JPS61194790A - 横方向電流注入型半導体レ−ザ−素子 - Google Patents
横方向電流注入型半導体レ−ザ−素子Info
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- JPS61194790A JPS61194790A JP3478685A JP3478685A JPS61194790A JP S61194790 A JPS61194790 A JP S61194790A JP 3478685 A JP3478685 A JP 3478685A JP 3478685 A JP3478685 A JP 3478685A JP S61194790 A JPS61194790 A JP S61194790A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、横方向電流注入型半導体レーザー素子に関
し、特にその発振閾値電流を低減化するなどの性能特性
の向上に関するものである。
し、特にその発振閾値電流を低減化するなどの性能特性
の向上に関するものである。
従来の横方向電流注入型半導体レーザー素子として１倒
木ばＴ Ｊ Ｓ （Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｊｕｎｃｔ
ｉｏｎ ５ｔｒｉｐｅ ）型半導体レーザー素子がある
。第６図は、例えば雑誌アイ・イー・イー・イー（ＩＥ
ＥＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦＱＵＡＮＴＬＴＭ ＥＬＥ
ＣＴＲＯＮＩＣ５、ＶＯＬ 、 ＱＥ−１５、Ｎｈｌ
１．ＮＯＶＥＭＢＥＲ。
木ばＴ Ｊ Ｓ （Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｊｕｎｃｔ
ｉｏｎ ５ｔｒｉｐｅ ）型半導体レーザー素子がある
。第６図は、例えば雑誌アイ・イー・イー・イー（ＩＥ
ＥＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦＱＵＡＮＴＬＴＭ ＥＬＥ
ＣＴＲＯＮＩＣ５、ＶＯＬ 、 ＱＥ−１５、Ｎｈｌ
１．ＮＯＶＥＭＢＥＲ。
１９７９（１２０８月に示された従来のＴＪＳ型半導体
レーザー素子を示す断面図である。図において、（１）
はｐ（ｌｉｌｉｔ極、（２）はｎ＠電極、（３）はｎ型
ＧａＡｓキャップ層、（４）はクラッド層で、例えばｎ
型ＧａＡ ＩＡｓ上部クラッド層、（３）は活性層で、
例えばｎ型ＧａＡｓ活性層、（６）はクラッド層で、例
えばｎ型ＧａＡｌＡｓ下部クラッド層、（７）は基板で
、例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板、（８）及び（９）は例
えばＺｎを拡散したｐ空領域（斜線部）である。ｐ空領
域（８）はＺｎが高濃度に拡散されてｐ＋型領領域構成
し、ｐ空領域（９）はＺｎが低濃度に拡散され、すなわ
ち二重拡散されて、ｐ活性領域を構成する。
レーザー素子を示す断面図である。図において、（１）
はｐ（ｌｉｌｉｔ極、（２）はｎ＠電極、（３）はｎ型
ＧａＡｓキャップ層、（４）はクラッド層で、例えばｎ
型ＧａＡ ＩＡｓ上部クラッド層、（３）は活性層で、
例えばｎ型ＧａＡｓ活性層、（６）はクラッド層で、例
えばｎ型ＧａＡｌＡｓ下部クラッド層、（７）は基板で
、例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板、（８）及び（９）は例
えばＺｎを拡散したｐ空領域（斜線部）である。ｐ空領
域（８）はＺｎが高濃度に拡散されてｐ＋型領領域構成
し、ｐ空領域（９）はＺｎが低濃度に拡散され、すなわ
ち二重拡散されて、ｐ活性領域を構成する。
次に動作について説明する。ｐ側電極（１）からｎ側電
極（２）へｐ−ｎ接合に順方向に電流を流すと、活性層
（３）とクラッド層（４）、（６）との拡散電位差のた
め、はとんどの電流は活性層（３）にのみ集中して横方
向、すなわち活性層（３）に沿う方向で、活性層（３）
におけるｐ空領域（８）、（９）からｎ型領域の方向に
流れる。この時、活性層（３）のｐ −ｎ接合付近にお
いて量子と正孔の再結合が生じて発光する。この半導体
