JPS61199095A - 部分メツキ方法 - Google Patents
部分メツキ方法Info
- Publication number
- JPS61199095A JPS61199095A JP3933685A JP3933685A JPS61199095A JP S61199095 A JPS61199095 A JP S61199095A JP 3933685 A JP3933685 A JP 3933685A JP 3933685 A JP3933685 A JP 3933685A JP S61199095 A JPS61199095 A JP S61199095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plated
- optical fiber
- fiber bundle
- bath
- Prior art date
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- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は被メッキ体に部分メッキする方法の改良に関す
るものであ夛、被メッキ体（基体）上に連続して線状又
は帯状（以下ストライプ状という）の電気メッキ又は化
学メッキ（以下メッキという）を施さんとするものであ
る。
るものであ夛、被メッキ体（基体）上に連続して線状又
は帯状（以下ストライプ状という）の電気メッキ又は化
学メッキ（以下メッキという）を施さんとするものであ
る。
一般に基体上の所要部分のみに部分メッキを施すことは
広〈実施されているが、近時特にエレクトロニクスなど
の精密工業において、半導体リードフレーム、コネクタ
ー、キースイッチなどの微小接続部や接点部にＡｕ ｒ
Ａｇ ＋ Ｐ ｄなどの貴金属が不可欠とされるため
、これらの部分メッキが増々必要となっている。例えば
予めストライプ状に貴金属をメッキした金属テープを用
いることによりコネクターやキースイッチ接点を能率的
にプレス成型することができる。
広〈実施されているが、近時特にエレクトロニクスなど
の精密工業において、半導体リードフレーム、コネクタ
ー、キースイッチなどの微小接続部や接点部にＡｕ ｒ
Ａｇ ＋ Ｐ ｄなどの貴金属が不可欠とされるため
、これらの部分メッキが増々必要となっている。例えば
予めストライプ状に貴金属をメッキした金属テープを用
いることによりコネクターやキースイッチ接点を能率的
にプレス成型することができる。
従来これらのストライプ状部分メッキ法としてはがム状
のマスクを当接したシ、或は接着又は熱融着テープを張
シクけて非メッキ部分を遮蔽してメッキを行っているも
のであシ、特殊な用途においてレジストを塗布すること
により行っているものである。
のマスクを当接したシ、或は接着又は熱融着テープを張
シクけて非メッキ部分を遮蔽してメッキを行っているも
のであシ、特殊な用途においてレジストを塗布すること
により行っているものである。
然しこれらの方法においては非メツキ部を遮蔽するため
或はメッキ後にこれを剥離するために特殊な設備を必要
とし且つ遮蔽材を多量に消耗し仔済的に不利である。又
ゴムのマスク或はナーデを設けたのでは１〜２鯨以下の
微細な精密ストライプ状のメッキを安定して得ることは
出来ない。
或はメッキ後にこれを剥離するために特殊な設備を必要
とし且つ遮蔽材を多量に消耗し仔済的に不利である。又
ゴムのマスク或はナーデを設けたのでは１〜２鯨以下の
微細な精密ストライプ状のメッキを安定して得ることは
出来ない。
［］発明が解決しようとする問題点〕
本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行った結果、上記
の如き遮蔽材を使用することなく、即チマスクレスにて
精密なストライプ状のメッキを施すものである。
の如き遮蔽材を使用することなく、即チマスクレスにて
精密なストライプ状のメッキを施すものである。
本発明はメッキ浴中を走行する被メッキ体に、３本以上
の光ファイ・ぐ−を所望のメツキスドライブに相当する
巾に密着束状に配列して固定し、その一端を被メッキ体
に近接して配置し、被メッキ体にメッキ電流を通電しな
がら、各党ファイバーの他端からエネルギー密度１０〜
１０００Ｗ／ｍ２のレーザー光を導入してストライプ状
にメッキを行うものである。
の光ファイ・ぐ−を所望のメツキスドライブに相当する
巾に密着束状に配列して固定し、その一端を被メッキ体
に近接して配置し、被メッキ体にメッキ電流を通電しな
