JPS61197680A - 画像記録方法 - Google Patents
画像記録方法Info
- Publication number
- JPS61197680A JPS61197680A JP3648585A JP3648585A JPS61197680A JP S61197680 A JPS61197680 A JP S61197680A JP 3648585 A JP3648585 A JP 3648585A JP 3648585 A JP3648585 A JP 3648585A JP S61197680 A JPS61197680 A JP S61197680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal element
- trans
- image
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は画像記録方法、特に書き替え可能な媒体を使用
する簡便な画像記録方法に関するものである。
する簡便な画像記録方法に関するものである。
近年、画像記録において書き替え可能な媒体を用いる需
要が増加しているが、従来技術においては実用上表つか
の問題点があった０例えば、オフィスのペーパーレスの
ために、ディスプレイ装置が多用されるようになったが
、ＣＲＴ等によるディスプレイ装置では、文章のような
高精細な表示が困難であり、画像を画像のままで長期に
保存できないという問題がある。また、いわゆるプリン
ター等によるハードコピー画像は書き替えができないた
め、使用する紙の量が増大するという問題がある。一方
、キャッシュカード、クレジットカード等のカード類が
広く普及しているが、これらカードに金額等の表示を記
録しておきたいという要求もある。これらの要求に対し
て１例えばフラットディスプレイ装置を用いることも可
能であるが、装置に電源を必要としたり、その構造が複
雑である等の欠点があった。
要が増加しているが、従来技術においては実用上表つか
の問題点があった０例えば、オフィスのペーパーレスの
ために、ディスプレイ装置が多用されるようになったが
、ＣＲＴ等によるディスプレイ装置では、文章のような
高精細な表示が困難であり、画像を画像のままで長期に
保存できないという問題がある。また、いわゆるプリン
ター等によるハードコピー画像は書き替えができないた
め、使用する紙の量が増大するという問題がある。一方
、キャッシュカード、クレジットカード等のカード類が
広く普及しているが、これらカードに金額等の表示を記
録しておきたいという要求もある。これらの要求に対し
て１例えばフラットディスプレイ装置を用いることも可
能であるが、装置に電源を必要としたり、その構造が複
雑である等の欠点があった。
本発明は上記した従来技術の欠点に鑑みなされたもので
、画像の書き換え可能な媒体と書き込み及び書き換える
ための画像記録方法、さらに詳しくは、画像のメモリー
状態を維持する温度範囲を広げ、記録媒体の取り扱いを
実用的なものにすることのできる画像記録方法を提供す
ることを目的とするものである。
、画像の書き換え可能な媒体と書き込み及び書き換える
ための画像記録方法、さらに詳しくは、画像のメモリー
状態を維持する温度範囲を広げ、記録媒体の取り扱いを
実用的なものにすることのできる画像記録方法を提供す
ることを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は熱光学効果を示す液晶を、基板間に挟持した液
晶素子を、全体的に加熱する手段と冷却するＬ段によっ
て液晶素子面を透明状態にし、次にレーザー光による局
部的に加熱する手段によって画像情報の書き込みを行う
もので、特に、前記液晶素子に垂直配向処理を施し、冷
却する手段において、液晶素子中の液晶が配向処理に従
って垂直配向するのに充分な時間を持って冷却を行う事
を特徴とするものである。
晶素子を、全体的に加熱する手段と冷却するＬ段によっ
て液晶素子面を透明状態にし、次にレーザー光による局
部的に加熱する手段によって画像情報の書き込みを行う
もので、特に、前記液晶素子に垂直配向処理を施し、冷
却する手段において、液晶素子中の液晶が配向処理に従
って垂直配向するのに充分な時間を持って冷却を行う事
を特徴とするものである。
本発明に用いられる液晶としては、ネマチック液晶とコ
レステリック液晶の混合液晶、あるいはネマチック相を
有するスメクチック液晶等が望ましい。より具体的には （式中、Ｒ，Ｒ’は炭素数１〜１０のアルキル基を示し
