JPH0563001B2 - - Google Patents
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- JPH0563001B2 JPH0563001B2 JP61048169A JP4816986A JPH0563001B2 JP H0563001 B2 JPH0563001 B2 JP H0563001B2 JP 61048169 A JP61048169 A JP 61048169A JP 4816986 A JP4816986 A JP 4816986A JP H0563001 B2 JPH0563001 B2 JP H0563001B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1413—Terminals or electrodes formed on resistive elements having negative temperature coefficient
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/144—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being welded or soldered
-
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- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、直径1.5mm乃至５mm、厚さ0.6mm乃
至2.5mmの高密度に焼結された金属酸化物セラミ
ツク円板から成り、円板の両面に設けられたろう
付け可能の金属被覆層に電流導体がろう付けされ
ている一般にサーミスタ、NTC抵抗又はNTCサ
ーミスタと呼ばれている負の温度係数をもつ電気
抵抗とその製造方法に関するものである。
至2.5mmの高密度に焼結された金属酸化物セラミ
ツク円板から成り、円板の両面に設けられたろう
付け可能の金属被覆層に電流導体がろう付けされ
ている一般にサーミスタ、NTC抵抗又はNTCサ
ーミスタと呼ばれている負の温度係数をもつ電気
抵抗とその製造方法に関するものである。
−60℃から＋300℃、特に−30℃から＋150℃の
間の温度に対して使用される円板状サーミスタは
例えばマンガン、鉄、コバルト、銅、ニツケル、
亜鉛等の遷移金属の酸化物を高圧でプレスした後
焼結して作られる（「シーメンス サーミスタ提
供プログラム（Sismens−Heisslei−ter−
Lieferprogramm）」1984／85（1984年７月）２頁
参照）が、この焼結セラミツク体はろう付け不可
能である。
間の温度に対して使用される円板状サーミスタは
例えばマンガン、鉄、コバルト、銅、ニツケル、
亜鉛等の遷移金属の酸化物を高圧でプレスした後
焼結して作られる（「シーメンス サーミスタ提
供プログラム（Sismens−Heisslei−ter−
Lieferprogramm）」1984／85（1984年７月）２頁
参照）が、この焼結セラミツク体はろう付け不可
能である。
この種のセラミツク円板に対する電気接触は通
常円板の表面に接着性の良い金属被覆層を設ける
ことによつて形成されるが、この種の方法は広く
知られているものである（西独国特許出願公開第
1947799号、米国特許第3676211号、同第3793604
号）。
常円板の表面に接着性の良い金属被覆層を設ける
ことによつて形成されるが、この種の方法は広く
知られているものである（西独国特許出願公開第
1947799号、米国特許第3676211号、同第3793604
号）。
円板表面の金属被覆に電流導体をろう付けする
場合には、金属被覆をいくかの互に異つた金属層
から構成し、そのセラミツクに接する第一層はセ
ラミツクとオーム接触を作る金属とし、最外層は
ろう付け性の良い貴金属とすることが多い。
場合には、金属被覆をいくかの互に異つた金属層
から構成し、そのセラミツクに接する第一層はセ
ラミツクとオーム接触を作る金属とし、最外層は
ろう付け性の良い貴金属とすることが多い。
西独国特許出願公開第2838508号公報にはセラ
ミツクPTC抵抗に対してろう付け可能で障壁層
を作らない接触金属層の形成法が記載されてい
る。この場合アルミニウム又はアルミニウムを主
成分とする合金から成る第一層がシルクスクリー
ン法で作られ、銅の第二層はフレーム溶射によつ
て設けられる。
ミツクPTC抵抗に対してろう付け可能で障壁層
を作らない接触金属層の形成法が記載されてい
る。この場合アルミニウム又はアルミニウムを主
