JPS61204932A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61204932A JPS61204932A JP60045801A JP4580185A JPS61204932A JP S61204932 A JPS61204932 A JP S61204932A JP 60045801 A JP60045801 A JP 60045801A JP 4580185 A JP4580185 A JP 4580185A JP S61204932 A JPS61204932 A JP S61204932A
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- Japan
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- carbon layer
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法、詳しくは露光用マスク
の製作において、電子ビーム等の荷電粒子ビームを用い
る露光時の熱効果を減少するために、レジスト膜上にカ
ーボン膜をコートしておいてパターンを形成する方法に
関する。
の製作において、電子ビーム等の荷電粒子ビームを用い
る露光時の熱効果を減少するために、レジスト膜上にカ
ーボン膜をコートしておいてパターンを形成する方法に
関する。
マスクやレチクルを作るには、従来方法によるとガラス
基板上にクロム、酸化クロム等の光に不透明な金属薄膜
を形成し、この金属膜上にレジストを塗布してレジスト
膜を作り、このレジスト膜を露光し現像してレジストパ
ターンを作り、このレジストパターンをマスクにして金
Ｍ薄膜をエツチングしてマスク原版のパターンを形成し
てきた。
基板上にクロム、酸化クロム等の光に不透明な金属薄膜
を形成し、この金属膜上にレジストを塗布してレジスト
膜を作り、このレジスト膜を露光し現像してレジストパ
ターンを作り、このレジストパターンをマスクにして金
Ｍ薄膜をエツチングしてマスク原版のパターンを形成し
てきた。
しかし、最近は微細パターンを形成するために、レジス
ト膜の露光には従来の光に代えて例えば電子ビームが用
いられ、直接レジスト膜を露光し、従来通りのレジスト
の現像、金属膜のエツチングによりサブミクロン幅のパ
ターンが形成されるようになった。
ト膜の露光には従来の光に代えて例えば電子ビームが用
いられ、直接レジスト膜を露光し、従来通りのレジスト
の現像、金属膜のエツチングによりサブミクロン幅のパ
ターンが形成されるようになった。
前記したマスク等の製作において、電子ビーム等の荷電
粒子ビームの露光を行うと、局部的にレジストが加熱さ
れる。レジスト膜にこのようにして蓄積した熱は、下に
あるものが熱伝導率の低いガラス基板であるので拡散し
て逃げることなく局部的に留まったままで残る。この熱
は、レジストに反応して、レジストは局部的に感光され
たと同様になり、パターン幅が設計したものよりも拡が
る問題、すなわち微細パターンが正確にレジスト膜に形
成されない問題がある。
粒子ビームの露光を行うと、局部的にレジストが加熱さ
れる。レジスト膜にこのようにして蓄積した熱は、下に
あるものが熱伝導率の低いガラス基板であるので拡散し
て逃げることなく局部的に留まったままで残る。この熱
は、レジストに反応して、レジストは局部的に感光され
たと同様になり、パターン幅が設計したものよりも拡が
る問題、すなわち微細パターンが正確にレジスト膜に形
成されない問題がある。
以上に加えて、ＥＢ照射によりレジストｅ表面に電界が
発生し、この電界が正確なＩＥＢ描画を妨げる問題もあ
る。
発生し、この電界が正確なＩＥＢ描画を妨げる問題もあ
る。
本発明は、上記問題点を解消したＥＢの直接描画等によ
る露光用マスク及びレチクルの製造方法を提供するもの
で、そのｆ段は、ガラス基板上に順に金属層、レジス１
一層およびカーボン層を形成する工程、電子ビームをカ
ーボン層を通しレジスト層に照射する工程、カーボン層
を除去し、レジスト層を現像してレジストパターンを作
る工程、レジストパターンをマスクに金属層をエツチン
グして金属パターンを作る工程、およびレジストパター
ンを除去する工程を含み露光用マスクを作ることを特徴
