型にする必要がある。
’ａ−、９ｉは電子写真に必要な光導電特性を有してい
るほか、上記要求にかなう特性を有せしめることができ
る。通常、抵抗率の低い透明電極としては、Ｉｎ２Ｏ５
＊ ５ｆｌＯ２、Ｉｎ−５ｎ−ｏ等の材料が用いられる
が：これら材料はｎ型の特性を有しているため、光導電
層との接合を整流型にするためには、光導電、層をｐ型
にしなければならない。ａ −Ｓ、ｉはＢ等周期律表第
■族Ａの元素を層中にドープすることによ□すｐ型に制
御させることができる。ま−た、そればかりでなく、ａ
−８ｉの光導電層は ・Ｓｅ系の光導電層やバインダー
系光導′醒層に比べて、耐熱性および耐溶剤性に優れて
いるため、パターン状の電極゛形成に適している。また
、機械的強度も大きく、電子写真プロセスの一部に用い
るブラシやブレード等に対しても損傷を受けない・・。
るほか、上記要求にかなう特性を有せしめることができ
る。通常、抵抗率の低い透明電極としては、Ｉｎ２Ｏ５
＊ ５ｆｌＯ２、Ｉｎ−５ｎ−ｏ等の材料が用いられる
が：これら材料はｎ型の特性を有しているため、光導電
層との接合を整流型にするためには、光導電、層をｐ型
にしなければならない。ａ −Ｓ、ｉはＢ等周期律表第
■族Ａの元素を層中にドープすることによ□すｐ型に制
御させることができる。ま−た、そればかりでなく、ａ
−８ｉの光導電層は ・Ｓｅ系の光導電層やバインダー
系光導′醒層に比べて、耐熱性および耐溶剤性に優れて
いるため、パターン状の電極゛形成に適している。また
、機械的強度も大きく、電子写真プロセスの一部に用い
るブラシやブレード等に対しても損傷を受けない・・。
□本発明の一実施例による感光体の代表的な構成を第１
図に示す。第１図に示される感光体１は、導電性支持体
２、ｐ型に制御したａ−８ｉ光導電層３、ｎ型の透明孤
立電極４から構成されているものである。透明孤立電極
４は、ａ−、ｇｉ光導電層３上に”形成されているパタ
ーン状電極であり、゛第２図の平面図に示されるような
孤立した四角形の島状になっている。
図に示す。第１図に示される感光体１は、導電性支持体
２、ｐ型に制御したａ−８ｉ光導電層３、ｎ型の透明孤
立電極４から構成されているものである。透明孤立電極
４は、ａ−、ｇｉ光導電層３上に”形成されているパタ
ーン状電極であり、゛第２図の平面図に示されるような
孤立した四角形の島状になっている。
支持体は、２！４．−件の金属材料、例えばｋｔ、黄銅
等のほか、非導電性材料の上にＡｚ、Ａｇ。
等のほか、非導電性材料の上にＡｚ、Ａｇ。
ｐｂ＋ Ｚ ｎ＋ Ｎ ｉ＊ Ａ ｕ ＋ Ｃｒ等の金
属を蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング蒸着等によ
り属を形成させたものでもよく、表面を鏡面状に仕上げ
たものを用いる。
属を蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング蒸着等によ
り属を形成させたものでもよく、表面を鏡面状に仕上げ
たものを用いる。
ａ−８ｉ層は、工業材料第３０春画５号ｐ、１７−ｐ、
２３で論じられているグロー放電法、スパッタリング法
号のプラズマ放電現象を利用した堆積法により形成てれ
る。この場合、所望のプラズマ雰囲気を形成するのに有
効な放現現象を堆積室内に生起させるためには、放罐電
流密度を通常は０、 Ｌ〜ｌ ００ ｍＡ／ｃｒＡ 好
適にはｔ 〜ｔ ｏ ｍ Ａ／ｃｒｔｌとしたＡＣ又は
Ｄ Ｃｉｔ流とするのが良く、又充分なパワーを得る為
には、通常１００〜６００ｖ。
２３で論じられているグロー放電法、スパッタリング法
号のプラズマ放電現象を利用した堆積法により形成てれ
る。この場合、所望のプラズマ雰囲気を形成するのに有
効な放現現象を堆積室内に生起させるためには、放罐電
流密度を通常は０、 Ｌ〜ｌ ００ ｍＡ／ｃｒＡ 好
