JPS61195007A - マイクロストリツプラインアンテナ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明け、マイクロストリップラインアンテナに関する
。

背景技術 従来から、衛星通信などにおいて用いられる受信用アン
テナとして、オフセットバラボナアンテナか開発されて
いる。しかしながらオフセットバラボナアンテナけ、施
工が困難であり、雪や雨などの影響を受は易い、などと
いう欠点があった。

そこで近年、壁や屋根に比較的簡単に施工可能なマイク
ロストリップラインアンテナが開発され。

その研究が進められている。このマイクロストリップラ
インアンテナの誘電体として用いられる材料は、一般に
四フフ化エチレンを含浸したガラス製薄膜を複数重ねた
積層体である。この積層体の両面に鋼箔を貼りむせ、前
記銅箔をエツチングして前記積層体の一万の面にストリ
ップ導体を形成し、さらに積層体の他方の面に金属製の
地導体を貼り合せてマイクロストリップラインアンテナ
を製造シている。マイクロストリップラインアンテナの
誘電体にこのような積層体を使用すると、高価となり高
周波絶縁特性が不十分で、マイクロストリップラインア
ンテナの利得が低下するという問題かあり九。

目　　　的 したがって本発明の目的に、比較的安価でかつ高周波絶
縁特性にすぐれたマイクロストリップラインアンテナを
提供することである。

実施例 第１図に本発明の一実施例の斜視図であり、第２図けそ
の断面図である。マイクロストリップラインアンテナＩ
Ｌ６．平板状の誘電体４の一表面にクランク状のストリ
ップ導体３かエツチング法などに１って形成さね、誘電
体４のストリップ導体３が配置される面と反対側の面に
け、金属性の地導体５が加熱・圧着される。またこのと
き必要に応じて、ストリップ導体３が配置される誘電体
４の一表面に臨んで、ストリップ導体３を保護するため
のき成樹脂製薄膜２が加熱・圧着される。この；うにシ
テ、マイクロストリップラインアンテナ】が構成される
。

木発明け、マイクロストリップラインアンテナ１を、安
価でしかもアンテナ利得を低下させない２つにするため
に、ａｍ導体の構成は下記の２うにされる。

ストリップ導体３か配置される誘電体４＃−ｊ、その分
岐が１０００カーボンにつき３５未満のものであって、
メルトインデックスか４未満であるポリエチレンである
ことを特徴とする。

また好ましい実施態様は、誘電体４にσストリップ導体
３となるべき銅箔などがポリエチレン用接着シートを介
して接着されることを特徴とする。

さらに他の好ましい実施態様に、誘電体４として用いら
れるポリエチレンには、紫外線吸収剤。

酸化防止剤か添加されていることを特徴とする。

本発明に従うマイクロストリップラインアンテナｌの誘
電体４として用いられる材料け、前述したように分岐が
１０００カーボンにつき３５未満であって、メルトイン
デックス（以下ＭＩと略称する）が４　（ｙ／１０ｍ１
ｎ　）未満である。誘電体４として用いられるポリエチ
レンの分岐が１０００カーボンにり′＃３５以と存在す
ると経時変化が顕著であり、マイクロストリップライン
アンテナ】の利得の低下か発生する。これＦ１３級炭素
の結＠−が切断されて酸化され易い状態となり、その結
果、誘電正接ｔａｎδが増大する九めど考えられる。

ポリエチレンのＭ　Ｉ　２５に４以とであると、鋼また
けアルミニウムなどの地導体５と加熱・圧着する際に、
ポリエチレンの流出が生じ、その結果誘電体４の厚みの
ばらつきが生じる。この厚みのばらつきを防止するため
に＃ｊ、ポリエチレンのＭＩが１．０未満がもつとも好
ましい。さらに誘電体４に紫外線吸収剤、酸化防止剤な
どを添加することに２って、屋外に設置されるマイクロ
ストリップラインアンテナｌの信頼性を大幅に向丘する
こｔか可能となる。さらに０１１体４として用いられる
ポリエチレンの耐候性を向ｈｇせるために、その密度が
０，９５ｙ／ｃｍ３　　以上あることが好ましいことも
明らかとなっている。

以下、実施例１〜３に基づき本発明を詳述する。

実施例】 まず１分岐が１０００カーボンにり！に１０〜２０程度
の直鎖状低密度ポリエチレンで、そのＭＩが２のものを
、１ｍｍ　厚のシート状体に成形し、誘電体４とする。

