JPS61200574A - 液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、レーザビーム忙よって書込みが行なわれる液
晶表示装置の欣晶表示パネルに関する。

〔発明の背景〕

液晶パネルへの書込みにレーザエネルギを用いた液晶表
示装置が、九とえは、特開昭５１−１５０３５４号公報
に開示されている。この液晶表示装置は、液晶パネルの
液晶層に隣接してレーザエネルギの吸収層を設けたもの
であって、この吸収層をレーザビームで照射することに
よって発熱させ、この熱を液晶層の書込みが行なわれる
べき所定の部分（アドレス部分）に伝搬させてその部分
金相転移させることにより、書き込みを行なうものであ
る。かかる書込み方法によると、吸収層の材質や厚み、
レーザの波長などを適切に設定することにより、吸収層
に入射するレーザエネルギの９５％以上を熱に変換する
ことができ、レーザエネルギの熱変換効率が非常に高い
ものとなっている。

しかしながら、かかる液晶表示装置においては、吸収層
によってレーザエネルギが非常に高い効率で熱変換され
るものであっても、液晶パネルの基板などの構造上、吸
収層で生じた熱は、液晶層のアドレス部分のみならず、
基板など全周方向に伝搬、放散し、このアドレス部分を
加熱するエネルギはレーザエネルギに比べて非常に小さ
いものとなる。

し友がって、かかる従来の液晶表示パネルは、液晶層の
加熱効率が非常に低く、曹込み速度が低いものであった
。畳込み速度を高めるためには、畳込レーザエネルギを
高めればよいが、高出力の高価なレーザ源會必喪とする
ことになる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、かかる従来技術の欠点を除き、低出力
のレーザ源を用いて書込み速度を高めることができるよ
うにした液晶表示パネルを提供するにある。

〔発明の概要〕

この目的を達成するために、本発明は、液晶層に＠接し
て設けられるレーザエネルギを吸収して発熱する吸収Ｉ
−と該吸収層からの熱を該液晶層に伝達する熱伝達層と
からなる層を、少なくともレーザビームの走査方向に分
割し、分割された夫々の該層間での熱伝搬を低減してア
ドレス部分への熱伝達量を増大させるようにした点に特
徴がある。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面によって説明する。

第１図（ａ）は本発明による液晶パネルの一実施例を示
す部分断面図、同図（ｂ）はその下側基板の上面図であ
って、１は下側基板、２は下ガラス基板。

３は吸収層、４は熱伝達層、５は吸収層、６は熱伝達層
、７は熱遮断層、８は配向膜、９は液晶層。

１０は上基板、１１は上側ガラス基板、１２は配向膜、
１３は透明導電膜である。

第１図（ａ）、　（ｂ）において、下側基板１は、次の
ように構成されている。すなわち、下ガラス基板２上に
レーザエネルギを吸収して発熱する吸収層３とこの熱を
伝達する熱伝達層４とが嵐ねて設けられており、これら
吸収層３と熱伝達層４とからなる層はストライブ状をな
し、かかるストライブ状の層が多数矢印Ａで示すレーザ
ビームの走査方向に配列されている。各ストライプ状の
層間には熱遮断層７が設けられ、ストライプ状の層間を
伝搬する熱量を小さくしている。また、熱遮断層７の上
にも吸収層５と伝達層６とが重ねて設けられており、見
掛上、下ガラス基板２の全表面に吸収層と熱伝達Ｊ−と
からなる層で機われているようにしている。そして、さ
らにその上に、全面にわ友って配向膜８が設けられてい
る。

上側基板１０は、上ガラス基＆１１上全面にわたって透
明導電膜１３が設けられ、その上に、さらに配向膜１２
が設けられてなるものである。

下側基板１と上側基板１０とは、夫々の配向膜８．１２
が対向するように配置され、これらの間に液晶が充填さ
れた液晶層９が設けられて液晶パネルが構成されている
。

そこで、実線の矢印で示すように、下側基板１側から入
方向に走査するレーザビームを照射すると、吸収層３あ
るいは５のレーザビームが入射しｆｃ部分がレーザエネ
ルギによって発熱し、レーザビームが入射した吸収層３
あるいは５に憲なる熱伝達層４あるいは６を介して液晶
層８に伝達され、そのアドレス部分が相転移して薔き込
みがなされる。