がら、各党ファイバーの他端からエネルギー密度１０〜
１０００Ｗ／ｍ２のレーザー光を導入してストライプ状
にメッキを行うものである。
即ち本発明方法を図面により説明すると、第１図に示す
如く、１は被メッキ体であシ、メ。
如く、１は被メッキ体であシ、メ。
キ電ののｅ側に接続された給電ロール２とターンロール
３，３′によυガイドされてメッキ浴４の中を一定速度
で走行している。又浴中には被メッキ体１に対置してメ
ッキ電源の■側に接続されたアノード５がある。
３，３′によυガイドされてメッキ浴４の中を一定速度
で走行している。又浴中には被メッキ体１に対置してメ
ッキ電源の■側に接続されたアノード５がある。
又光ファイバー束６の先端７はメッキ浴中の被メッキ体
ｌに接近して固定されている。光ファイバー束６の他端
よりレーデー光が導入される。なお図面では３本の単光
ファイ・’ Ｊ ｌ ’！ｌ’１８”に分割され各々
にレーザー光源９ ＊ ９’＋ ９“より発したレーデ
−光が集光レンズｚ ｏ ｌ Ｊ ｏ’、１ｏ″を介し
て夫々の光ファイバーの端部から導入される。
ｌに接近して固定されている。光ファイバー束６の他端
よりレーデー光が導入される。なお図面では３本の単光
ファイ・’ Ｊ ｌ ’！ｌ’１８”に分割され各々
にレーザー光源９ ＊ ９’＋ ９“より発したレーデ
−光が集光レンズｚ ｏ ｌ Ｊ ｏ’、１ｏ″を介し
て夫々の光ファイバーの端部から導入される。
このレーザー光源としてはＹＡＧ （Ｎｄ ）固体レー
ザーやＡｒガスレーザーが使用され、長波長のＣＯ２ガ
スレーザーは不適当である。これらのレーザー光を効率
よく伝送する光ファイバーとしては多成分系ガラス、ハ
ロゲン化ガラス等があるが、特に５ｔＯ２系ガラスが好
ましく、このものは屈折率の異なるコアとクラッドの２
層構造からなっている。
ザーやＡｒガスレーザーが使用され、長波長のＣＯ２ガ
スレーザーは不適当である。これらのレーザー光を効率
よく伝送する光ファイバーとしては多成分系ガラス、ハ
ロゲン化ガラス等があるが、特に５ｔＯ２系ガラスが好
ましく、このものは屈折率の異なるコアとクラッドの２
層構造からなっている。
なお図面において単一の光ファイバーに夫々レーザー光
源を設けだが、単一レーデ−光源をハーフミラ−などの
光学分割器を用いて分割して使用することも可能である
。
源を設けだが、単一レーデ−光源をハーフミラ−などの
光学分割器を用いて分割して使用することも可能である
。
又第２図（ＰＬ）はメッキ部の拡大図を示すものであり
被メツキ体１上にストライプメッキ部１１が形成された
ものである。なお１２はレーザー光の照射部である。
被メツキ体１上にストライプメッキ部１１が形成された
ものである。なお１２はレーザー光の照射部である。
又第２図（ｂ）は光ファイバー束先端部７の拡大図であ
る。なお該束はプラスチック等の被覆層１３により保護
されており、光フアイバ一端より発したレーザー光は直
進して被メッキ体上に当りメッキ部１４となる。この光
ファイバーの先端部と被メッキ体との間隔は可及的に近
接されるが、通常０．５〜１０ｍ程度が好ましい。また
０、 ５ ｍ未満では走行する被メッキ体と接触してフ
ァイバーの機械的損耗をまねき易くなるばかりでなく、
メッキ電流の障害となシ優先的メッキの目的に反する場
合がある。又１０ｍｍを越えた場合にはレーザー光が散
乱してしまい所定のレーザー効果を発揮することが困難
である。
る。なお該束はプラスチック等の被覆層１３により保護
されており、光フアイバ一端より発したレーザー光は直
進して被メッキ体上に当りメッキ部１４となる。この光
ファイバーの先端部と被メッキ体との間隔は可及的に近
接されるが、通常０．５〜１０ｍ程度が好ましい。また
０、 ５ ｍ未満では走行する被メッキ体と接触してフ
ァイバーの機械的損耗をまねき易くなるばかりでなく、
メッキ電流の障害となシ優先的メッキの目的に反する場
合がある。又１０ｍｍを越えた場合にはレーザー光が散
乱してしまい所定のレーザー効果を発揮することが困難
である。
本発明、方法において単体の光ファイバーは各各密着し
て配列されるものであシ、特に実質厳密充填状に配置す
ることが望ましい。第３図（ａ）は光ファイバー８ ＋
８’＋ ８”の如く３本の例であシ、矢印■は被メッ
キ体の走行方向を示す。又第３図（ｂ）に示す曲線ｐ
、 ｐ／ 、 ｐ／／は各々のファイバーのノクワー分
布を示すものであシ、各々の光源を同一ノやワーとした
場合であるが、合成されｆｒ、パワーの分布は巾方向に
対し均質化できる。単元ファイバー８のノぐワーＰを調
整することにより所望の分布することができる。しかし
