JPS6120341A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
ワイヤボンデイング装置Info
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- JPS6120341A JPS6120341A JP59140597A JP14059784A JPS6120341A JP S6120341 A JPS6120341 A JP S6120341A JP 59140597 A JP59140597 A JP 59140597A JP 14059784 A JP14059784 A JP 14059784A JP S6120341 A JPS6120341 A JP S6120341A
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- Japan
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- bonding
- tip
- capillary
- wire
- heating
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野]
この発明はワイヤボンディング装置に関し、特に、ボン
ディング接合力を強固にすることができる改良されたワ
イヤボンディング装置に関覆るものである。
ディング接合力を強固にすることができる改良されたワ
イヤボンディング装置に関覆るものである。
[発明の技術的背景]
半導体チップ上の電極パッドと外部リードとを金属細線
で接続する方法、すなわちワイヤボンディング装置は半
導体装置のリード接続方法として最も一般的である。
現在ではワイヤボンデング方法として熱圧肴法、超音波
法と熱j■肴法とを組み合わせたサーモソニックボンデ
ィング法などが広〈実施されている。
で接続する方法、すなわちワイヤボンディング装置は半
導体装置のリード接続方法として最も一般的である。
現在ではワイヤボンデング方法として熱圧肴法、超音波
法と熱j■肴法とを組み合わせたサーモソニックボンデ
ィング法などが広〈実施されている。
[背m技術の問題点]
接続用ワイヤとしてAu線を用い従来公知の→J−モソ
ニックボンデイング装置によりワイVボンディングを行
う場合について説明すると、半淘体チップ上の電極パッ
ドと該ワイヤとの接合いわゆるネイルヘッドボンディン
グ(第1ボンデイング)の接合強度はよいが、接続リー
ドと該ワイヤとの接合いわゆるステッチボンディング(
第2ボンデイング)の接合強度が不足し、その結束、接
続リード側でワイヤオ−−ブンが生じやりいという問題
があった。 また、ステッチボンディングの接合が安定
していないと、ステッチボンディング後切断したワイヤ
テール部に形成づるボールの形成不良も発生しやすい。
ニックボンデイング装置によりワイVボンディングを行
う場合について説明すると、半淘体チップ上の電極パッ
ドと該ワイヤとの接合いわゆるネイルヘッドボンディン
グ(第1ボンデイング)の接合強度はよいが、接続リー
ドと該ワイヤとの接合いわゆるステッチボンディング(
第2ボンデイング)の接合強度が不足し、その結束、接
続リード側でワイヤオ−−ブンが生じやりいという問題
があった。 また、ステッチボンディングの接合が安定
していないと、ステッチボンディング後切断したワイヤ
テール部に形成づるボールの形成不良も発生しやすい。
さらに、ボンディング開始初期(ボンディングスター
トビン)においては最初のパッドの位置確認の時間を要
づる事情がらそこにお【プるネイルヘッドボンディング
部のワイヤオープンの発生率が高かった。 従って、ワ
イヤボンディングに起因づる前記のごとき問題が従来の
半埒体装市の信頼性の向上と歩留りの向上とを阻害づる
結果となっていた。 特に最近はリードkC1系&Kf
mがボンディング部分のめつぎなしで使用されることが
多くなり、この問題の解決が望まれている。
トビン)においては最初のパッドの位置確認の時間を要
づる事情がらそこにお【プるネイルヘッドボンディング
部のワイヤオープンの発生率が高かった。 従って、ワ
イヤボンディングに起因づる前記のごとき問題が従来の
半埒体装市の信頼性の向上と歩留りの向上とを阻害づる
結果となっていた。 特に最近はリードkC1系&Kf
