JPS61190937A - レジスト材料およびそれを用いたマスクパタ−ンの検査方法 - Google Patents
レジスト材料およびそれを用いたマスクパタ−ンの検査方法Info
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- JPS61190937A JPS61190937A JP60030395A JP3039585A JPS61190937A JP S61190937 A JPS61190937 A JP S61190937A JP 60030395 A JP60030395 A JP 60030395A JP 3039585 A JP3039585 A JP 3039585A JP S61190937 A JPS61190937 A JP S61190937A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、リソグラフィ技術に適用して有効な技術に関
するものである。
するものである。
（背景技術〕
半導体集積回路はシリコンウェハ１にブレーナ技術を利
用して形成される。このブレーナ技（符番ま所定のパタ
ーンが形成されたマスクを用し）、ウエノ１上に被着し
たレジストに前記ノ寸ターンを転写した後、イオン打ち
込み、エツチング等の種々の処理を行って達成されるも
のである。
用して形成される。このブレーナ技（符番ま所定のパタ
ーンが形成されたマスクを用し）、ウエノ１上に被着し
たレジストに前記ノ寸ターンを転写した後、イオン打ち
込み、エツチング等の種々の処理を行って達成されるも
のである。
前記マスクは、通常ガラス等の透明基板にクロム等の遮
光膜を被着したマスクブランクに、所定の微細パターン
を形成してなるものである。
光膜を被着したマスクブランクに、所定の微細パターン
を形成してなるものである。
ところで、ブレーナ技術においては、マスクにほこり等
の異物が付着している場合、その異物もウェハ上のレジ
ストに転写されることになるため、ウェハの欠陥の原因
になる。そのため、ウエノλ上のレジスト露光を行う前
に、露光装置に装着力（完了したマスクに異物が付着し
ているか合力）を検査することが必要である。
の異物が付着している場合、その異物もウェハ上のレジ
ストに転写されることになるため、ウェハの欠陥の原因
になる。そのため、ウエノλ上のレジスト露光を行う前
に、露光装置に装着力（完了したマスクに異物が付着し
ているか合力）を検査することが必要である。
前記検査として、前記マスクブランクのクロム膜上面に
レジスト層を被着形成し、該クロム膜に露光装置に装着
されているマスクのノぐターンを転透過光のパターンよ
り検査する方法がある。この技術については、特願昭５
８−２２８４５５号に詳細に説明されている。
レジスト層を被着形成し、該クロム膜に露光装置に装着
されているマスクのノぐターンを転透過光のパターンよ
り検査する方法がある。この技術については、特願昭５
８−２２８４５５号に詳細に説明されている。
ところが、前記検査方法を採用する場合は、通常のマス
ク形成と同一工程、すなわちレジスト層を露光し、現像
した後、クロム膜のエツチング除去を行わなければなら
ず、工程が長（なり時間がかかるという問題があること
が本発明者により見い出された。
ク形成と同一工程、すなわちレジスト層を露光し、現像
した後、クロム膜のエツチング除去を行わなければなら
ず、工程が長（なり時間がかかるという問題があること
が本発明者により見い出された。
本発明の目的は、マスクパターン検査を迅速に行うこと
ができる技術を提供することにある。
ができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、露光用電磁波に対する吸収能が無いかまたは
低い電磁波吸収剤が含有されてなるレジスト材料を、透
明基板上に被着して検査用基板を形成し、該検査用基板
のレジスト層にマスクパターンを転写することにより、
前記レジスト材料に含有せしめた電磁波吸収剤が吸収す
る波長の電磁波からなるまたは該電磁波を含む検査光を
前記転写後の検査用基板に照射し、該基板を透過する検
査光の吸収パターンから前記マスクパターンの欠陥を検
査することができることより、前記検査用基板の代わり
にマスクブランクを用いる場合に比べ、遮光膜のエツチ
ング工程が不要であるため、マスクパターンの検査工程
の短縮が達成される。
低い電磁波吸収剤が含有されてなるレジスト材料を、透
