JPS61197674A - 画像記録方法 - Google Patents
画像記録方法Info
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- JPS61197674A JPS61197674A JP3648385A JP3648385A JPS61197674A JP S61197674 A JPS61197674 A JP S61197674A JP 3648385 A JP3648385 A JP 3648385A JP 3648385 A JP3648385 A JP 3648385A JP S61197674 A JPS61197674 A JP S61197674A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal element
- image
- formula
- smectic
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- Pending
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は画像記録方法、特に書き替え可能な媒体を使用
する簡便な画像記録方法に関するものである。
する簡便な画像記録方法に関するものである。
近年、画像記録において書き替え可能な媒体を用いる需
要が増加しているが、従来技術においては実用1幾つか
の問題点があった0例えば、オフィスのペーパーレスの
ために、ディスプレイ装置が多用されるようになったが
、CRT等によるディスプレイ装置では、文章のような
高精細な表示が困難であり、画像を画像のままで長期に
保存できないという問題がある。また、いわゆるプリン
ター等によるハードコピー画像は書き替えができないた
め、使用する紙の量が増大するという問題がある。一方
、キャッシュカード、クレジットカード等のカード類が
広く普及しているが、ごれらカードに金額等の表示を記
録しておきたいという要求もある。これらの要求に対し
て1例えばフラットディスプレイ装置を用いることも可
能であ −るが、装置に電源を必要としたり、七の構造
が複雑である等の欠点があった。
要が増加しているが、従来技術においては実用1幾つか
の問題点があった0例えば、オフィスのペーパーレスの
ために、ディスプレイ装置が多用されるようになったが
、CRT等によるディスプレイ装置では、文章のような
高精細な表示が困難であり、画像を画像のままで長期に
保存できないという問題がある。また、いわゆるプリン
ター等によるハードコピー画像は書き替えができないた
め、使用する紙の量が増大するという問題がある。一方
、キャッシュカード、クレジットカード等のカード類が
広く普及しているが、ごれらカードに金額等の表示を記
録しておきたいという要求もある。これらの要求に対し
て1例えばフラットディスプレイ装置を用いることも可
能であ −るが、装置に電源を必要としたり、七の構造
が複雑である等の欠点があった。
本発明は上記した従来技術の欠点に鑑みなされたもので
、画像の書き換え可能な媒体と占き込み及び書き換える
ための画像記録方法、さらに詳しくは、画像のメモリー
状態を維持する温度範囲を広げ、記録媒体の取り扱いを
実用的なものにすることのできる画像記録方法を提供す
ることを目的とするものである。
、画像の書き換え可能な媒体と占き込み及び書き換える
ための画像記録方法、さらに詳しくは、画像のメモリー
状態を維持する温度範囲を広げ、記録媒体の取り扱いを
実用的なものにすることのできる画像記録方法を提供す
ることを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は熱光学効果を示す液晶を、基板間に挟持した液
晶素子を、全体的に加熱する手段と冷却する手段によっ
て液晶素子面を透明状態にし、次にレーザー光による局
部的に加熱する手段によって画像情報の書き込みを行う
もので、特に、前記液晶素子に垂直配向処理を施し、冷
却する手段において、液晶素子中の液晶が配向処理に従
って垂直配向するのに充分な時間を持って冷却を行う事
を特徴とするものである。
晶素子を、全体的に加熱する手段と冷却する手段によっ
て液晶素子面を透明状態にし、次にレーザー光による局
部的に加熱する手段によって画像情報の書き込みを行う
もので、特に、前記液晶素子に垂直配向処理を施し、冷
却する手段において、液晶素子中の液晶が配向処理に従
って垂直配向するのに充分な時間を持って冷却を行う事
を特徴とするものである。
本発明に用いられる液晶としては、ネマチック液晶とコ
レステリック液晶の混合液晶、あるいはネマチック相を
有するスメクチック液晶等が望ましい、より具体的には 一般式: (式中pおよびqは1〜15の整数である。)から選ば