一方、破線の矢印に示すように、可視光が上側基板１０
側から入射され、上側基板１０．液晶層９および配向膜
８を通して熱伝達Ｎ４，６に照射される。ここで、熱伝
達／４４，６はＡｌ（アルミニウム）のような熱伝導率
が高いが、同時に可視光に対して反射率も尚い材料から
なり、したがって、可視光の反射層としても兼用してい
る。そこで、熱伝達層で反射された可視光は、再び配向
膜８および液晶腺９を通り、上側基板１０から外部に射
出される。この射出された可視光は液晶層９中の液晶の
相転移の程度に応じ比強度を有しており、これによって
液晶層９に誉き込まれた画謙全みることができる。

吸収層３，５．熱伝達層４，６および配向膜８の厚みは
、通常、約０．１μｍ＠度とする。一方、一画素の幅１
に１０〜３０μｍ程腿に設定し、吸収層３と熱伝達Ｊｍ
　４とからなるストライプ状の層の幅および吸収層５と
熱伝達１１６とからなるストライプ状の層の幅を夫々一
画素の幅の数分の１ないし数倍に設定することにより、
熱遮断Ｗｌ　７によるストライプ状の増の瞼起は、液晶
層８中の液晶を配向させる上で障害とはならない。

熱遮断層７の材料としては、ガラス（熱伝導率＝Ｉ　Ｘ
　１０−３〜３Ｘ　３０　”ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｃ−”
Ｃ，）や耐熱性有機高分子材料（熱伝導率＝２Ｘ１０　
〜４　Ｘ　１０　’　ｃａｌ／　ｃｍ−５ｅｃ−℃）な
どを用いることができ、これらは、吸収層３．５に用い
られ得る材料の一例としてのｃｒ（クロム）（熱伝導率
＝０　、２　ｃａｌ　７ｃｍｍ　ｓｅｃ　・’Ｃ）や熱
伝達層４．６に用いられ得る材料の一例としてのＡｌ（
熱伝導率＝０．６　ｃａｌ／ｃｍ　＊　ｓｅｃ　・℃）
に比べ、１／　１００〜１／　１０００倍の熱伝導率で
ある。したがって、熱遮断層７Ｋかかる材料を用いるこ
と忙より、吸収ｊ−と熱伝達層とからなるストライプ状
の層間の熱伝搬を充分に抑圧することができる。

このことから、従来技術に比べ、液晶層８のアドレス部
分の加熱効率が飛躍的に向上するが、このことを≠２図
および第３図を用いて説明する。

まず、第２図によって従来の液晶パネルでの熱伝搬につ
いて説明する。なお、第２図（ａ）はその液晶パネルの
基板の面に垂直な断面での熱伝搬を示し、第１図（ａ）
に対応する部分にはダッシュした同一符号をつげている
。また、第２図（ｂ）は同じく基板の面に平行な面での
熱伝搬を示している〇第２図（ａ）において、下側基板
１′は、下ガラス基板２′の全面に均一に、吸収層３′
、熱伝達層４′および配向膜８が積層されている。上ｌ
Ｉｊ基板１０′は第１図（ａ）における上側基板１０と
同様の構成をなしており、配向膜８’、１２’が対向す
るように配置された下側基板２′と上ｍ＋＋基板１０′
との間に、液晶層９′が形成されている。

かかる液晶パネルに、下ガラス基＆２′働からレーザビ
ームが照射されるが、いま、このレーザビームの照射点
をＰとすると、この照射点Ｐで生じた熱は、熱伝達層４
′、配向膜８′を通して液晶層９′に、また、吸収層３
′中を、さらには、下ガラス基板２′を通して全周にわ
次って伝搬する。破線はかかる熱伝搬に伴なう等製線を
示している。この場合、下ガラス基板２′の熱伝導率は
小さいためＫ、これによる伝搬量は左程問題とはならな
いが、吸収層３′や熱伝達層４′に沿う熱伝搬蓋はかな
り多く、このため罠、液晶層９′への熱伝搬量が少なく
なり、液晶層９′の加熱効率が低下することになる。か
かる吸収層３′や熱伝達層４′に沿う熱伝搬は照射点Ｐ
を中心として四方に均等であり、この結果、吸収ｊ−３
′や熱伝達層４′に、第２図（ｂ）に示すように、照射
点Ｐを中心として同心円状に等製線が分布する。