mがボンディング部分のめつぎなしで使用されることが
多くなり、この問題の解決が望まれている。
[発明の目的]
この発明の目的は、接続リードとワイヤとの接合強電を
高めるとともにボール形成不良を低減し、ワイヤオープ
ン等の発生率を著しく減少させることのCぎる、改良さ
れたワイA7ボンデイング装置を提供づることである。
高めるとともにボール形成不良を低減し、ワイヤオープ
ン等の発生率を著しく減少させることのCぎる、改良さ
れたワイA7ボンデイング装置を提供づることである。
[発明の概要]
従来のワイA7ボンデイング装置を使用して製造した半
導体装置について結合強度不良及びボール形成不良の発
生原因を調査した結果、ワイヤボンディング装置のキャ
ピラリの加熱不足及びワイセデール部の加熱不足による
ものであることがわかった。
導体装置について結合強度不良及びボール形成不良の発
生原因を調査した結果、ワイヤボンディング装置のキャ
ピラリの加熱不足及びワイセデール部の加熱不足による
ものであることがわかった。
この弁明によるワイヤボンディング載置は前記のごとき
結果を考慮して構成されたらのである。
結果を考慮して構成されたらのである。
この弁明によるワイヤボンディング61は1−ヤピラリ
の先端近傍及び該キャピラリから送り出されるワイヤを
加熱するための加熱装置を備えていることを特徴とする
。 そして、この加熱装置は4−ヤビラリとともにX−
Y方向に移動し、キャピラリのボンディング動作にかか
わらず上下方向に移動しないように、例えばキャピラリ
ツールが載置されているX−Yテーブル、Fに載置され
ているbのである。 従って、この発明のワイヤボンデ
ィング装置によれば、ヒーターブロックの構31 、h
キャピラリ先端及びボンゲインクワイヘノを加熱づる加
熱装置を設けることができなかった従来装置が改良され
て、接続リードとボンディングワイA7との接合力を強
固にすることができるととしに、ワイVのボール形成不
良をも低減させることがでさる。
の先端近傍及び該キャピラリから送り出されるワイヤを
加熱するための加熱装置を備えていることを特徴とする
。 そして、この加熱装置は4−ヤビラリとともにX−
Y方向に移動し、キャピラリのボンディング動作にかか
わらず上下方向に移動しないように、例えばキャピラリ
ツールが載置されているX−Yテーブル、Fに載置され
ているbのである。 従って、この発明のワイヤボンデ
ィング装置によれば、ヒーターブロックの構31 、h
キャピラリ先端及びボンゲインクワイヘノを加熱づる加
熱装置を設けることができなかった従来装置が改良され
て、接続リードとボンディングワイA7との接合力を強
固にすることができるととしに、ワイVのボール形成不
良をも低減させることがでさる。
[発明の実施例]
添イ1第1図は本発明のワイヤボンディング装置の一実
施例の概略図である。
施例の概略図である。
同図において、1はキャピラリ、2はキャピラリ1の先
端から間けつ的に送り出されるボンディングワイvノ、
3はキャピラリ1を支持するとともに超音波振動子4の
振動をキャピラリ1に伝達するホーン、5はキャピラリ
1の先端から突出したワイψj−ル部を放電加熱するボ
ール形成用電極、6はヒーターブロック、7はキャピラ
リ1の先端部近傍に加熱した不活性ガスを吹ぎ付けるガ
スノズル7△と該不活性ガスを加熱する加熱部7Bとを
右する加熱装置である。 ヒーターブロック6の上部に
は!P導体デツプCを取り付けたCu製又はCu合金製
リードフレームFを載置するための載「♂部が設けられ
、該載置部の周囲空間には該ヒーターブロック6に連結
された還元性ガス導入管8及びヒーターブロック6内の
管路6aを通ってiI2元flのガスが吹き出される7
まが、ヒーターブロック6内にはヒーター6bが設(
プられ、該ヒーター6bによって該載置部上の半導体装
置を加熱するようになっている。 加熱部′FI7の加
熱部7Bには不活性ガス導入管7aが接続されるととも
にカートリッジヒーター7bが内蔵されており、不活性
ガス導入管7aを通って矢印f、の如く加熱部7B内に
入った不活性ガスはカートリッジヒーター7bによって
加熱された後、ガスノズル7△から矢印f2のようにキ
ャピラリ1の先端部近傍に吹き出される。
端から間けつ的に送り出されるボンディングワイvノ、
3はキャピラリ1を支持するとともに超音波振動子4の
振動をキャピラリ1に伝達するホーン、5はキャピラリ