レーザー素子は、切り出した時にできる両端のへき開面
ではさまれたストライプ状の活性層内において共振器を
構成する。すなわち、Ｚｎの二重拡散したｐ活性領域で
あるｐ空領域（９）は、横方向においてはｎ型領域とｐ
＋型領領域８）によりはさまれ、縦方向においては上下
部クラッド層（４） 、（６）によりはさまれて、この
活性層が周囲より屈折率の大きい光導波層となって発光
した光がとじ込められ、効率のよいレーザー発振を生じ
る。
極（２）へｐ−ｎ接合に順方向に電流を流すと、活性層
（３）とクラッド層（４）、（６）との拡散電位差のた
め、はとんどの電流は活性層（３）にのみ集中して横方
向、すなわち活性層（３）に沿う方向で、活性層（３）
におけるｐ空領域（８）、（９）からｎ型領域の方向に
流れる。この時、活性層（３）のｐ −ｎ接合付近にお
いて量子と正孔の再結合が生じて発光する。この半導体
レーザー素子は、切り出した時にできる両端のへき開面
ではさまれたストライプ状の活性層内において共振器を
構成する。すなわち、Ｚｎの二重拡散したｐ活性領域で
あるｐ空領域（９）は、横方向においてはｎ型領域とｐ
＋型領領域８）によりはさまれ、縦方向においては上下
部クラッド層（４） 、（６）によりはさまれて、この
活性層が周囲より屈折率の大きい光導波層となって発光
した光がとじ込められ、効率のよいレーザー発振を生じ
る。
従来の横方向電流注入型半導体レーザー素子においては
、活性層厚の減少と相関をもって発振閾値電流は減少す
るが、活性層厚が１０００Å以下と薄くなると導波光の
クラッド層への光のもれが大きくなり、閾値電流の低減
化に問題があった。また、例えば１〜２μｍの膜厚のＡ
ｌＧａＡｓ層をクラッド層として使っているために、活
性層との・境界での界面再結合中心密度が増大し、内部
量子効率を低減化させるという問題点があった。
、活性層厚の減少と相関をもって発振閾値電流は減少す
るが、活性層厚が１０００Å以下と薄くなると導波光の
クラッド層への光のもれが大きくなり、閾値電流の低減
化に問題があった。また、例えば１〜２μｍの膜厚のＡ
ｌＧａＡｓ層をクラッド層として使っているために、活
性層との・境界での界面再結合中心密度が増大し、内部
量子効率を低減化させるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、光とじ込め層として超格子構造又は多重ヘテ
ロ接合層構造を用いることによって、スムーズな界面再
結合中心密度の低い界面を形成すると同時に、周期の調
整による縦方向の光とじ込めを強化し、光のもれを少な
（して発光効率の高い横方向電流注入型半導体レーザー
を得ることを目的とする。
たもので、光とじ込め層として超格子構造又は多重ヘテ
ロ接合層構造を用いることによって、スムーズな界面再
結合中心密度の低い界面を形成すると同時に、周期の調
整による縦方向の光とじ込めを強化し、光のもれを少な
（して発光効率の高い横方向電流注入型半導体レーザー
を得ることを目的とする。
この発明に係る横方向電流注入型半導体レーザー素子は
、活性層とクラッド１の中間の屈折率を有し、平均的に
活性層とクラッドＩｍの中間のエネルギーレベルを有し
、超格子構造又は多重ヘテロ接合層構造で形成した光と
じ込め層を、活性層とクラッド層の間に設けたものであ
る。
、活性層とクラッド１の中間の屈折率を有し、平均的に
活性層とクラッドＩｍの中間のエネルギーレベルを有し
、超格子構造又は多重ヘテロ接合層構造で形成した光と
じ込め層を、活性層とクラッド層の間に設けたものであ
る。
この発明における超格子構造又は多重ヘテロ接、合間構
造で形成した光とじ込め層は、活性層とクラッド層の中
間の屈折率を有し、平均的に活性層とクラッド層の中間
のエネルギーレベルを有するため、活性層とクラッド層
間界面の再結合中心の密度を低下でき、この結果キャリ
ヤーの注入の効率が上げられ、さらに縦方向の光とじ込
めを強化でき、この結果光のもれを少なくしてレーザー
素子の発光効率を上げることができる。
造で形成した光とじ込め層は、活性層とクラッド層の中
間の屈折率を有し、平均的に活性層とクラッド層の中間
のエネルギーレベルを有するため、活性層とクラッド層
間界面の再結合中心の密度を低下でき、この結果キャリ
