JPS61197679A - 画像記録方法 - Google Patents
画像記録方法Info
- Publication number
- JPS61197679A JPS61197679A JP3648485A JP3648485A JPS61197679A JP S61197679 A JPS61197679 A JP S61197679A JP 3648485 A JP3648485 A JP 3648485A JP 3648485 A JP3648485 A JP 3648485A JP S61197679 A JPS61197679 A JP S61197679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- image
- trans
- crystal element
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は画像記録方法、特に書き替え可焼な媒体を使用
する簡便な画像記録方法に関するものである。
する簡便な画像記録方法に関するものである。
近年１画像記録において書き替え可能な媒体を用いる需
要が増加しているが、従来技術においては実用と幾つか
の問題点があった０例えば、オフィスのペーパーレスの
ために、ディスプレイ装置が多用されるようになったが
、 ＣＲＴ等によるディスプレイ装置では、文章のよう
な高精細な表示が困難であり、画像を画像のままで長期
に保存できないという問題がある。また、いわゆるプリ
ンター簿によるハードコピー画像は書き替えができない
ため、使用する紙の量が増大するという問題がある。一
方、キャッシュカード１．クレジットカード等のカード
類が広く汀及しているが、これらカードに金額等の表示
を記録しておきたいという要求もある。これらの要求に
対して、例えばフラットディスプレイ装置を用いること
も可能であるが、装置に電源を必要としたり、その構造
が複雑である等の欠点があった。
要が増加しているが、従来技術においては実用と幾つか
の問題点があった０例えば、オフィスのペーパーレスの
ために、ディスプレイ装置が多用されるようになったが
、 ＣＲＴ等によるディスプレイ装置では、文章のよう
な高精細な表示が困難であり、画像を画像のままで長期
に保存できないという問題がある。また、いわゆるプリ
ンター簿によるハードコピー画像は書き替えができない
ため、使用する紙の量が増大するという問題がある。一
方、キャッシュカード１．クレジットカード等のカード
類が広く汀及しているが、これらカードに金額等の表示
を記録しておきたいという要求もある。これらの要求に
対して、例えばフラットディスプレイ装置を用いること
も可能であるが、装置に電源を必要としたり、その構造
が複雑である等の欠点があった。
本発明は上記した従来技術の欠点に鑑みなされたもので
、画像の書き換え可能な媒体と書き込み及び書き換える
ための画像記録方法、さらに詳しくは、画像のメモリー
状態をは維持する温度範囲を広げ、記録媒体の取り扱い
を実用的なものにすることのできる画像記録方法を提供
することを目的とするものである。
、画像の書き換え可能な媒体と書き込み及び書き換える
ための画像記録方法、さらに詳しくは、画像のメモリー
状態をは維持する温度範囲を広げ、記録媒体の取り扱い
を実用的なものにすることのできる画像記録方法を提供
することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は熱光学効果を示す液晶を基板間に挟持した液晶
素子を全体的に加熱する手段とコロナ帯電を与える手段
によって液晶素子面を透明状態にし１次にレーザー光に
よる局部的に加熱する手段によって画像情報の書き込み
を行うものである。
素子を全体的に加熱する手段とコロナ帯電を与える手段
によって液晶素子面を透明状態にし１次にレーザー光に
よる局部的に加熱する手段によって画像情報の書き込み
を行うものである。
本発明に用いられる液晶としては、ネマチック液晶とコ
レステリック液晶の混合液晶、あるいはネマチック相を
有するスメクチック液晶等が望ましい。より具体的には 一般式： （式中、 Ｒ，Ｒ’は炭素数１〜１ｏのアルキル基を示
し、ｎはｌ又は２である。）で表わされるトランス−４
−置換シクロヘキサンカルボン酸トランス−４’（）ラ
ンス−４１−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル
エステルを主成分として含有しているものが用いられる
。
レステリック液晶の混合液晶、あるいはネマチック相を