れる物質を主成分となしているものであり、さらに 一般式: (式中、 R−GnHzn+1 またはGnHzn−
+0;1≦n≦15゜X雪ハロゲン原子またはON。
レステリック液晶の混合液晶、あるいはネマチック相を
有するスメクチック液晶等が望ましい、より具体的には 一般式: (式中pおよびqは1〜15の整数である。)から選ば
れる物質を主成分となしているものであり、さらに 一般式: (式中、 R−GnHzn+1 またはGnHzn−
+0;1≦n≦15゜X雪ハロゲン原子またはON。
Y−ハロゲン原子またはCN、である。)から選ばれる
スメクチック液晶が添加されている混合液晶が用いられ
る。
スメクチック液晶が添加されている混合液晶が用いられ
る。
また、後者の一般式で表わされる物質としては以下で示
されるものが適用できる。
されるものが適用できる。
(1) X=Y=Brの場合
p−ブロムジフェニル−4−(アルキル又はアルコキシ
)−3−ブロム安息香酸エステル、(2) X=Br、
かつY=CMの場合p−シアノジフェニル−4−(アル
キル又はアルコキシ)−3−ブロム安息香酸エステル、
(3) X−Y=CNの場合 p−シアノジフェニル−4−(アルキル又はアルコキシ
)−3−シアノ安息香酸エステルなどがある。
)−3−ブロム安息香酸エステル、(2) X=Br、
かつY=CMの場合p−シアノジフェニル−4−(アル
キル又はアルコキシ)−3−ブロム安息香酸エステル、
(3) X−Y=CNの場合 p−シアノジフェニル−4−(アルキル又はアルコキシ
)−3−シアノ安息香酸エステルなどがある。
表−1及び表−2に、本発明に用いられる液晶物質の化
学式及び混合物の 結晶相−スメクチックA相転移温度(K−S^)スメク
チックA相−ネマチック相転移温度(SA−N)ネマチ
ック相−等方性液体転移温度(N−I )を列挙する。
学式及び混合物の 結晶相−スメクチックA相転移温度(K−S^)スメク
チックA相−ネマチック相転移温度(SA−N)ネマチ
ック相−等方性液体転移温度(N−I )を列挙する。
もちろん、本発明に用いられる液晶物質は、これらの組
み合せに限られるものではない。
み合せに限られるものではない。
7〜2
[作 用]
熱光学効果を示す液晶として、スメクチック液晶を用い
た場合についてその動作原理を説明する。
た場合についてその動作原理を説明する。
液晶層を加熱すると、液晶分子の配向状態は等方性液相
の状態になる。その後冷却過程で液晶層は、等方性液相
の状態からネマチック相、スメクチックA相へと変化し
、スメクチックA、相でその配向状態が安定化する。
の状態になる。その後冷却過程で液晶層は、等方性液相
の状態からネマチック相、スメクチックA相へと変化し
、スメクチックA、相でその配向状態が安定化する。
液晶層を挟む基板にあらかじめ垂直配向処理を施した上
で、液晶層内の状態がネマチック相を通過する際に、充
分時間をかけて冷却すると、液晶の徐冷による作用と共
に、基板壁面での配向効果によって、液晶層内の分子配
列が垂直配向状態となり、光学的に透明な状態となる。
で、液晶層内の状態がネマチック相を通過する際に、充
分時間をかけて冷却すると、液晶の徐冷による作用と共
に、基板壁面での配向効果によって、液晶層内の分子配
列が垂直配向状態となり、光学的に透明な状態となる。
一方、急激に冷却を行うと、液晶層内の分子配列が等方
性液相のランダムな状態のまま急冷され、光学的に白濁
の状態になる。
性液相のランダムな状態のまま急冷され、光学的に白濁
の状態になる。
次に、本発明の画像記録方法に用いられる液晶に、表−
2で例示した例1〜5の液晶混合物を用いる利点を説明
する。
2で例示した例1〜5の液晶混合物を用いる利点を説明
する。
一般式:
(式中、R=CnH2n −+ またはCnHzn−+
O;1≦n≦15゜X−ハロゲン原子またはON。
O;1≦n≦15゜X−ハロゲン原子またはON。
Y−ハロゲン原子またはCM、である。)で表わされる
液晶、例えば表−1で例示したAからCの物質では、K
−3^、S^−N、N−Iの温度がそれぞれ100℃付
近であり、これら液晶を単体で本発明の画像記録方法に
用いた場合、液晶素子に加えられる消去温度及び書き込
み温度は百数十度となり、画像の保持温度もに−S^温
度以上、すなわち約100℃以上となる。このため1画
像記録媒体を画像記録装置から取りはずす場合には、画
像を保持するための保護ヒーターを媒体に設ける必要が
あり、実用上好ましくない。
液晶、例えば表−1で例示したAからCの物質では、K
−3^、S^−N、N−Iの温度がそれぞれ100℃付
近であり、これら液晶を単体で本発明の画像記録方法に
用いた場合、液晶素子に加えられる消去温度及び書き込
み温度は百数十度となり、画像の保持温度もに−S^温
度以上、すなわち約100℃以上となる。このため1画