ヤーの注入の効率が上げられ、さらに縦方向の光とじ込
めを強化でき、この結果光のもれを少なくしてレーザー
素子の発光効率を上げることができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（ハ）、■は電極、口はｎ型ＧａＡｓキャ
ップ’＋Ｌ（至）はｎ型上部クラッド層、（至）はｎ型
ＧａＡｓ活性層、（７）はｎ型下部クラッド層、弼は半
絶縁性ＧａＡｓ基板、脅、四はｐ空領域でＺｎ拡散によ
るｐ空領域、輿はｎ型の超格子構造からなる上部光とじ
込め層で、ｎ型上部クラッド層曽と活性層四の間に形成
され、６υはｎ型の超格子構造からなる下部光とじ込め
層で、ｎ型下部クラッド層（７）と活性層−の間に形成
されている。この光とじ込め層ｑ、、６υは、例えばＡ
ｌＡｓ／ＧａＡｓ、 ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ／ＧａＡｓ
１及びＡｌ ｘＧａｌ−ｘＡｓ／Ａ１ｙＧａ１−ｙＡｓ
のうちのいずれかからなる超格子層を用いて構成されて
おり、光とじ込め層（７）、６υの屈折率及びエネルギ
ーレベルはそれぞれ活性層（７）とクラッド層（ハ）、
（ホ）の中間になるように構成されている。第２図は一
般的なＧＲＩ Ｎ−５ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ−Ｉ ｎｄｅ
ｘ−５ｅｐａｒａ ｔｅ−Ｃｏｎｆ ｉｎｅｍｅｎｔ−
Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）のエネルギーバンド
の活性層（至）付近の模式図であり、そのエネルギーレ
ベルは活性層■側よりクラッド層■、（７）側が高く、
クラッド層（ハ）、翰側から徐々に活性層■側に向って
傾斜して構成され、効率よく光をとじ込めるレーザー素
子である。第８図はこの発明の一実施例について、第２
図と等価な、超格子の周期を工夫することによって得た
光とじ込め層で構成されたレーザー素子のエネルギーバ
ンド（実線）の活性＠（７）付近の模式図である。つま
り、第８図でエネルギーレベルを平均的に見ると第３図
の点線のようになり、第８図のエネルギーレベルは第２
図のエネルギーレベルと等価になる。なお、ＡｌＡｓ／
ＧａＡｓで超格子構造を作るとき、ＡｌＡｓ層とＧａＡ
ｓ層を例えば一方の厚さを変化させながら交互に積薯す
るが、ＡｌＡｓ層の厚さとＧａＡｓ層の厚さを加えたも
のを一周期と呼ぶ。第４図は、光とじ込め層（７）、Ｃ
υ、及び活性層に）の屈折率分布を模式的に示したもの
である。
図において、（ハ）、■は電極、口はｎ型ＧａＡｓキャ
ップ’＋Ｌ（至）はｎ型上部クラッド層、（至）はｎ型
ＧａＡｓ活性層、（７）はｎ型下部クラッド層、弼は半
絶縁性ＧａＡｓ基板、脅、四はｐ空領域でＺｎ拡散によ
るｐ空領域、輿はｎ型の超格子構造からなる上部光とじ
込め層で、ｎ型上部クラッド層曽と活性層四の間に形成
され、６υはｎ型の超格子構造からなる下部光とじ込め
層で、ｎ型下部クラッド層（７）と活性層−の間に形成
されている。この光とじ込め層ｑ、、６υは、例えばＡ
ｌＡｓ／ＧａＡｓ、 ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ／ＧａＡｓ
１及びＡｌ ｘＧａｌ−ｘＡｓ／Ａ１ｙＧａ１−ｙＡｓ
のうちのいずれかからなる超格子層を用いて構成されて
おり、光とじ込め層（７）、６υの屈折率及びエネルギ
ーレベルはそれぞれ活性層（７）とクラッド層（ハ）、
（ホ）の中間になるように構成されている。第２図は一
般的なＧＲＩ Ｎ−５ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ−Ｉ ｎｄｅ
ｘ−５ｅｐａｒａ ｔｅ−Ｃｏｎｆ ｉｎｅｍｅｎｔ−
Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）のエネルギーバンド
の活性層（至）付近の模式図であり、そのエネルギーレ
ベルは活性層■側よりクラッド層■、（７）側が高く、
クラッド層（ハ）、翰側から徐々に活性層■側に向って
傾斜して構成され、効率よく光をとじ込めるレーザー素
子である。第８図はこの発明の一実施例について、第２