また、液晶Ｉ＠９′を伝搬しｔ熱は上側基板１０′に達
し℃それを加熱させるが、上側基板１０’の照射点Ｐに
対向する面Ｑが所定の温度に達するまでは、液晶層９′
は熱によって温度が上昇する。この場合、照射点Ｐに対
応した加熱されるべき液晶層９′の部分（すなわち、ア
ドレス部分）以外にも、吸収層３′の照射点Ｐからはな
れた部分や熱伝達ＷＩ４′を介して多量の熱が伝搬され
、これによってアドレス部分での加熱効率が低下するこ
とはもちろんのこと、対向面Ｑが所定温度に達するまで
、アドレス部分のまわりも照射点Ｐから光分はなれた吸
収層３′や熱伝達層４′の加熱によって加熱されて温度
が上昇し、相転移を起す場合も生ずる。このことは、隣
接−素゛も部分的に相転移を起したことになり、書き込
まれる文字、画像の解１象度を低下させることになる。

次に、第３図によって第１図に示した実施例での熱伝搬
について説明する。なお、第３図（ａ）はその液晶パネ
ルの基板の面に垂直な断面での熱伝搬を示し、第１図（
ａ）に対応する部分には同一符号をつけている。また、
第３図の）は同じく基板の面に平行な面での熱伝搬を示
している。

第３図（ａ）において、レーザビームの照射点をＰ’と
すると、この照射点Ｐ′で生じた熱は、熱遮断層７によ
り、ストライプ状の吸収層３や熱伝達層４０幅方向への
伝搬はほとんど阻止され、このストライプ状の吸収ｒ＊
　３や熱伝達層４の伐手方回および液晶層９の方向に伝
搬される。下ガラス基板２の面に沿う等製線は、第３図
中）Ｋ示すように、スドライブ状の層の長手方向に延び
た照射点Ｐ′を中心とする同心長円状となる。このため
に、液晶層９への熱伝鰍量は大きくなり、しかも、照射
点Ｐ′に対向せる上側基板１０の面Ｑ′方向への熱伝ｉ
ｔが大きくなる。

このことから、液晶パネル内の等＠線は破線で示すよう
になり、この対向面Ｑ′と照射点Ｐ′間の吸収層３．熱
伝達層４．液晶層９が急激に加熱され、対向面Ｑ′は短
時間で所定の温度に達する。これに対し、レーザビーム
が照射された吸収層３と、これに積層された熱伝達層４
かうなるストライプ状の層以外のストライプ状の層はほ
とんど加熱されないから、液晶層９のこれらストライプ
状の層に牌接した部分は加熱されない。したがって、は
とんど照射点Ｐ′とこれの対向面Ｑ′との間のアドレス
部分のみが短時間で相転移する。

以上のように、この実施例は、従来技術忙比べ、書込み
時間が短縮し、また、薔込み文字、ｔｎｅの％絨度が向
上する。

第４図はレーザビーム照射に伴なう液晶パネルの各部の
加熱、放冷特性をシミュレーション計算した結果の一例
を示すものであって、シミュレーション計算のための条
件として、液晶パネル面積を約９００ｍｍ２（３０ｍｍ
Ｘ３０ｍｍ）、　液晶層の厚みを１０μｍ、一画素の大
きさを約２０μｍ×２０μｍ。

レーザパワーを４０ｍＷとし、レーザエネルギの５０％
が熱に変換されるものとした。また、曲線Ｈ−１，’ｒ
−１は、夫々、第２図に示す従来の液晶パネルの吸収層
３′と液晶層９′との書き込むべき画素部分に対する温
度曲線である。１（−２，Ｔ−２は、夫々、第３図に示
した上記実施例の吸収ノー３（あるいは５）と液晶ノー
９との書き込むべき画素部分に対する温度曲線であって
、吸収層３．熱伝達層４のストライプ幅を約２０μｍ、
これらストライプ状の膚の間隔を１μｍとした。

このシミュレーション結果から、−例として、吸収層を
２００℃上昇させる時間は、上記実施例の場合には、第
２図に示した従来の液晶パネルの場合忙比べ、約１／４
に短縮でき、液晶層の温度についても、はぼこれに近い
効果が得られることが確認された。