、ｎはｌ又は２である。）で表わされるトランス−４−
置換シクロヘキサンカルボン酸トランス−４”（トラン
ス−４′−フルキルシクロヘキシル）シクロヘキシルエ
ステルを主成分として含有しているものが用いられる。
レステリック液晶の混合液晶、あるいはネマチック相を
有するスメクチック液晶等が望ましい。より具体的には （式中、Ｒ，Ｒ’は炭素数１〜１０のアルキル基を示し
、ｎはｌ又は２である。）で表わされるトランス−４−
置換シクロヘキサンカルボン酸トランス−４”（トラン
ス−４′−フルキルシクロヘキシル）シクロヘキシルエ
ステルを主成分として含有しているものが用いられる。
これらは広い温度範囲において、例えば室温から２００
℃程度までスメクチック液晶相を示すもので、本発明の
記録方法で記録された画像を、何ら別の外部的な画像保
持手段を用いずとも安定して保持するものである。
℃程度までスメクチック液晶相を示すもので、本発明の
記録方法で記録された画像を、何ら別の外部的な画像保
持手段を用いずとも安定して保持するものである。
特に、トランス−４−エチルシクロヘキサンカルボン酸
トランス−４’（）ランス−４′−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシルエステルは、結晶相−スメクチッ
クＡ相転移温度（Ｋ−３＾）が−１５℃、スメクチック
Ａ相−ネマチック相転移温度（５Ａ−Ｎ）が１８８．０
℃、ネマチック相−等方性液体転移温度（Ｎ−１）が１
８６．７℃であり、トランス−４−フロビルシクロヘキ
サンカルボン酸トランス−４’（トランス−４′−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシルエステルは、Ｋ−
ＳＡ点が１０℃、５Ａ−１点が２１１℃であり、温度的
にきわめて実用的である。
トランス−４’（）ランス−４′−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシルエステルは、結晶相−スメクチッ
クＡ相転移温度（Ｋ−３＾）が−１５℃、スメクチック
Ａ相−ネマチック相転移温度（５Ａ−Ｎ）が１８８．０
℃、ネマチック相−等方性液体転移温度（Ｎ−１）が１
８６．７℃であり、トランス−４−フロビルシクロヘキ
サンカルボン酸トランス−４’（トランス−４′−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシルエステルは、Ｋ−
ＳＡ点が１０℃、５Ａ−１点が２１１℃であり、温度的
にきわめて実用的である。
［作 用］
熱光学効果を示す液晶として、スメクチック液晶を用い
た場合についてその動作原理を説明する。
た場合についてその動作原理を説明する。
液晶層を加熱すると、液晶分子の配向状態は等方性液相
の状態になる。その後冷却過程で液晶層は、等方性液相
の状態からネマチック相、スメクチック相へと変化し、
スメクチック相でその配向状態が安定化する。
の状態になる。その後冷却過程で液晶層は、等方性液相
の状態からネマチック相、スメクチック相へと変化し、
スメクチック相でその配向状態が安定化する。
液晶層を挟む基板にあらかじめ垂直配向処理を施した上
で、液晶層内の状態がネマチック相を通過する際に、充
分時間をかけて冷却すると、液晶の徐冷による作用と共
に、基板壁面での配向効果によって、液晶層内の分子配
列が垂直配向状態となり、光学的に透明な状態となる。
で、液晶層内の状態がネマチック相を通過する際に、充
分時間をかけて冷却すると、液晶の徐冷による作用と共
に、基板壁面での配向効果によって、液晶層内の分子配
列が垂直配向状態となり、光学的に透明な状態となる。
一方、急激に冷却を行うと、液晶層内の分子配列が等方
性液相のランダムな状態のまま急冷され、光学的に白濁
の状態になる。
性液相のランダムな状態のまま急冷され、光学的に白濁
の状態になる。
［実施例］
以下第１図及び第２図とともに、本発明の画像記録方法
の実施例を説明する。
の実施例を説明する。
実施例１
第１図は１本発明において使用される液晶素子の一実施
例を示す構成図である０図中１及び３はガラス板の基板
で、本実施例では基板ｌの厚みを５０ル鳳、基板３の厚
みを１ｍｍとし、それぞれ内面を垂直配向処理して、上
ｆ基板間のスペース厚を２す］とした。この２枚の基板
間に、前述したトランス−４−プロピルシクロヘキサン
カルボン酸トランス−４’ （トランス−４″〜プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシルエステル及びレーザ