図と等価な、超格子の周期を工夫することによって得た
光とじ込め層で構成されたレーザー素子のエネルギーバ
ンド（実線）の活性＠（７）付近の模式図である。つま
り、第８図でエネルギーレベルを平均的に見ると第３図
の点線のようになり、第８図のエネルギーレベルは第２
図のエネルギーレベルと等価になる。なお、ＡｌＡｓ／
ＧａＡｓで超格子構造を作るとき、ＡｌＡｓ層とＧａＡ
ｓ層を例えば一方の厚さを変化させながら交互に積薯す
るが、ＡｌＡｓ層の厚さとＧａＡｓ層の厚さを加えたも
のを一周期と呼ぶ。第４図は、光とじ込め層（７）、Ｃ
υ、及び活性層に）の屈折率分布を模式的に示したもの
である。
次に動作について説明する。第３図に示す超格子構造か
らなる光とじ込め層（１）、６ｖを有する横方向電流注
入型半導体レーザー素子では、第４図に示すように光と
じ込め層（７）、６〃の屈折率が上下部クラッド層（ハ
）、（７）よりも大きい。このため、活性層（４）の厚
さをキャリヤーのとじ込めを高めるために、例えば１０
００八程度に薄くしても、発光した光は屈折率の高い光
とじ込め層ｑ、６ηに効率よくとじ込めることが可能で
ある。従って、キャリヤーと光のとじ込めを独立に行う
ことができ、レーザー発振閾値の低い半導体レーザー素
子が得られる。
らなる光とじ込め層（１）、６ｖを有する横方向電流注
入型半導体レーザー素子では、第４図に示すように光と
じ込め層（７）、６〃の屈折率が上下部クラッド層（ハ
）、（７）よりも大きい。このため、活性層（４）の厚
さをキャリヤーのとじ込めを高めるために、例えば１０
００八程度に薄くしても、発光した光は屈折率の高い光
とじ込め層ｑ、６ηに効率よくとじ込めることが可能で
ある。従って、キャリヤーと光のとじ込めを独立に行う
ことができ、レーザー発振閾値の低い半導体レーザー素
子が得られる。
また、この光とじ込め層山、Ｇ３１）は分布屈折率型で
あるので、レーザー光の広がりを小さくすることができ
る。このように、縦方向においては従来よりも光とキャ
リヤーを効率よくとじ込めることができ、リーク電流は
小さく、閾値電流は低く、かつキャリヤーの捕獲効率が
高くなるため、温度特性が良く、ビームの広がりの小さ
くすることが可能である。さらに、クラッド層（ハ）、
（７）と活性層ｑとの界面か格子不整合誘導歪による緩
和・、又はヘテロ接合界面での不純物トラップの分散、
さらに例えば雑誌（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
、 ４４．２１７（１９８４）に記載されているように
活性層ｑとクラッド層御、（７）間界面の再結合中心の
密度を小さくして発振しきい値を下げることが可能とな
る。
あるので、レーザー光の広がりを小さくすることができ
る。このように、縦方向においては従来よりも光とキャ
リヤーを効率よくとじ込めることができ、リーク電流は
小さく、閾値電流は低く、かつキャリヤーの捕獲効率が
高くなるため、温度特性が良く、ビームの広がりの小さ
くすることが可能である。さらに、クラッド層（ハ）、
（７）と活性層ｑとの界面か格子不整合誘導歪による緩
和・、又はヘテロ接合界面での不純物トラップの分散、
さらに例えば雑誌（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
、 ４４．２１７（１９８４）に記載されているように
活性層ｑとクラッド層御、（７）間界面の再結合中心の
密度を小さくして発振しきい値を下げることが可能とな
る。
また、上記実施例では、光とじ込め層端、６υを超格子
構造で形成した場合を示したが、例えばＡ Ｉ ｘＧａ
＋ −ｘＡｓ／ＧａＡｓからなる多重ヘテロ接合層構
造によって形成することもできる。第５図は多重ヘテロ
接合層構造による活性層（至）付近のエネルギーバンド
の模式図で、エネルギーレベルを平均的に見るとやはり
点線のようになり、第２図に示すエネルギーレベルと等
価になる。また、各ヘテロ接合層の厚さが無限小に小さ
い無限側のステップで構成する場合、光とじ込め層端、
６］）の組成を活性層（７）からクラッド層（ハ）、翰
まで連続的に変化させることも可能である。この実施例
においても上記実施例と同様の効果を奏する。
構造で形成した場合を示したが、例えばＡ Ｉ ｘＧａ
