JPS61201774A - イオンビ−ムスパツタ装置 - Google Patents
イオンビ−ムスパツタ装置Info
- Publication number
- JPS61201774A JPS61201774A JP60042223A JP4222385A JPS61201774A JP S61201774 A JPS61201774 A JP S61201774A JP 60042223 A JP60042223 A JP 60042223A JP 4222385 A JP4222385 A JP 4222385A JP S61201774 A JPS61201774 A JP S61201774A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- target
- spot diameter
- ion
- electrode
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子部品等の膜形成を行なうイオンビームスパ
ッタ装置に関するものである。
ッタ装置に関するものである。
従来の技術
近年、イオンビームスパッタ装置は低温で、高純度の緻
密な膜の形成に利用されている。以下図面を参照しなが
ら、従来のイオンビームスパッタ装置の一例について説
明する。
密な膜の形成に利用されている。以下図面を参照しなが
ら、従来のイオンビームスパッタ装置の一例について説
明する。
第３図は従来のイオンビームスパッタ装置ｏ構成図を示
すものである。図において１は真空槽、２は真空槽１に
取り付けられたイオン源、３は真空槽１内に設けられた
ターゲット、４はターゲット３の上に置かれた基板、５
はイオン源２とターゲット３の間に置かれた偏向器、６
はイオン源２と偏向器５の間に置かれた静電レンズ、７
はイオン源２と静電レンズ６０間に置かれた引出電極で
ある。
すものである。図において１は真空槽、２は真空槽１に
取り付けられたイオン源、３は真空槽１内に設けられた
ターゲット、４はターゲット３の上に置かれた基板、５
はイオン源２とターゲット３の間に置かれた偏向器、６
はイオン源２と偏向器５の間に置かれた静電レンズ、７
はイオン源２と静電レンズ６０間に置かれた引出電極で
ある。
以上のように構成されたイオンビームスパッタ装置につ
いて、以下その動作を説明する。
いて、以下その動作を説明する。
まず、イオン源２は引出電極７の作用により、イオンビ
ーム８を放出する。イオンビーム８は静電レンズ６によ
り一端集束され、ターゲット３上で１〜１０ｊｆｆのス
ポット径となる。また、イオンビーム８は偏向器６によ
り゛、４５度に傾けたタ−ゲット３上を左右上下に走査
され、スパッタリングする。ターゲット３の上部に基板
４が置いてあり、ターゲット３からスパッタリングされ
た物質が基板４の上に膜として形成される。
ーム８を放出する。イオンビーム８は静電レンズ６によ
り一端集束され、ターゲット３上で１〜１０ｊｆｆのス
ポット径となる。また、イオンビーム８は偏向器６によ
り゛、４５度に傾けたタ−ゲット３上を左右上下に走査
され、スパッタリングする。ターゲット３の上部に基板
４が置いてあり、ターゲット３からスパッタリングされ
た物質が基板４の上に膜として形成される。
発明が解決しようとする問題点
上記のような従来の構成では、ターゲット上でイオンビ
ームのスポット径を変えるためには、イオンの加速電圧
を変えるか、またはターゲットの位置を変える必要があ
った。しかし加速電圧を変えればスパッタ率が変化し、
ターゲットの位置を変えれば基板の位置等も変えなけれ
ばならないという問題点を有していた。
ームのスポット径を変えるためには、イオンの加速電圧
を変えるか、またはターゲットの位置を変える必要があ
った。しかし加速電圧を変えればスパッタ率が変化し、
ターゲットの位置を変えれば基板の位置等も変えなけれ
ばならないという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、ターゲット上でイオンビー
ムのスポット径を容易に変えられるイオンビームスパッ
タ装置を提供するものである。
ムのスポット径を容易に変えられるイオンビームスパッ
タ装置を提供するものである。
間ｉギ解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のイオンビームスパ
ッタ装置は、静電レンズを構成する電極の一部を可動に
することにより、ターゲット上でのイオンビームのスポ
ット径を変えることができるようにしたのである。
ッタ装置は、静電レンズを構成する電極の一部を可動に
することにより、ターゲット上でのイオンビームのスポ
ット径を変えることができるようにしたのである。
作用
上記した構成によって、高輝度イオン源から発生したイ
オンビームを静電レンズで一度集束させて、ターゲット
上で１〜１Ｏｆｆのスポット径にし、偏向器でターゲツ
ト面上を左右上下に走査させるわけであるが、このとき
静電レンズを構成する電極の一部の位置を変えることに
より、ターゲット上でのスポット径が容易に変えられる
。
オンビームを静電レンズで一度集束させて、ターゲット
上で１〜１Ｏｆｆのスポット径にし、偏向器でターゲツ
ト面上を左右上下に走査させるわけであるが、このとき
静電レンズを構成する電極の一部の位置を変えることに
より、ターゲット上でのスポット径が容易に変えられる
。
実施例
以上本発明の一実施例のイオンビームスパッタ装置につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるイオンビームスパッ
タ装置の構成を示すものである。図において、９ＩＩ′
ｉ真空槽、１０ｊｄ真空槽９に取り付けられたイオン源
、１１は真空槽９内に設けられたターゲット、１２ｄタ
ーゲツト１１の上部に置かれた基板、１３はイオン源１
ｏとターゲット１１の間に置かれた偏向器、１４はイオ
ン源１ｏと偏向器１３の間に置かれた接地電極、１５は
接地電極１４をＸ方向に移動させるためのガイド、１６
はイオン源１ｏと接地電極１４０間に置かれ接地電極１
４と組みになり静電レンズを構成するためのコントロー
ル電極、１７はイオン源１０とコントロール電極１６０
間に置かれた引出電極である。
タ装置の構成を示すものである。図において、９ＩＩ′
ｉ真空槽、１０ｊｄ真空槽９に取り付けられたイオン源
、１１は真空槽９内に設けられたターゲット、１２ｄタ
ーゲツト１１の上部に置かれた基板、１３はイオン源１
ｏとターゲット１１の間に置かれた偏向器、１４はイオ
ン源１ｏと偏向器１３の間に置かれた接地電極、１５は
接地電極１４をＸ方向に移動させるためのガイド、１６
はイオン源１ｏと接地電極１４０間に置かれ接地電極１
４と組みになり静電レンズを構成するためのコントロー
ル電極、１７はイオン源１０とコントロール電極１６０
間に置かれた引出電極である。
以上のように構成されたイオンビームスパッタ装置につ
いて、以下第１図及び第２図を用いてその動作を説明す
る。
いて、以下第１図及び第２図を用いてその動作を説明す
る。
まず第２図はイオンビームのスポット径を変えるための
原理を示し、引出電極１７の作用によりイオン源１ｏか
ら放出されたイオンビーム１９１Ｌは、高電圧（例えば
３０ＫＶ）がかけられたコントロール電極１６と接地電
極１ｊＬＬの作用で集束する。イオンビーム１９＆はコ
ントロールを極ｄｅと接地電極１４１Ｌの距離ｌの約４
倍の所に焦点を結ぶ。また、例えばクロスローラーガイ
ドを利用して、接地電極１４をＸ方向に移動し、破線で