なお、液晶層９が書込み状態となるのは、それが相転移
温度以上の所定の温度となって等方性液体となった後、
冷却されて光学的散乱状態を呈する液晶となったときで
ある。このためには、液晶層９がこの所定の温度に到達
した後の冷却速度もｘｉであり、この冷却速度としては
、約り℃／ｍ５ｅｃ以上が必要である。前述したように
、吸収層３．５．熱伝達層４．６は熱伝導率が非常に大
きいから、液晶７１９の冷却速度をそれが光学的散乱状
、壱を呈するに必袂な冷却速度（２℃／　ｍ　ｓ　ｅ　
ｃ程度）に維持することができるのである。

書込み画素の位置と、吸収層３（あるいは５）と熱伝達
層４（あるいは６）とからなるストライプ状の層の位置
との関係は、この画素の中心をストライプ状の層の中心
に一致させる必要はなく、任意に設定できる。また、画
素の幅とストライプ状の層の幅との関係については、吸
収層３と熱伝達層４とからなるストライプ状の層の暢、
吸収層５と熱伝達層６とからなるストライプ状の層の輻
のいずれも、一画素の幅の数分の−ないし数倍に設定す
ることが、液晶層９の加熱効果や液晶パネルの製作の容
易性を勇足させる上で適当である。

第５図（ａ）は本発明による液晶表示パネルの他の実施
例を示す部分断面図、同図１　（ｂ）　ｉｄその下側無
根の上面図であり、第１図に対応する部分には同一符号
をつけている。

この実施例は、吸収／！ｉｉ３と熱伝達層４とからなる
ストライプ状の層と、これら間に設けられる吸収層５と
熱伝達ｒ＝　６とからなるストライプ状の層との下ガラ
ス基板２に対する位置を、第１図に示した実施例の場合
と逆にしたものである。

すなわち、前者のストライプ状の層は夫々所定の間隔で
もって熱遮断層７′ヲ介して下ガラス基板２に設けられ
、それらの間の下ガラス基板２上に後者のストライプ状
の１−が設けられ、これらの上に熱遮断１１ｉｉ７が設
けられて前者のストライプ状の層間を熱的に遮断してい
る。

かかる構成のこの実施例においても、第１図に示した実
施例と同様の効果が得られる。

第６図は本発明による液晶表示パネルのさらに他の一実
施例を示す部分断面図であって、第５囚（ａ）に対応す
る部分には同一符号をつけている。

この実施例は、吸収層３と熱伝達１１４とからなるスト
ライプ状の層と、吸収層５と熱伝達層６とからなるスト
ライプ状のｒ−とを、下ガラス基板２の面にほぼ平行な
同一面に位置させ、液晶層９に接する配向膜をほぼ平坦
にしたものである。

すなわち、前者のストライプ状のｒ−は、熱遮断層７′
をブｒして下ガラス基板２に設けるが、その端部は直接
下ガラス基板２上に設けてこれら前者のストライプ状の
層の間隔を等測的に拡げており、これら前者のストライ
プ状の層間に、熱遮断層７′に等しい厚みの熱遮断層７
を設け、この上忙後者のストライプ状の層を設けている
。

この実施例によると、一画素の幅を小さくしたときでも
、文字、ｔｈＩ隊の艮好な薔き込みを行なうことができ
る。

第７図は本発明による液晶表示パネルのさらに他の実施
例を示すｆＭ５＋断面図であって、１４．１５は突起部
であり、蕗１図に対応する部分には同一符号をつげてい
る。

この実施例は、熱伝達層４．６に夫々液晶層９の方向へ
の突起部１４．１５’ｉ設けたものであり、これらによ
って液晶層９の加熱、冷却効果がより一層向上する。

以上の各実施例は、黙伝尋率が低い下側基板上に、この
下側基板のｌＯＯ倍〜１０００倍程度の熱伝尋率が尚い
材料からなる１＆収贋および熱伝達層をストライプ状に
して設置することにより、液晶層への薔込み速度の向上
、文字、画１氷の解隊度の向上をはかったものであった
が、これら吸収層。

熱伝達層をドツト状にすることもでき、この場合の実施
例を第８図によって説明する。

なお、第８図はこの実施例における下１ｌｔ１１基板の
上面図であって、１６はドツト状の層、１７は吸収層、
１８は熱伝達ｊ−である。

同図において、ドツト状の吸収層１７とドツト状の熱伝
達層１８とからなるドツト状の膚１６はほぼ画素に等し
い大きさであり、下ガラス基板２上に、はぼ画素の数だ
けのドツト状の層１６が規則的に配列されている。各ド
ツト状の層１６間には、図示しないが、熱遮断層が設け
られ、これらの間の熱伝憾が１５１１止されるようにな
っている。これによって、レーザビームが照射されたド
ツト状の盾１６で発生した熱は、他のドツト状の層１６
に伝搬されず、このために、液晶層のアドレス部分への
熱伝達が効率よく行なわれ、曹込み速度と誉じ込まれ次
文字、幽隊の屏へ度がより一層向上する。