像記録媒体を画像記録装置から取りはずす場合には、画
像を保持するための保護ヒーターを媒体に設ける必要が
あり、実用上好ましくない。
一方、一般式
%式%
(式中pおよびqは1〜15の整数である。)から選ば
れる物質を主成分とし、 一般式 (式中、R=GnH2n、+ またはCnH2n−1O
;1≦n≦15゜X=ハロゲン原子またはON。
れる物質を主成分とし、 一般式 (式中、R=GnH2n、+ またはCnH2n−1O
;1≦n≦15゜X=ハロゲン原子またはON。
Y=ハロゲン原子またはCM、である、)から選ばれる
物質が添加されている混合液晶である表−2で例示した
液晶混合物の場合、 K−3画点が室温以下、かつS^
−N点が約50℃以上であるため。
物質が添加されている混合液晶である表−2で例示した
液晶混合物の場合、 K−3画点が室温以下、かつS^
−N点が約50℃以上であるため。
液晶素子に加えられる消去温度及び書き込み温度は約5
0″C以上となり、画像保持も室温付近となる。このた
め、書き込み・消去の容易性及び何ら外部的な画像保持
手段をほどこさずとも画像記録媒体を取り扱えるため、
極めて実用的なものとなる。
0″C以上となり、画像保持も室温付近となる。このた
め、書き込み・消去の容易性及び何ら外部的な画像保持
手段をほどこさずとも画像記録媒体を取り扱えるため、
極めて実用的なものとなる。
C実施例]
以下第1図及び第2図とともに、本発明の画像記録方法
の実施例を説明する。
の実施例を説明する。
実施例1
第1図は、本発明において使用される液晶素子の一実施
例を示す構成図である1図中1及び3はガラス板の基板
で、本実施例では基板lの厚みを50JL思、基板3の
厚みを11■とじ、それぞれ内面を垂直配向処理して、
上下基板間のスペース厚を20、層とした。この2枚の
基板間に、表−2で示した例1の液晶混合物及びレーザ
ー光の波長において吸収を有するrNK−2772J
(日本感光色素製)式 で示される色素を混合したものを封入して液晶素子4を
得た。液晶2に上記性質を有する色素を混合することに
よって、比較的少ない出力のレーザーを用いることがで
きる。
例を示す構成図である1図中1及び3はガラス板の基板
で、本実施例では基板lの厚みを50JL思、基板3の
厚みを11■とじ、それぞれ内面を垂直配向処理して、
上下基板間のスペース厚を20、層とした。この2枚の
基板間に、表−2で示した例1の液晶混合物及びレーザ
ー光の波長において吸収を有するrNK−2772J
(日本感光色素製)式 で示される色素を混合したものを封入して液晶素子4を
得た。液晶2に上記性質を有する色素を混合することに
よって、比較的少ない出力のレーザーを用いることがで
きる。
この液晶素子4への画像記録方法を次に説明する。第2
図(a)〜(C)に液晶素子4への各記録プロセスを示
す。
図(a)〜(C)に液晶素子4への各記録プロセスを示
す。
第2図(a)は加熱プロセスを示す図で、ここでは液晶
素子4をベルト6で矢印の方向に送り、電源13と抵抗
線あるいは加熱ランプ5により液晶素子4を等方性液相
まで加熱する。
素子4をベルト6で矢印の方向に送り、電源13と抵抗
線あるいは加熱ランプ5により液晶素子4を等方性液相
まで加熱する。
第2図(b)は冷却プロセスを示す図である。温度勾配
を持たせたヒーター7の下を、液晶素子4をベルト8で
矢印の方向に送ると、液晶層は等方性液相からネマチッ
ク相を経てスメクチック相まで徐冷される。ここでヒー
ター7は、液晶素子の進行方向に伴って、液晶層の等方
性相−ネマチック相転移温度より高い温度から、室温近
傍の温度までの温度勾配を持っていることが望ましい、
またベルト8の材料としては、断熱性のものが望ましく
、本実施例ではゴムベルトを用いた。
を持たせたヒーター7の下を、液晶素子4をベルト8で
矢印の方向に送ると、液晶層は等方性液相からネマチッ
ク相を経てスメクチック相まで徐冷される。ここでヒー
ター7は、液晶素子の進行方向に伴って、液晶層の等方
性相−ネマチック相転移温度より高い温度から、室温近
傍の温度までの温度勾配を持っていることが望ましい、
またベルト8の材料としては、断熱性のものが望ましく
、本実施例ではゴムベルトを用いた。
これら2つのプロセスを経ることによって、液晶素子4
の画像表示面は透明状態となる。
の画像表示面は透明状態となる。
第2図(C)はレーザー光による書き込みプロセスを示
す図である。第2図(C)において、ベルト9によって
矢印方向に送られた液晶素子4は、半導体レーザー10
から発し、ポリゴンミラー目によって表示面と垂直の方
向に偏光され、さらにf−0レンズ12によって集光さ
れたレーザー光により、A点で急激に加熱される。この
局部的な加熱によって液晶2はスメクチック相から等方
性液相の状態となるが、このプロセスでは電界印加がな