有するスメクチック液晶等が望ましい。より具体的には 一般式： （式中、 Ｒ，Ｒ’は炭素数１〜１ｏのアルキル基を示
し、ｎはｌ又は２である。）で表わされるトランス−４
−置換シクロヘキサンカルボン酸トランス−４’（）ラ
ンス−４１−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル
エステルを主成分として含有しているものが用いられる
。
これらは広い温度範囲において１例えば室温から２００
℃程度までスメクチック液晶相を示すもので１本発明の
記録方法で記録された画像を、何ら別の外部的な画像保
持手段を用いずとも安定して保持するものである。
℃程度までスメクチック液晶相を示すもので１本発明の
記録方法で記録された画像を、何ら別の外部的な画像保
持手段を用いずとも安定して保持するものである。
特に、トランス−４−エチルシクロヘキサンカルボン酸
トランス−４’（トランス−４″−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシルエステルは、結晶相−スメクチッ
クＡ相転移温度（Ｋ−Ｓ＾）が−１５℃、スメクチック
Ａ相−ネマチック相転移温度（Ｓ＾−Ｎ）が１８８．０
℃、ネマチック相−等方性液体転移温度（トＩ）が１８
８．７℃であり、トランス−４−プロピルシクロヘキサ
ンカルボン酸トランス−４′（トランス−４１−プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシルエステルは、Ｋ−Ｓ
ｎ点が１０℃、Ｓ＾−１点が２１１℃であり、温度的に
きわめて実用的である。
トランス−４’（トランス−４″−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシルエステルは、結晶相−スメクチッ
クＡ相転移温度（Ｋ−Ｓ＾）が−１５℃、スメクチック
Ａ相−ネマチック相転移温度（Ｓ＾−Ｎ）が１８８．０
℃、ネマチック相−等方性液体転移温度（トＩ）が１８
８．７℃であり、トランス−４−プロピルシクロヘキサ
ンカルボン酸トランス−４′（トランス−４１−プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシルエステルは、Ｋ−Ｓ
ｎ点が１０℃、Ｓ＾−１点が２１１℃であり、温度的に
きわめて実用的である。
［作 用］
熱光学効果を示す液晶として、スメクチック液晶を用い
た場合についてその動作原理を説明する。
た場合についてその動作原理を説明する。
液晶層を加熱すると、液晶分子の配向状態は等方性液相
の状態になる。その後冷却過程で液晶層は１等方性液相
の状態からネマチック相、スメクチックＡ相へと変化し
、スメクチックＡ相でその配向状態が安定化する。液晶
層内の状態がネマチック相を通過する際に、電界を印加
すると、液晶の徐冷による作用と共に、電界による配向
効果によって液晶層内の分子配列が垂直配向状態となり
、光学的に透明な状態となる。一方冷却過程において、
電圧を印加しない場合には液晶層内の分子配列が等方性
液相のランダムな状態のまま急冷され、光学的に白濁の
状態になる。
の状態になる。その後冷却過程で液晶層は１等方性液相
の状態からネマチック相、スメクチックＡ相へと変化し
、スメクチックＡ相でその配向状態が安定化する。液晶
層内の状態がネマチック相を通過する際に、電界を印加
すると、液晶の徐冷による作用と共に、電界による配向
効果によって液晶層内の分子配列が垂直配向状態となり
、光学的に透明な状態となる。一方冷却過程において、
電圧を印加しない場合には液晶層内の分子配列が等方性
液相のランダムな状態のまま急冷され、光学的に白濁の
状態になる。
［実施例］
以下第１図及び第２図とともに、本発明の画像記録方法
の実施例を説明する。
の実施例を説明する。
実施例１
第１図は１本発明において使用される液晶素子の一実施
例を示す構成図である０図中１及び３はガラス板の基板
で、本実施例では基板ｌの厚みを５０ＪＬｍ、基板３の
厚みを１層■とし、それぞれ内面を垂直配向処理して、
上下基板間のスペース厚を２０ＪＬ層とした。この２枚
の基板間に、前述したトランス−４−プロピルシクロヘ
キサンカルボン酸トランス−４’（トランス−４１−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルエステル及びレ
ーサー光の波長において吸収を有するｒＮＫ−２７７２
４（日本感光色素型）式 で示される色素を混合したものを封入して液晶素子４を
得た。液晶２に上記性質を有する色素を混合することに
よって、比較的少ない出力のレーザーを用いることがで
きる。
例を示す構成図である０図中１及び３はガラス板の基板
