JPS61198045A - 表面汚染度観察方法 - Google Patents
表面汚染度観察方法Info
- Publication number
- JPS61198045A JPS61198045A JP3918585A JP3918585A JPS61198045A JP S61198045 A JPS61198045 A JP S61198045A JP 3918585 A JP3918585 A JP 3918585A JP 3918585 A JP3918585 A JP 3918585A JP S61198045 A JPS61198045 A JP S61198045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- state
- observed
- contamination
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は基板の表面の汚染度を簡単にチェックできる
方法に関する。
方法に関する。
従来の技術
従来、ＬＳＩ製造工程におけるシリコン基板の洗浄もし
くは薄膜を蒸着する基板を洗浄した後の洗浄状態のチェ
ックは、第２図に示すように基板１上に光２を照射し、
基板上に異物３がある場合に生じる乱反射光４を検出し
て基板１上に異物があるか否かをチェックしている。
くは薄膜を蒸着する基板を洗浄した後の洗浄状態のチェ
ックは、第２図に示すように基板１上に光２を照射し、
基板上に異物３がある場合に生じる乱反射光４を検出し
て基板１上に異物があるか否かをチェックしている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、上記方法では基板上の所定の大きさ以上の異物
しか検出できないので非常に小さい異物や有機フィルム
のような汚染物は検出出来ない。
しか検出できないので非常に小さい異物や有機フィルム
のような汚染物は検出出来ない。
そのために汚染物が付着したまま基板上に薄膜を形成す
ると薄膜にくもりが生じるという問題があり、洗浄から
やり直すことはできないので歩留低下の原因になってい
る。
ると薄膜にくもりが生じるという問題があり、洗浄から
やり直すことはできないので歩留低下の原因になってい
る。
そこで本発明は、洗浄工程終了後、基板表面に汚染物が
残っていないかどうかをチェックできるようにすること
を目的とする。
残っていないかどうかをチェックできるようにすること
を目的とする。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決する本発明の技術的な手段は。
過冷却状態から所定の物質が液化もしくは固化したもの
が基板に付着した状態を見て汚染状態を判断する方法で
ある。
が基板に付着した状態を見て汚染状態を判断する方法で
ある。
作用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、水蒸気のような所定の物質を含んだ気体（例
えば空気）が閉じ込められている中に基板を入れ、容器
内の気体の温度を下げていくと、水蒸気が過冷却状態に
なる。このとき、基板上に汚染物があるとその汚染物が
核、となって基板上に露もしくは霜が付着する。その付
着状況を見て基板の汚染状態を判別することができる。
えば空気）が閉じ込められている中に基板を入れ、容器
内の気体の温度を下げていくと、水蒸気が過冷却状態に
なる。このとき、基板上に汚染物があるとその汚染物が
核、となって基板上に露もしくは霜が付着する。その付
着状況を見て基板の汚染状態を判別することができる。
実施例
以下１本発明の一実施例としてシリコン基板の洗浄後の
汚染状態をチェックする方法を第１図にもとづいて説明
する。
汚染状態をチェックする方法を第１図にもとづいて説明
する。
第１図において、半導体シリコン基板（以下、単に基板
という）１２を搬送する台１０の一方側に洗浄後の基板
を貯蔵しておくカセット１１があり、カセット１１には
洗浄された基板１２が複数枚貯蔵されている。
という）１２を搬送する台１０の一方側に洗浄後の基板
を貯蔵しておくカセット１１があり、カセット１１には
洗浄された基板１２が複数枚貯蔵されている。
そして、カセット１１にある洗浄された基板１２は、搬
送台１ｏによって加熱、冷却が可能な容器１４内に送ら
れ加熱、冷却が可能なサーモエレメント１６上にセット
される。そして、サーモエレメント１６で基板１２を冷
却する。そして基板１２が露点以下になると、基板１２
上に露が付着する。このとき、基板上に汚染物があると
、その汚染物が核となって露が形成される。すなわち、
最初は汚染物があるところから露が形成される。
送台１ｏによって加熱、冷却が可能な容器１４内に送ら
れ加熱、冷却が可能なサーモエレメント１６上にセット
される。そして、サーモエレメント１６で基板１２を冷
却する。そして基板１２が露点以下になると、基板１２
上に露が付着する。このとき、基板上に汚染物があると
、その汚染物が核となって露が形成される。すなわち、
最初は汚染物があるところから露が形成される。
例えば、乾燥不良によって基板上に汚染物が残っている
場合、シリコン基板１２上に水滴１６が形成され、肉眼
で見ると水滴１６が形成された領域はくもって見える。
場合、シリコン基板１２上に水滴１６が形成され、肉眼
で見ると水滴１６が形成された領域はくもって見える。
また別の方法としてＴＶカメラ１γでシリコン基板１２
の表面をＴＶモニター１８で民示すると水滴の付着状況
を明確に観察できる。さらに第２図に示すように光を照
射して水滴の付着場所を観察することもできる。記憶装
置に水滴の付着状況、基板の番号等を記憶させておけば
、不良解析１歩留管理等に便利である。
の表面をＴＶモニター１８で民示すると水滴の付着状況
を明確に観察できる。さらに第２図に示すように光を照
射して水滴の付着場所を観察することもできる。記憶装
置に水滴の付着状況、基板の番号等を記憶させておけば
、不良解析１歩留管理等に便利である。
もし表面に汚染物がない場合は少々の過冷却状態になっ
ても水滴が付着しない。さらに温度が下がると基板全体
に均一に水滴が付着する。
ても水滴が付着しない。さらに温度が下がると基板全体
に均一に水滴が付着する。
基板表面の観察を終了後、サーモエレメント１５で基板
の温度を上昇させて付着した水滴１６を蒸発させる。そ
して汚染物の残っていない基板はカセット１９にセット
されるようにし、汚染物の残っている基板は別のカセッ
ト（図示せず）にセットし、再度洗浄する。