適にはｔ 〜ｔ ｏ ｍ Ａ／ｃｒｔｌとしたＡＣ又は
Ｄ Ｃｉｔ流とするのが良く、又充分なパワーを得る為
には、通常１００〜６００ｖ。
好適には３００〜５００Ｖの成用で、投入される底力と
しては、通常住１〜５００Ｗ、好適には、１〜２００Ｗ
とされるのが良い。
しては、通常住１〜５００Ｗ、好適には、１〜２００Ｗ
とされるのが良い。
ａ−８ｉ層３の形成用物質としては、シリコン単体の外
、堆、層中に分解してシリコン単体ずるゲイ素化合物が
用いられる。このようなシリコン化合物として代表的な
ものば８ ｉＨ＜ 、 Ｓ Ｎ２Ｈａなどのシリコン水
素化合物である。ａ−３ｉ層の形成については、ａ−８
ｉ層の暗抵抗及び光電利得の制御のために、必要に応じ
て水素、酸素、窒素およびまたは炭素などを加えること
も有効である。
、堆、層中に分解してシリコン単体ずるゲイ素化合物が
用いられる。このようなシリコン化合物として代表的な
ものば８ ｉＨ＜ 、 Ｓ Ｎ２Ｈａなどのシリコン水
素化合物である。ａ−３ｉ層の形成については、ａ−８
ｉ層の暗抵抗及び光電利得の制御のために、必要に応じ
て水素、酸素、窒素およびまたは炭素などを加えること
も有効である。
また、ａ−，９ｉ層３は上記した文献（工業材料第３０
春画５号ｐ、２０）に示されているように、製造時の不
純物のドーピングによって結晶半導体のような伝導型を
制御することができる。ａ−８ｉ層３中にドーピングさ
れる不純物の量は、所望される電気的、光学的特性に応
じて適宜決定されるが、本発明においては周期律表第■
族Ａの不純物を１０−’〜１Ｏ−２ａｔｏｒｎｉｃ、１
、好適にはｌｏ−６〜１０−’ ａｔｏｍｉｃ％とする
のが望ましい。
春画５号ｐ、２０）に示されているように、製造時の不
純物のドーピングによって結晶半導体のような伝導型を
制御することができる。ａ−８ｉ層３中にドーピングさ
れる不純物の量は、所望される電気的、光学的特性に応
じて適宜決定されるが、本発明においては周期律表第■
族Ａの不純物を１０−’〜１Ｏ−２ａｔｏｒｎｉｃ、１
、好適にはｌｏ−６〜１０−’ ａｔｏｍｉｃ％とする
のが望ましい。
上記説明した不純物のａ Ｓｒ層中へのドーピング方
法については、後述する具体的実施例に於いて詳述する
。ここでは、水系について説明する。
法については、後述する具体的実施例に於いて詳述する
。ここでは、水系について説明する。
ａ−８ｉ層３中への水素の含有は、的えばグロー放電法
ではａ−８ｉを形成する出発物質がＳｉ（４＋ Ｓ １
２Ｈａ等の水素化合物を使用するので、これら物質が分
解してａ−７９ｉ層を形成する際に水素が自動的に層中
に含有されるが、更に水素の層中への含有量を制御する
場合には、グロー放電を行う装置系内にＨ２ガスを導入
してやればよい。
ではａ−８ｉを形成する出発物質がＳｉ（４＋ Ｓ １
２Ｈａ等の水素化合物を使用するので、これら物質が分
解してａ−７９ｉ層を形成する際に水素が自動的に層中
に含有されるが、更に水素の層中への含有量を制御する
場合には、グロー放電を行う装置系内にＨ２ガスを導入
してやればよい。
スパッタリング法による場合はＡｒ等の不活性ガス又は
このガスをベースとした混合ガス雰囲気中で、シリコン
をターゲットとしてスパッタを行う際にＨ２ガスを導入
してやるか又は５ｉ）（４゜５ｊ２Ｈ６等のシリコン水
素化合物ガス、或いは不純物のドーピングも兼ねてＢ２
Ｈ６等のガスを導入してやれば良い。
このガスをベースとした混合ガス雰囲気中で、シリコン
をターゲットとしてスパッタを行う際にＨ２ガスを導入
してやるか又は５ｉ）（４゜５ｊ２Ｈ６等のシリコン水
素化合物ガス、或いは不純物のドーピングも兼ねてＢ２
Ｈ６等のガスを導入してやれば良い。
ａ−８ｉ層中に含有させる水素の量は通常の場合、５〜
４０ ａｔｏｍｉｃ ％ 、好適には【Ｏ〜２０ａｔｏ
ｍｉｃ％が望ましい。
４０ ａｔｏｍｉｃ ％ 、好適には【Ｏ〜２０ａｔｏ
