JPS61210718A - 非線形ピ−キング回路 - Google Patents

非線形ピ−キング回路

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Publication number
JPS61210718A
JPS61210718A JP60051149A JP5114985A JPS61210718A JP S61210718 A JPS61210718 A JP S61210718A JP 60051149 A JP60051149 A JP 60051149A JP 5114985 A JP5114985 A JP 5114985A JP S61210718 A JPS61210718 A JP S61210718A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
peaking
amplifier
signal
level
phase
Prior art date
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Pending
Application number
JP60051149A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Ezaki
正 江崎
Takamitsu Aoki
孝充 青木
Jun Hirai
純 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP60051149A priority Critical patent/JPS61210718A/ja
Publication of JPS61210718A publication Critical patent/JPS61210718A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Picture Signal Circuits (AREA)
  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、信号のレベルに感応してピーキングを行うよ
うにした非線形ピーキング回路に関し、特にVTRの再
生系に用いて最適なものである。
〔発明の概要〕
本発明は、同相出力端及び逆相出力端のあるトランジス
タアンプの同相出力端に逆相でピーキングをかけた信号
をダイオ−トスインチを介して注入し、上記逆相出力端
から入力レベルに反応してピーキングがかかった出力を
得るようにし、これによって上記ダイオードスイッチの
オン感度を同相と逆相との相反極性により高めて、ノン
リニア設計を容品にしたものである。
(従来の技術) ビデオ信号のような画(イメージ)信号の高域に対して
ビニキングをかけて周波数特性の補正を行い、これによ
って画像の鮮明度を向上させる信号処理が、特にVTR
の再生信号に対して行われている。
第5図は周知のエミッタピーキング回路で、ビ−キング
をかける周波数f0にチューニングされたLCR直列素
子をトランジスタQ1のエミッタに接続し、f、におい
でエミッタインピーダンスを低下させて電流負帰還を減
少さセ、第6図のようにr、において出力ゲインが増大
するピーキング特性を得ている。
第5図のピーキング回路は、入力信号が大レベルでも小
レベルでも同じようにピーキングをかけるので、ピーキ
ングを必要とする高域においてノイズ成分に対してもピ
ーキングがかかり、S/N劣化の要因となる。また、第
7図Aのように立上り、立下りが急峻な信号についてピ
ーキングがかかると、Bのように前縁のオーバーシュー
トが大  ゛きくなり、従って画像の前縁のみが白方向
に強調されることになり、画の品質が劣化する。
第8図は非線形ピーキング動作を行う別の従来回路を示
し、第5図のピーキング回路のLCR素子と直列に逆並
列接続のダイオードスイッチDI。
D2を挿入して、第9図の特性図に示すように、大レベ
ル入力のときのみダイオードスイッチDI。
D2がオンしてピーキングがかかるようにしだも  ゛
のである。この非線形ピーキング回路は高域小レベルの
ノイズについ゛ζゲイン上昇さセることか無いので、S
/Nは劣化しないが、波形のオーバーシュートは第7図
Bと同様に残る。
また第8図の回路では、ダイオードD1、D2が±0.
6 Ve−e以上にならないとオンしないので、1Vp
−p(D信号ニラいて例えば−3d B (0,3V)
以上のレベルでピーキングを掛けるようにしたい場合、
このレベルではダイオードDI、D2がオンしないので
、ピーキングがかからない、従ってピーキング回路の前
段に昇圧アンプを必要とする上、回路の電源電圧も昇圧
度に応じた十分な大きさを必要とするようになる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は上述の問題にかんがみ、IVp−pの信号でも
十分に動作する非線形ピーキング回路を従供することを
目的とする。
r問題点を解決するための手段) 本発明の非線形ピーキング回路は、第1図において、入
力信号に対応した同相及び逆相の出力信号(エミッタ出
力及びコレクタ出力)を得るトランジスタアンプ(実施
例のエミンタ接地型イコライザ了ンプ14)を備えてい