明基板上に被着して検査用基板を形成し、該検査用基板
のレジスト層にマスクパターンを転写することにより、
前記レジスト材料に含有せしめた電磁波吸収剤が吸収す
る波長の電磁波からなるまたは該電磁波を含む検査光を
前記転写後の検査用基板に照射し、該基板を透過する検
査光の吸収パターンから前記マスクパターンの欠陥を検
査することができることより、前記検査用基板の代わり
にマスクブランクを用いる場合に比べ、遮光膜のエツチ
ング工程が不要であるため、マスクパターンの検査工程
の短縮が達成される。
本実施例は、本発明による一実施例であるレジスト材料
である。
である。
本実施例のレジスト材料は、ノボラック系樹脂、怒光性
物質およびその他の通常必要成分ならびに所定量の電磁
波吸収剤であるメチルバイオレットを有機溶剤に溶解し
て調整したものである。
物質およびその他の通常必要成分ならびに所定量の電磁
波吸収剤であるメチルバイオレットを有機溶剤に溶解し
て調整したものである。
第１図は本実施例であるレジスト材料を用いて形成した
検査用基板を示す断面図である。
検査用基板を示す断面図である。
前記検査用基板１は、石英ガラスの透明基１２の上面に
５１０ｎｍに大きな吸収係数を有するメチルバイオレフ
トが数％添加されているレジスト層３が被着形成されて
いるものである。
５１０ｎｍに大きな吸収係数を有するメチルバイオレフ
トが数％添加されているレジスト層３が被着形成されて
いるものである。
前記レジスト層３は、本実施例のレジスト材料を通常の
方法で前記透明基板２に被着、乾燥等の工程を経て形成
することができる。
方法で前記透明基板２に被着、乾燥等の工程を経て形成
することができる。
前記検査用基板１は、マスクを用いてシリコンウェハ（
図示せず。）の上のレジスト層を露光する前に、そのマ
スクに異物付着等によりパターンに欠陥が発生している
か否かの検査に適用して好適なものである。
図示せず。）の上のレジスト層を露光する前に、そのマ
スクに異物付着等によりパターンに欠陥が発生している
か否かの検査に適用して好適なものである。
すなわち、露光装置にマスクを装着した後、ウェハ載置
台に前記検査用基板１をセットし、通常の技術により、
該検査用基板ｌの上面に形成されたレジスト層を露光し
、現像を行うことにより、レジスト層からなる前記マス
クパターンの転写パターンを形成する。
台に前記検査用基板１をセットし、通常の技術により、
該検査用基板ｌの上面に形成されたレジスト層を露光し
、現像を行うことにより、レジスト層からなる前記マス
クパターンの転写パターンを形成する。
次いで、パターン転写後の検査用基板１ａを、第２図に
ブロック図で示す如く、光源４と受光部５との間にセッ
トし、光源４から５１０ｎｍの波長の光または該波長の
光を含む検査光を照射し、その際の透過光を受光部５で
受ける。この場合、５１０ｒ＋ａ＋の光は前記転写後の
検査用基板１ａの上のレジストパターン３ａに吸収され
るため、前記波長の光に対する吸収パターンとして前記
レジストパターン３ａを受光部５で感知できる。
ブロック図で示す如く、光源４と受光部５との間にセッ
トし、光源４から５１０ｎｍの波長の光または該波長の
光を含む検査光を照射し、その際の透過光を受光部５で
受ける。この場合、５１０ｒ＋ａ＋の光は前記転写後の
検査用基板１ａの上のレジストパターン３ａに吸収され
るため、前記波長の光に対する吸収パターンとして前記
レジストパターン３ａを受光部５で感知できる。
前記受光部５で感知した吸収パターンを検出部６により
検出し、該吸収パターンに異常があるか否かを確認する
ことにより、前記マスクのパターンに欠陥があるか否か
を検査できるものである。
検出し、該吸収パターンに異常があるか否かを確認する
ことにより、前記マスクのパターンに欠陥があるか否か
を検査できるものである。
以上説明した如く、本実施例のレジスト材料を用いて検
査用基板１を形成し、該検査用基板１を用いてマスクパ
ターンの検査を行うことにより、マスクブランクを用い
て検査を行う場合に比べ遮光膜のエツチング工程が不要
であるため短時間で行うことができる。
査用基板１を形成し、該検査用基板１を用いてマスクパ
ターンの検査を行うことにより、マスクブランクを用い
て検査を行う場合に比べ遮光膜のエツチング工程が不要
であるため短時間で行うことができる。
なお、本実施例のレジスト材料に適用されている電磁波
吸収剤であるメチルバイオレフトの吸収係数が大きな５
１０ｎｍ付近の光は、前記ノボラック系樹脂からなるポ
