JPS6120306A - イオン打込み方式磁気バルブ素子用ガ−ネツト膜 - Google Patents
イオン打込み方式磁気バルブ素子用ガ−ネツト膜Info
- Publication number
- JPS6120306A JPS6120306A JP59140515A JP14051584A JPS6120306A JP S6120306 A JPS6120306 A JP S6120306A JP 59140515 A JP59140515 A JP 59140515A JP 14051584 A JP14051584 A JP 14051584A JP S6120306 A JPS6120306 A JP S6120306A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- garnet film
- ion
- garnet
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、イオン打込み方式磁気バブル素子において良
好な転送特性の得られるガーネット［に関する。
好な転送特性の得られるガーネット［に関する。
バブル用ガーネット換の磁歪の異方性がイオン打込み方
式磁気バブルメモリ素子に与える影響については、すで
に、昭和５９年度電子通信学会総合全国大会講演論文集
１−１７１において牧野等によって論じられている。こ
の論文では、ガーネットの希土類イオンの一部をＤｙで
置換して磁歪定数λ、。。とλ５１．の差Δλ（＝λ１
００−λ、１．）を小さくすることＫよシ、バブル転送
のための最小駆動磁界で小さくできるとしている。しか
し、バブル径が０．８＃ｍ以下の微小バブル用ガーネッ
ト膜では、従来のバブル径がｌＡｍ以上のガーネツ）Ｉ
に比べてΔλを増加させる効果のあるＳｍの含有量が多
くなるために、上記の方法によりΔλを小さくすること
は困難となる。
式磁気バブルメモリ素子に与える影響については、すで
に、昭和５９年度電子通信学会総合全国大会講演論文集
１−１７１において牧野等によって論じられている。こ
の論文では、ガーネットの希土類イオンの一部をＤｙで
置換して磁歪定数λ、。。とλ５１．の差Δλ（＝λ１
００−λ、１．）を小さくすることＫよシ、バブル転送
のための最小駆動磁界で小さくできるとしている。しか
し、バブル径が０．８＃ｍ以下の微小バブル用ガーネッ
ト膜では、従来のバブル径がｌＡｍ以上のガーネツ）Ｉ
に比べてΔλを増加させる効果のあるＳｍの含有量が多
くなるために、上記の方法によりΔλを小さくすること
は困難となる。
すなわち、バブル径を微小化するためＫは、よ〈知られ
ているように、ガーネット膜の飽和磁束密度４πＭｓを
大きくすると同時に、バブルを安定に存在させるために
必要な異方性エネルギーＫｕも大きくする必要がある。
ているように、ガーネット膜の飽和磁束密度４πＭｓを
大きくすると同時に、バブルを安定に存在させるために
必要な異方性エネルギーＫｕも大きくする必要がある。
例えば、バブル径を０．８μｍ以下とするためには、４
πＭｓ≧１００００、Ｋｕ≧１．ＯＸ １０’ ｅｒｇ
／ｃｍ３とする必要がある。大きな異方性エネルギーが
得られる元素として知られているＳｍを用いた場合、Ｋ
ｕを１．ＯＸｌ ０’ｅｒｇ／ｃｍ”とするためにはそ
の量をガーネットの組成式当り０．５以上、２．５以下
とする必要がある。ところで、一般的に、ΔλはＳ重量
とともに増加する。第１図に示すように、バブル径を０
．５μｍ以下にできる（Ｙ、Ｌｕ）、−８Ｓｍｘ）’ｅ
、Ｏ，□系のガーネット膜の場合、Ｘが０．５以上では
Δλが６ＸＩＯ−’以上と、かなり大きな値となる。
πＭｓ≧１００００、Ｋｕ≧１．ＯＸ １０’ ｅｒｇ
／ｃｍ３とする必要がある。大きな異方性エネルギーが
得られる元素として知られているＳｍを用いた場合、Ｋ
ｕを１．ＯＸｌ ０’ｅｒｇ／ｃｍ”とするためにはそ
の量をガーネットの組成式当り０．５以上、２．５以下
とする必要がある。ところで、一般的に、ΔλはＳ重量
とともに増加する。第１図に示すように、バブル径を０
．５μｍ以下にできる（Ｙ、Ｌｕ）、−８Ｓｍｘ）’ｅ
、Ｏ，□系のガーネット膜の場合、Ｘが０．５以上では
Δλが６ＸＩＯ−’以上と、かなり大きな値となる。
ところで、ガーネットの１２面体位置を占める元素の一
部をＤｙで置換することによりΔλを小さくすることが
できる。第２図に、第１図のガーネットで１２面体位置
を占めるＳｍ以外の元素をすべてＤｙで置換したＤｙ
３−ｘ８ｍｘＦｅ、０．２のａ重量ＸとΔλの関係を示
す。この図に見るように、Ｓ重量Ｘが０．５以下ではΔ
λが負であることから、Ｄｙの置換量を適当に調整する
ことによ）Δλをほとんどゼロにすることができる。こ
れに対し、Ｓ重量Ｘが０．５よシも大きくなると、Ｄｙ
の置換では、Δλをゼロにすることは出来ない。
部をＤｙで置換することによりΔλを小さくすることが