の温度を上昇させて付着した水滴１６を蒸発させる。そ
して汚染物の残っていない基板はカセット１９にセット
されるようにし、汚染物の残っている基板は別のカセッ
ト（図示せず）にセットし、再度洗浄する。
上記工程において、結露させる物質として水すなわちＮ
２０の代りにアルコール類のような有機溶剤でもかまわ
ない。また加熱冷却容器内の雰囲気はＮ２，０２．空気
等であれば良い。
２０の代りにアルコール類のような有機溶剤でもかまわ
ない。また加熱冷却容器内の雰囲気はＮ２，０２．空気
等であれば良い。
また、上記工程において、通常の方法では観測できない
微小な異物が核になって出来た液体もしくは固体粒子は
従来の方法で簡単に観測できる。
微小な異物が核になって出来た液体もしくは固体粒子は
従来の方法で簡単に観測できる。
故に液体もしくは固体粒子の有無により、微小な異物の
有無を判別することができる。
有無を判別することができる。
発明の効果
本発明は通常の方法では観測できない微小な異物を容易
に観測ができる。本発明を用いれば１例えば洗浄の良否
を簡単に見わけることができる。
に観測ができる。本発明を用いれば１例えば洗浄の良否
を簡単に見わけることができる。
第１図は本発明の一実施例の表面汚染度観察方法につい
て説明するだめの図、第２図は従来の表面汚染度観察方
法について説明するための図である。 １２・・・・・・基板、１４・・・・・・加熱冷却容器
、１６・・・・・・サーモエレメント、１６・・・・・
・水滴。
て説明するだめの図、第２図は従来の表面汚染度観察方
法について説明するための図である。 １２・・・・・・基板、１４・・・・・・加熱冷却容器
、１６・・・・・・サーモエレメント、１６・・・・・
・水滴。
Claims (2)
- （１）所定の物質を含んだ気体が閉じ込められている容
器内に表面観察用基板をセットする第１の工程と、前記
容器内の気体の温度を下げ、前記容器内の所定の物質が
液化もしくは固化したものを前記表面観察用基板に付着
させ、表面を観察する第２の工程と、前記容器内の温度
を上げて液化もしくは固化した所定の物質を蒸発させる
第３の工程と、前記表面観察用基板を前記容器の外へ出
す第４の工程を備えたことを特徴とする表面汚染度観察
方法。 - （２）所定の物質はＨ＿２Ｏであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の表面汚染度観察方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3918585A JPS61198045A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 表面汚染度観察方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3918585A JPS61198045A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 表面汚染度観察方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198045A true JPS61198045A (ja) | 1986-09-02 |
Family
ID=12546052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3918585A Pending JPS61198045A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 表面汚染度観察方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198045A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63234141A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 洗浄効果の評価方法およびその装置 |
| JPH02263144A (ja) * | 1988-02-10 | 1990-10-25 | Nova Husky Res Corp | 曇点および転移点を監視する方法ならびにそれに用いる装置 |
| JPH09127006A (ja) * | 1995-11-02 | 1997-05-16 | Advanced Display:Kk | 基板表面検査方法および該方法に用いる装置 |
| JP2010107494A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Espec Corp | 結露核測定装置及び結露核測定方法 |
| CN108872259A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-11-23 | 芜湖东旭光电科技有限公司 | 一种检查玻璃基板表面的方法 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP3918585A patent/JPS61198045A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63234141A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 洗浄効果の評価方法およびその装置 |
| JPH02263144A (ja) * | 1988-02-10 | 1990-10-25 | Nova Husky Res Corp | 曇点および転移点を監視する方法ならびにそれに用いる装置 |
| JPH09127006A (ja) * | 1995-11-02 | 1997-05-16 | Advanced Display:Kk | 基板表面検査方法および該方法に用いる装置 |
| JP2010107494A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Espec Corp | 結露核測定装置及び結露核測定方法 |
| CN108872259A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-11-23 | 芜湖东旭光电科技有限公司 | 一种检查玻璃基板表面的方法 |
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