とする半導体装置の製造方法によってなされる。
る露光用マスク及びレチクルの製造方法を提供するもの
で、そのｆ段は、ガラス基板上に順に金属層、レジス１
一層およびカーボン層を形成する工程、電子ビームをカ
ーボン層を通しレジスト層に照射する工程、カーボン層
を除去し、レジスト層を現像してレジストパターンを作
る工程、レジストパターンをマスクに金属層をエツチン
グして金属パターンを作る工程、およびレジストパター
ンを除去する工程を含み露光用マスクを作ることを特徴
とする半導体装置の製造方法によってなされる。
上記方法乙ごおいては、ＥＢ等の荷電粒子ビームを透過
させる厚さのカーボン層をレジス１一層の上シニ形成し
、ＥＢ等の照射はこのカーボン層を通してなされるので
、レジス１−膜に発生ずる熱はカーボンＹ−によって横
方向に拡散され、また、レジス１−１−の表面に作られ
る電界もカーボンＩ−によって消されるので、レジスト
膜が局部的に熱せちれまたは電界をもった状態が防止さ
れ、パターンがレジス１−ｉｉに正確に描画され、かく
して得られたレジストパターンにより金属層がエツチン
グされ、微細なマスクパターンが正確に形成されるもの
である。
させる厚さのカーボン層をレジス１一層の上シニ形成し
、ＥＢ等の照射はこのカーボン層を通してなされるので
、レジス１−膜に発生ずる熱はカーボンＹ−によって横
方向に拡散され、また、レジス１−１−の表面に作られ
る電界もカーボンＩ−によって消されるので、レジスト
膜が局部的に熱せちれまたは電界をもった状態が防止さ
れ、パターンがレジス１−ｉｉに正確に描画され、かく
して得られたレジストパターンにより金属層がエツチン
グされ、微細なマスクパターンが正確に形成されるもの
である。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図ないし第５図に本発明の方法を実施する工程にお
けるマスクを作るガラス基板要部が断面図で示される。
けるマスクを作るガラス基板要部が断面図で示される。
先ず第１図に示されるように、石英ガラス基板１ （厚
さ２．３ｍｎ＋ 、１２６．６ｍｍ口）上に金属層例え
ばクロムＮ２をスパッタによって７００人の厚さに、次
いでＥＢレジスト屓３ （レジストはＰＧＭＡ系の東京
応化■製の０ＥＢＲ−１００ネガ型レジスト）を１２０
００人の厚さに、次いでダイヤモンド状またはアモルフ
ァス状でないカーボン層４ （例えばグラファイト）を
プラズマ化学気相成長（ＣＶＤ ）法で１５０００人の
厚さに堆積し、電子ビーム５を照射する。カーボン層は
ＥＢを透過させるよう７００人の厚さに形成しであるの
で（１μｍまで透過性あり）、′ｆｊ、Ｂはカーボン層
４を透過してレジスト層３を露光する。このとき、レジ
スト層３に発生する局部的な熱と電界はカーボン層４に
よって拡げられまたは消されるので、レジスト層３には
微細パターンが正確に描画される。
さ２．３ｍｎ＋ 、１２６．６ｍｍ口）上に金属層例え
ばクロムＮ２をスパッタによって７００人の厚さに、次
いでＥＢレジスト屓３ （レジストはＰＧＭＡ系の東京
応化■製の０ＥＢＲ−１００ネガ型レジスト）を１２０
００人の厚さに、次いでダイヤモンド状またはアモルフ
ァス状でないカーボン層４ （例えばグラファイト）を
プラズマ化学気相成長（ＣＶＤ ）法で１５０００人の
厚さに堆積し、電子ビーム５を照射する。カーボン層は
ＥＢを透過させるよう７００人の厚さに形成しであるの
で（１μｍまで透過性あり）、′ｆｊ、Ｂはカーボン層
４を透過してレジスト層３を露光する。このとき、レジ
スト層３に発生する局部的な熱と電界はカーボン層４に
よって拡げられまたは消されるので、レジスト層３には
微細パターンが正確に描画される。
次に、第２図に示される如く、酸素（０２）プラズマを
用いてカーボン層４をエンチング除去し露光されたレジ
スト層３を露出する。
用いてカーボン層４をエンチング除去し露光されたレジ
スト層３を露出する。
次いでレジスト層３を、第３図に示される如くＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）と肝Ｋ （メチルエヂル
ケトン）の混合液を用いて現像すると、レジストパター
ン３ａが作られる。
（イソプロピルアルコール）と肝Ｋ （メチルエヂル
ケトン）の混合液を用いて現像すると、レジストパター
ン３ａが作られる。