成分とする合金から成る第一層がシルクスクリー
ン法で作られ、銅の第二層はフレーム溶射によつ
て設けられる。
ろう付け可能の被覆層とこの層にろう付けされ
た接続線を備える円板状のNTC抵抗は、自動生
産方式によつて簡単廉価に多量生産が可能である
ため種々の形態のものが作られている。
た接続線を備える円板状のNTC抵抗は、自動生
産方式によつて簡単廉価に多量生産が可能である
ため種々の形態のものが作られている。
前記の米国特許第3676211号明細書に記載され
ている方法、ろう付け可能を被覆層を備えるセラ
ミツク円板が互に交叉する接続線の間に締めつけ
保持されるもので、自動生産方式に従い浸漬ろう
付けされ必要に応じて絶縁被覆が設けられる。
ている方法、ろう付け可能を被覆層を備えるセラ
ミツク円板が互に交叉する接続線の間に締めつけ
保持されるもので、自動生産方式に従い浸漬ろう
付けされ必要に応じて絶縁被覆が設けられる。
更に米国特許第3793604号明細書には、金属被
覆にろう付けられている接続線部分がセラミツク
円板の周縁まで達せずに円板の中央部でその直径
の半分だけを占め、接触線の良好な接着が達成さ
れる円板状サーミスタの形態が記載されている。
覆にろう付けられている接続線部分がセラミツク
円板の周縁まで達せずに円板の中央部でその直径
の半分だけを占め、接触線の良好な接着が達成さ
れる円板状サーミスタの形態が記載されている。
この種の半径方向においてろう付けされた接続
線を備えるサーミスタに急激な温度変化即ち温度
シヨツクが加えられると、セラミツクと接続線の
間の熱膨張の差に基きろう付け個所に強い機械的
負荷がかかる。
線を備えるサーミスタに急激な温度変化即ち温度
シヨツクが加えられると、セラミツクと接続線の
間の熱膨張の差に基きろう付け個所に強い機械的
負荷がかかる。
接続線がろう付けされているサーミスタ板の抵
抗値ドリフトは数回の温度シヨツク負荷により初
期値の100％に達することがある。
抗値ドリフトは数回の温度シヨツク負荷により初
期値の100％に達することがある。
この発明の目的は、金属被覆層に電流導線がろ
う付けされている円板状のNTC抵抗を−60℃か
ら＋300℃の間の温度変化を100回繰り返したとき
その初期値のドリフトが１％以下であり、セラミ
ツク板がそれを支える電流導体に確実に保持され
ているようにすることである。又このような
NTC抵抗の効果的な製造方法を提供することも
この発明の目的である。
う付けされている円板状のNTC抵抗を−60℃か
ら＋300℃の間の温度変化を100回繰り返したとき
その初期値のドリフトが１％以下であり、セラミ
ツク板がそれを支える電流導体に確実に保持され
ているようにすることである。又このような
NTC抵抗の効果的な製造方法を提供することも
この発明の目的である。
この目的を達成するためこの発明は冒頭に挙げ
たNTC抵抗において、電流導体の一端をほぼ閉
結した環状のアイレツトとして成形しその外径を
抵抗円板の金属被覆層の直径の60％以下とし、環
状のアイレツトは金属被覆層の中心部にろう付け
して固定し、アイレツトをろうで包囲し、ろうの
拡がりはアイレツトの区域に限定して被覆の周縁
部分はろうで覆われないようにすることを提案す
る。
たNTC抵抗において、電流導体の一端をほぼ閉
結した環状のアイレツトとして成形しその外径を
抵抗円板の金属被覆層の直径の60％以下とし、環
状のアイレツトは金属被覆層の中心部にろう付け
して固定し、アイレツトをろうで包囲し、ろうの
拡がりはアイレツトの区域に限定して被覆の周縁
部分はろうで覆われないようにすることを提案す
る。
この発明の有利な実施態様では、電流導体をろ
う付け可能の針金としてその一端をアイレツトの
形にする。この針金としては例えば銀線、銀めつ
き銅線、スズめつき銅線が使用される。線の断面
直径はサーミスタ板の大きさに応じて0.2mm乃至
0.8mmとする。
う付け可能の針金としてその一端をアイレツトの
形にする。この針金としては例えば銀線、銀めつ
き銅線、スズめつき銅線が使用される。線の断面
直径はサーミスタ板の大きさに応じて0.2mm乃至
0.8mmとする。
別の実施例では電流導体として厚さ0.2乃至0.8
mmのろう付け可能の金属板から打抜かれたものが
使用される。この電流導体の一端のアイレツトの
外径と内径の差は板の厚さの約２倍とする。
mmのろう付け可能の金属板から打抜かれたものが
使用される。この電流導体の一端のアイレツトの
外径と内径の差は板の厚さの約２倍とする。
各電流導体の一端をほぼ閉結した環状のアイレ
ツトとしてその外径を抵抗板の直径より小さくす
ることにより、セラミツク板と電流導体の間に引