できる。第２図に、第１図のガーネットで１２面体位置
を占めるＳｍ以外の元素をすべてＤｙで置換したＤｙ
３−ｘ８ｍｘＦｅ、０．２のａ重量ＸとΔλの関係を示
す。この図に見るように、Ｓ重量Ｘが０．５以下ではΔ
λが負であることから、Ｄｙの置換量を適当に調整する
ことによ）Δλをほとんどゼロにすることができる。こ
れに対し、Ｓ重量Ｘが０．５よシも大きくなると、Ｄｙ
の置換では、Δλをゼロにすることは出来ない。
本発明の目的は、バブル径が０．８μｍ以下であっても
、イオン打込み素子におけるバブル転送のだめの最小駆
動磁界の小さなバブル用ガーネット膜を提供することに
ある。
、イオン打込み素子におけるバブル転送のだめの最小駆
動磁界の小さなバブル用ガーネット膜を提供することに
ある。
本発明は、従来公知のバブル保持用ガーネット膜に所定
量のＩｒを添加してΔλを所望の値とするものである。
量のＩｒを添加してΔλを所望の値とするものである。
第３図は、一般式
％式％
（ただし、ＲはＹ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ。
Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｃａ、Ｂｉからなる群よシ選択され
た少なくとも一種の元素、ＭＶｉｃａ、Ａｄ。
た少なくとも一種の元素、ＭＶｉｃａ、Ａｄ。
Ｇｅ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｓｃからなる群より選択された少な
くとも一種の元素であり、Ｘおよびｙの値は０．５≦Ｘ
≦２．５．０≦ｙ≦０．５の範囲内にある。）で表わさ
れる組成を持ったガーネット膜のＦ ｅの一部をＩｒで
置換した場合のΔλの変化量と模中のＩｒ１Ｚ（原子／
組成式〕の関係を示した本のである。また、第４図は、
これらのガーネット膜の保磁力ＨｃとＩｒ重量の関係を
示したものである。第３図かられかるように、Ｉｒを添
加した場合のΔλの変化は負であり、その絶対値は、第
１図に示したＩｒを含まない場合のΔλの値と同程度で
ある。従って％ Ｉｒの添加によりΔλの値をほとんど
ゼロにすることができる。
くとも一種の元素であり、Ｘおよびｙの値は０．５≦Ｘ
≦２．５．０≦ｙ≦０．５の範囲内にある。）で表わさ
れる組成を持ったガーネット膜のＦ ｅの一部をＩｒで
置換した場合のΔλの変化量と模中のＩｒ１Ｚ（原子／
組成式〕の関係を示した本のである。また、第４図は、
これらのガーネット膜の保磁力ＨｃとＩｒ重量の関係を
示したものである。第３図かられかるように、Ｉｒを添
加した場合のΔλの変化は負であり、その絶対値は、第
１図に示したＩｒを含まない場合のΔλの値と同程度で
ある。従って％ Ｉｒの添加によりΔλの値をほとんど
ゼロにすることができる。
第３図から明らかなように、極く微量でもＩｒはΔλを
小さくする効果がある。一方、Ｉｒ量を多くしていくと
、第４図に見るように保磁力が大きくなっていくｏＩｒ
ｆｚが０．１５（原子／組成式〕よりも大きくなると、
保磁力が３（Ｏｅ）よりも大きくなり、バブルが安定に
転送しなくなってしまう。従ってＩｒ量は０くＺ≦０．
１５とする必要がある０ ところで、バブル径をＱ、ｇ＃ｍ以下にするためにＶｉ
飽和磁束密度４πＭｓを１０００（Ｃ＋）以上とし異方
性エネルギーＫｕを１．ＯＸｌ ０’ （ｅｒｇ／ｃｍ
３）とする必要がある。 ４πＭｓ≧１０００ＣＧ）
とするためには、Ｇａ、Ａｄ、Ｇｅ、Ｓｉ。
小さくする効果がある。一方、Ｉｒ量を多くしていくと
、第４図に見るように保磁力が大きくなっていくｏＩｒ
ｆｚが０．１５（原子／組成式〕よりも大きくなると、
保磁力が３（Ｏｅ）よりも大きくなり、バブルが安定に
転送しなくなってしまう。従ってＩｒ量は０くＺ≦０．
１５とする必要がある０ ところで、バブル径をＱ、ｇ＃ｍ以下にするためにＶｉ
飽和磁束密度４πＭｓを１０００（Ｃ＋）以上とし異方
性エネルギーＫｕを１．ＯＸｌ ０’ （ｅｒｇ／ｃｍ
３）とする必要がある。 ４πＭｓ≧１０００ＣＧ）
とするためには、Ｇａ、Ａｄ、Ｇｅ、Ｓｉ。
Ｍｇ、Ｓｃからなる群より選択された少なくとも一種の
元素によるＦ ｅの置換量ｙをＯ≦ｙ≦０．５とする必
要がある０また、Ｋｕ≧１．０ＸＩＯ’（ｅｒｇ／ｃｍ
３）とするためには、Ｓｍｊｌｘを０．５≦Ｘ≦２．５
とする必要がある。
元素によるＦ ｅの置換量ｙをＯ≦ｙ≦０．５とする必
要がある０また、Ｋｕ≧１．０ＸＩＯ’（ｅｒｇ／ｃｍ
３）とするためには、Ｓｍｊｌｘを０．５≦Ｘ≦２．５
とする必要がある。
〔発明の実施例〕
温液相エピタキシャル法により。
（Ｂｉｏ、＋ Ｂｉｏ９”’ｈｏ ） （”ｓ−１Ｉｒ
ｚ ） ０１２なる組成を有するガーネット膜を育成し
、Ｉｒ１ｌＺに対するΔλの変化およびイオン打込み転
送路でのバブルの最小駆動磁界を調べた。
ｚ ） ０１２なる組成を有するガーネット膜を育成し