る。また上記入力信号の所定周波数においてピーキング
をかけかつ逆相出力を導出する反転ピーキングアンプ(
15)が設けられている。この反転ピーキングアンプ(
15)の上記逆相出力は上記トランジスタアンプの同相
出力端にダイオ−トスイソ≠(Dl、D2)を介して与
えられる。このダイオードスイッチD1.D2は所定の
信号レベルでオンとなる。
従って上記トランジスタアンプの逆相出力端から入力レ
ベルに応じてピーキングがかかった出力信号が導出され
る。
〔作用〕
上記トランジスタアンプの同相出力端と反転ピーキング
アンプの逆相出力端との間に結合されたダイオードスイ
ッチDI、D2の両端には、同相信号と逆相信号とが夫
々加わるから、相反掻性によりダイオードスイッチのオ
ン感度が高くなり、例えばIVp−pの入力信号に対し
ても容易に非線形操作を行うことができるようになる。
(実施例〕 第1図は本発明の実施例のピーキング回路を示し、第2
図は概略ブロック図である。
第3図は第1図のピーキング回路が用いられるVTRの
再生系のブロック図で、再生RF信号をFMデモジェレ
ータlOで復調し、ディエンファシス回路M1を通した
後に、ピーキング回路12に与えて、例えば2.5MH
z@feとしてピーキングをかける。このピーキング回
路I2はイコライザの機能も有していて、録再系を通っ
たビデオ信号のクロマ信号に対する遅延を補償している
ピーキング出力はビデオアンプ13に導入され、クロマ
処理系からのクロマ信号と加算された後、モニタTVに
導出される。
ピーキング回路12は第2図に示すように、イコライザ
アンプ14を備えていて、入力ビデオ信号が位相補償さ
れて導出される。イコライザアンプ14はエミッタ接地
アンプで、そのエミッタに反転ピーキングアンプ15か
らのピーキングをかけた信号をダイオードDI、D2の
逆並列回路、コンデンサC3、抵抗R9を介して注入す
る0反転ピーキングアンプ15は、f、において大きな
ゲインを有し、その出力は人力ビデオ信号に対して逆相
であり、イコライザアンプ14の出力のf0帯域成分に
関しては同相であって、これによりピーキングがかかっ
たビデオ信号が出力端に導出される。
第1図を参照して詳細に説明すると、イコライザアンプ
14はトランジスタQl、ベースバイアス抵抗R1,R
2、コレクタ負荷抵抗R3、エミッタバイアス抵抗R4
から成るエミッタ接地アンプを基本とする。入力ビデオ
信号はコンデンサC1を通じてトランジスタQlのベー
スに与えられ、そのエミッタから入力と同相の信号が抵
抗R5必要な高域にいては、トランジスタQlのコレク
タから2MHz程度の補償帯域でチューニングされたコ
イルLl及びコンデンサC2の直列回路を経て逆相で出
力に加えられる。従ってイコライザアンプ14の出力か
らは、低域成分が入力と同相、高域成分が入力とほぼ逆
相の位相補償出力が得られる。
反転ピーキングアンプ15は、トランジスタQ2、コレ
クタ負荷抵抗R6、エミッタバイアス抵抗R7から成る
エミッタピーキングアンプで、そのエミッタにはr、に
おいてチューニングされたコイルL2、コンデンサC4
、抵抗R8の直列回路が付けられている。f、における
エミッタの負帰装置低下により、所定ゲインでピーキン
グされた位相反転出力がトランジスタQ2のコレクタか
ら導出される。
トランジスタQ2のコレクタのピーキング出力は、ダイ
オードスイッチD1.D2、コンデンサC3、抵抗R9
を夫々介してトランジスタQ’lのエミッタに与えられ
る。従ってダイオードスイッチDI、D2が所定の入力
レベルでオンとなると、逆相ピーキング出力がトランジ
スタQlのエミッタに印加される。
これによってr・帯域においてトランジスタQ1のエミ
ッタからダイオードスイッチD1.D2を通ってトラン
ジスタQ2のコレクタ方向に流出する1を流が増える。
するとトランジスタQlのエミッタ[流が増加し、その
増加はコレクタに伝わり、コレクタ電流を増加させる。
つまりトランジスタQ2の出力から見て、トランジスタ
Qlはベース接地アンプとなっていて、入力に対して逆
相のピーキング出力が、同じく入力に対して逆相のトラ
ンジスタQlのコレクタ電流に重畳することになる。こ
れによってf、帯域においてピーキングされた出力がコ
イルLl、コンデンサC2を介して出力端に導出される
一方、電圧については、トランジスタQlのエミッタは
入力信号に関して同相で、トランジスタQ2のコレクタ
は入力信号に関して逆相であるから、ピーキングがかか
るときにダイオ−F D I 。
D2の両端に印加される電圧は互いに相反する極性によ
り入力レベルの少なくとも2倍以上となる。
つまりレベル的にダイオードD1.D2をオンさせ昌く
することができ、例えばIVs−pの入力に対して0.
3 Ve−e以上の入力レベルでピーキングをかけるこ
とが容易にできるようになる。なおピーキングのかかる
レベルは抵抗R9で調整することが可能である。
以上の如く、イコライザを構成するエミッタ接地アンプ
と反転ピーキングアンプとを効果的に組合わせて、大レ
ベルにのみ感応する非線形ピーキング回路を構成してい
る。なおピーキングをかけるfoと、イコライザによっ
て位相補償される帯域とは、互いに近接しているが、夫
々の機能するところの目的に応じて個々に設定されてい
