JPS61207001A - 負の温度係数をもつ電気抵抗とその製法 - Google Patents
負の温度係数をもつ電気抵抗とその製法Info
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- JPS61207001A JPS61207001A JP61048169A JP4816986A JPS61207001A JP S61207001 A JPS61207001 A JP S61207001A JP 61048169 A JP61048169 A JP 61048169A JP 4816986 A JP4816986 A JP 4816986A JP S61207001 A JPS61207001 A JP S61207001A
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、直径１．５諸乃至５＃、厚さ０．６ 簡乃
至２．５鰭の高密度に焼結された金属酸化物セラミック
円板から成り、円板の両面に設けられたろう付け可能の
金属被覆層に電流導体がろう付けされている一般Ｃニサ
ーミスタ、ＮＴＣ抵抗又はＮＴＣナーミスタと呼ばれて
いる負の温度係数をもつ電気抵抗とその製造方法に関す
るものである。
至２．５鰭の高密度に焼結された金属酸化物セラミック
円板から成り、円板の両面に設けられたろう付け可能の
金属被覆層に電流導体がろう付けされている一般Ｃニサ
ーミスタ、ＮＴＣ抵抗又はＮＴＣナーミスタと呼ばれて
いる負の温度係数をもつ電気抵抗とその製造方法に関す
るものである。
一６０℃から＋３００℃、特に−３０℃から十１５０℃
の間の温度（二対して使用される円板状サーミスタは例
えばマンガン、鉄、コバルト、銅、ニッケル、亜鉛等の
遷移金属の酸化物を高圧でプレスした後焼結して作られ
る（ ［シーメンス サーミスタ提供プログラム（Ｓｉ
ｅｍｅｎｓ−Ｈｅｉｓｓｌｅｉ−ｔｅｒ−Ｌｔｅｆｅｒ
ｐｒｏｇｒａｒｎｍ ） Ｊ ｌ ９８４／ ８５ （
１９８４年７月）２頁参照）が、この焼結セラミック体
はろう付け不可能である。
の間の温度（二対して使用される円板状サーミスタは例
えばマンガン、鉄、コバルト、銅、ニッケル、亜鉛等の
遷移金属の酸化物を高圧でプレスした後焼結して作られ
る（ ［シーメンス サーミスタ提供プログラム（Ｓｉ
ｅｍｅｎｓ−Ｈｅｉｓｓｌｅｉ−ｔｅｒ−Ｌｔｅｆｅｒ
ｐｒｏｇｒａｒｎｍ ） Ｊ ｌ ９８４／ ８５ （
１９８４年７月）２頁参照）が、この焼結セラミック体
はろう付け不可能である。
この種のセラミック円板（二対する電気接触は通常円板
の表面に接着性の良い金属被覆層？設けることによって
形成されるが、この種の方法は広く知られているもので
ある（西独国特許出願公開第１９４７７９９号、米国特
許第３６７６２１１号、同第３７９３６０４号］。
の表面に接着性の良い金属被覆層？設けることによって
形成されるが、この種の方法は広く知られているもので
ある（西独国特許出願公開第１９４７７９９号、米国特
許第３６７６２１１号、同第３７９３６０４号］。
円板表面の金属被覆Ｃ二電流導体をろう付けする場合に
は、金属被覆をいくつかの互に異った金属層から構成し
、そのセラミック（二接する第一層はセラミックとオー
ム接触を作る金属とし、最外層はろう付け性の良い貴金
属とすることが多い。
は、金属被覆をいくつかの互に異った金属層から構成し
、そのセラミック（二接する第一層はセラミックとオー
ム接触を作る金属とし、最外層はろう付け性の良い貴金
属とすることが多い。
西独国特許出願公開第２８３８５０８号公報にはセラミ
ックＰＴＣ抵抗に対してろう付け可能で障壁層を作らな
い接触金属層の形成法が記載されている。この場合アル
ミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金から成る
第一層がシルクスクリーン法で作られ、銅の第二層はフ
レーム溶射によって設けられる。
ックＰＴＣ抵抗に対してろう付け可能で障壁層を作らな
い接触金属層の形成法が記載されている。この場合アル
ミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金から成る
第一層がシルクスクリーン法で作られ、銅の第二層はフ
レーム溶射によって設けられる。
ろう付け可能の被覆層とこの層Ｃ：ろう付１すされた接
続線金儲える円板状のＮＴＣ抵抗は、自動生産方式によ
って簡単廉価Ｃ二多憬生産が可能であるため種々の形態
のものが作られている。
続線金儲える円板状のＮＴＣ抵抗は、自動生産方式によ
って簡単廉価Ｃ二多憬生産が可能であるため種々の形態
のものが作られている。
前記の米国特許第３６７６２１１号明細書Ｃ：記載され
ている方法は、ろう付け可能の被覆層を備えるセラミッ
ク円板が互（二交叉する接続線の間に締めつけ保持され
るもので、自動生産方式に従い浸漬ろう付けされ必要に
応じて絶縁被覆が設けら′ れる。
ている方法は、ろう付け可能の被覆層を備えるセラミッ
ク円板が互（二交叉する接続線の間に締めつけ保持され
るもので、自動生産方式に従い浸漬ろう付けされ必要に
応じて絶縁被覆が設けら′ れる。
更Ｃ：米国特許第３７９３６０４号明細書（；は、金属