次に、その＠電体４にポリエチレン用接着シート（１０
０μｍ厚）を介し、ストリップ導体３と成るべき銅箔（
３５μｍ厚）と接着する。

このときの接着温度に最高１４０℃であり、接着圧力ｎ
　５　ｋｇ／ｃｍ　　である。このＸうにして誘電体４
の一表面に接着された＠Ｉｉｌ箔を、ス）　ＩＪツブ導
体３と成るべき部分以外の残余の部分をエツチング法に
２って除去し、誘電体４の一表面にストリップ導体３を
形成する。誘電体４のスト＋３ツブ導体３が形成される
一表面とけ反対側の表面には、金属性の地導体５か加熱
・圧着される。このようにシテマイクロストリップライ
ンアンテナ】を製造した後に、ストリップ導体３を保護
するためのき５！樹脂製薄膜２をス）　ＩＪツブ導体３
ｊ：に被覆してもよい。

この２つにして製造されたマイクロストリップラインア
ンテナ】において誘電体４ｇ６その誘電特性も良好であ
る。すなわち誘電体４の防電率εけ２．３であり、誘電
正接ｔａｎαけ０．０００５　　であり。

きわめて良好な高周波絶縁性能が得られた。このＩうに
して構成されるマイクロストリップラインアンテナ】ケ
、屋外に設置したところ、２ケ年経過してもアンテナ利
得の低下はまったく認められなかった。

実施例２ 誘電体４として１分岐か１０００カーボンにりき】０以
丁であって、密度が＋１．９６　ｙ／　ｃｍＦ、の高密
度ポリエチレンで、ＭＩか（１，０７のものに、さらに
紫外線吸収剤、酸化防止剤を県別したものを用い。

第１図に示シたマイクロストリップラインアンテナｌを
構成した。ここで用いられる紫外線吸収剤酸化防止剤は
、一般的に用いられているペンゾール系、フェノール系
などの紫外−吸収剤お２びリン系などの酸化防止剤を、
それぞｔｌ　ｌ）、　０１〜０．５％穆度添加すわば充
分である。このようにして製造すれたマイクロストリッ
プラインアンテナ】をタエザメータ（サンシャイン形）
にｊる３５００時間の照射促進試験を行なっても、アン
テナ利得の低下にまったく認められなかった。さらにマ
イクロストリップラインアンテナ１の温度を７０℃程度
にとげても、指向性の低下げ殆んどなく、アンテナ利得
の低下もまったく認められなかった。この２つにしてき
わめて良好なマイクロストリップラインアンテナが実現
される。

実施例３ 誘電体として実施ｆｌＩ】と同様の材料を用いて。

この誘電体４に酸化防止剤、紫外線吸収剤を適量県別し
たものを使用すると、誘電率εが２．３．誘電正接ｔａ
ｎδが０．００（１５という誘電特性の良好なマイクロ
ストリップラインアンテナ］が得られた。このようにし
て得られたマイクロストリップラインアンテナ１の温度
を７０℃に辷昇すると。

０．３αβ程度の利得の低下が見られたが、ウェザメー
タによる３　５００時間の促進試験でけ、物性の変化け
まり九〈認められなかった。

効果 ゛以上のように本発明にＩれば、導体が配置される誘電
体け１分岐が１０００カーボンにり吉３５未満であって
、メルトインデックスが４未満のポリエチレンから成る
ようにしたので、比較的安価であって良好な高周波絶縁
特性を有するマイクロスト１１ツブラインアンテナの実
現が可能となる。

【図面の簡単な説明】

ｖＪ１図は本発明に従って構成されるマイクロストリッ
プラインアンテナ１の斜視図、第２図はマイクロストリ
ップラインアンテナｌの断面図である。 １・・・マイクロストリップラインアンテナ、２−０゜
汗成樹脂裂薄膜、３・・・ス）　ＩＩツブ導体、４・・
・誘電体、５・・・地導体 代理人　　弁理士　西教圭一部　・ 第１図 第２図 手続補正書 昭和６０年　４月１８日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 導体が配置される誘電体は、 分岐が１０００カーボンにつき３５未満であつて、メル
   トインデツクスが４未満であるポリエチレンから成るこ
   とを特徴とするマイクロストリツプラインアンテナ。