いため、液晶2は急冷却され白濁状態となる。すなわち
、液晶素子4の選択された表面部分は、レーザー光によ
って局部的に加熱され白濁状態となり、非加熱部との間
に光学的濃度差を生じることになり、画像情報が記録さ
れる。
す図である。第2図(C)において、ベルト9によって
矢印方向に送られた液晶素子4は、半導体レーザー10
から発し、ポリゴンミラー目によって表示面と垂直の方
向に偏光され、さらにf−0レンズ12によって集光さ
れたレーザー光により、A点で急激に加熱される。この
局部的な加熱によって液晶2はスメクチック相から等方
性液相の状態となるが、このプロセスでは電界印加がな
いため、液晶2は急冷却され白濁状態となる。すなわち
、液晶素子4の選択された表面部分は、レーザー光によ
って局部的に加熱され白濁状態となり、非加熱部との間
に光学的濃度差を生じることになり、画像情報が記録さ
れる。
本実施例では、ヒーター7に70℃〜25℃の温度勾配
を持たせ、液晶素子4がヒーター7の下を1分以下、望
ましくは1〜3秒程度で通過する様に、ベルト8の移動
速度、を調節して通過させたところ、液晶素子4の表示
面は透明化した0次いでスポット径20JL■に絞った
10−賛のCaAjlAsのレーザー光(波長780n
■)で局部的な加熱を行った結果、十分にコントラスト
のある良好な白濁画像を得ることができた。この場合、
半導体レーザーlOに加える電流を出力画像に応じて変
調することにより、任意の画像を得ることができる。
を持たせ、液晶素子4がヒーター7の下を1分以下、望
ましくは1〜3秒程度で通過する様に、ベルト8の移動
速度、を調節して通過させたところ、液晶素子4の表示
面は透明化した0次いでスポット径20JL■に絞った
10−賛のCaAjlAsのレーザー光(波長780n
■)で局部的な加熱を行った結果、十分にコントラスト
のある良好な白濁画像を得ることができた。この場合、
半導体レーザーlOに加える電流を出力画像に応じて変
調することにより、任意の画像を得ることができる。
また、このようにして得られた白濁画像は、常温付近で
も良好なメモリー性を有し、気温の変化や、罫で扱う場
合の体温によってもメモリー性に変化しなかった。さら
に表−2で例示した他の液晶混合物を用いた場合にも、
上記した実施例と同様に、良好な結果を得ることができ
た。
も良好なメモリー性を有し、気温の変化や、罫で扱う場
合の体温によってもメモリー性に変化しなかった。さら
に表−2で例示した他の液晶混合物を用いた場合にも、
上記した実施例と同様に、良好な結果を得ることができ
た。
実施例2
レーザー光による書き込みにおいては、ガスレーザーと
AO変調素子の組み合せを用いることもできる。この場
合、液晶材には前述のように使用するレーザー光の波長
において吸収を有するような色素を混合することが望ま
しい。
AO変調素子の組み合せを用いることもできる。この場
合、液晶材には前述のように使用するレーザー光の波長
において吸収を有するような色素を混合することが望ま
しい。
1) He−Neレーザー(H3nm )を使用し、前
記表−2、例3の混合液晶に、r D−27J (B
DH社商社名品名 で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、前項に白の良好な画像を得ることができた。
記表−2、例3の混合液晶に、r D−27J (B
DH社商社名品名 で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、前項に白の良好な画像を得ることができた。
2) Ar’ L/−ザー(488ns )を使用し、
前記表−2、例5混合液晶に、「G249」(日本感光
色素製)式 で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、赤地に白の良好な画像を得ることがでさた。
前記表−2、例5混合液晶に、「G249」(日本感光
色素製)式 で示される色素を混合したものを使って書き込みを行っ
た結果、赤地に白の良好な画像を得ることがでさた。
上記2種類のガスレーザーは、現在のところ半導体レー
ザーより高出力が得られるため、記録速度を半導体レー
ザー使用時に比べ速くすることができる。
ザーより高出力が得られるため、記録速度を半導体レー
ザー使用時に比べ速くすることができる。
また、他の実施例として、ガラス基板の代りにPET
(ポリエチレンテレフタレート)等の基板を用いて形
成したところ、可撓性のある記録媒体を得ることができ
た。
(ポリエチレンテレフタレート)等の基板を用いて形
成したところ、可撓性のある記録媒体を得ることができ
た。
[発明の効果]
本発明においては、熱光学効果を示す液晶を、画像情報
の記録媒体とし、その熱光学効果によって画像を記録す