被覆にろう付けられている接続線部分がセラミック円板
の周縁まで達せずに円板の中央部でその直径の半分だけ
を占め、接続線の良好な接着が達成される円板状サーミ
スタの形態が記載されている。
被覆にろう付けられている接続線部分がセラミック円板
の周縁まで達せずに円板の中央部でその直径の半分だけ
を占め、接続線の良好な接着が達成される円板状サーミ
スタの形態が記載されている。
この種の半径方向においてろう付けされた接続線！備え
るナーミスタＣ二急激な温度変化即ち温度ショックが加
えられると、セラミックと接続線の間の熱膨張の差に基
きろう付け個所Ｃ：強い機械的負荷がかかる。
るナーミスタＣ二急激な温度変化即ち温度ショックが加
えられると、セラミックと接続線の間の熱膨張の差に基
きろう付け個所Ｃ：強い機械的負荷がかかる。
接続線がろう付けされているサーミスタ板の抵抗値ドリ
フトは数回の温度ショック負荷（二より初期値の１００
％に達することがある。
フトは数回の温度ショック負荷（二より初期値の１００
％に達することがある。
この発明の目的は、金属被覆層に電流導線がろう付けさ
れている円板状のＮＴＣ抵抗を一６０℃から＋３００℃
の間の温度変化７１００回繰り返したときその初期値の
ドリフトが１％以下であり、セラミック板がそれを支え
る電流導体に確実に保持されているようにすることであ
る。又このようなＮＴＣ抵抗の効果的な製造方法を提供
することもこの発明の目的である。
れている円板状のＮＴＣ抵抗を一６０℃から＋３００℃
の間の温度変化７１００回繰り返したときその初期値の
ドリフトが１％以下であり、セラミック板がそれを支え
る電流導体に確実に保持されているようにすることであ
る。又このようなＮＴＣ抵抗の効果的な製造方法を提供
することもこの発明の目的である。
〔問題点の解決手段〕
この目的を達成するためこの発明は冒頭Ｃ二挙げたＮＴ
Ｃ抵抗において、電流導体の一端乞はぼ閉結した環状の
アイレットとして成形しその外径を抵抗円板の金属被覆
層の直径の６０％以下とし、環状のアイレットは金属被
覆層の中心部にろう付けして固定し、アイレットヲろう
で包囲し、ろうの拡がりはアイレットの区域に限定して
被覆の周縁部分はろうで覆われないようにすることを提
案する。
Ｃ抵抗において、電流導体の一端乞はぼ閉結した環状の
アイレットとして成形しその外径を抵抗円板の金属被覆
層の直径の６０％以下とし、環状のアイレットは金属被
覆層の中心部にろう付けして固定し、アイレットヲろう
で包囲し、ろうの拡がりはアイレットの区域に限定して
被覆の周縁部分はろうで覆われないようにすることを提
案する。
この発明の有利な実施態様では、電流導体をろう付け可
能の針金としその一端をアイレットの形（二する。この
針金としては例えば銀線、銀めっき銅線、スズめっき銅
線が使用される。線の断面直径はサーミスタ板の大きさ
く；応じて０．２ｍ乃至０．８鰭とする。
能の針金としその一端をアイレットの形（二する。この
針金としては例えば銀線、銀めっき銅線、スズめっき銅
線が使用される。線の断面直径はサーミスタ板の大きさ
く；応じて０．２ｍ乃至０．８鰭とする。
別の実施例では電流導体として厚さＯ６２乃至０．８ｍ
ｍのろう付け可能の金属板から打抜かれたものが使用さ
れる。この電流導体の一端のアイレットの外径と内径の
差は板の厚さの約２倍とする。
ｍのろう付け可能の金属板から打抜かれたものが使用さ
れる。この電流導体の一端のアイレットの外径と内径の
差は板の厚さの約２倍とする。
各電流導体の一端Ｚはぼ閉結した環状のアイレットとし
その外径を抵抗板の直径より小さくすることにより、セ
ラミック板と電流導体の間に引上げ強度が１５Ｎ乃至２
５Ｎ１特に２ＯＮ以上の強固な結合が達成される。
その外径を抵抗板の直径より小さくすることにより、セ
ラミック板と電流導体の間に引上げ強度が１５Ｎ乃至２
５Ｎ１特に２ＯＮ以上の強固な結合が達成される。
更にこの発明によりろう全アイレット区域に限定し金属
被覆の周縁部が覆われないようにすることにより、−３
０℃から＋１３０℃Ｃ二亘る温度ショック負荷試験’ｇ
ｌｏＯ回繰り返しても円板状サーミスタの接続抵抗の初
期値からのドリフトが１％以下であるという予想外の結
果が得られた。
被覆の周縁部が覆われないようにすることにより、−３
０℃から＋１３０℃Ｃ二亘る温度ショック負荷試験’ｇ
ｌｏＯ回繰り返しても円板状サーミスタの接続抵抗の初
期値からのドリフトが１％以下であるという予想外の結
果が得られた。
この発明Ｃ二よる温度ショック負荷（二強い小型の円板
状サーミスタは、例えば白金線全直接セラミック材（二
焼結したショックに強いＮＴＣサーミス°り、あるいは
金属化された端面がはね接触片ではさまれている小型円
板サーミスタＣ；対する廉価な代替品となるものである
。これらのサーミスタは多くの場合ガラス容器内Ｃ二封
入されているから、この発明によるＮＴＣｆ−ミスタＣ
二比べて高価となる。
状サーミスタは、例えば白金線全直接セラミック材（二
焼結したショックに強いＮＴＣサーミス°り、あるいは
金属化された端面がはね接触片ではさまれている小型円
板サーミスタＣ；対する廉価な代替品となるものである
。これらのサーミスタは多くの場合ガラス容器内Ｃ二封
入されているから、この発明によるＮＴＣｆ−ミスタＣ
二比べて高価となる。