で、本実施例では基板ｌの厚みを５０ＪＬｍ、基板３の
厚みを１層■とし、それぞれ内面を垂直配向処理して、
上下基板間のスペース厚を２０ＪＬ層とした。この２枚
の基板間に、前述したトランス−４−プロピルシクロヘ
キサンカルボン酸トランス−４’（トランス−４１−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルエステル及びレ
ーサー光の波長において吸収を有するｒＮＫ−２７７２
４（日本感光色素型）式 で示される色素を混合したものを封入して液晶素子４を
得た。液晶２に上記性質を有する色素を混合することに
よって、比較的少ない出力のレーザーを用いることがで
きる。
この液晶素子４への画像記録方法を次に説明する。第２
図（ａ）〜（Ｃ）に液晶素子４への各記録プロセスを示
す。
図（ａ）〜（Ｃ）に液晶素子４への各記録プロセスを示
す。
第２図（ａ）は加熱プロセスを示す図で、ここでは液晶
素子４をベル）２０で矢印の方向に送り、電源ｌＯと抵
抗線あるいは加熱ランプ５により液晶素子４を等方性液
相まで加熱する。
素子４をベル）２０で矢印の方向に送り、電源ｌＯと抵
抗線あるいは加熱ランプ５により液晶素子４を等方性液
相まで加熱する。
第２図（ｂ）はコロナ帯電器６による電界印加プロセス
を示す図である。ここでは、ベルト２１によって矢印の
方向に送られた液晶素子４の液晶２に、２０Ｖ／ｌｏｐ
層程度の電界を印加する。この場合、液晶２に電界が印
加されている間に、液晶層が等方性液相を経てスメクチ
ック相まで冷却される必要があるため、帯電幅は比較的
広いほうが望ましい。これら２つのプロセスを経ること
によって、液晶素子４の画像表示面は透明状態となる。
を示す図である。ここでは、ベルト２１によって矢印の
方向に送られた液晶素子４の液晶２に、２０Ｖ／ｌｏｐ
層程度の電界を印加する。この場合、液晶２に電界が印
加されている間に、液晶層が等方性液相を経てスメクチ
ック相まで冷却される必要があるため、帯電幅は比較的
広いほうが望ましい。これら２つのプロセスを経ること
によって、液晶素子４の画像表示面は透明状態となる。
第２図（ｃ）はレーザー光による書き込みプロセスを示
す図である。第２図（Ｃ）において、ベルト２２によっ
て矢印方向に送られた液晶素子４は、半導体レーザー７
から発し、ポリゴンミラー８によって表示面と垂直の方
向に偏光され、さらに「−０レンズ９によって集光され
たレーザー光により、Ａ点で急激に加熱される。この局
部的な加熱によって液晶２はスメクチック相から等方性
液相の状態となるが、このプロセスでは電界印加がない
ため、液晶２は急冷却され白濁状態となる。すなわち、
液晶素子４の選択された表面部分は、レーザー光によっ
て局部的に加熱され白濁状態となり、非加熱部との間に
光学的濃度差を生じることになり１画像情報が記録され
る。
す図である。第２図（Ｃ）において、ベルト２２によっ
て矢印方向に送られた液晶素子４は、半導体レーザー７
から発し、ポリゴンミラー８によって表示面と垂直の方
向に偏光され、さらに「−０レンズ９によって集光され
たレーザー光により、Ａ点で急激に加熱される。この局
部的な加熱によって液晶２はスメクチック相から等方性
液相の状態となるが、このプロセスでは電界印加がない
ため、液晶２は急冷却され白濁状態となる。すなわち、
液晶素子４の選択された表面部分は、レーザー光によっ
て局部的に加熱され白濁状態となり、非加熱部との間に
光学的濃度差を生じることになり１画像情報が記録され
る。
本実施例では、加熱プロセスにおいて液晶２のＮ−（点
である約１９０℃以上になるよう熱を加え、次いで電界
印加プロセスにおいて約ｉｏθ℃で、コロナ帯電器６よ
り電界強度４０Ｖ／２０弘層の電界印加を行ったところ
、液晶素子４の表示面は透明化した。さらに、熱書き込
みプロセスにおいて、前述した液晶２のＮ−１点である
約１９０℃以上になるように、径２０濤菖に絞った３０
■曽のＧａＡＲＡｓのレーザー光（波長７８０ｎ■）で
局部的な加熱を行った結果、十分にコントラストのある
良好な白濁画像を得ることができた。この場合、半導体
レーザー７に加える電流を出力画像に応じて変調するこ
とにより、任意の画像を得ることができる。
である約１９０℃以上になるよう熱を加え、次いで電界
印加プロセスにおいて約ｉｏθ℃で、コロナ帯電器６よ
り電界強度４０Ｖ／２０弘層の電界印加を行ったところ
、液晶素子４の表示面は透明化した。さらに、熱書き込
みプロセスにおいて、前述した液晶２のＮ−１点である
約１９０℃以上になるように、径２０濤菖に絞った３０
■曽のＧａＡＲＡｓのレーザー光（波長７８０ｎ■）で
局部的な加熱を行った結果、十分にコントラストのある