＋ −ｘＡｓ／ＧａＡｓからなる多重ヘテロ接合層構
造によって形成することもできる。第５図は多重ヘテロ
接合層構造による活性層（至）付近のエネルギーバンド
の模式図で、エネルギーレベルを平均的に見るとやはり
点線のようになり、第２図に示すエネルギーレベルと等
価になる。また、各ヘテロ接合層の厚さが無限小に小さ
い無限側のステップで構成する場合、光とじ込め層端、
６］）の組成を活性層（７）からクラッド層（ハ）、翰
まで連続的に変化させることも可能である。この実施例
においても上記実施例と同様の効果を奏する。
さらに、超格子層構造で光とじ込め層（７）、６υを形
成する場合は、Ｚｎ拡散領域鱒、（ト）が合金化するた
め、屈折率が大きくなりホモ接合部の横方向の光とじ込
めが強くなる。このため高性能な半導体レーザー素子が
得られる。
成する場合は、Ｚｎ拡散領域鱒、（ト）が合金化するた
め、屈折率が大きくなりホモ接合部の横方向の光とじ込
めが強くなる。このため高性能な半導体レーザー素子が
得られる。
また、光とじ込め層に）を超格子層で構成する場合、以
下に示す変形例又はその組み合わせを使って構成しても
よい。ＡｌＡｓのバリア一層０） 巾’ｚ ＩＢ。
下に示す変形例又はその組み合わせを使って構成しても
よい。ＡｌＡｓのバリア一層０） 巾’ｚ ＩＢ。
ＧａＡｓの井戸層の巾をｌｚとして、ＩＢを一定とし、
ｌｚを変化させる。活性層（ハ）に近づくにっれｌｚを
大きくすると、活性層（７）に近づくにつれてエネルギ
ーギャップの変化が小さくなり、多重ヘテロ接合層構造
の混晶組成変化により屈折率分布を持たせたＧＲＩＮ−
３ＣＨと等価なものが得られる。他にｌｚの変化を調整
することで、このエネルギーギャップの変化を深さ方向
に対し、２乗変化、８乗変化、又、ＧＲＩＮ−５ＣＨと
等価な構造にすることで、縦方向のキャリヤーのとじ込
めが増大し、Ｚｎ拡散領域の合金化による横方向の光と
じ込めに加えて、８次元的なとじ込めが強化される。ま
た、ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓとＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超格子
の両方を使ってＳＣＨ構造を作ることもできる。この場
合も超格子を構成する半導体の組み合わせ（ＧａＡｓ／
Ａ Ｉ ＡＳ １ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ Ｓ
ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ／Ａ１ｙＧａ＋−ｙＡｓ ）
や、その周期、幅、組成などをいろいろ組み合わせて分
布屈折率型のＧＲＩＮ−５ＣＨ構造と等価な機能を持た
せることもできる。
ｌｚを変化させる。活性層（ハ）に近づくにっれｌｚを
大きくすると、活性層（７）に近づくにつれてエネルギ
ーギャップの変化が小さくなり、多重ヘテロ接合層構造
の混晶組成変化により屈折率分布を持たせたＧＲＩＮ−
３ＣＨと等価なものが得られる。他にｌｚの変化を調整
することで、このエネルギーギャップの変化を深さ方向
に対し、２乗変化、８乗変化、又、ＧＲＩＮ−５ＣＨと
等価な構造にすることで、縦方向のキャリヤーのとじ込
めが増大し、Ｚｎ拡散領域の合金化による横方向の光と
じ込めに加えて、８次元的なとじ込めが強化される。ま
た、ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓとＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超格子
の両方を使ってＳＣＨ構造を作ることもできる。この場
合も超格子を構成する半導体の組み合わせ（ＧａＡｓ／
Ａ Ｉ ＡＳ １ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ Ｓ
ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ／Ａ１ｙＧａ＋−ｙＡｓ ）
や、その周期、幅、組成などをいろいろ組み合わせて分
布屈折率型のＧＲＩＮ−５ＣＨ構造と等価な機能を持た
せることもできる。