、Ｉｒ１ｌＺに対するΔλの変化およびイオン打込み転
送路でのバブルの最小駆動磁界を調べた。
Ｉｒを含まない（Ｂｉｏ、ＬｕＱ、、Ｓｍ、ｏ）Ｆｅ５
０１゜幌のΔλは２．０ＸＩＯ”−５であった。 これ
に対し。
０１゜幌のΔλは２．０ＸＩＯ”−５であった。 これ
に対し。
Ｉｒを添加していった場合、Δλの変化量は第３図のよ
うになり、Ｉｒ１Ｚが０．０７（原子／組成式〕のとき
Δλがほぼゼロになった。
うになり、Ｉｒ１Ｚが０．０７（原子／組成式〕のとき
Δλがほぼゼロになった。
次に、第５図に示すような形状のイオン打込み転送路を
形成し、バブルの転送に必要な最小駆動磁界ＨＲｍｉｎ
を測定した。 第６図にＩｒ重量と最小駆動磁界ＨＲｍ
ｉ ｎの関係を示す。図に見るように、Ｉｒの添加に
より最小駆動磁界は低下し、ΔλがほぼゼロになるＺ＝
０．０７（原子／組成式〕が最小となった。
形成し、バブルの転送に必要な最小駆動磁界ＨＲｍｉｎ
を測定した。 第６図にＩｒ重量と最小駆動磁界ＨＲｍ
ｉ ｎの関係を示す。図に見るように、Ｉｒの添加に
より最小駆動磁界は低下し、ΔλがほぼゼロになるＺ＝
０．０７（原子／組成式〕が最小となった。
実施例２
第１表および第２表に示すようなＩｒを含む各種のガー
ネット膜を定温液相エピタキシャル法により育成し、本
発明の効果を調べた。
ネット膜を定温液相エピタキシャル法により育成し、本
発明の効果を調べた。
その結果、各ガーネツ）［でΔλの絶対値を３ＸＩＯ−
’以下にすることができ、これによって各ガーネット膜
でＩｒを含まない場合に比べて最小駆動磁界を１０〜５
０（Ｏｅ）低くすることができた。
’以下にすることができ、これによって各ガーネット膜
でＩｒを含まない場合に比べて最小駆動磁界を１０〜５
０（Ｏｅ）低くすることができた。
本発明によれば、バブル径０．８μｍ以下の微小バブル
用ガーネット寝において、磁歪定数λ１００とλ１１．
の差Δλ（＝λ１００−λ３，１）の絶対値を小さくす
るので、イオン打込み転送路における。バブル転送のた
めに最小駆動磁界を小さくできる効果がある。
用ガーネット寝において、磁歪定数λ１００とλ１１．
の差Δλ（＝λ１００−λ３，１）の絶対値を小さくす
るので、イオン打込み転送路における。バブル転送のた
めに最小駆動磁界を小さくできる効果がある。
第１図は（Ｙ、Ｌｕ ）３−ｘＳｍＸＦｅ５０．□にお
けるＳ重量ＸとΔλの関係を示す曲線図、第２図は、Ｄ
ｙ３−ｘＳｍｘＦｅ、０１□におけるＳ ｍ ｉｌ ｘ
とΔλの関係を示す曲線図、第３図はＩｒ重量とΔλの
変化量の関係を示す曲線図、第４図はＩｒ重量と保磁力
Ｈｃの関係を示す曲線図、第５図はイオン打込み転送路
の形状を示す平面図、第６図はＩｒ量と最小駆動磁界の
関係を示す曲線図である０ 代理人 弁理士 高 橋 明 ｆ） 第 １ 図 菓 ｚＩ１８ 第 ４ 図 Ｔ、量 Ｚ（蔚１０細り 不 ５ 口 １ １ 図 δ ■・量ｚ （ＡＶ粗八代り 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和５９ 年特許願第 １４０５１５ 弓−発明の名
称 イオン打込み方式磁気バブル素子用ガーネット膜補正を
する者 ４ｉ＃きの師 特許出願人 名 称 −１つ）■式全Ｔｔ ［１）γ
装 ｆ乍 所代 理 人 補正の対象 明細書の全文 補正の内容 本願明細書の全文を添付の通り補正す
る。
けるＳ重量ＸとΔλの関係を示す曲線図、第２図は、Ｄ
ｙ３−ｘＳｍｘＦｅ、０１□におけるＳ ｍ ｉｌ ｘ
とΔλの関係を示す曲線図、第３図はＩｒ重量とΔλの
変化量の関係を示す曲線図、第４図はＩｒ重量と保磁力
Ｈｃの関係を示す曲線図、第５図はイオン打込み転送路
の形状を示す平面図、第６図はＩｒ量と最小駆動磁界の
関係を示す曲線図である０ 代理人 弁理士 高 橋 明 ｆ） 第 １ 図 菓 ｚＩ１８ 第 ４ 図 Ｔ、量 Ｚ（蔚１０細り 不 ５ 口 １ １ 図 δ ■・量ｚ （ＡＶ粗八代り 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和５９ 年特許願第 １４０５１５ 弓−発明の名
称 イオン打込み方式磁気バブル素子用ガーネット膜補正を
する者 ４ｉ＃きの師 特許出願人 名 称 −１つ）■式全Ｔｔ ［１）γ
装 ｆ乍 所代 理 人 補正の対象 明細書の全文 補正の内容 本願明細書の全文を添付の通り補正す
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 Ｒ＿３＿−＿ｘＳｍ＿ｘＦｅ＿５＿−＿ｙ＿−＿ｚＭｙ
Ｉｒ＿ｚＯ＿１＿２（ここで、ＲはＹ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｃａ、Ｂｉからなる群よ
り選択された少なくとも一種の元素、ＭはＧａ、Ａｌ、
Ｇｅ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｓｃからなる群より選択された少な