また、夫々のドツト状の層１６において、熱伝達／＊　
１８は吸収層１７よりも広く形成されており、下ガラス
基板２の下面側（図面の後面倶ｊ）からレーザビームが
照射されたときに、熱伝達Ｌ−１８の吸収ｌ−１７と重
ならない部分がこのレーザビームの反射面として作用す
る。このレーザ反射面からの反射レーザビームを利用し
、レーザビームが吸収層１７を正確に照射するようにし
てレーザエネルギの熱変換効率を畠めるようにしている
。

第９図は第８図に示したドツト状の吸収層１７にレーザ
ビームを正確に照射するための手段の一具体例を示す構
成図でありて、１９はレーザ反射面、２０けレーザ照射
装置、２１はドツト位置検出装置、２２け制御ＩＩ装置
、２３は照射レーザビーム、２３′は反射レーザビーム
であり、第１図、第８図に対応する部分には同一符号を
つけている。

第９図において、先に説明したように、下ガラス基板２
上に形成されるドツト状の鳩１６は、ドツト状の吸収層
１７とこれより大きい熱伝達１ｉ１Ｂとからなり、この
熱伝達ｊ−１８の吸収層１７と重ならない部分は直接下
ガラス基＆２上に設けられて、この下カラス無根２に接
する熱伝達Ｒ１１１８の面がレーザ反射ＩＮ［ｉｌＱを
形成している。

そこで、レーザ照射装に２０から照射レーザビーム２３
が下９１＋１　ｉ！、＆　１に照射されると、この照射
レーザビーム２３は、吸収層１７に入射するレーザビー
ム部分と熱遮断層７を通過するレーザビーム部分とレー
ザ反射面１９で反射されて反射レーザビーム２３′とな
るレーザビーム部分とに大別される。これらレーザビー
ム部分の強度の割合は、ドツト状の１−１６に対するレ
ーザ照射装［２０の相対位置によって変化し、また、反
射レーザビーム２３′の強度や反射方向もレーザ照射装
置２０の立置によって変化する。ドツト位置横出装臘２
１は反射レーザビーム２３′ヲ受けてその強度や反射方
向を検出し、これらを表わすデータを制御装置２２に供
給する。制御装置２２はこのデータからドツト状ｊ−１
６に対するレーザ照射装［２０の相対位置を検出し、照
射レーザビーム２３が正確にドツト状の層１６を照射す
るように、レーザ照射装置２０の位置を劃−する。

レーザ照射装置２０は、あるドツト状の層１６への照射
レーザビーム２３の照射時間が終ると、その照射を停止
して欠の位置に移り（この位置変化は走査信号に同期し
ている）、次のドツト状の層１６への照射レーザビーム
２３の照射を開始するが、このときに、上述し九し−ザ
照射装に２０の位置調整がなされる。

ここで、吸収層１７での照射レーザビーム２３の熱に換
効率を嵩くする必要があることから、レーザ反射面１９
０面積はできるだけ小さい方がよく、このために、反射
レーザビーム２３′を恢知するドツト位Ｉ］１ｉｌｔ恢
出装置２１には、誦感度の七ｙすｒ用いる。用いるセン
サとしては、フォトダイオード、フォトトランジスタな
どがある。

このように、ドツト状の１ｇ１１６の大きさ會略−＠素
相当にすることにより、液晶ｊ−９のアドレス部分を相
転移に必女な所定の温度まで上昇させるための時間は、
先の実施例、すなわち、ストライプ状の層による場合の
約手分となり、液晶Ｊ−９の加熱速度がその場合の２＋
ｆ！５反になることをシミュレーション計算によって惰
餡した。牧節ノ曽９の冷却違反については、ストライプ
状の鳩とした場合よりも低くなるが、それでも畳込み可
能な＝ｉ（２℃／ｍ５ｅｃ以上）となることも同様に確
認でさ友。