さらに、超格子を形成する巾は一般には１００Å以下で
あるので、活性層厚もその巾より小さくならない程度に
うすくすることが可能であり、この場合には量子効果が
期待でき、さらに低閾値電流で温度特性がよく、ビーム
広がりの小さい半導体レーザー素子が得られる。
あるので、活性層厚もその巾より小さくならない程度に
うすくすることが可能であり、この場合には量子効果が
期待でき、さらに低閾値電流で温度特性がよく、ビーム
広がりの小さい半導体レーザー素子が得られる。
また、上記実施例ではＧａＡｓを活性層−として用いた
場合を示したが、活性層（７）がＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ
の場合にも同様な効果を奏する。
場合を示したが、活性層（７）がＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ
の場合にも同様な効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、活性層とクラッド層
の中間の屈折率を有し、平均的に活性層とクラッド層の
中間のエネルギーレベルを有し、超格子構造又は多重ヘ
テロ接合層構造で形成した光とじ込め層を、活性層とク
ラッド層の間に設けることにより、活性層とクラッド層
間界面の再結合中心の密度を低下でき、この結果キャリ
ヤーの注入の効率が上げられ、さらに縦方向の光とじ込
めを強化でき、この結果光のもれを少なくしてレーザー
素子の発光効率を上げることができる横方向電流注入型
半導体レーザー素子が得られる効果がある。
の中間の屈折率を有し、平均的に活性層とクラッド層の
中間のエネルギーレベルを有し、超格子構造又は多重ヘ
テロ接合層構造で形成した光とじ込め層を、活性層とク
ラッド層の間に設けることにより、活性層とクラッド層
間界面の再結合中心の密度を低下でき、この結果キャリ
ヤーの注入の効率が上げられ、さらに縦方向の光とじ込
めを強化でき、この結果光のもれを少なくしてレーザー
素子の発光効率を上げることができる横方向電流注入型
半導体レーザー素子が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による横方向電流注入型半
導体レーザーの断面図、第２図は一般的なＧＲＩＮ−５
ＣＨのエネルギーバンドの活性層付近の模式図、第８図
はこの発明の一実施例によるエネルギーバンドの活性層
付近の模式図、第４図はこの発明の一実施例による屈折
率分布の活性層付近の模式図、第５図はこの発明の他の
実施例によるエネルギーバンドの活性層付近の模式図、
第６図は従来の横方向電流注入型半導体レーザー素子を
示す断面図である。 咎、■・・・クラッド層、四・・・活性層、山、０υ・
・・光とじ込め層。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
導体レーザーの断面図、第２図は一般的なＧＲＩＮ−５
ＣＨのエネルギーバンドの活性層付近の模式図、第８図
はこの発明の一実施例によるエネルギーバンドの活性層
付近の模式図、第４図はこの発明の一実施例による屈折
率分布の活性層付近の模式図、第５図はこの発明の他の
実施例によるエネルギーバンドの活性層付近の模式図、
第６図は従来の横方向電流注入型半導体レーザー素子を
示す断面図である。 咎、■・・・クラッド層、四・・・活性層、山、０υ・
・・光とじ込め層。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）活性層とクラッド層を有し、上記活性層に沿つて
電流が流れるようにした横方向電流注入型半導体レーザ
ー素子において、上記活性層と上記クラッド層の中間の
屈折率を有し、平均的に上記活性層と上記クラッド層の
中間のエネルギーレベルを有し、超格子構造又は多重ヘ
テロ接合層構造で形成した光とじ込め層を、上記活性層
と上記クラッド層の間に設けたことを特徴とする横方向
電流注入型半導体レーザー素子。 （２）光とじ込め層の平均的エネルギーレベルは、活性
層側よりクラッド層側が高く、上記クラッド層側より上
記活性層側に傾斜している特許請求の範囲第１項記載の