良好な白濁画像を得ることができた。この場合、半導体
レーザー７に加える電流を出力画像に応じて変調するこ
とにより、任意の画像を得ることができる。
また、このようにして得られた白濁画像は、常温付近で
も良好なメモリー性を有し、気温の変化や、手で扱う場
合の体温によってもメモリー性は変化しなかった。
も良好なメモリー性を有し、気温の変化や、手で扱う場
合の体温によってもメモリー性は変化しなかった。
実施例２
レーザー光による書き込みにおいては、ガスレーザーと
ＡＯ変調素子の組み合せを用いることもできる。この場
合、液晶材には前述のよう゛に使用するレーザー光の波
長において吸収を有するような色素を混合することが望
ましい。
ＡＯ変調素子の組み合せを用いることもできる。この場
合、液晶材には前述のよう゛に使用するレーザー光の波
長において吸収を有するような色素を混合することが望
ましい。
１） Ｈｅ−Ｍｅ Ｌ／−ザー（８３３ｎｍ ）を使用
し、上記実施例で使用したものと同じ混合液晶に、ｒ
Ｄ−２７４（ＢＤＨ社商社名品名 で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、前項に白の良好な画像を得ることができた。
し、上記実施例で使用したものと同じ混合液晶に、ｒ
Ｄ−２７４（ＢＤＨ社商社名品名 で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、前項に白の良好な画像を得ることができた。
２） Ａｒｏ レーザー（４８８ｎｌＩ）を使用し、前
記１）と同じ混合液晶に、ｒａ２ａｓ」（日本感光色素
製）式 で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、赤地に白の良好な画像を得ることができた。
記１）と同じ混合液晶に、ｒａ２ａｓ」（日本感光色素
製）式 で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、赤地に白の良好な画像を得ることができた。
上記２種類のガスレーザーは、現在のところ半導体レー
ザーより高出力が得られるため、記録速度を半導体レー
ザー使用時に比べ速くすることができる。
ザーより高出力が得られるため、記録速度を半導体レー
ザー使用時に比べ速くすることができる。
また、他の実施例として、ガラス基板の代りにＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）等の基板を用いて形
成したところ、可撓性のある記録媒体を得ることができ
た。
（ポリエチレンテレフタレート）等の基板を用いて形
成したところ、可撓性のある記録媒体を得ることができ
た。
［発明の効果］
本発明においては、熱光学効果を示す液晶を。
画像情報の記録媒体とし、その熱光学効果によって画像
を記録するようにしたものであり、従来の方式に比べ画
像情報の保存、書き換えを簡単に行うことができる。し
かも、本発明の記録媒体は画像記録時の印加する熱量が
少なく、省エネルギーの記録方式であり、かつ、記録後
の媒体の取り扱いも室温で行えるため、実用性の極めて
高いものである。
を記録するようにしたものであり、従来の方式に比べ画
像情報の保存、書き換えを簡単に行うことができる。し
かも、本発明の記録媒体は画像記録時の印加する熱量が
少なく、省エネルギーの記録方式であり、かつ、記録後
の媒体の取り扱いも室温で行えるため、実用性の極めて
高いものである。
第１図は本発明において使用される液晶素子の一実施例
を示す構成図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明による画
像記録方法の一実施例における各記録プロセスの説明図
である。 １．３・・・基板、２・・・液晶、４・・・液晶素子。 ５・・・加熱ランプ、６・・・コロナ帯電器。 ７・・・半導体レーザー。 ８・・・ポリゴンミラー、９・・・ｆ−０レンズ。 ｌＯ・・・電源、 ２０．２１．２２・・・ベルト。
を示す構成図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明による画
像記録方法の一実施例における各記録プロセスの説明図
である。 １．３・・・基板、２・・・液晶、４・・・液晶素子。 ５・・・加熱ランプ、６・・・コロナ帯電器。 ７・・・半導体レーザー。 ８・・・ポリゴンミラー、９・・・ｆ−０レンズ。 ｌＯ・・・電源、 ２０．２１．２２・・・ベルト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 熱光学効果を示す液晶を上下基板間に挟持して成る液晶