なお、第８図においては、ドツト状のＮ１６の形状を四
角形として示しているが、これ以外の多角形や円形など
任意の形状とすることがでピ、同様に蕾込み、４度Ｊｆ
′ＩｆｆｌＩＩＭの解１象度が同上する。

また、レーザ反射面１９は、正反対面、乱反射面のいず
れでもよく、乱反射面とじ友場合には、ドツト位置検出
装置１ｔ２１の設置位置の制限が緩和′できる。

さらに、ドツト状の層の大きさケー画素相当よりも小さ
く設定することにより（九とえは、数分の一画素相当）
、レーザ照射装置２０の上記位置側ｅｌ］を必ずしも行
なう必要がなく、書込装置の攬略化がはかれる。レーザ
照射装に２０の位置側−を行なわない場合には、ドツト
状の膚１６には、レーザ反射面１９を設ける必要はない
。

〔発明の効果〕

Ｖ上説明したように、本発明によれば、畳込み用のレー
ザビームによって吸収層に生じた熱を高い効率で液晶層
のアドレス部分に伝韻させることができるから、はぼ該
アドレス部分のみを急速に温度上昇させることができ、
よって、比軟的低出力のレーザ発生器を用いても、文字
、＠臘の書込み時間の大幅な短縮や該文字、＝＋Ｗの解
隊度の太ｌｈｃｍ　　Ｊ−６Ｌ　　４　　／ＪＪ　　：
ｔ＜　　４　　Ｓ　ｉ　　Ｊ　　　ｚｌ’ｔ　　ｆ　　
ｊ　　−イ　　　　　Ｌ　　ｉ４ｕ　　２ｋ　　ｓｋ　
　ヤ＾術の欠点を除いて優れた機能の液晶表示パネルを
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明による液晶表示パネルの一実施例
を示す部分断面図、同図（ｂ）はその下側基板の上面し
Ｉ、第２図（ａ）は従来の液晶表示パネルの基板面に垂
直な断面での熱伝搬を説明するための温度分布図、同図
（ｂ）はその基板面に沿う熱伝搬を説明する九めの温度
分布図、第３図１（ａ）は第１１に示し友笑施声１にお
ける基板面に垂直な断面での熱伝搬を説明するための温
度分布図、第３図（ｂ）はその基板面に沿う熱伝搬を説
明するための温度分布図。 第４図は第１図に示した実施例と箪２図に示した従来技
術での吸収層と液晶ノーとの加熱、放冷時間を対比して
示す物性図、巣５図（ａ）は不発明による液晶表示パネ
ルの他の実施例を示す部分断面図。 同図（ｂ）はその下側基板の上面図、第６図〜第８図は
夫々本発明による液晶表示パネルのさらに他の実施例を
示す部分断面図、第９１￥１は第８図の実施例に対する
曹込み手段の一具体例を示す構成図である。 ｌ・・下側基板、２・・下ガラス基板、３・・吸収層、
４・・熱伝達ｊ曽、５・・吸収ノー、６・・熱伝達層、
７．７’・・熱遮断層、８・・配向膜。 ９・・液晶１１．ｉｏ・・上側ｊ基板、１４．１５・・
突起部、１６・・　ドツト状の鳩、１７・・吸収ノー。 １８・・熱伝達層、１９・・レーサ反射面。 第１図 （ｑ）　　　　　　　　　　　　（ｂ）第２図 第３図 第４図 第５図 （Ｇ）　　　　　　　　　　　　　（ｂ）襖６図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下側基板と上側基板と間に液晶層が設けられ、レ
   ーザビームで走査することによって文字、画像の書込み
   を行なうようにした液晶表示パネルにおいて、該下側基
   板は、下ガラス基板上にレーザエネルギを熱に変換する
   吸収層と該吸収層で生じた熱を該液晶層に伝達する熱伝
   達層とが積層されてなる層が複数個配列され、かつ該層
   間に熱遮断層を設けてなることを特徴とする液晶表示パ
   ネル。
2. （２）特許請求の範囲第（１）項において、前記吸収層
   と前記熱伝達層とが積層されてなる層は、ストライプ状
   をなし、前記レーザビームの走査方向に順次配列された
   ことを特徴とする液晶表示パネル。
3. （３）特許請求の範囲第（１）項において、前記吸収層
   と前記熱伝達層とが積層されてなる層は、ドット状をな
   すことを特徴とする液晶表示パネル。