ｍｉｃ％が望ましい。
上記のようにして形成されるａ−８ｉ層の厚さは、所望
する電子写真特性及び使用条件に応じて適宜決定される
ものであるが、通常の場合１〜ｎＸ １００μｍ１好適には１０〜３０μｍが望ましい。
する電子写真特性及び使用条件に応じて適宜決定される
ものであるが、通常の場合１〜ｎＸ １００μｍ１好適には１０〜３０μｍが望ましい。
透明孤立電極４はａ−ｄｉ層の上に形成する。
その代表的な製法は、蒸着とホトレジストを用いた化学
エツチングによる方法である。この方法による場合は、
ＩｎｚＯａ ｌ ５ｎ０２ 、 Ｉｎ−８ｎ−０等のｎ
型の材料をａ Ｓｉ層上に蒸着した後、ホトレジスト
ヲ用いて孤立電極のマスキングツくターンを形成し、次
いで酸又はアルカリ等の所定のエツチング液を用いてＩ
ｎ２Ｏ５等の層を退択的にエツチング除去した後、ホト
レジストのマスキングパターンを除去して形成する。孤
立電極４の厚さは、通常５００人〜１０μｍで好適には
１０００人〜２μｍが望ましい。
エツチングによる方法である。この方法による場合は、
ＩｎｚＯａ ｌ ５ｎ０２ 、 Ｉｎ−８ｎ−０等のｎ
型の材料をａ Ｓｉ層上に蒸着した後、ホトレジスト
ヲ用いて孤立電極のマスキングツくターンを形成し、次
いで酸又はアルカリ等の所定のエツチング液を用いてＩ
ｎ２Ｏ５等の層を退択的にエツチング除去した後、ホト
レジストのマスキングパターンを除去して形成する。孤
立電極４の厚さは、通常５００人〜１０μｍで好適には
１０００人〜２μｍが望ましい。
本発明で特に重要な点は、上述したようにｐ２！！！ａ
−Ｓｉ層の上にｎ型の透明孤立電極を形成し、この界面
を整流型にして、孤立電極からａ−ｄｉ層へ電荷が注入
するの全ブロックして帯電時の効率を高めることにある
。
−Ｓｉ層の上にｎ型の透明孤立電極を形成し、この界面
を整流型にして、孤立電極からａ−ｄｉ層へ電荷が注入
するの全ブロックして帯電時の効率を高めることにある
。
透明孤立Ｋｍのパターンは、前述のように島状に孤立化
しなければ、電荷が感光体全面に広かつ（［０） でしまい、静電潜像を形成することができない。
しなければ、電荷が感光体全面に広かつ（［０） でしまい、静電潜像を形成することができない。
パターンの大きさは、記録する画像の画素又は要求され
る解像度よシも小さくする必要がある。
る解像度よシも小さくする必要がある。
例エバ、レーザビームプリンタの場合、印字１ドツトの
径は、約１００μｍであるため、パターンがビーム１０
の径と同じ程度の場合、解像度を落さないようにするに
は、第５図（ａ）のようにパターンの１つ１つとレーザ
ビーム１００点灯を同期をとる必要がある。第５図（ｂ
）のようになると透明孤立電極Ａ、Ｂの両パターンが露
光され、ビーム［Ｏの径の２倍になってしまう。これに
対して、本発明の実施列となる第５図（Ｃ）のようにす
れば、同期をとることなく、更に解像度の劣化も生じな
い。
径は、約１００μｍであるため、パターンがビーム１０
の径と同じ程度の場合、解像度を落さないようにするに
は、第５図（ａ）のようにパターンの１つ１つとレーザ
ビーム１００点灯を同期をとる必要がある。第５図（ｂ
）のようになると透明孤立電極Ａ、Ｂの両パターンが露
光され、ビーム［Ｏの径の２倍になってしまう。これに
対して、本発明の実施列となる第５図（Ｃ）のようにす
れば、同期をとることなく、更に解像度の劣化も生じな
い。
以上説明した感光体において、透明孤立電極のパターン
の形状は四角形だけに限らず六角形、丸形号適宜他の形
状であってもよい。
の形状は四角形だけに限らず六角形、丸形号適宜他の形
状であってもよい。
以下、本発明の具体的な実施ρＵの製造方法を述べる。
表面を鏡面状に仕上げたＡｊ製の導電性支持体（１Ｌ）
を５ｉｌ（４ガスとＨ２ガスの混合比１ ／ ４ （Ｓ
ｉＨ４／ Ｓ ｉＨ４＋Ｈ２）にして、更に、ａ−８