上げ強度が15N乃至25N、特に20N以上の強固な
結合が達成される。
ツトとしてその外径を抵抗板の直径より小さくす
ることにより、セラミツク板と電流導体の間に引
上げ強度が15N乃至25N、特に20N以上の強固な
結合が達成される。
更にこの発明によりろうをアイレツト区域に限
定し金属被覆の周縁部が覆われないようにするこ
とにより、−30℃から＋130℃に亘る温度シヨツク
負荷試験を100回繰り返しても円板状サーミスタ
の接続抵抗の初期値からのドリフトが１％以下で
あるという予想外の結果が得られた。
定し金属被覆の周縁部が覆われないようにするこ
とにより、−30℃から＋130℃に亘る温度シヨツク
負荷試験を100回繰り返しても円板状サーミスタ
の接続抵抗の初期値からのドリフトが１％以下で
あるという予想外の結果が得られた。
この発明による温度シヨツク負荷に強い小型の
円板状サーミスタは、例えば白金線を直接セラミ
ツク材に焼結したシヨツクに強いNTCサーミス
タ、あるいは金属化された端面がばね接触片では
さまれている小型円板サーミスタに対する廉価な
代替品となるものである。これらのサーミスタは
多くの場合ガラス容器内に封入されているから、
この発明によるNTCサーミスタに比べて高価と
なる。
円板状サーミスタは、例えば白金線を直接セラミ
ツク材に焼結したシヨツクに強いNTCサーミス
タ、あるいは金属化された端面がばね接触片では
さまれている小型円板サーミスタに対する廉価な
代替品となるものである。これらのサーミスタは
多くの場合ガラス容器内に封入されているから、
この発明によるNTCサーミスタに比べて高価と
なる。
特許請求の範囲第１項に挙げられている電流導
体の一端を環状のアイレツトとしこれを金属被覆
層に中心を合わせてろう付けするという特徴は、
米国特許第2606955号の発明にも見られるもので
ある。この場合表面に金属被覆を備えるセラミツ
ク円板から成るコンデンサにとりつけられた電流
案内用の針金の一端が不完全閉結のアイレツトに
作られているが、このアイレツトはこの発明のも
のとは異り浸漬ろう付けによつて金属被覆層にも
固定され周縁部まて完全にろうで覆われている。
体の一端を環状のアイレツトとしこれを金属被覆
層に中心を合わせてろう付けするという特徴は、
米国特許第2606955号の発明にも見られるもので
ある。この場合表面に金属被覆を備えるセラミツ
ク円板から成るコンデンサにとりつけられた電流
案内用の針金の一端が不完全閉結のアイレツトに
作られているが、このアイレツトはこの発明のも
のとは異り浸漬ろう付けによつて金属被覆層にも
固定され周縁部まて完全にろうで覆われている。
前記の米国特許第3793604号明細書には、円板
状のセラミツク抵抗の金属被覆に半径方向にろう
付けされている接続線が金属被覆の周縁部まで接
触することなく円板の中央部だけにろう付けされ
ているときその引上げ強度が著しく上昇すること
が指摘されている。しかしここでも接続線は浸漬
ろう付けによつて被覆層に固定されているから、
完全にろうで覆われる。従つて温度シヨツクに対
する安定性は達成されない。
状のセラミツク抵抗の金属被覆に半径方向にろう
付けされている接続線が金属被覆の周縁部まで接
触することなく円板の中央部だけにろう付けされ
ているときその引上げ強度が著しく上昇すること
が指摘されている。しかしここでも接続線は浸漬
ろう付けによつて被覆層に固定されているから、
完全にろうで覆われる。従つて温度シヨツクに対
する安定性は達成されない。
公知文献のいずれにろう付けされた電流導体を
備える小型のサーミスタ円板の抵抗値の温度シヨ
ツク負荷によるドリフトを低減させる方策は示唆
されていない。従つてこの発明によつて達成され
る効果は現在の技術では考えられなかつたもので
ある。
備える小型のサーミスタ円板の抵抗値の温度シヨ
ツク負荷によるドリフトを低減させる方策は示唆
されていない。従つてこの発明によつて達成され
る効果は現在の技術では考えられなかつたもので
ある。
この発明によるNTC抵抗の製造方法の特徴は、
電流導体のろう付けに際して円板上に乗せられた
環状のアイレツトに結合されるろうの量を、溶融
したろうの拡がりが主としてアイレツトの区域だ
けに限定されるように選ぶことである。
電流導体のろう付けに際して円板上に乗せられた
環状のアイレツトに結合されるろうの量を、溶融
したろうの拡がりが主としてアイレツトの区域だ
けに限定されるように選ぶことである。
これに対して効果的な工程は例えば西独国特許
第2834348号明細書に記載されている。これは別
の目的をもつものであるが、低溶融金属の精確に
計かられた量を圧搾空気ノズルから衝撃的に吹き
出させ、その全部を接続線と周囲の金属層の側方