ファイバー８を欠いた場合には巾方向に２つの山を有す
る不均質なノやワーの分布となってしまう。第３図（ｃ
）は１１本の光ファイバーの例であシ、第３図（ａ）は
線径の異なるファイバーを用いた例である。このように
各々単光ファイバーのノ々ワーを任意に調整することが
できる。特に巾方向の両端！（ある光ファイバーにより
大きな）やワーを入射することによりト９ツクゴーン状
のノぐワーの分布することも可能である。
て配列されるものであシ、特に実質厳密充填状に配置す
ることが望ましい。第３図（ａ）は光ファイバー８ ＋
８’＋ ８”の如く３本の例であシ、矢印■は被メッ
キ体の走行方向を示す。又第３図（ｂ）に示す曲線ｐ
、 ｐ／ 、 ｐ／／は各々のファイバーのノクワー分
布を示すものであシ、各々の光源を同一ノやワーとした
場合であるが、合成されｆｒ、パワーの分布は巾方向に
対し均質化できる。単元ファイバー８のノぐワーＰを調
整することにより所望の分布することができる。しかし
ファイバー８を欠いた場合には巾方向に２つの山を有す
る不均質なノやワーの分布となってしまう。第３図（ｃ
）は１１本の光ファイバーの例であシ、第３図（ａ）は
線径の異なるファイバーを用いた例である。このように
各々単光ファイバーのノ々ワーを任意に調整することが
できる。特に巾方向の両端！（ある光ファイバーにより
大きな）やワーを入射することによりト９ツクゴーン状
のノぐワーの分布することも可能である。
本発明方法におけるレーデ−光照射部は非照射部に比し
てメッキのスピードが１０〜１０００倍にも増進される
。これは主としてレーザー光エネルギーによる発熱効果
によるものである。
てメッキのスピードが１０〜１０００倍にも増進される
。これは主としてレーザー光エネルギーによる発熱効果
によるものである。
即ち電気メッキにおいて局部高温におけるイオン拡散過
程や電荷放電過程の速度の上昇はメッキカノード分極の
低下となり局部へのメッキ電流の集中による上記の優先
的な増進効果となる。
程や電荷放電過程の速度の上昇はメッキカノード分極の
低下となり局部へのメッキ電流の集中による上記の優先
的な増進効果となる。
化学メッキにおいても還元析出反応は高温により指数関
数的にスピードア、デ出来るので同様の結果となる。メ
ッキの増進効果はレーデ−パワーに一次的に依存するが
、照射部周辺は内部に比して放熱作用が大きいので前記
のドッグが一ン状パワー分布とした方がより均一なメッ
キをうることか出来る。
数的にスピードア、デ出来るので同様の結果となる。メ
ッキの増進効果はレーデ−パワーに一次的に依存するが
、照射部周辺は内部に比して放熱作用が大きいので前記
のドッグが一ン状パワー分布とした方がより均一なメッ
キをうることか出来る。
このような増進効果はファイノ々−尚り１０〜１０００
Ｗ／ｍ２のパワー密度において実用上有利に実現され
る。これより過少な値では増進効果は小さく又過大な値
ではファイバーの障害となシ易いので共に実用的でない
。
Ｗ／ｍ２のパワー密度において実用上有利に実現され
る。これより過少な値では増進効果は小さく又過大な値
ではファイバーの障害となシ易いので共に実用的でない
。
父本発明方法において光ファイバー束の巾は所望メツキ
スドライブ状巾に対して経験的に決めることが出来る。
スドライブ状巾に対して経験的に決めることが出来る。
又光ファイバー束の厚さ即ち被メッキ体の走行方向のフ
ァイバー束中の犬さい程所望メッキをうるのに被メッキ
体をより高速に走行しうるので生産性に侵れる。
ァイバー束中の犬さい程所望メッキをうるのに被メッキ
体をより高速に走行しうるので生産性に侵れる。
（１） コネクター接点用素材としてＣｕ ９．３Ｎ
ｉ −２５Ｓｎ合金条（１８ｍＸ０．１２５ｔｍ）の中
央に厚さ０．７５μ、巾０．５ ＋ｍのストライｆＡｕ
メッキを施して本発明方法による部分メッキ製品をえた
。
ｉ −２５Ｓｎ合金条（１８ｍＸ０．１２５ｔｍ）の中
央に厚さ０．７５μ、巾０．５ ＋ｍのストライｆＡｕ
メッキを施して本発明方法による部分メッキ製品をえた
。
即ち常法により上記の合金条を電解脱脂した後、ワット
式浴中にてその全面に厚さ２，５μのＮｉメッキを施し
た後Ａｕメッキ工程に移行し、第１図に示す如く上記Ｃ
ｕ合金条を９０ｍＶ／ｍｌｎの速度にて走行せしめ、メ
ッキ浴としてエングルハルト社Ｅ７７を使用し、ファイ
バー束は第３図（ｃ）に示す如く直径０．１５φ瓢の５
ＩＯ２フアイバ一１１本を、その先端部と上記Ｃｕ合金
条との間隔を３．０ ｍに保持し、該ファイバー束の他
端部よ、９ ＹＡＧレーザ−４Ｗ（ただし該ファイバー
束の両端４本は６Ｗ）（実施例１）及び該ファイバー束