1の先端から突出したワイψj−ル部を放電加熱するボ
ール形成用電極、6はヒーターブロック、7はキャピラ
リ1の先端部近傍に加熱した不活性ガスを吹ぎ付けるガ
スノズル7△と該不活性ガスを加熱する加熱部7Bとを
右する加熱装置である。 ヒーターブロック6の上部に
は!P導体デツプCを取り付けたCu製又はCu合金製
リードフレームFを載置するための載「♂部が設けられ
、該載置部の周囲空間には該ヒーターブロック6に連結
された還元性ガス導入管8及びヒーターブロック6内の
管路6aを通ってiI2元flのガスが吹き出される7
まが、ヒーターブロック6内にはヒーター6bが設(
プられ、該ヒーター6bによって該載置部上の半導体装
置を加熱するようになっている。 加熱部′FI7の加
熱部7Bには不活性ガス導入管7aが接続されるととも
にカートリッジヒーター7bが内蔵されており、不活性
ガス導入管7aを通って矢印f、の如く加熱部7B内に
入った不活性ガスはカートリッジヒーター7bによって
加熱された後、ガスノズル7△から矢印f2のようにキ
ャピラリ1の先端部近傍に吹き出される。
加熱部7[3内には、カーl・リッジヒーター7bの温
度及び不活性ガスの温度を検出ηるための熱゛市対など
の温度検出器(図示せず〉が設けられ、該温度検出器の
信号を制御装置等に伝送σるための配線7Cが加熱部7
Bに接続されている。 また、カートリッジヒーター7
bに電力を供給づるための電力用配線7dがカー1〜リ
ツジヒーター71)に接続されている。 カートリッジ
ヒーター7bの温度及びガスノズル7Aから吹き出され
る不活性ガスの温度は加熱部7B内の温度検出器で検出
され、その検出結果に閃いて制御装置(図示せず)がカ
ー1ヘリツジヒーター7bの温度を制御するように椛成
されている。
度及び不活性ガスの温度を検出ηるための熱゛市対など
の温度検出器(図示せず〉が設けられ、該温度検出器の
信号を制御装置等に伝送σるための配線7Cが加熱部7
Bに接続されている。 また、カートリッジヒーター7
bに電力を供給づるための電力用配線7dがカー1〜リ
ツジヒーター71)に接続されている。 カートリッジ
ヒーター7bの温度及びガスノズル7Aから吹き出され
る不活性ガスの温度は加熱部7B内の温度検出器で検出
され、その検出結果に閃いて制御装置(図示せず)がカ
ー1ヘリツジヒーター7bの温度を制御するように椛成
されている。
超音波振動f4、キャピラリ1などからなるキャピラリ
ツールはX−Yテーブル(図示せず)上に載δされてお
り、また上下方向にボンディング動作をさせるために下
降上昇機構を備えている。
ツールはX−Yテーブル(図示せず)上に載δされてお
り、また上下方向にボンディング動作をさせるために下
降上昇機構を備えている。
一方加熱装買7は上記X−Yテーブル上に載置され:1
ヤビラリツールとともにX−Y方向に移動するが、上下
方向には移動機構を備えておらず常に上昇時の4レピラ
リ先端を指向して不活性ガスを吹き付【プる位置に固定
されてキA・ピラリのボンディング動作を妨げないよう
になっている。
ヤビラリツールとともにX−Y方向に移動するが、上下
方向には移動機構を備えておらず常に上昇時の4レピラ
リ先端を指向して不活性ガスを吹き付【プる位置に固定
されてキA・ピラリのボンディング動作を妨げないよう
になっている。
前記のごとき本発明のワイヤボンディング装置にJ、っ
て半導体装置のワイヤボンディングを行う場合について
説明する。
て半導体装置のワイヤボンディングを行う場合について
説明する。
リードフレームF上に半導体チップCが取り付けられて
いる半導体装置がヒーターブロック6の載置部土に載置
されると、該ヒーターブロック6内のヒーター6bによ
ってり〜ドフレームFは約300℃に加熱され、また該
載置部の周囲空間はヒーターブロック6内の管路6aか
ら吹き出された還元性ガスに満たされCリード表面の酸
化が防庄される。 一方、加熱装置7の加熱部7B内で
はそこに導入された不活Mガスがカートリッジヒーター
7bによって約300℃に加熱され、加熱された不活性
ガスはガスノズル7Aからキャピラリ1の先端部近傍に
向かって吹き出されて1A・ピラリ1の先端部およびそ
こから突出したボンディングワイヤの先端を加熱してい
る。
いる半導体装置がヒーターブロック6の載置部土に載置
されると、該ヒーターブロック6内のヒーター6bによ