る0例えばピーキングのf、は2.5MHzで、イコラ
イザは2MHz帯域で機能する。 。
ピーキングのみであれば、第5図及び第8図の従来回路
で説明したように、波形の前縁のみにオ−ハーシュ、−
トが住しるが、第1 r、Qlの″A施例では、ピーキ
ングがかかるときにイコライザアンプ14も同時に機能
し、その位相特性により、第4図のようlこ2峻な立上
り、立下りを持つビデJG形の前HにプリシュートPS
S後本暮にオーバーシュー)O3を生しさせることがで
きる。従って波形の前縁及び復縁の白レベル方向の強調
が互いに均等になり、解像度の高い高品質な画像が得ら
れる。
なお上述の実施例ではイコライザアンプ14と反転ピー
キングアンプ15とを組合わせているが、位相補償が不
要であるか、又は別にイコライザを設ける場合には、第
1図のイコライザアンプ14からイコライザネットワー
クLl、C2を除去して単にエミッタ接地アンプとして
動作させ、そのエミッタに反転ピーキングアンプ15の
出力を注入するように構成してもよい。
〔発明の効果〕
本発明は上述の如く、レベル感応性のあるダイオードス
イッチの一端に同相(8号、他端に逆相ピ−51−ノブ
(A号を13えるようにし、たから、タ゛イオー]スイ
ッチのし・・ル感度を相対的に高めで比較的低レー\ル
の入力信号にえ1しても容易にノl、線形ピーキングを
かけることができ、小レベルでのS/NをINなわずに
周波数補正することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す非線形ピーキング回路
の回路図、第2図は第1図に対応するブロック図、第3
図は第1図の回路のVTRへの応用を示すV T R再
生系の要部ブロック図、第4図は第1図の出力波形図で
ある。 第5Mは従来のエミッタピーキング回路の回路図、第6
図はピーキング特性図、第7図は第5図の波形図、第8
図は従来の非線形ピーキング回路の回路図、第9図はピ
ーキング特性図である。 なお図面に用いた符号において、 12−−−− −−−−−−ピーキング回路14−−−
・−−−イコライザアンプ 15−−−・−・ 反転ピーキングアンプロ1.D2・
・−−一−・・・−・−ダイオードスイッチである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 入力信号に対応した同相及び逆相の出力信号を得るトラ
    ンジスタアンプと、上記入力信号の所定周波数において
    ピーキングをかけかつ逆相出力を導出する反転ピーキン
    グアンプと、この反転ピーキングアンプの上記逆相出力
    を上記トランジスタアンプの同相出力端に伝えるために
    所定信号レベルでオンとなるダイオードスイッチとを備
    え、上記トランジスタアンプの逆相出力端から入力レベ
    ルに応じてピーキングがかかった出力信号を導出するよ
    うにした非線形ピーキング回路。
JP60051149A 1985-03-14 1985-03-14 非線形ピ−キング回路 Pending JPS61210718A (ja)

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JP60051149A JPS61210718A (ja) 1985-03-14 1985-03-14 非線形ピ−キング回路

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JP60051149A JPS61210718A (ja) 1985-03-14 1985-03-14 非線形ピ−キング回路

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JPS61210718A true JPS61210718A (ja) 1986-09-18

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ID=12878760

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60051149A Pending JPS61210718A (ja) 1985-03-14 1985-03-14 非線形ピ−キング回路

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JP (1) JPS61210718A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4841083A (en) * 1987-06-03 1989-06-20 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Ladder polysilanes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4841083A (en) * 1987-06-03 1989-06-20 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Ladder polysilanes

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