のすべての・ぐワーを４Ｗ（実施例２）を導入した。又
ｐｔメッキＴｉアノードと該Ｃｕ合金条との間に７ｍＡ
のメッキ電流を通電して本発明方法による部分メッキを
行りた。
式浴中にてその全面に厚さ２，５μのＮｉメッキを施し
た後Ａｕメッキ工程に移行し、第１図に示す如く上記Ｃ
ｕ合金条を９０ｍＶ／ｍｌｎの速度にて走行せしめ、メ
ッキ浴としてエングルハルト社Ｅ７７を使用し、ファイ
バー束は第３図（ｃ）に示す如く直径０．１５φ瓢の５
ＩＯ２フアイバ一１１本を、その先端部と上記Ｃｕ合金
条との間隔を３．０ ｍに保持し、該ファイバー束の他
端部よ、９ ＹＡＧレーザ−４Ｗ（ただし該ファイバー
束の両端４本は６Ｗ）（実施例１）及び該ファイバー束
のすべての・ぐワーを４Ｗ（実施例２）を導入した。又
ｐｔメッキＴｉアノードと該Ｃｕ合金条との間に７ｍＡ
のメッキ電流を通電して本発明方法による部分メッキを
行りた。
又ファイバー束のパワーをＩ Ｗ （６０Ｗ／■２）（
実施例３）に低下せしめて上記同様メッキを行った。
実施例３）に低下せしめて上記同様メッキを行った。
更にファイバー束の・母ワーを上記と同様にしＣｕ合金
条の走行速度を４５ ＋ａ／ｍｉ ｎ （実施例４）と
して本発明部分メッキを行った。
条の走行速度を４５ ＋ａ／ｍｉ ｎ （実施例４）と
して本発明部分メッキを行った。
なお比較のためにファイバー束のｔ４ワーをＱ、 Ｉ
Ｗ （６Ｗ／■）としその他はすべて実施例（１）と同
様にしてメッキ（比較例１）を行った。
Ｗ （６Ｗ／■）としその他はすべて実施例（１）と同
様にしてメッキ（比較例１）を行った。
又ファイバー束の先端部とＣｕ合金条との間隔を８■と
じその他はすべて実施例（１）と同様にしてメッキ（実
施例５）を行った。
じその他はすべて実施例（１）と同様にしてメッキ（実
施例５）を行った。
なお比較のために実施例（５）においてファイ・９−束
とＣｕ合金条との間隔を１６ｍとした以外はすべて実施
例（５）と同様にしてメッキ（比較例２）を行った。
とＣｕ合金条との間隔を１６ｍとした以外はすべて実施
例（５）と同様にしてメッキ（比較例２）を行った。
斯して得た本発明品及び比較例品についてＳＥＭを用い
てその断面を観察した。その結果は第１表に示す通電で
ある。
てその断面を観察した。その結果は第１表に示す通電で
ある。
第 １ 表
中央部 両端部
実施例（１） ０．８〜０．９μ ０，５
〜０．６μ実施例（２） ０．８〜０．９μ
０．３〜０゜５μ実施例（３） ０．８〜０
．９μ ０．２〜０．３μ実施例（４）
０．８〜０．９μ ０，７５μ実施例（５）
０．７〜０．８μ ０．３〜０．５μ比較例
（１） ０．１〜０．２ ０．１〜０．
２比較例（２） ０．２〜０．３ ０．
２〜０．３７〔効果〕 以上詳述した如く本発明方法によればマスク或はレジス
トを使用することなく、微細な／ｆり−ンを有する部分
メッキを能率的且つ高精度を行いうる等顕著な効果を有
する。
〜０．６μ実施例（２） ０．８〜０．９μ
０．３〜０゜５μ実施例（３） ０．８〜０
．９μ ０．２〜０．３μ実施例（４）
０．８〜０．９μ ０，７５μ実施例（５）
０．７〜０．８μ ０．３〜０．５μ比較例
（１） ０．１〜０．２ ０．１〜０．
２比較例（２） ０．２〜０．３ ０．
２〜０．３７〔効果〕 以上詳述した如く本発明方法によればマスク或はレジス
トを使用することなく、微細な／ｆり−ンを有する部分
メッキを能率的且つ高精度を行いうる等顕著な効果を有
する。
第１図は本発明メッキ部分方法を実施するための装置の
概略説明図、第２図（ａ）はメッキ部分の拡大図、第２
図（ｂ）は光ファイバー束の先端部の拡大図、第３図（
ａ） （ｃ）及び（ａ）は夫々単体の元ファイバーを密
着して光ファイバー束とした場合の１例、を示す概略説
明図、第３図（ｂ）は光ファイ・ぐ−のパワー分布を示
す概略説明図である。 １・・・被メッキ体、２・・・給電ロール、３，３′・
・・ターンロール、４・・・メッキ浴、５・・・アノー
ド、６・・・光ファイバー束、７・・・光ファイバー束
の先端、８ 、８’、 ８”・・・単一光ファイバー、
９ ｒ ９’＋ ９”・・・レーザー光源、１０．１０
’、１０“・・・集光レンズ、１１・・・ストライプ部
、１２・・・レーデ−光照射部、１３・・・プラスチ、
り被覆層、１４・・・メッキ部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 ２ 図 第 ３ 図
概略説明図、第２図（ａ）はメッキ部分の拡大図、第２
図（ｂ）は光ファイバー束の先端部の拡大図、第３図（
ａ） （ｃ）及び（ａ）は夫々単体の元ファイバーを密
