JPS61190301A - 回折格子の製造方法 - Google Patents
回折格子の製造方法Info
- Publication number
- JPS61190301A JPS61190301A JP3204985A JP3204985A JPS61190301A JP S61190301 A JPS61190301 A JP S61190301A JP 3204985 A JP3204985 A JP 3204985A JP 3204985 A JP3204985 A JP 3204985A JP S61190301 A JPS61190301 A JP S61190301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- substrate
- photoresist
- film
- exposed area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、分布帰還塑成はブラッグ反射型の半導体レー
ザ等に必要な数千オングストローム程度の空間周期を有
する回折格子を製造する方法に関するものである。
ザ等に必要な数千オングストローム程度の空間周期を有
する回折格子を製造する方法に関するものである。
従来の技術
従来、上記の様な微細構造を有する回折格子を製造する
際、基板上にフォトレジストを塗布し、その後、その塗
布膜上に、二方向から紫外線のレーザ光を照射し、その
回折パターンにより露光するという、いわゆるホログラ
フィック露光を行う □、ていた。ところが、この方
式では基板の表面付近で、一方のレーザー光の位相と表
面で反射したもう一方のレーザー光の位相が逆転してい
るために互いに打ち消し合い、その結果、基板の表面近
傍まで完全に露光する事ができず、基板表面では不用な
レジスト膜の除去が困難で、その後のエツチング等で回
折格子を形成することは困難であった。
際、基板上にフォトレジストを塗布し、その後、その塗
布膜上に、二方向から紫外線のレーザ光を照射し、その
回折パターンにより露光するという、いわゆるホログラ
フィック露光を行う □、ていた。ところが、この方
式では基板の表面付近で、一方のレーザー光の位相と表
面で反射したもう一方のレーザー光の位相が逆転してい
るために互いに打ち消し合い、その結果、基板の表面近
傍まで完全に露光する事ができず、基板表面では不用な
レジスト膜の除去が困難で、その後のエツチング等で回
折格子を形成することは困難であった。
これを解決する方法として、基板表面に光を吸収する膜
を形成し、その上にレジストを塗布し、ホログラフィッ
ク露光を行う方式や、現像後除去しきれていないレジス
ト膜のうすい部分をドライエツチングで除去する方法式
等が考案され〜ているか、前者は蒸着膜を形成するとい
う工程が必要であり、また基板にダメージを与えずに、
光吸収層を除去する事は困難である。一方後者は、ドラ
イエツチング装置が必要であるとともに、基板表面にダ
メージが与えられ、形成された回折格子上に半導体層等
のエピタキシャル成長が出来にくいという事もある。
を形成し、その上にレジストを塗布し、ホログラフィッ
ク露光を行う方式や、現像後除去しきれていないレジス
ト膜のうすい部分をドライエツチングで除去する方法式
等が考案され〜ているか、前者は蒸着膜を形成するとい
う工程が必要であり、また基板にダメージを与えずに、
光吸収層を除去する事は困難である。一方後者は、ドラ
イエツチング装置が必要であるとともに、基板表面にダ
メージが与えられ、形成された回折格子上に半導体層等
のエピタキシャル成長が出来にくいという事もある。
発明が解決しようとする問題点
本発明は従来技術の問題点を解決し、簡単な方法で、容
易に回折格子を形成する事を可能とするものである。
。
易に回折格子を形成する事を可能とするものである。
。
問題点を解決するための手段
本発明は、回折格子の形成される基板上に、紫外線の照
射された領域が現像液に溶解するいわゆるポジのフォト
レジストを塗布する工程、そしてその塗布膜のほぼ全面
を紫外線で露光する工程、その後、更度ポジ又はネガの
フォトレジストを塗布する工程、紫外線のレーザー光の
二乗光束干渉法にてホログラフィック露光する工程、現
像を行う工程、そしてエツチングを行う工程を有する回
折格子の製造方法により、前記の問題点を解決するもの
である。
射された領域が現像液に溶解するいわゆるポジのフォト
レジストを塗布する工程、そしてその塗布膜のほぼ全面
を紫外線で露光する工程、その後、更度ポジ又はネガの
フォトレジストを塗布する工程、紫外線のレーザー光の
二乗光束干渉法にてホログラフィック露光する工程、現
像を行う工程、そしてエツチングを行う工程を有する回
折格子の製造方法により、前記の問題点を解決するもの
である。
作 用
本発明は、まず基板表面に、全面露光され現像液で除去
可能なレジスト膜が形成されるので、基板表面近傍で露
光の充分性われにくい部分の除去も可能となり、高精度
のレジストパターンならびに回折格子の作成が可能とな
る。
可能なレジスト膜が形成されるので、基板表面近傍で露
光の充分性われにくい部分の除去も可能となり、高精度
のレジストパターンならびに回折格子の作成が可能とな
る。
実施例
本発明の実施例の製造工程の断面構造図を第１〜７図に
示す。まず、ＩｎＰ基板１の（１ｏＯ）表面にポジ型の
フォトレジス）（１３５０１）の約５０人のフィルム２
をディッピング法で形成した（第１図）。次に、このレ
ジスト膜を紫外線３で全面露光した（第２図）。そして
ポジ型のフォトレジスト（１３５０７）４を約１０００
人の厚さに塗布した（第３図）。次に、この表面に、２
方向から、コヒーレントな紫外線光６，６を照射し、ホ
ログラフィック露光を行った。その結果、レジスト４中
には、露光される領域７と露光されない領域８が交互に