示した接地電極１４ｂの位置に持ってくる事により、コ
ントロール電極１ｅとの距離が変り、イオンビーＡ １
Ｑ ｈ ／７″１ｍ占／に′ｒ署東亦イＩ／ナス−−）
ｆｒ ４−、 ＜、 イオンビーム１９ｂの焦点距
離を変化させることにより、ターゲット１１上でのビー
ムスポット径を変えることができる。
原理を示し、引出電極１７の作用によりイオン源１ｏか
ら放出されたイオンビーム１９１Ｌは、高電圧（例えば
３０ＫＶ）がかけられたコントロール電極１６と接地電
極１ｊＬＬの作用で集束する。イオンビーム１９＆はコ
ントロールを極ｄｅと接地電極１４１Ｌの距離ｌの約４
倍の所に焦点を結ぶ。また、例えばクロスローラーガイ
ドを利用して、接地電極１４をＸ方向に移動し、破線で
示した接地電極１４ｂの位置に持ってくる事により、コ
ントロール電極１ｅとの距離が変り、イオンビーＡ １
Ｑ ｈ ／７″１ｍ占／に′ｒ署東亦イＩ／ナス−−）
ｆｒ ４−、 ＜、 イオンビーム１９ｂの焦点距
離を変化させることにより、ターゲット１１上でのビー
ムスポット径を変えることができる。
以上のように本実施例によれば、接地電極１４を移動さ
せることにより、ターゲット１１上でのビームスポット
径を可変でき、照射面積が変化し、高スループツトを得
ることができる。
せることにより、ターゲット１１上でのビームスポット
径を可変でき、照射面積が変化し、高スループツトを得
ることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、集束イオンビームを利用したイ
オンビームスパッタ装置において、静電レンズを構成す
る電極の一部を移動させることにより、ターゲット上で
のイオンビームスポット径を変え、ターゲットの材質や
大きさに合った、効果的なスポット径でスパッタリング
することができ、スループットと均一性を向上させるこ
とができるものである。
オンビームスパッタ装置において、静電レンズを構成す
る電極の一部を移動させることにより、ターゲット上で
のイオンビームスポット径を変え、ターゲットの材質や
大きさに合った、効果的なスポット径でスパッタリング
することができ、スループットと均一性を向上させるこ
とができるものである。
Claims (1)
- イオン源と、前記イオン源から発生するイオンビームを
照射するターゲットと、前記ターゲットからスパッタリ
ングされる物質を付着させる基板と、前記イオン源とタ
ーゲットとの間に配され、かつ複数の電極で構成された
イオンビームを集束する静電レンズと、イオンビームを
前記ターゲット上で上下左右に偏向する偏向器とを備え
、前記静電レンズを構成する複数の電極のうち一部の電
極の位置を移動させることにより前記ターゲット上での
イオンビームのスポット径を可変としたイオンビームス
パッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60042223A JPS61201774A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | イオンビ−ムスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60042223A JPS61201774A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | イオンビ−ムスパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61201774A true JPS61201774A (ja) | 1986-09-06 |
Family
ID=12630033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60042223A Pending JPS61201774A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | イオンビ−ムスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61201774A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02153069A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-12 | Hitachi Ltd | イオンビームスパッタ装置および該装置の制御方法 |
| WO2009155500A3 (en) * | 2008-06-20 | 2010-04-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates | Method and apparatus for controlling beam current uniformity in an ion implanter |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106114A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Fujitsu Ltd | Ion beam sputtering apparatus |
| JPS5978435A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Internatl Precision Inc | 走査型電子線装置 |
-
1985
- 1985-03-04 JP JP60042223A patent/JPS61201774A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106114A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Fujitsu Ltd | Ion beam sputtering apparatus |
| JPS5978435A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Internatl Precision Inc | 走査型電子線装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02153069A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-12 | Hitachi Ltd | イオンビームスパッタ装置および該装置の制御方法 |
| WO2009155500A3 (en) * | 2008-06-20 | 2010-04-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates | Method and apparatus for controlling beam current uniformity in an ion implanter |
| US7767986B2 (en) | 2008-06-20 | 2010-08-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling beam current uniformity in an ion implanter |
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