特許請求の範囲第１項（二挙げられている電流導体の一
端を環状のアイレットとしこれを金属被覆層に中心を合
わせてろう付けするという特徴は、米国特許第２６０６
９５５号の発明にも見られるものである。この場合表面
（二金属被覆を備えるセラミック円板から成るコンデン
サにとりつけられた電流案内用の針金の一端が不完全閉
結のアイレット（；作られているが、このアイレットは
この発明のものとは異り浸漬ろう付けによって金属被覆
層に固定され周縁部まで完全にろうで覆われている。
端を環状のアイレットとしこれを金属被覆層に中心を合
わせてろう付けするという特徴は、米国特許第２６０６
９５５号の発明にも見られるものである。この場合表面
（二金属被覆を備えるセラミック円板から成るコンデン
サにとりつけられた電流案内用の針金の一端が不完全閉
結のアイレット（；作られているが、このアイレットは
この発明のものとは異り浸漬ろう付けによって金属被覆
層に固定され周縁部まで完全にろうで覆われている。
前記の米国特許第３７９３６０４号明細筈（二は、円板
状のセラミック抵抗の金織被覆（二半径方向（二ろう付
けされている接続線が金属被覆の周縁部まで接触するこ
となく円板の中央部だけにろう付けされているときその
引上げ強度が著しく上昇することが指摘されている。し
かしここでも接続線は浸漬ろう付けＣ二よって被覆層（
二固定されているから、完全Ｃ：ろうで覆われる。従っ
て温度ショックＣ二対する安定性は達成されない。
状のセラミック抵抗の金織被覆（二半径方向（二ろう付
けされている接続線が金属被覆の周縁部まで接触するこ
となく円板の中央部だけにろう付けされているときその
引上げ強度が著しく上昇することが指摘されている。し
かしここでも接続線は浸漬ろう付けＣ二よって被覆層（
二固定されているから、完全Ｃ：ろうで覆われる。従っ
て温度ショックＣ二対する安定性は達成されない。
公知文献のいずれＣ二もろう付けされた電流導体ン備え
る小型のサーミスタ円板の抵抗値の温度ノヨツク負荷に
よるドリフト全低減させる方策は示唆されていない。従
ってこの発明によって達成される効果は現在の技術では
考えられなかったものである。
る小型のサーミスタ円板の抵抗値の温度ノヨツク負荷に
よるドリフト全低減させる方策は示唆されていない。従
ってこの発明によって達成される効果は現在の技術では
考えられなかったものである。
この発明によるＮＴＣ抵抗の製造方法の特徴は、電流導
体のろう付け（二際して円板上（二乗せられた環状のア
イレットに結合されるろうの徴ｔ、溶融したろうの拡が
りが主としてアイレットの区域だけｆ二限定されるよう
Ｃ３２！ぶことである。
体のろう付け（二際して円板上（二乗せられた環状のア
イレットに結合されるろうの徴ｔ、溶融したろうの拡が
りが主としてアイレットの区域だけｆ二限定されるよう
Ｃ３２！ぶことである。
これに対して効果的な工程は例えば西独国特許第２８３
４３４８号明細書に記載されている。これは別の目的ｔ
もつものであるが、低溶融金属の精確に打部られた＠を
圧搾空気ノズルから衝撃的亀；吹き出させ、その全部を
接続線と周囲の金属層の側方のバッキングで区画された
面積に吹付ける。
４３４８号明細書に記載されている。これは別の目的ｔ
もつものであるが、低溶融金属の精確に打部られた＠を
圧搾空気ノズルから衝撃的亀；吹き出させ、その全部を
接続線と周囲の金属層の側方のバッキングで区画された
面積に吹付ける。
ろうを線の形で被覆を備えた円板の中央部Ｃ：とりつけ
、ろう付け個所を加熱したとき半径方向Ｃ：拡がり被覆
上に置かれたアイレットの区域だけを主として覆うよう
Ｃ：すると有利である。
、ろう付け個所を加熱したとき半径方向Ｃ：拡がり被覆
上に置かれたアイレットの区域だけを主として覆うよう
Ｃ：すると有利である。
実施例についてこの発明を更（二詳細に説明する。
第１１／はこの発明によるＮＴＣ抵抗の平面内、第２図
はその断面図である。
はその断面図である。
ｌは直径りが３ｗ、厚さｄが１ｍの円板であって、高密
度に焼結された金属酸化物セラミックから成り負の抵抗
温度係数をもつ。円板の両面２゜３０は金属被覆層４，
５が設けられている。
度に焼結された金属酸化物セラミックから成り負の抵抗
温度係数をもつ。円板の両面２゜３０は金属被覆層４，
５が設けられている。
これらの熱障壁Ｃ二固く接着している金属被覆４．５は
、例えばアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする
合金から成る第一層とろう付け可能の銅から成る第二層
で構成される。第一層はシルクスクリーン法（二よって
、第二層はフレーム溶射によって作ることができる。
、例えばアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする
合金から成る第一層とろう付け可能の銅から成る第二層
で構成される。第一層はシルクスクリーン法（二よって
、第二層はフレーム溶射によって作ることができる。
しかし使用される酸化物セラミックの種類（二よって被
覆４４．ｓｖ公知のべ、−キングシルバーの塗布と焼付
けにより直接両方の表面Ｃ二作ることも可能である。
覆４４．ｓｖ公知のべ、−キングシルバーの塗布と焼付
けにより直接両方の表面Ｃ二作ることも可能である。