形成される（第４図）。
示す。まず、ＩｎＰ基板１の（１ｏＯ）表面にポジ型の
フォトレジス）（１３５０１）の約５０人のフィルム２
をディッピング法で形成した（第１図）。次に、このレ
ジスト膜を紫外線３で全面露光した（第２図）。そして
ポジ型のフォトレジスト（１３５０７）４を約１０００
人の厚さに塗布した（第３図）。次に、この表面に、２
方向から、コヒーレントな紫外線光６，６を照射し、ホ
ログラフィック露光を行った。その結果、レジスト４中
には、露光される領域７と露光されない領域８が交互に
形成される（第４図）。
その後の現像により、露光された領域７と全面露光され
たレジスト２のうち領域７の下部のみが現像除去される
（第６図）。
たレジスト２のうち領域７の下部のみが現像除去される
（第６図）。
この残されたレジスト２，４のパターンを熱的に硬化さ
せた後、塩酸系のエツチング液に浸す事により、ＩｎＰ
基板１の表面が異方性エツチングされる（第６図）。最
後に、レジストパターン２゜４を除去する事により回折
格子９が形成される（第７図）。なお、実施例では、Ｉ
ｎＰ基板を用いたがＧ ａ Ａ ｓ基板等信の半導体材
料等でも全く同様であり、しかも、レジスト膜４は、ネ
ガタイプのものであっても支障がない事は自明である。
せた後、塩酸系のエツチング液に浸す事により、ＩｎＰ
基板１の表面が異方性エツチングされる（第６図）。最
後に、レジストパターン２゜４を除去する事により回折
格子９が形成される（第７図）。なお、実施例では、Ｉ
ｎＰ基板を用いたがＧ ａ Ａ ｓ基板等信の半導体材
料等でも全く同様であり、しかも、レジスト膜４は、ネ
ガタイプのものであっても支障がない事は自明である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、１層目のレジストは全面
露光されて現像除去できる状態となっており、比較的容
易に高精度なレジストパターンならびに回折格子を作成
することが可能となる。
露光されて現像除去できる状態となっており、比較的容
易に高精度なレジストパターンならびに回折格子を作成
することが可能となる。
、さらにレジストの塗布工程が２度必要であるが、最初
の露光は非常に簡単に行なえ、工程上の大きな問題とは
ならない。むしろ、従来の方式にレジストの塗布と全面
露光という簡単な工程を付加するだけで、従来の大きな
問題を克服して、容易に回折格子の作製を可能ならしめ
るものであり、極めて大きな効果を有している。
の露光は非常に簡単に行なえ、工程上の大きな問題とは
ならない。むしろ、従来の方式にレジストの塗布と全面
露光という簡単な工程を付加するだけで、従来の大きな
問題を克服して、容易に回折格子の作製を可能ならしめ
るものであり、極めて大きな効果を有している。
遣方法を説明するための図である。
１・・・・・・ＩｎＰ基板、２・・・・・・ポジ型レジ
スト、３・・・・・・紫外線、４・・・・・・フォトレ
ジスト、６，６・・・・・・レーザ光、９・・・・・・
回折格子。
スト、３・・・・・・紫外線、４・・・・・・フォトレ
ジスト、６，６・・・・・・レーザ光、９・・・・・・
回折格子。
Claims (1)
- 基板上に、紫外線の照射された領域が、現像液に溶解す
るポジの第１のフォトレジストを塗布する工程、前記第
１のフォトレジストのほぼ全面を露光する工程、ポジ又
はネガの第２のフォトレジストを再度塗布する工程、レ
ーザー光でホログラフィック露光する工程、現像を行っ
て、前記基板を選択的にエッチングをする工程を有する
回折格子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3204985A JPS61190301A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3204985A JPS61190301A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 回折格子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190301A true JPS61190301A (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12348007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3204985A Pending JPS61190301A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61190301A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06281803A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-10-07 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | ホログラフィック干渉露光装置 |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP3204985A patent/JPS61190301A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06281803A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-10-07 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | ホログラフィック干渉露光装置 |
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