横方向電流注入型半導体レーザー素子。 （３）超格子構造は、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ
＿１−ｘＡｓ／ＧａＡｓ、及びＡｌｘＧａ＿１−ｘＡｓ
／ＡｌｙＧａ＿１−ｙＡｓのうちのいずれかで形成した
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の横方向電流注入
型半導体レーザー素子。 （４）多重ヘテロ接合層構造は、ＡｌｘＧａ＿１−ｘＡ
ｓ／ＧａＡｓで形成した特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の横方向電流注入型半導体レーザー素子。 （３）光とじ込め層は、ＡｌｘＧａ＿１−ｘＡｓとＡｌ
Ａｓ／ＧａＡｓ超格子の両方で形成した特許請求の範囲
第１項又は第２項記載の横方向電流注入型半導体レーザ
ー素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3478685A JPS61194790A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 横方向電流注入型半導体レ−ザ−素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3478685A JPS61194790A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 横方向電流注入型半導体レ−ザ−素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194790A true JPS61194790A (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=12423955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3478685A Pending JPS61194790A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 横方向電流注入型半導体レ−ザ−素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194790A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7085299B2 (en) | 2003-03-19 | 2006-08-01 | Bookham Technology Plc | High power semiconductor laser with a large optical superlattice waveguide |
| JP2008034848A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Lg Electronics Inc | 窒化物系発光素子 |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP3478685A patent/JPS61194790A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7085299B2 (en) | 2003-03-19 | 2006-08-01 | Bookham Technology Plc | High power semiconductor laser with a large optical superlattice waveguide |
| JP2008034848A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Lg Electronics Inc | 窒化物系発光素子 |
| US8350250B2 (en) | 2006-07-26 | 2013-01-08 | Lg Electronics Inc. | Nitride-based light emitting device |
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