電流導体６．７は例えば直径９．４１ｍの銀線であり、
その一端９はほぼ完結した環状のアイレット１０として
成形されている。環の外径Ａは１．５璽である。
その一端９はほぼ完結した環状のアイレット１０として
成形されている。環の外径Ａは１．５璽である。
このアイレツトＹ被ｍ層４，５の上（二中心を合せて乗
せ、ろう８（二よって被覆層に固定する。ろう８はアイ
レット１０′ｌｋ：包み込み、アイレット区域部分だけ
で被覆層７覆い、その周縁部分１１は露出させる。
せ、ろう８（二よって被覆層に固定する。ろう８はアイ
レット１０′ｌｋ：包み込み、アイレット区域部分だけ
で被覆層７覆い、その周縁部分１１は露出させる。
第２図では一方のアイレツト１０をはっきり示すためろ
う１０が上表面２だけＣ：示されている。
う１０が上表面２だけＣ：示されている。
屯 肉面の筒車な説明
第１肉はこの発明の実施例の平面内、第２因は第１因の
■−］線に沿う断面図である。
■−］線に沿う断面図である。
１−・・セラミック円板、 ４と５・・・金属被覆層
、６と７・・・電流導体、 １０・・・アイレット。
、６と７・・・電流導体、 １０・・・アイレット。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）高密度に焼結された金属酸化物セラミツク円板（１
）から成り、その表面（２、３）にろう付け可能の金属
被覆層（４、５）とそれにろう付けされた電流導体（６
、７）を備える負の温度係数をもつ電気抵抗において、
電流導体（６、７）の一端（９）がほぼ閉結された環状
のアイレツト（１０）を形成し、その外径（Ａ）が金属
被覆層（４、５）の直径Ｂの６０％以下であり、電流導
体（６、７）の環状アイレツト（１０）が金属被覆層（
４、５）に中心を合わせてろう付けされていること、ろ
う（８）がアイレツト（１０）を包み込み、ろう（８）
の拡がりはアイレツト（１０）の区域に限定され、被覆
層（４、５）の周縁部（１１）はろう（８）で覆われて
いないことを特徴とする負の温度係数をもつ電気抵抗。 ２）電流導体（６、７）が直径０．２乃至０．８ｍｍの
細線であり、その一端（９）がほぼ閉結された環状のア
イレツト（１０）として成形されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の電気抵抗。 ３）電流導体（６、７）が金属板から打抜かれた厚さ０
．２乃至０．８ｍｍの成形片であり、その一端（９）に
作られたアイレツト（１０）の外径（Ａ）と内径（Ｉ）
の差は板の厚さの約２倍であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の電気抵抗。 ４）被覆層（４、５）を備える円板（１）に電流導体（
６、７）を乗せろう付けして固定する際、溶融したろう
（８）の拡がりがアイレツト（１０）の区域内に限定さ
れるように被覆層とアイレツトに結合されるろうの量を
選定することを特徴とする負の温度係数をもつ電気抵抗
の製造方法。 ５）ろう（８）をろう線の形で円板（１）の中心におい
て金属被覆層（４、５）にとりつけ加熱してろう付け個
所を半径方向に拡げ、 その際ろうが主として被覆層（４、５）の上に置かれた
アイレツト（１０）の区域だけを覆うようにすることを
特徴とする特許請求の範囲第４項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3508163.5 | 1985-03-07 | ||
| DE3508163 | 1985-03-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207001A true JPS61207001A (ja) | 1986-09-13 |
| JPH0563001B2 JPH0563001B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=6264523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61048169A Granted JPS61207001A (ja) | 1985-03-07 | 1986-03-05 | 負の温度係数をもつ電気抵抗とその製法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4695818A (ja) |
| EP (1) | EP0193854B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61207001A (ja) |
| AT (1) | ATE35343T1 (ja) |
| DE (1) | DE3660341D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684612A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Somar Corp | 小形バリスタの製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10261507A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ素子 |