ー光の波長において吸収を有するｒＮＫ〜２７７２Ｊ（
日本感光色素型）式 で示される色素を混・合したものを封入して液晶素子４
を得た。液晶２に上記性質を有する色素を混合すること
によって、比較的少ない出力のレーザーを用いることが
できる。
例を示す構成図である０図中１及び３はガラス板の基板
で、本実施例では基板ｌの厚みを５０ル鳳、基板３の厚
みを１ｍｍとし、それぞれ内面を垂直配向処理して、上
ｆ基板間のスペース厚を２す］とした。この２枚の基板
間に、前述したトランス−４−プロピルシクロヘキサン
カルボン酸トランス−４’ （トランス−４″〜プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシルエステル及びレーザ
ー光の波長において吸収を有するｒＮＫ〜２７７２Ｊ（
日本感光色素型）式 で示される色素を混・合したものを封入して液晶素子４
を得た。液晶２に上記性質を有する色素を混合すること
によって、比較的少ない出力のレーザーを用いることが
できる。
この液晶層ｆ４への画像記録方法を次に説明する。第２
図（ａ）〜（Ｃ）に液晶素子４への各記録プロセスを示
す。
図（ａ）〜（Ｃ）に液晶素子４への各記録プロセスを示
す。
第２図（ａ）は加熱プロセスを示す図で、ここでは液晶
層′ｆ−４をベルト６で矢印の方向に送り、電源１３と
抵抗線あるいは加熱ランプ５により液晶素子４を等方性
液相まで加熱する。
層′ｆ−４をベルト６で矢印の方向に送り、電源１３と
抵抗線あるいは加熱ランプ５により液晶素子４を等方性
液相まで加熱する。
第２図（ｂ）は冷却プロセスを示す図である。温度勾配
を持たせたヒーター７の下を、液晶素子４をベルト８で
矢印の方向に送ると、液晶層は等方性液相からネマチッ
ク相を経てスメクチック相まて徐冷される。ここでヒー
ター７は、液晶素子の進行方向に伴って、液晶層の等方
性相−ネマチック相転移温度より高い温度から、室温近
傍の温度までの温度勾配を持っていることが望ましい、
またベルト８の材料としては、断熱性のものが望ましく
、本実施例ではゴムベルトを用いた。
を持たせたヒーター７の下を、液晶素子４をベルト８で
矢印の方向に送ると、液晶層は等方性液相からネマチッ
ク相を経てスメクチック相まて徐冷される。ここでヒー
ター７は、液晶素子の進行方向に伴って、液晶層の等方
性相−ネマチック相転移温度より高い温度から、室温近
傍の温度までの温度勾配を持っていることが望ましい、
またベルト８の材料としては、断熱性のものが望ましく
、本実施例ではゴムベルトを用いた。
これら２つのプロセスを経ることによって、液晶素子４
の画像表示面は透明状態となる。
の画像表示面は透明状態となる。
第２図（Ｃ）はレーザー光による古き込みプロセスを示
す図である。第２図（Ｃ）において、ベルト９によって
矢印方向に送られた液晶素子４は、半導体レーザー１０
から発し、ポリゴンミラー１１によって表示面と垂直の
方向に偏光され、さらにｆ−０レンズ１２によって集光
されたレーザー光により、Ａ点で急激に加熱される。こ
の局部的な加熱によって液晶２はスメクチック相から等
方性液相の状態となるが、このプロセスでは電界印加が
ないため、液晶２は急冷却され白濁状態となる。すなわ
ち、液晶素子４の選択された表面部分は、レーザー光に
よって局部的に加熱され白濁状態となり、非加熱部との
間に光学的濃度差を生じることになり、画像情報が記録
される。
す図である。第２図（Ｃ）において、ベルト９によって
矢印方向に送られた液晶素子４は、半導体レーザー１０
から発し、ポリゴンミラー１１によって表示面と垂直の
方向に偏光され、さらにｆ−０レンズ１２によって集光
されたレーザー光により、Ａ点で急激に加熱される。こ
の局部的な加熱によって液晶２はスメクチック相から等
方性液相の状態となるが、このプロセスでは電界印加が
ないため、液晶２は急冷却され白濁状態となる。すなわ
ち、液晶素子４の選択された表面部分は、レーザー光に
よって局部的に加熱され白濁状態となり、非加熱部との
間に光学的濃度差を生じることになり、画像情報が記録
される。
本実施例では、ヒーター７に２３０℃〜１５０℃の温度
勾配を持たせ、液晶素子４がヒーター７の下を１分以下
、望ましくは１〜３秒程度で通過する様に、ベルト８の
移動速度を調節して通過させたところ、液晶素子４の表
示面は透明化した。次いでスポット径２０用層に絞った
３０麿貿のＧａＡ９Ａｓのレーザー光（波長７８０ｎｓ
ｚ ）で局部的な加熱を行った結果、部分にコントラス