素子と、該液晶素子を外部から加熱する手段、コロナ帯
電を与える手段及びレーザー光により局部的に加熱する
手段を有し、これら手段を該液晶素子に順次施すことに
よって画像情報を記録させることを特徴とする画像表示
方法において、前記液晶素子に用いられる液晶が、 一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ、Ｒ′は炭素数１〜１０のアルキル基を示し
、ｎは１又は２である。）で表わされるトランス−４−
置換シクロヘキサンカルボン酸トランス−４′（トラン
ス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシルエ
ステルを主成分としているものであることを特徴とする
画像記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3648485A JPS61197679A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 画像記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3648485A JPS61197679A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 画像記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61197679A true JPS61197679A (ja) | 1986-09-01 |
Family
ID=12471091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3648485A Pending JPS61197679A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 画像記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61197679A (ja) |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3648485A patent/JPS61197679A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3836243A (en) | Liquid crystal display apparatus | |
| US4675699A (en) | Image-recording apparatus | |
| JPS59216126A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS6084530A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS61197679A (ja) | 画像記録方法 | |
| JPS61197680A (ja) | 画像記録方法 | |
| JPS61197676A (ja) | 画像記録方法 | |
| JPS61197675A (ja) | 画像記録方法 | |
| JPS61198125A (ja) | 画像記録装置 | |
| JPS61197674A (ja) | 画像記録方法 | |
| JPS61198124A (ja) | 画像記録装置 | |
| JPS61197673A (ja) | 画像記録方法 | |
| US5414542A (en) | Liquid crystal apparatus | |
| JPS61197677A (ja) | 画像記録方法 | |
| JPH03284988A (ja) | 可逆的記録媒体 | |
| JPS61166520A (ja) | 画像記録装置 | |
| JPS61167922A (ja) | 画像記録媒体 | |
| JPS61197678A (ja) | 画像記録方法 | |
| JPS61197671A (ja) | 画像記録方法 | |
| JP2000328064A (ja) | 液晶光学素子及びそのスイッチング方法 | |
| JPS61198129A (ja) | 画像記録装置 | |
| JPS61197672A (ja) | 画像記録方法 | |
| JP2007148396A (ja) | ディスプレイ用の、書き換え可能な、光学的入力により光配向された液晶素子 | |
| JPS61197669A (ja) | 画像記録方法 | |
| JP2662945B2 (ja) | 画像記録装置 |