ｒ層ｅ高抵抗でかつｐ型にするためＢ２Ｈ６ガスをＳｉ
Ｈ＜ガスに対して１０”” （８２Ｈａ ／５ｉＨ４）
に設定して混ぜ、ガス圧０．３ ｍＴｏｒｒで満たされ
ている真空容器内に放電電極に対向させて入れ、放電電
極とこの支持体間に１３．５６ＭＨｚの尚周波紫印〃口
してプラズマを発生させる。放電中のガス流量は、２０
０ｓｅｃｍで、支持体の温度は２００’ｔ：’に保った
。
ｉＨ４／ Ｓ ｉＨ４＋Ｈ２）にして、更に、ａ−８
ｒ層ｅ高抵抗でかつｐ型にするためＢ２Ｈ６ガスをＳｉ
Ｈ＜ガスに対して１０”” （８２Ｈａ ／５ｉＨ４）
に設定して混ぜ、ガス圧０．３ ｍＴｏｒｒで満たされ
ている真空容器内に放電電極に対向させて入れ、放電電
極とこの支持体間に１３．５６ＭＨｚの尚周波紫印〃口
してプラズマを発生させる。放電中のガス流量は、２０
０ｓｅｃｍで、支持体の温度は２００’ｔ：’に保った
。
放電開始から１０時間後上記支持体を取シ出した所２０
μｍ厚のａ ３ｉ層が形成される。
μｍ厚のａ ３ｉ層が形成される。
次に、第１図に示したような透明孤立成極を形成した。
孤立電極はスパッタリング法によりＩｎ＋Ｏｓを２００
０人厚、ａ −Ｓ ’ｉ層の上に蒸着した後、通常のホ
トレジストを用いたホトエツチング法により第２図に示
されるようなパターン（ａ＝２０ μｍ、 ｂ＝２０
ｔｔｍ、 ｃｍ５ ｔｔｍ ）状にする。
０人厚、ａ −Ｓ ’ｉ層の上に蒸着した後、通常のホ
トレジストを用いたホトエツチング法により第２図に示
されるようなパターン（ａ＝２０ μｍ、 ｂ＝２０
ｔｔｍ、 ｃｍ５ ｔｔｍ ）状にする。
このようにしてできた感光体の第３図（ａ）の回路にて
電流−電圧特性を調べると、第３図（ｂ）のよう（【２
） な整流特性になシ、透明孤立電極４をプラスにした時、
醒流直が少なくなり電荷注入に対してブロック効果があ
る。この時の透明孤立電極４の１ブロツクの抵抗は ５
ＸＩＯＩ３Ω、静電容量は２ＸＩＯ−３ＰＦ であっ
た。
電流−電圧特性を調べると、第３図（ｂ）のよう（【２
） な整流特性になシ、透明孤立電極４をプラスにした時、
醒流直が少なくなり電荷注入に対してブロック効果があ
る。この時の透明孤立電極４の１ブロツクの抵抗は ５
ＸＩＯＩ３Ω、静電容量は２ＸＩＯ−３ＰＦ であっ
た。
ａ−Ｓｉ層３上に設けた透明孤立電極４がｌ）Ｎ接合型
になっていない場合は、第６図（ａ）に示すように電荷
がａ−Ｓｉ層３中に入ってしまい、感光層１は絶縁体で
なければならないのに対して、導電体に近い抵抗体にな
ってしまい電源をはずした時に印加電圧を保持できない
。これに対して、ＰＮ接合にすると第６図（ｂ）に示す
ように■電荷が透明孤立成極４からａ−Ｓｉ層３に流れ
にくく、ブロック効果がある。このため、印加電圧を除
去した後でも、チャージマツプの状態が保持される。
になっていない場合は、第６図（ａ）に示すように電荷
がａ−Ｓｉ層３中に入ってしまい、感光層１は絶縁体で
なければならないのに対して、導電体に近い抵抗体にな
ってしまい電源をはずした時に印加電圧を保持できない
。これに対して、ＰＮ接合にすると第６図（ｂ）に示す
ように■電荷が透明孤立成極４からａ−Ｓｉ層３に流れ
にくく、ブロック効果がある。このため、印加電圧を除
去した後でも、チャージマツプの状態が保持される。
この感光体ｌを第４図のように直流′電源５を用い電圧
５００Ｖを印加した導電性ブラシ６（ブラシ巾ｖｖ ＝
ｌ ｃｍ 、抵抗値５０Ω）を接触させた状態で感光
体ｌをＬＯＯｍｍ／（６）の速度で移動した結果、４９
０ｖ以上の帯電ができることを本発明者等は確認してい
る。更に、この帯電法を電子写真プロセスに組み入れ、
画像記録を行った結果、良好な画像を得られることも本
発明者等は確認している。
５００Ｖを印加した導電性ブラシ６（ブラシ巾ｖｖ ＝
ｌ ｃｍ 、抵抗値５０Ω）を接触させた状態で感光