次いで、第４図に示されるように、レジストパターン３
ａをマスクにしてクロム層２をエツチングすると、クロ
ムパターン２ａが作られる。
ａをマスクにしてクロム層２をエツチングすると、クロ
ムパターン２ａが作られる。
最後に、レジストパターン３ａを除去すると、基板１上
にクロムパターン２ａが第５図に示されるように残る。
にクロムパターン２ａが第５図に示されるように残る。
以上説明したように本発明によれば、レジスト層の上に
ＥＢ等の荷電粒子ビームを透過させるカーボン層を設け
ることにより、ＥＢ等の照射時にレジスト層が局部的に
加熱されまたは電界が発生″ｊ′ろことが防止され、マ
スクの微細パターンが正確に形成される効果がある。な
お、本発明の通用範囲は上記の例に限定されるものでな
く、その他のレジスト等を用いる場合にも及ぶものであ
る６
ＥＢ等の荷電粒子ビームを透過させるカーボン層を設け
ることにより、ＥＢ等の照射時にレジスト層が局部的に
加熱されまたは電界が発生″ｊ′ろことが防止され、マ
スクの微細パターンが正確に形成される効果がある。な
お、本発明の通用範囲は上記の例に限定されるものでな
く、その他のレジスト等を用いる場合にも及ぶものであ
る６
第１図ないし第５図は、本発明の方法を実施する工程に
おけるマスク基板要部の断面図である。 図中、１はガラス基板、２はクロム層、２ａはりｏｌ、
のパターン、３はレジスト層、３ａはレジストパターン
、４はカーボン層、５はＥＢ、をそれぞれボす。 区 区 区Ｐ−Ｃ，Ｉ
（’ｆ’。 成 昧 濠区
区 寸 Ｕ） 渋 味
おけるマスク基板要部の断面図である。 図中、１はガラス基板、２はクロム層、２ａはりｏｌ、
のパターン、３はレジスト層、３ａはレジストパターン
、４はカーボン層、５はＥＢ、をそれぞれボす。 区 区 区Ｐ−Ｃ，Ｉ
（’ｆ’。 成 昧 濠区
区 寸 Ｕ） 渋 味
Claims (1)
- ガラス基板上に順に金属層、レジスト層およびカーボ
ン層を形成する工程、荷電粒子ビームをカーボン層を通
しレジスト層に照射する工程、カーボン層を除去し、レ
ジスト層を現像してレジストパターンを作る工程、レジ
ストパターンをマスクに金属層をエッチングして金属パ
ターンを作る工程、およびレジストパターンを除去する
工程を含み露光用マスクを作ることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045801A JPS61204932A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045801A JPS61204932A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204932A true JPS61204932A (ja) | 1986-09-11 |
Family
ID=12729370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60045801A Pending JPS61204932A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61204932A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004505462A (ja) * | 2000-07-31 | 2004-02-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | リソグラフィーの間にレジストの加熱を予測及び補正する方法 |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP60045801A patent/JPS61204932A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004505462A (ja) * | 2000-07-31 | 2004-02-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | リソグラフィーの間にレジストの加熱を予測及び補正する方法 |
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