トのある良好な白濁画像を得ることができた。この場合
、半導体レーザー１Ｇに加える電流を出力画像に応じて
変調することにより、任意の画像を得ることができる。
勾配を持たせ、液晶素子４がヒーター７の下を１分以下
、望ましくは１〜３秒程度で通過する様に、ベルト８の
移動速度を調節して通過させたところ、液晶素子４の表
示面は透明化した。次いでスポット径２０用層に絞った
３０麿貿のＧａＡ９Ａｓのレーザー光（波長７８０ｎｓ
ｚ ）で局部的な加熱を行った結果、部分にコントラス
トのある良好な白濁画像を得ることができた。この場合
、半導体レーザー１Ｇに加える電流を出力画像に応じて
変調することにより、任意の画像を得ることができる。
また、このようにして得られた白濁画像は、常温付近で
も良好なメモリー性を有し、気温の変化や、手で扱う場
合の体温によってもメモリー性は変化しなかった。
も良好なメモリー性を有し、気温の変化や、手で扱う場
合の体温によってもメモリー性は変化しなかった。
実施例２
レーザー光による書き込みにおいては、ガスレーザーと
ＡＯ変調素子の組み合せを用いることもできる。この場
合、液晶材には前述のように使用するレーザー光の波長
において吸収を有するような色素を混合することが望ま
しい。
ＡＯ変調素子の組み合せを用いることもできる。この場
合、液晶材には前述のように使用するレーザー光の波長
において吸収を有するような色素を混合することが望ま
しい。
１） Ｈｅ−Ｎｅレーザー（８３３ｎｍ ）を使用し、
前記実施例で使用したものと同じ混合液晶に、ｒ Ｄ−
２７４ＯＯＨ で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、前項に白の良好な画像を得ることができた。
前記実施例で使用したものと同じ混合液晶に、ｒ Ｄ−
２７４ＯＯＨ で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、前項に白の良好な画像を得ることができた。
２） Ａｒ・ レーザー（４８８ｎ■）を使用し、前記
１）と同じ混合液晶に、 ｒＧ２４９Ｊ （日本感
光色素製）式 で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、赤地に白の良好な画像を得ることができた。
１）と同じ混合液晶に、 ｒＧ２４９Ｊ （日本感
光色素製）式 で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、赤地に白の良好な画像を得ることができた。
上記２種類のガスレーザーは、現在のところ半導体レー
ザーより高出力が得られるため、記録速度を半導体レー
ザー使用時に比べ速くすることができる。
ザーより高出力が得られるため、記録速度を半導体レー
ザー使用時に比べ速くすることができる。
また、他の実施例として、ガラス基板の代りにＰＨ丁
（ポリエチレンテレフタレート）等の基板を用いて形成
したところ、可撓性のある記録媒体を得ることができた
。
（ポリエチレンテレフタレート）等の基板を用いて形成
したところ、可撓性のある記録媒体を得ることができた
。
［発明の効果］
本発明においては、熱光学効果を示す液晶を、画像情報
の記録媒体とし、その熱光学効、果によって画像を記録
するようにしたものであり、従来の方式に比べ画像情報
の保存、書き換えを簡単に行うことができる。しかも、
本発明の記録媒体は画像記録時の印加する熱量が少なく
、省エネルギーの記録方式であり、かつ、記録後の媒体
の取り扱いも室温で行えるため、実用性の極めて高いも
のである。
の記録媒体とし、その熱光学効、果によって画像を記録
するようにしたものであり、従来の方式に比べ画像情報
の保存、書き換えを簡単に行うことができる。しかも、
本発明の記録媒体は画像記録時の印加する熱量が少なく
、省エネルギーの記録方式であり、かつ、記録後の媒体
の取り扱いも室温で行えるため、実用性の極めて高いも
のである。
第１図は本発明において使用される液晶素子の一実施例
を示す構成図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明による画
像記録方法の一実施例における各記録プロセスの説明図
である。 １．３・・・基板、２・・・液晶、４・・・液晶素子、
５・・・加熱ランプ、６，８．９・・・ベルト、７・・
・ヒーター、１０・・・半導体レーザー、１１・・・ポ
リゴンミラー、１２・・・ｆ−０レンズ、１３・・・電
源。
を示す構成図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明による画