体ｌをＬＯＯｍｍ／（６）の速度で移動した結果、４９
０ｖ以上の帯電ができることを本発明者等は確認してい
る。更に、この帯電法を電子写真プロセスに組み入れ、
画像記録を行った結果、良好な画像を得られることも本
発明者等は確認している。
本発明の具体的な実施列の他の製造方法を述べ表面を鏡
面研磨した導電性交だあるｈｔドラム２を真空容器中に
入れ、ｌ Ｘ １０−”Ｉｌ’ｏｒｒ まで排気した
後ドラム表面の温度を２０００に保ち、Ｂ２Ｈ６をＨ２
で５０ ｐｐｍに希釈したガスをＡｒと混合して上記真
空容器内に流して、容器内の圧力を５ＸＬＯ−３Ｔｏｒ
ｒ に保つ。この雰囲気中でＳｉのターゲットを用い
て高周波スパッタによりＡ７ドラム上にｐｆｉａｓ１層
３を２０μｍ堆積させる。
面研磨した導電性交だあるｈｔドラム２を真空容器中に
入れ、ｌ Ｘ １０−”Ｉｌ’ｏｒｒ まで排気した
後ドラム表面の温度を２０００に保ち、Ｂ２Ｈ６をＨ２
で５０ ｐｐｍに希釈したガスをＡｒと混合して上記真
空容器内に流して、容器内の圧力を５ＸＬＯ−３Ｔｏｒ
ｒ に保つ。この雰囲気中でＳｉのターゲットを用い
て高周波スパッタによりＡ７ドラム上にｐｆｉａｓ１層
３を２０μｍ堆積させる。
次に、前述の実施例と同様な方法によｐａ−３ｉ層３の
上にパターン状の透明孤立電極４を形成する。
上にパターン状の透明孤立電極４を形成する。
この様にして作製した感光体ｌも前述の実施例と同様に
導電性ブラシを用いて帝離させ、画像記録を行った結果
、ブラシのこすシ後等がなく、良好な画像が得られる。
導電性ブラシを用いて帝離させ、画像記録を行った結果
、ブラシのこすシ後等がなく、良好な画像が得られる。
尚、上記実施例に於いては、ｐ型ａ −Ｓ ｉ層３とｎ
型迩明孤立電極４とによってｐｎ［合を形成したが、ｎ
型ａ−８ｉ層とｐ型透明孤立電極とによってｐｎ接合を
形成して、整流型としても良い。
型迩明孤立電極４とによってｐｎ［合を形成したが、ｎ
型ａ−８ｉ層とｐ型透明孤立電極とによってｐｎ接合を
形成して、整流型としても良い。
以上の実施的によって示したように本発明による感光体
は、導電性ブラシや導電性ローラー等の導電性部材を感
光体に接触させて電圧を印加した場合、電荷を有効に保
持することができ、簡単に均一かつ所望する電位まで感
光値を帯電させることができ、電子写真プロセスを利用
した装置のコンパクト化に極めて有効である。
は、導電性ブラシや導電性ローラー等の導電性部材を感
光体に接触させて電圧を印加した場合、電荷を有効に保
持することができ、簡単に均一かつ所望する電位まで感
光値を帯電させることができ、電子写真プロセスを利用
した装置のコンパクト化に極めて有効である。
第１図は本発明の一実施例となる感光体の断面構造、を
示す図、第２図は本発明の一実施例となる入 感光体の平面を示す図、第３図は本発明の感光体に電圧
を印加した時の電流特性、第４図は本発明の感光体の帯
電方法の一実施例を示す図、第５図は感光体の平面パタ
ーンを説明するための図、第６図は感光体の′電流特性
を説明するための図である。 １・・・感光体、２・・・４電性支持体、３・・・ａ−
８ｔ光導電層、４・・・透明孤立電極、５・・・直流電
源、６・・・導電性ブラシ。
示す図、第２図は本発明の一実施例となる入 感光体の平面を示す図、第３図は本発明の感光体に電圧
を印加した時の電流特性、第４図は本発明の感光体の帯
電方法の一実施例を示す図、第５図は感光体の平面パタ
ーンを説明するための図、第６図は感光体の′電流特性
を説明するための図である。 １・・・感光体、２・・・４電性支持体、３・・・ａ−
８ｔ光導電層、４・・・透明孤立電極、５・・・直流電
源、６・・・導電性ブラシ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光導電層上に透明でかつ島状に分離したパターン状
の電極が設けられた電子写真感光体において、光導電層
がアモルファスシリコンを主体と形成され、かつ、上記
パターン状の電極の界面の電気的接合が整流型であるこ
とを特徴とする電子写真感光体。 ２、光導電層にＰ型であるアモルファスシリコンを主体
として形成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子写真感光体。 ３、上記パターン状の電極の大きさは、記録する画像の
画素または要求される解像度よりも小さいことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230385A JPH0690526B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230385A JPH0690526B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61212849A true JPS61212849A (ja) | 1986-09-20 |
| JPH0690526B2 JPH0690526B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=12911020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5230385A Expired - Lifetime JPH0690526B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690526B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278878A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-09 | Fujitsu Ltd | 画像記録装置 |
| JPH04336555A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-24 | Sharp Corp | 電子写真装置 |
| US5809379A (en) * | 1992-06-17 | 1998-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotography having photosensitive member with charge blocking overlayer |
-
1985
- 1985-03-18 JP JP5230385A patent/JPH0690526B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278878A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-09 | Fujitsu Ltd | 画像記録装置 |
| JPH04336555A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-24 | Sharp Corp | 電子写真装置 |
| US5809379A (en) * | 1992-06-17 | 1998-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotography having photosensitive member with charge blocking overlayer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0690526B2 (ja) | 1994-11-14 |
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