のパツキングで区画された面積に吹付ける。
第2834348号明細書に記載されている。これは別
の目的をもつものであるが、低溶融金属の精確に
計かられた量を圧搾空気ノズルから衝撃的に吹き
出させ、その全部を接続線と周囲の金属層の側方
のパツキングで区画された面積に吹付ける。
ろうを線の形で被覆を備えた円板の中央部にと
りつけ、ろう付け個所を加熱したとき半径方向に
拡がり被覆上に置かれたアイレツトの区域だけを
主として覆うようにすると有利である。
りつけ、ろう付け個所を加熱したとき半径方向に
拡がり被覆上に置かれたアイレツトの区域だけを
主として覆うようにすると有利である。
実施例についてこの発明を更に詳細に説明す
る。
る。
第１図はこの発明によるNTC抵抗の平面図、
第２図はその断面図である。
第２図はその断面図である。
１は直径Ｄが３mm、厚さｄが１mmの円板であつ
て、高密度に焼結された金属酸化物セラミツクか
ら成り負の抵抗温度係数をもつ。円板の両面２，
３には金属被覆層４，４が設けられている。
て、高密度に焼結された金属酸化物セラミツクか
ら成り負の抵抗温度係数をもつ。円板の両面２，
３には金属被覆層４，４が設けられている。
これらの無障壁に固く接着している金属被覆
４，５は、例えばアルミニウム又はアルミニウム
を主成分とする合金から成る第一層とろう付け可
能の銅から成る第二層で構成される。第一層はシ
ルクスクリーン法によつて、第二層はフレーム溶
射によつて作ることができる。
４，５は、例えばアルミニウム又はアルミニウム
を主成分とする合金から成る第一層とろう付け可
能の銅から成る第二層で構成される。第一層はシ
ルクスクリーン法によつて、第二層はフレーム溶
射によつて作ることができる。
しかし使用される酸化物セラミツクの種類によ
つて被覆層４，５を公知のベーキングシルバーの
塗布と焼付けにより直接両方の表面に作ることも
可能である。
つて被覆層４，５を公知のベーキングシルバーの
塗布と焼付けにより直接両方の表面に作ることも
可能である。
電流導体６，７は例えば直径0.4mmの銀線であ
り、その一端９はほぼ完結した環状のアイレツト
１０として成形されている。環の外径Ａは1.5mm
である。
り、その一端９はほぼ完結した環状のアイレツト
１０として成形されている。環の外径Ａは1.5mm
である。
このアイレツトを被覆層４，５の上に中心を合
せて乗せ、ろう８によつて被覆層に固定する。ろ
う８はアイレツト１０を包み込み、アイレツト区
域部分だけで被覆層を覆い、その周縁部分１１は
露出させる。
せて乗せ、ろう８によつて被覆層に固定する。ろ
う８はアイレツト１０を包み込み、アイレツト区
域部分だけで被覆層を覆い、その周縁部分１１は
露出させる。
第２図では一方のアイレツト１０をはつきり示
すためろう１０が上表面２だけに示されている。
すためろう１０が上表面２だけに示されている。
第１図はこの発明の実施例の平面図、第２図は
第１図の−線に沿う断面図である。 １……セラミツク円板、４と５……金属被覆
層、６と７……電流導体、１０……アイレツト。
第１図の−線に沿う断面図である。 １……セラミツク円板、４と５……金属被覆
層、６と７……電流導体、１０……アイレツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高密度に焼結された金属酸化物セラミツク円
板１から成り、その表面２，３にろう付け可能の
金属被覆層４，５とそれにろう付けされた電流導
体６，７を備える負の温度係数をもつ電気抵抗に
おいて、電流導体６，７の一端９がほぼ閉結され
た環状のアイレツト１０を形成し、その外径Ａが
金属被覆層４，５の直径Ｂの60％以下であり、電
流導体６，７の環状アイレツト１０が金属被覆層
４，５に中心を合わせてろう付けされているこ
と、ろう８がアイレツト１０を包み込み、ろう８
の拡がりはアイレツト１０の区域に限定され、被
覆層４，５の周縁部１１はろう８で覆われていな
いことを特徴とする負の温度係数をもつ電気抵
抗。 ２ 電流導体６，７が直径0.2乃至0.8mmの細線で
あり、この一端９がほぼ閉結された環状のアイレ
ツト１０として成形されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の電気抵抗。 ３ 電流導体６，７が金属板から打抜かれた厚さ
0.2乃至0.8mmの成形片であり、その一端９に作ら
れたアイレツト１０の外径Ａと内径Ｉの差は板の
厚さの約２倍であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の電気抵抗。 ４ 被覆層４，５を備える円板１に電流導体６，