ってり〜ドフレームFは約300℃に加熱され、また該
載置部の周囲空間はヒーターブロック6内の管路6aか
ら吹き出された還元性ガスに満たされCリード表面の酸
化が防庄される。 一方、加熱装置7の加熱部7B内で
はそこに導入された不活Mガスがカートリッジヒーター
7bによって約300℃に加熱され、加熱された不活性
ガスはガスノズル7Aからキャピラリ1の先端部近傍に
向かって吹き出されて1A・ピラリ1の先端部およびそ
こから突出したボンディングワイヤの先端を加熱してい
る。
キャピラリ1が半導体チップCtの所定のmlパッドに
対して位置決めされるとくキャピラリツール及び加熱装
置を支持しているXYス7−ジが位置決め移動されて)
、キャピラリ1が下降し、加熱N極2によりボンディン
グワイ(7先端にボールが形成された状態で該電極バツ
ドトに加Hし、同時に超音波撮動子4からキャピラリ1
に加えられた超音波振動によってボンディングワイ)7
の先端のボールが圧着される(ネイルヘッドボンディン
グ)。 キャピラリ1が上昇すると加熱装WQ7により
キャごラリとボンディングワイヤは加熱されて望ましい
温度に上昇し、同時にXYスデージが移動してキャピラ
リ1とリードフレームF上の厚1定のリードとが同一鉛
直線上に一致づるように位置決めされ、続いてキャピラ
リ1が下降するとボンディングワイヤのテール部が該リ
ード上に加几されるととbに該キャピラリ1の超音波振
動によって圧潰されつつ溶融して該リード上に圧着接合
される(ステッヂボンデイング)。
対して位置決めされるとくキャピラリツール及び加熱装
置を支持しているXYス7−ジが位置決め移動されて)
、キャピラリ1が下降し、加熱N極2によりボンディン
グワイ(7先端にボールが形成された状態で該電極バツ
ドトに加Hし、同時に超音波撮動子4からキャピラリ1
に加えられた超音波振動によってボンディングワイ)7
の先端のボールが圧着される(ネイルヘッドボンディン
グ)。 キャピラリ1が上昇すると加熱装WQ7により
キャごラリとボンディングワイヤは加熱されて望ましい
温度に上昇し、同時にXYスデージが移動してキャピラ
リ1とリードフレームF上の厚1定のリードとが同一鉛
直線上に一致づるように位置決めされ、続いてキャピラ
リ1が下降するとボンディングワイヤのテール部が該リ
ード上に加几されるととbに該キャピラリ1の超音波振
動によって圧潰されつつ溶融して該リード上に圧着接合
される(ステッヂボンデイング)。
[発明の効果]
前記のごとき椙造の本発明のワイヤボンディング装置に
よつ℃多数の半導体装置のワイヤボンディングを(jつ
だところ、次のような結果を得ることができた。
よつ℃多数の半導体装置のワイヤボンディングを(jつ
だところ、次のような結果を得ることができた。
■ 各ステツヂボンデイング部における接合強度が従来
の半導体装置よりも高く、ワイヤオーブン等の不良がほ
とんど発生しなくなった。
の半導体装置よりも高く、ワイヤオーブン等の不良がほ
とんど発生しなくなった。
そのため、従来よりも半導体装置の歩留りが茗しく向上
覆るとともに信頼性も著しく向上した。
覆るとともに信頼性も著しく向上した。
■ 接続リードとボンディングワイヤどの接合が安定す
るとワイヤテール部の切断形状も安定し、その結果ボー
ル形成不良も減少した。
るとワイヤテール部の切断形状も安定し、その結果ボー
ル形成不良も減少した。
特に、ボンディングスタートピンでのボールはがれ発生
率が著しく減少した。
率が著しく減少した。
すなわち、本発明によれば、接続リードとボンディング
ワイヤとの接合力を従来のワイヤボンディング装置によ
るよりも強固に−4にとができ、その結果、半導体装置
の歩留りや信頼flを向上させることができるワイヤボ
ンディング装置が提供される。
ワイヤとの接合力を従来のワイヤボンディング装置によ
るよりも強固に−4にとができ、その結果、半導体装置
の歩留りや信頼flを向上させることができるワイヤボ
ンディング装置が提供される。
なお、本発明装置は、Cu製もしくはCU含合金製リー
ドフレームを有する半導体装置に対しては特に接続リー
ドとボンディングワイX7どの接合力の改善に効果があ
るが、本発明装置をボンディング部分にCuめっきされ
たFedリードフレームに対して使用しても全く同じ効
果が(qられることは当然である。 また、ボンディン
グワイX7として金線ばかりでなく銅線やアルミ線を用