くとも一種の元素。）なる組成のガーネット膜において
、上記ｘ、ｙおよびｚの値が ０．５≦ｘ≦２．５ ０≦ｙ≦０．５ ０＜ｚ≦０．１５ の範囲内にあることを特徴とするイオン打込み方式磁気
バブル素子用ガーネット膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59140515A JPS6120306A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | イオン打込み方式磁気バルブ素子用ガ−ネツト膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59140515A JPS6120306A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | イオン打込み方式磁気バルブ素子用ガ−ネツト膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120306A true JPS6120306A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15270443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59140515A Pending JPS6120306A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | イオン打込み方式磁気バルブ素子用ガ−ネツト膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120306A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7133189B2 (en) | 2002-02-22 | 2006-11-07 | Tdk Corporation | Magnetic garnet material, faraday rotator, optical device, bismuth-substituted rare earth-iron-garnet single-crystal film and method for producing the same and crucible for producing the same |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP59140515A patent/JPS6120306A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7133189B2 (en) | 2002-02-22 | 2006-11-07 | Tdk Corporation | Magnetic garnet material, faraday rotator, optical device, bismuth-substituted rare earth-iron-garnet single-crystal film and method for producing the same and crucible for producing the same |
| CN100350300C (zh) * | 2002-02-22 | 2007-11-21 | Tdk株式会社 | 具备磁性石榴石材料的法拉第转子和光器件 |
| US7333261B2 (en) | 2002-02-22 | 2008-02-19 | Tdk Corporation | Magnetic garnet material, faraday rotator, optical device, bismuth-substituted rare earth-iron-garnet single-crystal film and method for producing the same crucible for producing the same |
| US7517406B2 (en) | 2002-02-22 | 2009-04-14 | Tdk Corporation | Magnetic garnet material, faraday rotator, optical device, bismuth-substituted rare earth-iron-garnet single-crystal film and method for producing the same and crucible for producing the same |
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