７を乗せろう付けして固定する際、溶融したろう
８の拡がりがアイレツト１０の区域内に限定され
るように被覆層とアイレツトに結合されるろうの
量を選定することを特徴とする負の温度係数をも
つ電気抵抗の製造方法。 ５ ろう８をろう線の形で円板１の中心において
金属被覆層４，５にとりつけ、加熱してろう付け
個所を半径方向に拡げ、その際ろうが主として被
覆層４，５の上に置かれたアイレツト１０の区域
だけを覆うようにすることを特徴とする特許請求
の範囲第４項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3508163.5 | 1985-03-07 | ||
| DE3508163 | 1985-03-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207001A JPS61207001A (ja) | 1986-09-13 |
| JPH0563001B2 true JPH0563001B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=6264523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61048169A Granted JPS61207001A (ja) | 1985-03-07 | 1986-03-05 | 負の温度係数をもつ電気抵抗とその製法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4695818A (ja) |
| EP (1) | EP0193854B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61207001A (ja) |
| AT (1) | ATE35343T1 (ja) |
| DE (1) | DE3660341D1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684612A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Somar Corp | 小形バリスタの製造方法 |
| JPH10261507A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ素子 |
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Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE2834348C2 (de) * | 1978-08-04 | 1982-10-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Stirnkontaktierung elektrischer Kondensatoren |
| DE2838508A1 (de) * | 1978-09-04 | 1980-03-20 | Siemens Ag | Elektrischer widerstand mit positivem temperaturkoeffizienten des widerstandswertes |
-
1986
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- 1986-02-26 DE DE8686102471T patent/DE3660341D1/de not_active Expired
- 1986-02-26 AT AT86102471T patent/ATE35343T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-03-05 JP JP61048169A patent/JPS61207001A/ja active Granted
Also Published As
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|---|---|
| ATE35343T1 (de) | 1988-07-15 |
| EP0193854A1 (de) | 1986-09-10 |
| EP0193854B1 (de) | 1988-06-22 |
| US4695818A (en) | 1987-09-22 |
| JPS61207001A (ja) | 1986-09-13 |
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