像記録方法の一実施例における各記録プロセスの説明図
である。 １．３・・・基板、２・・・液晶、４・・・液晶素子、
５・・・加熱ランプ、６，８．９・・・ベルト、７・・
・ヒーター、１０・・・半導体レーザー、１１・・・ポ
リゴンミラー、１２・・・ｆ−０レンズ、１３・・・電
源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）熱光学効果を示す液晶を上下基板間に挟持して成る
液晶素子と、該液晶素子を外部から加熱する手段、冷却
する手段及びレーザー光により局部的に加熱する手段を
有し、これら手段を該液晶素子に順次施すことによって
画像情報を記録させる画像記録方法において、前記液晶
素子に用いられる液晶が、 一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ、Ｒ′は炭素数１〜１０のアルキル基を示し
、ｎは１又は２である。）で表わされるトランス−４−
置換シクロヘキサンカルボン酸トランス−４′（トラン
ス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシルエ
ステルを主成分としているものであることを特徴とする
画像記録方法。 ２）上記液晶素子が垂直配向処理を施されており、かつ
上記冷却する手段において、前記液晶素子中の液晶が配
向処理に従って垂直配向するのに充分な時間を持って冷
却を行う事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画
像記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3648585A JPS61197680A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 画像記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3648585A JPS61197680A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 画像記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61197680A true JPS61197680A (ja) | 1986-09-01 |
Family
ID=12471121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3648585A Pending JPS61197680A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 画像記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61197680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5389296A (en) * | 1987-06-04 | 1995-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal composition and liquid crystal device containing same |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3648585A patent/JPS61197680A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5389296A (en) * | 1987-06-04 | 1995-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal composition and liquid crystal device containing same |
| US5482652A (en) * | 1987-06-04 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Chiral smectic liquid crystal composition and device using the same |
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