るようにしたものであり、従来の方式に比べ画像情報の
保存、書き換えを簡単に行うことができる。しかも、本
発明の記録媒体は画像記録時の印加する熱量が少なく、
省エネルギーの記録方式であり、かつ、記録後の媒体の
取り扱いも室温で行えるため、実用性の極めて高いもの
である。
の記録媒体とし、その熱光学効果によって画像を記録す
るようにしたものであり、従来の方式に比べ画像情報の
保存、書き換えを簡単に行うことができる。しかも、本
発明の記録媒体は画像記録時の印加する熱量が少なく、
省エネルギーの記録方式であり、かつ、記録後の媒体の
取り扱いも室温で行えるため、実用性の極めて高いもの
である。
第1図は本発明において使用される液晶素子の一実施例
を示す構成図、第2図(a)〜(C)は本発明による画
像記録方法の一実施例における各記録プロセスの説明図
である。 1.3・・・基板、2・・・液晶、4・・・液晶素子、
5・・・加熱ランプ、6,8.9・・・ベルト、7・・
・ヒーター、lO・・・半導体レーザー、11・・・ポ
リゴンミラー、12・・・f−0レンズ、13・・・電
源。
を示す構成図、第2図(a)〜(C)は本発明による画
像記録方法の一実施例における各記録プロセスの説明図
である。 1.3・・・基板、2・・・液晶、4・・・液晶素子、
5・・・加熱ランプ、6,8.9・・・ベルト、7・・
・ヒーター、lO・・・半導体レーザー、11・・・ポ
リゴンミラー、12・・・f−0レンズ、13・・・電
源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)熱光学効果を示す液晶を上下基板間に挟持して成る
液晶素子と、該液晶素子を外部から加熱する手段、冷却
する手段及びレーザー光により局部的に加熱する手段を
有し、これら手段を該液晶素子に順次施すことによって
画像情報を記録させる画像記録方法において、前記液晶
素子に用いられる液晶が、 一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ または ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中pおよびqは1〜15の整数である。)から選ば
れるスメクチックA液晶を主成分となしているものであ
ることを特徴とする画像記録方法。 一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R=C_nH_2_n_+_1またはC_nH
_2_n_+_10;1≦n≦15、X=ハロゲン原子
またはCN、 Y=ハロゲン原子またはCN、である。) から選ばれる物質が添加されていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の画像記録方法。 3)上記液晶素子が垂直配向処理を施されており、かつ
上記冷却する手段において、前記液晶素子中の液晶が配
向処理に従って垂直配向するのに充分な時間を持って冷
却を行う事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の画
像記録方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3648385A JPS61197674A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 画像記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3648385A JPS61197674A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 画像記録方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61197674A true JPS61197674A (ja) | 1986-09-01 |
Family
ID=12471063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3648385A Pending JPS61197674A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 画像記録方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61197674A (ja) |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3648385A patent/JPS61197674A/ja active Pending
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