ジ型レジストの露光光、たとえば４３６ｎｍの光に対し
ては吸収係数が小さいため、レジスト層の露光に対して
はほとんど影響がないものである。
吸収剤であるメチルバイオレフトの吸収係数が大きな５
１０ｎｍ付近の光は、前記ノボラック系樹脂からなるポ
ジ型レジストの露光光、たとえば４３６ｎｍの光に対し
ては吸収係数が小さいため、レジスト層の露光に対して
はほとんど影響がないものである。
（１）、レジスト材料を露光用電磁波に対する吸収能が
無いかまたは低い電磁波吸収剤を添加して調整すること
により、該レジスト材料を透明基板上面に被着し、乾燥
等を行いレジスト層を形成して検査用基板を形成するこ
とができるので、該検査用基板のレジスト層にマスクパ
ターンを転写した後、転写後の検査用基板に前記電磁波
吸収剤の吸収係数が大きな波長域の電磁波または該波長
域の電磁波を含む電磁波を照射し、その際の透過電磁波
の前記波長域における吸収パターンから前記マスクパタ
ーンの検査を行うことができる。
無いかまたは低い電磁波吸収剤を添加して調整すること
により、該レジスト材料を透明基板上面に被着し、乾燥
等を行いレジスト層を形成して検査用基板を形成するこ
とができるので、該検査用基板のレジスト層にマスクパ
ターンを転写した後、転写後の検査用基板に前記電磁波
吸収剤の吸収係数が大きな波長域の電磁波または該波長
域の電磁波を含む電磁波を照射し、その際の透過電磁波
の前記波長域における吸収パターンから前記マスクパタ
ーンの検査を行うことができる。
（２）、前記（１１により、マスクブランクを用いてマ
スクパターンの検査を行う場合に比べ、遮光膜のエツチ
ング工程が不要であるため、短時間で検査を行うことが
できる。
スクパターンの検査を行う場合に比べ、遮光膜のエツチ
ング工程が不要であるため、短時間で検査を行うことが
できる。
（３）、電磁波吸収剤の濃度を調整することにより、コ
ントラストの調整が可能である。
ントラストの調整が可能である。
（４）、特定波長の電磁波照射源を有する自動検査装置
を用い、その特定波長に対する吸収係数の大きな電磁波
吸収剤を含有せしめることにより、マスクパターンの検
査を自動化することができる。
を用い、その特定波長に対する吸収係数の大きな電磁波
吸収剤を含有せしめることにより、マスクパターンの検
査を自動化することができる。
（５）、レジスト材料の樹脂成分および電磁波吸収剤を
組み合わせることにより、可視光、紫外光もしくはＸ＆
？ｆ等による露光が可能ないずれのレジストについても
本発明によるマスクパターンの形成方法を適用できる。
組み合わせることにより、可視光、紫外光もしくはＸ＆
？ｆ等による露光が可能ないずれのレジストについても
本発明によるマスクパターンの形成方法を適用できる。
（６）、前記（１１に記載するように、検査用基板をレ
ジスト層を被着形成するだけで形成することができるの
で、マスクブランクを用いて行う場合に比ベコスト低減
が達成される。
ジスト層を被着形成するだけで形成することができるの
で、マスクブランクを用いて行う場合に比ベコスト低減
が達成される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、電磁波吸収剤としてはメチルバイオレットに
ついて説明したが、これに限るものでなく、用いる検査
装置の電磁波源の種類に応じて適切な電磁波吸収剤を選
択できるものである。
ついて説明したが、これに限るものでなく、用いる検査
装置の電磁波源の種類に応じて適切な電磁波吸収剤を選
択できるものである。
また、レジスト材料も樹脂成分がノボラック系樹脂に限
るものでないことはいうまでもない。
るものでないことはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるマスクにおけるパタ
ーンの検査に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、たとえば、縮小露光に用いら
れるレチクルにおけるパターンの検査に適用しても有効
な技術である。
をその背景となった利用分野であるマスクにおけるパタ
ーンの検査に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、たとえば、縮小露光に用いら
れるレチクルにおけるパターンの検査に適用しても有効
な技術である。
第１図は、本発明にょる一実施例であるレジスト材料を
用いて、透明基板上にレジスト層を被着して形成された