いた場合も全く同じ効果が得られることも明らかになつ
ている。
ドフレームを有する半導体装置に対しては特に接続リー
ドとボンディングワイX7どの接合力の改善に効果があ
るが、本発明装置をボンディング部分にCuめっきされ
たFedリードフレームに対して使用しても全く同じ効
果が(qられることは当然である。 また、ボンディン
グワイX7として金線ばかりでなく銅線やアルミ線を用
いた場合も全く同じ効果が得られることも明らかになつ
ている。
添付第1図は本発明の一実施例の該略図である。
1・・・キ17ビラリ、 2・・・ボンディング、 3
・・・・1・−ン、 4・・・超音波娠動子、 5・・
・電柚、 6・・・ヒーターブロック、 7・・・加熱
装置、 8・・・還元性ガスの導入管、 6a・・・管
路、 6b・・・ヒーター、 7A・・・ガスノズル、
7B・・・加熱部、7a・・・不活性ガス導入管、
7b・・・カートリッジヒーター、 7C・・・(温度
検出器の)電気配線。 1)許出願人 株式会社 東 芝 代理人 弁理士 諸1)英ニ 第1図
・・・・1・−ン、 4・・・超音波娠動子、 5・・
・電柚、 6・・・ヒーターブロック、 7・・・加熱
装置、 8・・・還元性ガスの導入管、 6a・・・管
路、 6b・・・ヒーター、 7A・・・ガスノズル、
7B・・・加熱部、7a・・・不活性ガス導入管、
7b・・・カートリッジヒーター、 7C・・・(温度
検出器の)電気配線。 1)許出願人 株式会社 東 芝 代理人 弁理士 諸1)英ニ 第1図
Claims (1)
- 1 ワイヤボンディング用キャピラリの先端近傍に加熱
した不活性ガスを吹き付けるための加熱装置を備えてお
り、該加熱装置がX−Y方向については該キャピラリの
X−Y方向の移動とともに移動し、上下方向については
不活性ガスの吹き付けが該キャピラリの上昇時における
キャピラリ先端を指向するものであることを特徴とする
ワイヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59140597A JPS6120341A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59140597A JPS6120341A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6120341A true JPS6120341A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15272394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59140597A Pending JPS6120341A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6120341A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008155013A1 (de) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Ultrasonics Steckmann Gmbh | Ultraschall-schweissstation |
CN102513687A (zh) * | 2011-12-16 | 2012-06-27 | 先进光电器材(深圳)有限公司 | 焊线机及其防氧化结构 |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP59140597A patent/JPS6120341A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008155013A1 (de) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Ultrasonics Steckmann Gmbh | Ultraschall-schweissstation |
CN102513687A (zh) * | 2011-12-16 | 2012-06-27 | 先进光电器材(深圳)有限公司 | 焊线机及其防氧化结构 |
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