着して光ファイバー束とした場合の１例、を示す概略説
明図、第３図（ｂ）は光ファイ・ぐ−のパワー分布を示
す概略説明図である。 １・・・被メッキ体、２・・・給電ロール、３，３′・
・・ターンロール、４・・・メッキ浴、５・・・アノー
ド、６・・・光ファイバー束、７・・・光ファイバー束
の先端、８ 、８’、 ８”・・・単一光ファイバー、
９ ｒ ９’＋ ９”・・・レーザー光源、１０．１０
’、１０“・・・集光レンズ、１１・・・ストライプ部
、１２・・・レーデ−光照射部、１３・・・プラスチ、
り被覆層、１４・・・メッキ部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (2)
- （１）メッキ浴中を走行する被メッキ体に、多数本の光
ファイバーを密着した光ファイバー束の一端を近接して
配置し、各光ファイバーの他端よりエネルギー密度１０
〜１０００Ｗ／ｍｍ＾２のレーザー光を導入して線状又
はストライプ状のメッキを行うことを特徴とする部分メ
ッキ方法。 - （２）被メッキ体と光ファイバー束の先端との間隔を０
．５〜１０ｍｍとしたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の部分メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3933685A JPS61199095A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 部分メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3933685A JPS61199095A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 部分メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199095A true JPS61199095A (ja) | 1986-09-03 |
Family
ID=12550248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3933685A Pending JPS61199095A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 部分メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199095A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148797A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Ibm | Selective electroplating method |
| JPS57200590A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-08 | Inoue Japax Res Inc | Electroplating apparatus |
| JPS59129780A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-26 | Hitachi Ltd | 選択的加工装置 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP3933685A patent/JPS61199095A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148797A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Ibm | Selective electroplating method |
| JPS57200590A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-08 | Inoue Japax Res Inc | Electroplating apparatus |
| JPS59129780A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-26 | Hitachi Ltd | 選択的加工装置 |
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