検査用基板を示す断面図、第２図は、マスクパターンの
転写後の検査用基板を用いて行うマスクパターンの検査
方法を示す概略説明図である。 １，１ａ・１．検査用基板、２・・・透明基板、３・・
・レジスト層、３ａ・・・レジストパターン、４・・・
光源、５・・・受光部、６・・・検出部。 第 １ 図 第 ２ 図
用いて、透明基板上にレジスト層を被着して形成された
検査用基板を示す断面図、第２図は、マスクパターンの
転写後の検査用基板を用いて行うマスクパターンの検査
方法を示す概略説明図である。 １，１ａ・１．検査用基板、２・・・透明基板、３・・
・レジスト層、３ａ・・・レジストパターン、４・・・
光源、５・・・受光部、６・・・検出部。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電磁波露光が可能なレジスト層の形成に用いられる
レジスト材料であって、前記露光用電磁波に対する吸収
能の無いまたは低い電磁波吸収剤が添加されてなるレジ
スト材料。 ２、電磁波吸収剤が、可視光、紫外光またはＸ線に対す
る高吸収能を有していることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のレジスト材料。 ３、電磁波吸収剤が、５１０ｎｍの波長の光に対する高
吸収能を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のレジスト材料。 ４、電磁波吸収剤が、メチルバイオレットであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジスト材料。 ５、レジスト材料がノボラック系樹脂で調整されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジスト
材料。 ６、透明基板上面に検査光に対する吸収能を有する電磁
波吸収剤を含有させたレジスト層が被着された検査用基
板を用意し、該検査用基板のレジスト層にマスクパター
ンを転写した後、検査用基板に検査光を照射した際の該
検査用基板を透過する検査光の吸収パターンより、マス
クパターンを検査する検査方法。 ７、電磁波吸収剤が、可視光、紫外光またはＸ線に対す
る高吸収能を有していることを特徴とする特許請求の範
囲第６項記載の検査方法。 ８、電磁波吸収剤が、５１０ｎｍの波長の光に対する高
吸収能を有することを特徴とする特許請求の範囲第６項
記載の検査方法。 ９、電磁波吸収剤が、メチルバイオレットであることを
特徴とする特許請求の範囲第６項記載の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030395A JPS61190937A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | レジスト材料およびそれを用いたマスクパタ−ンの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030395A JPS61190937A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | レジスト材料およびそれを用いたマスクパタ−ンの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190937A true JPS61190937A (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12302735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60030395A Pending JPS61190937A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | レジスト材料およびそれを用いたマスクパタ−ンの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61190937A (ja) |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP60030395A patent/JPS61190937A/ja active Pending
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