| DE102007033182B4 (de) | 2007-07-13 | 2012-11-29 | Auto-Kabel Management Gmbh | Kraftfahrzeugbatteriesensorelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Kraftfahrzeugbatteriesensorelements |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB271098A (en) * | 1926-05-12 | 1927-11-17 | Loewe Radio G M B H | Electrodes for high ohmic resistances and the like |
| US2606955A (en) * | 1949-02-03 | 1952-08-12 | Jeffers Electronics Inc | Electrical condenser |
| US2674583A (en) * | 1949-12-23 | 1954-04-06 | Bell Telephone Labor Inc | High temperature coefficient resistors and methods of making them |
| US2686244A (en) * | 1951-04-19 | 1954-08-10 | Lockheed Aircraft Corp | Electrical attachnent of temperature sensing devices and the like |
| US3721003A (en) * | 1969-10-27 | 1973-03-20 | Matsashita Electric Ind Co Ltd | Method for attaching wires to a flat article |
| US3676211A (en) * | 1970-01-02 | 1972-07-11 | Texas Instruments Inc | Contact system for electrically conductive ceramic-like material |
| US3793604A (en) * | 1973-04-09 | 1974-02-19 | Gte Sylvania Inc | High strength electrical lead for disk type thermistors |
| DE2834348C2 (de) * | 1978-08-04 | 1982-10-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Stirnkontaktierung elektrischer Kondensatoren |
| DE2838508A1 (de) * | 1978-09-04 | 1980-03-20 | Siemens Ag | Elektrischer widerstand mit positivem temperaturkoeffizienten des widerstandswertes |
-
1986
- 1986-02-14 US US06/829,622 patent/US4695818A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-26 DE DE8686102471T patent/DE3660341D1/de not_active Expired
- 1986-02-26 AT AT86102471T patent/ATE35343T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-02-26 EP EP86102471A patent/EP0193854B1/de not_active Expired
- 1986-03-05 JP JP61048169A patent/JPS61207001A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684612A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Somar Corp | 小形バリスタの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0193854A1 (de) | 1986-09-10 |
| US4695818A (en) | 1987-09-22 |
| DE3660341D1 (en) | 1988-07-28 |
| JPH0563001B2 (ja) | 1993-09-09 |
| ATE35343T1 (de) | 1988-07-15 |
| EP0193854B1 (de) | 1988-06-22 |
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